JP6353666B2

JP6353666B2 - 加工装置

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Publication number: JP6353666B2
Application number: JP2014034868A
Authority: JP
Inventors: 修三浦; 将昭鈴木; 高橋　邦充; 邦充高橋; 平田　和也; 和也平田; 有希子木川
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2014-02-26
Filing date: 2014-02-26
Publication date: 2018-07-04
Anticipated expiration: 2034-02-26
Also published as: JP2015160251A

Description

本発明は、レーザー光線によって加工砥石をドレッシングしながら、被加工物を加工する加工装置に関する。

研削装置では、加工砥石を環状に並べた研削ホイールをチャックテーブル上の被加工物に回転接触させて研削している。この場合、研削ホイールの外周部分が被加工物の中心を通るように、研削ホイールがチャックテーブルに偏心して位置付けられている。そして、研削ホイールが回転して、複数の加工砥石が被加工物の表面を中心から外周縁に向けて通過することで被加工物が研削される。従来、研削装置として、被加工物に対する加工砥石の非接触箇所に洗浄水を吹き付けて、加工砥石を冷却及び洗浄しながら研削するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

また、サファイア、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）等の比較的硬度の高い被加工物を研削する際には、研削ホイールをドレッシングしながら研削する研削装置も提案されている（例えば、特許文献２参照）。この場合、被加工物に対する加工砥石の非接触箇所に、目立て砥石を接触させて加工砥石をドレッシングする。しかしながら、研削に適した回転数（２０００〜４０００ｍｉｎ^−１）と、加工砥石のドレッシングに適した回転数（１０００〜１５００ｍｉｎ^−１）とが一致しておらず、研削しながら適切にドレッシングすることはできなかった。

さらに、比較的硬度の高い被加工物を研削する際に、加熱された加工砥石による熱加工と機械加工とを組み合わせた複合加工を実施する研削装置も提案されている（例えば、特許文献３参照）。特許文献３に記載の研削装置では、比較的硬度の高い被加工物を研削することができるが、加工砥石が目潰れを起こしたら加工砥石に自生作用が発生しないため適切な加工ができなくなる。なお、このような目潰れした加工砥石に対してレーザー光線を加工砥石に照射して、砥粒の脱落を促進して新たな砥粒を突出させるレーザードレッシングも知られている（例えば、特許文献４参照）。

特開２０１０−１４９２２２号公報特開２０１２−１３５８５１号公報特開２０１１−１７１４５１号公報特開平０９−２８５９６２号公報

上記したように、従来の研削装置では、目立て砥石を用いて研削しながら適切なドレッシングすることはできないため、加工砥石が目潰れを起こした場合には研削加工を一時的に中止しなければならない。特許文献４に記載したようなレーザードレッシングを利用することも考えられるが、被加工物の加工中にレーザードレッシングを実施することはできない。すなわち、特許文献４に記載のレーザードレッシングは、ドレッシングに適した回転数で加工砥石を回転させるものであり、加工に適した回転数で加工砥石を回転させると適切なドレッシングができなくなるという問題がある。

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、加工砥石をドレッシングしながら被加工物を加工することができる加工装置を提供することを目的とする。

本発明の加工装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、チャックテーブルで保持する被加工物を加工する加工砥石を回転可能に装着する加工手段と、加工手段に装着される加工砥石が被加工物に接触する接触面をドレッシングするドレッシング手段と、を備える加工装置であって、ドレッシング手段は、接触面にレーザー光線を照射する発光部と、発光部から照射されるレーザー光線の波長および出力を調整する調整部と、を備え、該加工装置は、加工中に該加工砥石の回転速度を認識する回転速度認識部と、該回転速度認識部により認識される該加工砥石の回転速度が遅いほど該発光部から照射されるレーザー光線の繰返し周波数を減少し、該加工砥石の回転速度が速いほど該発光部から照射されるレーザー光線の繰返し周波数を増加する繰返し周波数可変装置と更に備え、ドレッシング手段により、回転する加工砥石が被加工物に接触していない領域の接触面にレーザー光線を照射させて接触面をドレッシングすることを可能にする。

この構成によれば、加工砥石が被加工物に接触していない領域にレーザー光線を照射することで、研削加工中に加工砥石がドレッシングされる。このとき、加工に適した回転数で加工砥石が回転していても、研削加工時の回転数に合わせてレーザー光線を調整することで、加工砥石に対して適切なドレッシングを行うことができる。よって、比較的硬度の高い被加工物を加工して加工砥石が目潰れしても、レーザー光線によって加工砥石の自生作用が促されることで被加工物が連続的に加工される。また、比較的硬度の低い被加工物を加工して加工砥石が目詰まりしても、レーザー光線によって加工砥石に付着した加工屑が除去されることで被加工物が連続的に加工される。

本発明の上記加工装置は、加工砥石が研削ホイールに環状に配置された研削砥石であり、発光部からのレーザー光線の照射方向は研削ホイールの種別に応じて変更される。

本発明によれば、加工砥石が被加工物に接触していない領域にレーザー光線を照射してドレッシングすることで、加工砥石をドレッシングしながら被加工物を加工することができる。

第１の実施の形態に係る研削装置の模式図である。第１の実施の形態に係る研削砥石に対するレーザー光線の照射方向の説明図である。第１の実施の形態に係る研削砥石に対するレーザードレッシングの説明図である。第２の実施の形態に係る切削装置の模式図である。シリンドリカルレンズを用いたレーザードレッシングの説明図である。

以下、添付図面を参照して、第１の実施の形態に係る加工装置について説明する。第１の実施の形態では、加工砥石をドレッシングしながら加工する加工装置として研削装置を例示して説明する。図１は、第１の実施の形態に係る研削装置の模式図である。図２は、第１の実施の形態に係る研削砥石に対するレーザー光線の照射方向の説明図である。なお、図１は、研削装置の一部の構成のみを示しており、一般的な研削装置の構成を備えているものとする。また、図２は、説明の便宜上、ミラーを省略している。また、本発明は、加工砥石を用いて被加工物を加工可能な加工装置であれば、研削装置に限定されず、どのような加工装置にも適用可能である。

図１に示すように、研削装置１は、研削砥石（加工砥石）３４を環状に並べた研削ホイール３３でチャックテーブル２上の被加工物Ｗ１を研削しながら、研削砥石３４をレーザードレッシングするように構成されている。この場合、チャックテーブル２の回転軸に研削ホイール３３の回転軸が偏心しており、環状に並んだ研削砥石３４が被加工物Ｗ１の中心を通るように位置付けられている。そして、研削砥石３４が被加工物Ｗ１に回転接触する接触領域では被加工物Ｗ１が研削され、研削砥石３４が被加工物Ｗ１に接触しない非接触領域では研削砥石３４の研削面３５にレーザー光線が照射されてドレッシングされる。

なお、被加工物Ｗ１としては、シリコンウェーハ（Ｓｉ）、ガリウムヒソ（ＧａＡｓ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）等の半導体基板、セラミック、ガラス、サファイア（Ａｌ₂Ｏ₃）系の無機材料基板、板状金属や樹脂の延性基板、ミクロンオーダーからサブミクロンオーダーの平坦度（ＴＴＶ: ＴｏｔａｌＴｈｉｃｋｎｅｓｓＶａｒｉａｔｉｏｎ）が要求される各種加工基板を用いてもよい。なお、ここでいう平坦度とは、ウエーハＷ１の被研削面を基準面として厚み方向を測定した高さのうち、最大値と最小値との差を示している。

研削装置１のチャックテーブル２は、上面視円形状に形成されており、基台（不図示）に回転可能に設けられている。チャックテーブル２の上面にはポーラスセラミック材によって保持面２１が形成されている。保持面２１は、図１では平坦に描かれているが、実際にはチャックテーブル２の回転中心を頂点とする緩傾斜の円錐状に形成されている。保持面２１に被加工物Ｗ１が吸引保持されると、薄板状の被加工物Ｗ１も保持面２１に沿って緩傾斜の円錐状になる。また、チャックテーブル２は傾き調整機構（不図示）によって研削砥石３４の研削面（接触面）３５に対する傾きが調整されている。

チャックテーブル２の上方には、チャックテーブル２に保持された被加工物Ｗ１を研削する研削手段３が設けられている。研削手段３は、スピンドル３１の下端にマウント３２が設けられ、このマウント３２の下面に複数の研削砥石３４が環状に配置された研削ホイール３３が設けられている。研削砥石３４は、例えば、アルミナ系砥粒、炭化ケイ素系砥粒、又はＣＢＮ（立方晶窒化ホウ素）やダイヤモンド等の超砥粒をレジンボンド、ビリファイドボンド等の結合剤で固めて構成される。研削手段３は、昇降手段（不図示）によってチャックテーブル２に対してＺ軸方向で離間又は接近される。

また、環状に並んだ複数の研削砥石３４が被加工物Ｗ１の中心を通るように、研削ホイール３３に対して被加工物Ｗ１が位置付けられており、研削砥石３４の研削面３５に対して被加工物Ｗ１の表面５０が平行になるようにチャックテーブル２の傾きが調整されている。このため、被加工物Ｗ１に対して研削砥石３４が回転接触されると、被加工物Ｗ１の中心から外周縁に至る円弧状の領域が研削される。このように、研削装置１では、スピンドル３１の回転軸を中心として複数の研削砥石３４を周回移動させ、周回移動の一部の研削区間で研削砥石３４を被加工物Ｗ１の表面５０に接触させて研削している。

研削手段３の下方には、被加工物Ｗ１の研削加工中に研削砥石３４の研削面３５をドレッシングするドレッシング手段４が設けられている。ドレッシング手段４は、被加工物Ｗ１に研削砥石３４が接触していない領域の研削面３５に向けて発光部４１からパルス状のレーザー光線を照射してレーザードレッシングを実施している。すなわち、上記した周回移動中の研削区間を除く区間で、研削砥石３４の研削面３５がレーザードレッシングされる。レーザードレッシングでは、研削砥石３４の研削面３５にレーザー光線が照射されることで、研削砥石３４の結合剤が溶融又は気化されて研削面３５から砥粒が突き出される。

また、ドレッシング手段４には、光学系としてミラー４６と集光レンズ４７とが設けられている。発光部４１から出射されたレーザー光線はミラー４６により集光レンズ４７に向けて反射され、集光レンズ４７で研削砥石３４の研削面３５に集光される。通常の集光レンズ４７では１点に集光されるため、調節部４８によってミラー４６の角度（傾き）が調節されることで集光点の位置を研削砥石３４の幅方向に移動（走査）させている。ミラー４６の角度変化は、調節部４８によって研削ホイール３３の回転速度に比例してミラー４６の往復動作が速くなるように調整されている。

レーザー光線の波長及び出力は、発光部４１に接続された調整部４２において調整されている。また、レーザー光線の繰返し周波数は、調整部４２に接続された繰返し周波数可変装置４３において調整される。繰返し周波数可変装置４３には、研削砥石３４の回転速度を認識する回転速度認識部４４が接続されている。回転速度認識部４４は、例えばスピンドル３１の回転速度を検出する回転センサ等で構成されている。繰返し周波数可変装置４３は、回転速度認識部４４によって認識された研削砥石３４（スピンドル３１）の回転速度に応じて、レーザー光線の繰返し周波数を可変する。

発光部４１は、調整部４２及び繰返し周波数可変装置４３で調整された波長、出力、繰返し周波数でレーザー光線を照射する。このとき、研削砥石３４の回転速度が速い場合にはレーザー光線の繰返し周波数が増加され、研削砥石３４の回転速度が遅い場合にはレーザー光線の繰返し周波数が減少される。研削砥石３４の回転速度にレーザー光線の照射間隔が合されることで、レーザー光線のピークパワーで研削砥石３４の研削面３５が連続的に加工される。研削砥石３４の研削加工に適した回転数に合わせて、レーザー光線の照射条件を調整でき、研削砥石３４に対して適切なドレッシングが実施される。

なお、研削加工時のレーザードレッシングの加工条件は、例えば以下のように設定されている。
レーザー種類：Ｙｂファイバーレーザー
波長：５１５ｎｍから１０３０ｎｍのパルスレーザー
繰返し周波数：２００ｋＨｚ（１ｋＨｚ〜１ＭＨｚ）
出力：３０Ｗ（１１Ｗ〜５０Ｗ）
パルス幅：８ｐｓ
研削スピンドル回転数：１０００ｍｉｎ^−１
研削ホイール外径：φ３００ｍｍ

また、発光部４１からのレーザー光線の照射方向は研削ホイール３３の種別に応じて変更される。例えば、図２Ａに示すように、複数の研削砥石３４を隙間なく連続させた研削ホイール３３に対しては、発光部４１から研削面３５に向けて真上にレーザー光線が照射される。一方で、図２Ｂに示すように、複数の研削砥石３４に隙間を空けた研削ホイール３３に対して、発光部４１から研削面３５に向けて斜め上方にレーザー光線が照射される。斜め上方にレーザー光線が照射されることで、レーザー光線が複数の研削砥石３４の隙間に入り込む場合であっても、スピンドル３１のマウント３２がレーザー加工されることがない。

なお、本実施の形態に係るドレッシング手段４は、集光レンズ４７を用いてレーザー光線を一点に集光するように構成されたが、この構成に限定されない。図５に示すように、シリンドリカルレンズ４９を用いることで、レーザー光線を研削砥石３４の幅方向の直線状に集光させることができる。これにより、ミラー４６や調節部４８が不要になるため、ドレッシング手段４の光学系を簡略化することができる。

図３を参照して、研削砥石に対するレーザードレッシングについて説明する。図３は、第１の実施の形態に係る研削砥石に対するレーザードレッシングの説明図である。なお、以下の説明は一例に過ぎず、本実施の形態に係るレーザードレッシングは、この内容に限定されるものではない。

図３Ａは、Ｙｂファイバーレーザーを使用したレーザードレッシングを示している。研削砥石３４の研削面３５にレーザー光線が照射されると、砥粒３７の隙間にある結合剤３８が溶融又は気化されて、研削面３５から僅かな厚みだけ結合剤３８が除去される。これにより、研削面３５から砥粒３７を突き出させることができると共に、不要な砥粒３７を脱落させて砥粒３７の自生作用を促すことができる。このとき、研削面３５に対するレーザーの照射に合わせてエアジェットを吹き付けることで、結合剤３８の溶融層を除去し易くする共に、レーザー光線による砥粒３７への熱損傷を抑えることも可能である。

このように、Ｙｂファイバーレーザー等の短波長のレーザー光線を使用することで、研削砥石３４に大きなダメージを与えることなく結合剤３８だけを除去できる。よって、サファイア基板等のように比較的硬度の高い被加工物Ｗ１を研削加工して研削面３５が目潰れしても、研削面３５から新たな砥粒３７を突出させて被加工物Ｗ１を連続的に研削することができる。また、樹脂性基板等のように比較的硬度の低い被加工物Ｗ１を研削加工して研削面３５が目詰りしても、研削面３５の付着した加工屑を除去して被加工物Ｗ１を連続的に研削することができる。

なお、レーザー光線はＹｂファイバーレーザーに限らず、長波長（１０．３μｍ）のＣＯ２レーザーでレーザードレッシングしてもよい。図３Ｂは、ＣＯ２レーザーを使用したレーザードレッシングを示している。研削砥石３４の研削面３５にレーザー光線が照射されると、砥粒３７の隙間の結合剤３８が除去されるだけでなく砥粒３７も焼切られる。これにより、研削面３５から砥粒３７が突き出されるだけでなく、研削面３５から突き出た砥粒３７の表面に微細な凹凸が形成される。ＣＯ２レーザーにおいても、エアジェットを吹き付けて結合剤３８の溶融層を除去し易くすることができる。

このように、ＣＯ２レーザー等の長波長のレーザー光線を使用することで、研削砥石３４を焼切って研削面３５から砥粒３７を突き出させることができる。よって、ＣＯ２レーザーによるレーザードレッシングでも、Ｙｂファイバーレーザーによるレーザードレッシングと同様に、研削砥石３４の目潰れや目詰りを抑えながら被加工物Ｗ１を連続的に研削することができる。特に、砥粒３７の表面に微細な凹凸が形成されるため、サファイア基板等のように比較的硬度の高い被加工物Ｗ１を研削加工する際には、基板表面に砥粒３７が噛み込み易くなり研削能力が向上される。

次に、図１を参照して、研削装置による研削加工の一例について簡単に説明する。

図１に示すように、チャックテーブル２に保持された被加工物Ｗ１の上方に研削手段３が位置付けられている。研削手段３の研削ホイール３３がＺ軸回りに回転しながらチャックテーブル２に近づけられ、研削砥石３４と被加工物Ｗ１とが回転接触することで被加工物Ｗ１が研削される。研削加工中は発光部４１から研削砥石３４の研削面３５にレーザー光線が照射され、研削砥石３４に対するレーザードレッシングが実施される。このため、研削砥石３４の目潰れや目詰りが抑えられた状態で研削加工が続けられる。また、研削加工中は、ハイトゲージ（不図示）によって被加工物Ｗ１の厚みがリアルタイムに測定される。

研削装置１は、ハイトゲージの測定結果に応じて研削砥石３４の研削送りを制御している。この場合、研削装置１は、研削砥石３４の回転速度を一定に維持した状態で、Ｚ軸方向の送り速度を３段階に可変させて被加工物Ｗ１を加工している。第１段階ではＺ軸方向の送り速度が速められ、被加工物Ｗ１を所定の厚みまで短時間で研削される。第２段階ではＺ軸方向の送り速度が落とされ、被加工物Ｗ１が目標厚みに近づけられる。そして、第３段階では、Ｚ軸方向の送り速度がさらに落とされて、被加工物Ｗ１が目標厚みまで研削され表面が整えられて停止される。

ところで、この研削装置１は、研削砥石３４の回転速度を一定に維持した状態で研削加工を実施しているため、レーザードレッシングを実施していても、被加工物Ｗ１の材質によっては研削効率が悪くなるおそれがある。そこで、研削砥石３４のＺ軸方向の送り速度だけでなく、研削砥石３４の回転速度も変更するようにしてもよい。この場合、ドレッシング手段４（繰返し周波数可変装置４３）も、研削砥石３４の回転速度に合わせてレーザー光線の繰返し周波数を自動的に調整するようにする。

例えば、比較的硬度の高い被加工物Ｗ１の研削加工時には、Ｚ軸方向の送り速度を速めた第１段階では研削砥石３４の回転速度を遅くする。送り速度を落とした第２、第３段階では研削砥石３４の回転速度を通常速度に戻すようにする。これに合わせて、ドレッシング手段４も第１段階では繰返し周波数を減少させ、第２、第３段階では通常の繰返し周波数に戻すようにする。第１段階で研削砥石３４の回転速度を遅くすることで、被加工物Ｗ１の表面５０にしっかりと研削砥石３４を噛み込ませることができ、被加工物Ｗ１に対する研削砥石３４の研削面３５の滑りを防止することができる。

また、比較的硬度の低い材質の研削加工時には、Ｚ軸方向の送り速度を速めた第１段階では研削砥石３４の回転速度を速くする。送り速度を落とした第２、第３段階では研削砥石３４の回転速度を通常速度に戻すようにする。これに合わせて、ドレッシング手段４も第１段階では繰返し周波数を増加させ、第２、第３段階では通常の繰返し周波数に戻すようにする。第１段階で研削砥石３４の回転速度を速めることで、被加工物Ｗ１を短時間で所定の厚みまで薄化することができる。

以上のように、第１の実施の形態に係る研削装置１では、研削砥石３４が被加工物Ｗ１に接触していない領域にレーザー光線を照射することで、研削加工中に研削砥石３４がドレッシングされる。このとき、加工に適した回転数で研削砥石３４が回転していても、研削加工時の回転数に合わせてレーザー光線を調整することで、研削砥石３４に対して適切なドレッシングを行うことができる。よって、比較的硬度の高い被加工物Ｗ１を加工して研削砥石３４が目潰れしても、レーザー光線によって研削砥石３４の自生作用が促されることで被加工物Ｗ１が連続的に加工される。また、比較的硬度の低い被加工物Ｗ１を加工して研削砥石３４が目詰まりしても、レーザー光線によって研削砥石３４に付着した加工屑が除去されることで被加工物Ｗ１が連続的に加工される。

続いて、第２の実施の形態に係る加工装置について説明する。第２の実施の形態では、加工装置として切削装置を用いる点で、第１の実施の形態と相違している。したがって、相違点以外については説明を省略する。図４は、第２の実施の形態に係る切削装置の模式図である。なお、図４は、切削装置の一部の構成のみを示しており、一般的な切削装置の構成を備えているものとする。なお、図４においては、説明の便宜上、集光レンズ及びミラーを省略している。

図４に示すように、切削装置５１は、リング状の切削砥石（加工砥石）８５でチャックテーブル５２上の被加工物Ｗ２を切削しながら、切削砥石８５をレーザードレッシングするように構成されている。この場合、被加工物Ｗ２に設けられたストリート９８に対して切削砥石８５が位置付けられ、チャックテーブル５２と切削砥石８５との相対移動によって被加工物Ｗ２が切削される。そして、切削砥石８５が被加工物Ｗ２に接触する接触領域では被加工物Ｗ２が切り込まれ、切削砥石８５の切削砥石８５が被加工物Ｗ２に接触しない非接触領域では切削砥石８５の切削面８６にレーザー光線が照射されてドレッシングされる。

なお、被加工物Ｗ２としては、シリコンウェーハ（Ｓｉ）、ガリウムヒソ（ＧａＡｓ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）等の半導体基板、セラミック、ガラス、サファイア（Ａｌ₂Ｏ₃）系の無機材料基板、ＣＳＰ基板等の半導体製品のパッケージ基板を使用してもよい。

切削装置５１のチャックテーブル５２は、上面視円形状に形成されており、上面にポーラスセラミック材によって被加工物Ｗ２を吸引保持する保持面（不図示）が形成されている。切削装置５１は、切削送り軸６２によって切削砥石８５に対してＸ軸方向に移動される。チャックテーブル５２の上方には、チャックテーブル５２に保持された被加工物Ｗ２を切削する切削手段５３が設けられている。切削手段５３は、スピンドル８１の先端に切削ブレード８２が設けられ、この切削ブレード８２の外周がリング状の切削砥石８５になっている。切削砥石８５は、例えば、上記した研削砥石３４と同様な砥粒や結合剤で構成されている。

切削手段５３は、割出送り軸８３によってチャックテーブル５２に対してＹ軸方向に移動され、昇降送り軸８４によってチャックテーブル５２に対してＺ軸方向で離間又は接近される。切削装置５１では、割出送り軸８３によって切削砥石８５がストリート９８に位置合わせされ、昇降送り軸８４によって被加工物Ｗ２に対する切削砥石８５の切り込み量が調整される。そして、切削送り軸６２によってチャックテーブル５２が切削砥石８５に対して動かされて被加工物Ｗ２が切削される。このとき、切削砥石８５の下端部だけで被加工物Ｗ２がストリート９８に沿って切削される。

また、切削手段５３には、切削砥石８５の外周の略状半部を覆うブレードカバー（不図示）が設けられている。ブレードカバーには、被加工物Ｗ２の切削加工中に切削砥石８５の切削面（接触面）８６をドレッシングするドレッシング手段５４が設けられている。ドレッシング手段５４は、切削加工中に、切削送り方向における前方側の発光部９１から切削面８６に向けてレーザー光線を照射して、切削砥石８５が被加工物Ｗ２に接触しない領域でレーザードレッシングを実施している。また、ドレッシング手段５４は、調整部９２によってレーザー光線の波長及び出力が調整され、繰返し周波数可変装置９３によってレーザー光線の繰返し周波数が可変される。

なお、レーザー光線の繰り返し周波数は、回転速度認識部（不図示）によって認識された切削砥石８５（スピンドル８１）の回転速度（例えば、２００００〜３００００ｍｉｎ^−１）に応じて可変されてもよい。また、第１の実施の形態に係る研削装置１と同様に、ＣＯ２レーザーでレーザードレッシングする構成にしてもよい。

以上のような構成により、第２の実施の形態に係る切削装置５１においても、第１の実施の形態に係る研削装置１と同様に、切削砥石８５の目潰れや目詰りが抑えられ、切削面８６から砥粒を突き出させた状態で被加工物Ｗ２を連続的に研削することができる。

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。

例えば、第１の実施の形態に係る研削装置１においては、レーザー光線の繰返し周波数を可変する構成としたが、研削砥石３４の回転数が可変されない場合には、レーザー光線の繰返し周波数を一定にしてもよい。同様に、第２の実施の形態に係る切削装置５１においても、切削砥石８５の回転数が可変されない場合には、レーザー光線の繰返し周波数を一定にしてもよい。

以上説明したように、本発明は、加工砥石をドレッシングしながら被加工物を加工することができるという効果を有し、特にサファイア等の硬度の高い被加工物を加工する加工装置に有用である。

１研削装置（加工装置）
２、５２チャックテーブル
４、５４ドレッシング手段
３４研削砥石（加工砥石）
３５研削面（接触面）
４１、９１発光部
４２、９２調整部
４３、９３繰返し周波数可変装置
４４回転速度認識部
５１切削装置（加工装置）
８５切削砥石（加工砥石）
８６切削面（接触面）
Ｗ１、Ｗ２被加工物

Claims

被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルで保持する被加工物を加工する加工砥石を回転可能に装着する加工手段と、該加工手段に装着される該加工砥石が被加工物に接触する接触面をドレッシングするドレッシング手段と、を備える加工装置であって、
該ドレッシング手段は、該接触面にレーザー光線を照射する発光部と、該発光部から照射されるレーザー光線の波長および出力を調整する調整部と、を備え、
該加工装置は、加工中に該加工砥石の回転速度を認識する回転速度認識部と、該回転速度認識部により認識される該加工砥石の回転速度が遅いほど該発光部から照射されるレーザー光線の繰返し周波数を減少し、該加工砥石の回転速度が速いほど該発光部から照射されるレーザー光線の繰返し周波数を増加する繰返し周波数可変装置と、更に備え、
該ドレッシング手段により、回転する該加工砥石が被加工物に接触していない領域の該接触面にレーザー光線を照射させて該接触面をドレッシングすることを可能にした加工装置。
該加工砥石が研削ホイールに環状に配置された研削砥石であり、
該発光部からのレーザー光線の照射方向は該研削ホイールの種別に応じて変更される請求項１に記載の加工装置。