JP6351938B2 - 接合構造体の製造方法、接合構造体および装置 - Google Patents
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図1を参照して本発明に係る第1構造体100の実施形態を説明する。図1は、本発明に係る第1構造体100を示す模式図である。以下、ガラスとガラスとが接合されている第1構造体100について説明する。
図3を参照して、本発明に係る第2構造体200の実施形態を説明する。図3は、本発明に係る第2構造体200を示す模式図である。以下、ポリエステル(polyester:PET)基板(以下、PET基板と記載する)(ベース10)と半導体チップ(部品30)とが接合されている第2構造体200について説明する。
図5を参照して、本発明に係る第3構造体300の実施形態を説明する。図5は、本発明の実施形態に係る第3構造体300の製造方法を示す模式的な側面図である。以下、パッド(第1導電部材21aおよび第1導電部材21b)を介してPET基板と半導体チップとが接合されている第3構造体300について説明する。
図7を参照して本発明に係る装置400の実施形態を説明する。図7は、本発明に係る装置400を示す模式図である。
図8を参照して、本発明に係る第1構造体100の製造方法の実施例を説明する。図8は、本発明の第1実施形態に係る第1構造体100を示す写真である。
図9および図10を参照して、本発明に係る第2構造体200の製造方法の実施例を説明する。図9は、銀フレークペーストを用いた配線を示す写真である。図10は、PET基板とダミーチップとを接合した本発明の第3実施形態に係る第3構造体300を示す写真である。
図11を参照して、本発明に係る第3構造体300の製造方法の実施例を説明する。図11(a)、図11(b)および図11(c)は、PET基板とLEDチップとを接合した本発明の第3実施形態に係る第3構造体300を示す写真である。
図12は、本発明に係る接合構造体に照射するパルス電圧(加速電圧)と配線抵抗率の関係を示すグラフである。X軸はパルス発生電圧を示す。Y軸は配線抵抗率(体積抵抗率)を示す。パルス電圧により波形は変化し、電圧が高いほど全照射量は多くなる。光の波長は、300nm〜1000nmが好ましい。また、Cu配線およびNi配線よりもAg配線の方が配線抵抗率を小さくすることができるので、導電部材20にAg配線を用いることが好ましい。また、照射する光のパルス時間は長い方が配線抵抗率を小さくすることができるので、基板にダメージを与えない程度に照射する光のパルス時間は長い方が好ましい。
図13は、本発明に係る接合構造体への、波長(300nm〜1000nm)の光の照射時間と接合構造体のせん断強度の関係を示すグラフである。X軸は波長(300nm〜1000nm)の光の照射時間を示す。何れの条件でも、加速電圧に対して接合強度が最大となる最適値が存在する。例えば、パルス時間が1200μ秒の場合、加速電圧が180Vの際、接合強度が最大となる。また、パルス時間が1400μ秒の場合、加速電圧が190Vの際、接合強度が最大となる。また、パルス時間が1600μ秒の場合、加速電圧が220Vの際、接合強度が最大となる。Y軸はせん断強度を示す。光の波長が(300nm〜1000nm)の光の照射時間は、1000μ秒から1600μ秒が好ましいが、加速電圧とも関係し、150Vから300Vが望ましい。
20、20a、20b 導電部材
21a、21b、21c、21d、21e、21f 第1導電部材
22a、22b、22c、22d 第2導電部材
30 部品
41 接合面
42 非接合面
50 光
100 第1接合体
200 第2接合体
300 第3接合体
400 装置
Claims (11)
- 照射する光に対して少なくとも一方が透過性を有するベースおよび部品を備える接合構造体の製造方法であって、
前記ベースおよび前記部品のうち少なくとも一方に導電部材を形成する工程であって、
前記部品と接合する接合領域に、前記ベースに接触し、ポリマーまたはガラスを含有する第1導電部材を形成する工程と、
前記部品と接合しない非接合領域に、前記ベースに接触し、前記第1導電部材と接続する第2導電部材を形成する工程と
を含む、工程と、
前記ベースと前記部品とを前記導電部材を介して積層する工程と、
前記透過性を有する前記ベースまたは前記部品の方向から前記導電部材に前記光を照射して前記第2導電部材に金属焼結体を形成し、形成された前記金属焼結体を含む前記導電部材を介して前記ベースおよび前記部品を接合する工程と
を包含する、接合構造体の製造方法。 - 前記ベースは、前記照射する光に対して透過性を有し、
前記ベースは、前記導電部材を介して前記部品と接合する接合面と、前記接合面と反対側の非接合面とを有し、
前記ベースおよび前記部品を接合する工程において、
前記非接合面の方向から前記導電部材に前記光を照射する、請求項1に記載の接合構造体の製造方法。 - 前記導電部材には、銀、銅またはニッケルの粒子が分散されている、請求項1または請求項2に記載の接合構造体の製造方法。
- 前記導電部材を形成する工程において、
メッキ処理、蒸着処理またはエッチング箔膜処理によって前記導電部材を形成する、請求項1または請求項2に記載の接合構造体の製造方法。 - 前記ベースは、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ガラス基板またはシリカガラス基板である、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の接合構造体の製造方法。
- 前記ベースは、シリコンカーバイドである、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の接合構造体の製造方法。
- 前記部品は、シリコンである、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の接合構造体の製造方法。
- 前記部品は、ガリウムナイトライドチップまたはLEDチップである、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の接合構造体の製造方法。
- 前記光は可視光、紫外光および赤外光のうち少なくとも1つを含む、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の接合構造体の製造方法。
- ベースと、部品と、導電部材とを備え、
前記ベースと前記部品の少なくとも一方は照射する光に対して透過性を有し、
前記ベースと前記部品とは前記導電部材を介して積層しており、
前記導電部材は、
前記ベースに接触し、前記部品と接合する接合領域に形成され、ポリマーまたはガラスを含有する第1導電部材と、
前記ベースに接触し、前記部品と接合しない非接合領域に形成され、前記第1導電部材と接続する第2導電部材と
を含み、
前記少なくとも一方の方向から前記導電部材に光を照射して前記第2導電部材に金属焼結体を形成し、形成された前記金属焼結体を含む前記導電部材を介して前記ベースおよび前記部品は接合されている、接合構造体。 - 請求項10に記載の接合構造体を備え、
前記部品はLEDチップである、装置。
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