JP6378230B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
第1スイッチ素子のゲートとソース端子との間、または第1スイッチ素子のゲートと接地端子との間に接続され、第1スイッチ素子をオンとオフとに切り替える第2スイッチ素子と、
一端が電源端子と接地端子との間に接続され、他端が第1スイッチ素子のゲートへ接続され、接地端子の電位と第2スイッチ素子の状態とに基づいて、第1スイッチ素子のゲートを昇圧するキャパシタと、を備える。
図1は、第1実施形態に係る半導体装置の概略的な構成を示す回路図である。本実施形態に係る半導体装置1は、出力スイッチ素子に相当するMOSトランジスタM10を制御する。ここで、まず、MOSトランジスタM10について説明する。
図3は、第2実施形態に係る半導体装置の概略的な構成を示す回路図である。図3に示すように、本実施形態に係る半導体装置2は、第1駆動回路11と、第2駆動回路12と、第3駆動回路13aと、制御回路14aと、を備える。
Claims (1)
- ゲート端子とソース端子との間に接続された第1スイッチ素子と、
前記第1スイッチ素子のゲートと接地端子との間に接続され、前記第1スイッチ素子をオンとオフとに切り替える第2スイッチ素子と、
一端が前記接地端子に接続されているとともに、第1抵抗素子及び第2抵抗素子を介して電源端子に接続され、他端が前記第1スイッチ素子の前記ゲートへ接続され、前記接地端子の電位と前記第2スイッチ素子の状態とに基づいて、前記第1スイッチ素子の前記ゲートを昇圧するキャパシタと、
を備え、
前記第2スイッチ素子において、ゲートが前記第1抵抗素子を介して前記電源端子に接続されるとともに前記第2抵抗素子を介して前記接地端子に接続され、ドレインが前記第1スイッチ素子の前記ゲートに接続され、ソースが前記接地端子および前記キャパシタの前記一端に接続された、半導体装置。
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