JP2010177235A - 基板モジュールおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ACFで電子部品を実装するためガラス基板裏面からレーザ光を照射するときにACFを適切な温度に加熱することができる構造を有する基板モジュールを提供する。
【解決手段】ガラス基板20上に表示用配線23およびFPC用配線73を設けるほか、LSIチップ40のバンプ電極40aが設けられていないその短辺近傍に、電気的に他と接続されていないベタパターンの加熱用配線24を設ける。この加熱用配線24がレーザ光で加熱されることにより、温度が低くなりやすいLSIチップ40の短辺近傍の温度が低下せずに温度分布が調節され、結果としてACF81を適切な温度に(典型的には均一に)加熱することができる。
【選択図】図3
【解決手段】ガラス基板20上に表示用配線23およびFPC用配線73を設けるほか、LSIチップ40のバンプ電極40aが設けられていないその短辺近傍に、電気的に他と接続されていないベタパターンの加熱用配線24を設ける。この加熱用配線24がレーザ光で加熱されることにより、温度が低くなりやすいLSIチップ40の短辺近傍の温度が低下せずに温度分布が調節され、結果としてACF81を適切な温度に(典型的には均一に)加熱することができる。
【選択図】図3
Description
本発明は、基板モジュールおよびその製造方法に関し、より詳しくは、異方性導電膜を用いて実装された電子部品を含む基板モジュールおよびその製造方法に関する。
従来より、ガラス基板などに電子部品を実装する場合、異方性導電膜(Anisotropic Conductive Film:以下「ACF」という)を用いることがある。図4は、このACFを用いて電子部品を実装した、携帯電話などに搭載される従来の液晶モジュール600の模式平面図である。
図4に示すように、液晶モジュール600は、対向して配置された2枚のガラス基板610、615と、LSIチップ630と、FPC基板640とを備えている。以下、本明細書において液晶モジュールとは、対向して配置された2枚のガラス基板、ガラス基板に実装されたLSIチップなどの電子部品を含み、バックライトや偏光板などは含まないものをいう。
2枚のガラス基板610、615に挟まれた空間は、シール材(図示しない)によって液晶(図示しない)が封止された表示部620を形成する。また、ガラス基板610の張出部611には、表示部620を駆動するために必要なドライバ機能を有する大規模集積回路(Large Scale Integration:以下「LSI」という)チップ630、および外部の電子機器に接続されるフレキシブルプリント配線(Flexible Printed Circuit:以下、「FPC」という)基板640がそれぞれチップ用ACF630aおよびFPC用ACF640aを用いて実装されている。そして外部からFPC基板640を介してLSIチップ630に映像信号、制御信号および電源電圧が与えられると、映像が表示部620に表示される。
このような液晶モジュールを製造する際、チップ用ACF630aを用いてLSIチップ630を実装するには、LSIチップ630の上面(LSIチップ630の基板面に向かう面と反対側の面)に対して所定の温度に加熱されたヒートツールと呼ばれる熱圧着のための部材を当接させ、このヒートツール(ホットバーとも呼ばれる)を基板面に向かって押しつけることにより所定の圧力を加える手法がとられることが多い。
このようにヒートツールで熱圧着する手法は比較的簡単な装置で実現することができるが、このヒートツール全体の温度を均一にすることは難しい。またヒートツールの汚れなどによりACFを加熱するための温度を常に一定に保つことも難しい。さらにACFの温度を適切に設定することも難しい。
そこで、ヒートツールに代えて、加熱を行わない圧着ツールで所定の圧力を加えるとともに、電子部品の上方から電子部品(またはベースフィルム)にレーザ光を照射し、またはガラス基板の裏面(電子部品が搭載される面と反対側の面)からレーザ光を照射することにより、ACFを加熱する従来の手法がある(例えば特許文献1を参照)。レーザ光は照射範囲や熱量を容易に制御することができるので、このレーザ光を用いることによりACFを加熱するための温度を容易に制御することができる。
しかし、電子部品の上方から電子部品にレーザ光を照射する場合には、電子部品を均一に加熱することができるとしても、ACFを均一に加熱することができるわけではない。特に、電子部品の端部近傍のACFは、その外側(の基板部分へ)熱が逃げてしまうため、圧着に必要な温度に達しない場合がある。
また、ガラス基板の裏面からレーザ光を照射する場合であっても、電子部品の端部近傍のACFの温度は低下しやすく、ACFを均一に加熱することは困難である。特に、電子部品の端部近傍に設けられる接続端子に接続される(ガラス基板上に形成される)配線(典型的には、アルミニウム(Al)またはタンタル(Ta)を含む金属材料によって形成される電極)や電子部品の裏面も加熱されるため、電子部品の中央付近に対応するACFの一部は十分に加熱されるが、配線に接続されるべき接続端子が設けられていない電子部品の端部近傍のACFの一部は十分に加熱されず、結果的に当該ACFの一部が圧着に必要な温度に達しない場合がある。
そこで、本発明は、ACFを用いて電子部品をガラス基板などの透明基板に実装するため、基板裏面からレーザ光のような加熱のための光を照射するときに、ACFを適切な温度に加熱することができる構造を有する基板モジュール、およびその製造方法を提供することを目的とする。
第1の発明は、電子部品が異方性導電接着剤によって基板上に実装された基板モジュールであって、
導体パターンが形成された透明基板と、
前記透明基板面上に配置される異方性導電接着剤と、
前記異方性導電接着剤が配置される前記透明基板の表面側から所定の圧着手段で加圧され、前記透明基板の裏面側から照射される光で加熱される前記異方性導電接着剤によって実装される電子部品と
を備え、
前記導体パターンは、前記光を吸収することにより前記異方性導電接着剤の温度分布を調節する熱を発する加熱領域を有する加熱パターンを含むことを特徴とする。
導体パターンが形成された透明基板と、
前記透明基板面上に配置される異方性導電接着剤と、
前記異方性導電接着剤が配置される前記透明基板の表面側から所定の圧着手段で加圧され、前記透明基板の裏面側から照射される光で加熱される前記異方性導電接着剤によって実装される電子部品と
を備え、
前記導体パターンは、前記光を吸収することにより前記異方性導電接着剤の温度分布を調節する熱を発する加熱領域を有する加熱パターンを含むことを特徴とする。
第2の発明は、第1の発明において、
前記加熱パターンは、前記加熱領域のみからなり、前記透明基板に形成された他の導体パターンまたは前記電子部品と電気的に接続されないことを特徴とする。
前記加熱パターンは、前記加熱領域のみからなり、前記透明基板に形成された他の導体パターンまたは前記電子部品と電気的に接続されないことを特徴とする。
第3の発明は、第1または第2の発明において、
前記電子部品は、前記異方性導電接着剤を介して前記導体パターンに接続される複数の接続端子を有しており、
前記加熱領域は、前記光が照射されるときに、前記複数の接続端子に接する前記異方性導電接着剤の複数の領域のうち熱伝導による温度低下が大きい領域近傍に対応する前記透明基板上の領域に形成されることを特徴とする。
前記電子部品は、前記異方性導電接着剤を介して前記導体パターンに接続される複数の接続端子を有しており、
前記加熱領域は、前記光が照射されるときに、前記複数の接続端子に接する前記異方性導電接着剤の複数の領域のうち熱伝導による温度低下が大きい領域近傍に対応する前記透明基板上の領域に形成されることを特徴とする。
第4の発明は、第3の発明において、
前記電子部品は、長方形状の集積回路チップであって、長辺に沿ってのみ前記複数の接続端子を有しており、
前記加熱領域は、前記接続端子を有しない前記集積回路チップの短辺近傍に対応する前記透明基板上の領域に形成されることを特徴とする。
前記電子部品は、長方形状の集積回路チップであって、長辺に沿ってのみ前記複数の接続端子を有しており、
前記加熱領域は、前記接続端子を有しない前記集積回路チップの短辺近傍に対応する前記透明基板上の領域に形成されることを特徴とする。
第5の発明は、第1から第4までのいずれか1つの発明において、
前記透明基板は、画像を表示する表示部を含み、
前記電子部品は、外部から与えられる信号に基づいて前記表示部を駆動する駆動素子を含む。
前記透明基板は、画像を表示する表示部を含み、
前記電子部品は、外部から与えられる信号に基づいて前記表示部を駆動する駆動素子を含む。
第6の発明は、電子部品が異方性導電接着剤によって基板上に実装された基板モジュールの製造方法であって、
透明基板に導体パターンを形成するパターン形成工程と、
前記透明基板面上に異方性導電接着剤を配置する仮配置工程と、
前記異方性導電接着剤が配置される前記透明基板の表面側から所定の圧着手段で加圧するとともに、前記透明基板の裏面側から前記光を照射することで、前記電子部品を前記異方性導電接着剤により実装する実装工程と
を備え、
前記パターン形成工程では、前記導体パターンに含まれる加熱パターンであって、前記光を吸収することにより前記異方性導電接着剤の温度分布を調節する熱を発する加熱領域を有する加熱パターンを形成することを特徴とする。
透明基板に導体パターンを形成するパターン形成工程と、
前記透明基板面上に異方性導電接着剤を配置する仮配置工程と、
前記異方性導電接着剤が配置される前記透明基板の表面側から所定の圧着手段で加圧するとともに、前記透明基板の裏面側から前記光を照射することで、前記電子部品を前記異方性導電接着剤により実装する実装工程と
を備え、
前記パターン形成工程では、前記導体パターンに含まれる加熱パターンであって、前記光を吸収することにより前記異方性導電接着剤の温度分布を調節する熱を発する加熱領域を有する加熱パターンを形成することを特徴とする。
上記第1の発明によれば、導体パターンは光を吸収することにより異方性導電接着剤の温度分布を調節する熱を発する加熱領域を有する加熱パターンを含むよう形成されるので、異方性導電接着剤により電子部品を透明基板に実装するため、基板裏面側からレーザ光のような加熱のための光を照射するときに、この加熱パターンが加熱されることにより、異方性導電接着剤を適切な温度に加熱することができる。
上記第2の発明によれば、加熱パターンは加熱領域のみからなり、透明基板に形成された他の導体パターンまたは電子部品と電気的に接続されないので、電気的な接続関係を考慮する必要がなく、加熱に適した大きさおよび形状で形成することができる。
上記第3の発明によれば、光が照射されるときに、複数の接続端子に接する異方性導電接着剤の複数の領域のうち熱伝導による温度低下が大きい領域近傍に対応する透明基板上の領域に加熱領域を形成するので、この加熱領域により温度低下が大きい領域の温度低下を妨げることができ、異方性導電接着剤を適切な温度に(典型的には均一に)加熱することができる。
上記第4の発明によれば、接続端子を有しない集積回路チップの短辺近傍に対応する透明基板上の領域に加熱領域を形成するので、温度が低下しやすい集積回路チップの短辺近傍の温度を低下させないようにすることができる。
上記第5の発明によれば、第1から第4までのいずれか1つの発明と同様の効果を奏する、例えば液晶モジュールなどの表示部を備えた(表示用)基板モジュールを提供することができる。
上記第6の発明によれば、第1の発明と同様の効果を奏する基板モジュールの製造方法を提供することができる。
<1. 液晶モジュールの構成>
図1は、本発明の一実施形態に係る液晶モジュール10の構成を示す模式平面図である。液晶モジュール10は、図に示すように、対向して配置された2枚のガラス基板20、25と、LSIチップ40とを備えている。なお、さらにコンデンサ等の電子部品を備えていてもよい。
図1は、本発明の一実施形態に係る液晶モジュール10の構成を示す模式平面図である。液晶モジュール10は、図に示すように、対向して配置された2枚のガラス基板20、25と、LSIチップ40とを備えている。なお、さらにコンデンサ等の電子部品を備えていてもよい。
2枚のガラス基板20、25に挟まれた空間には、シール材(図示しない)によって液晶(図示しない)が封止された表示部30が形成される。ガラス基板20の張出部20aには、液晶を駆動するために必要なドライバ機能を有するLSIチップ40や、外部に接続されるFPC基板50が実装されている。外部からFPC基板50を介してLSIチップ40に映像信号が与えられると、LSIチップ40は表示部30に映像を表示する。
LSIチップ40は、ゲートドライバ、ソースドライバおよびDC/DCコンバータの回路パターン等が微細加工技術を用いてシリコン基板の表面に形成されるとともに、それらの回路パターンを外部に接続するための接続端子としてのバンプ電極が形成されたベアチップ(パッケージングを行う前のチップ)である。なおバンプ電極の高さは、例えば約15μmである。なおこのようにベアチップであるLSIチップ40を張出部20aにフェイスダウンボンディングする構成は一例であって、例えばLSIチップ40を表面実装型のパッケージにパッケージングしたLSIデバイスをガラス基板20上に実装してもよい。
FPC基板50は、厚み12〜50μmの可撓性の絶縁性フィルム51の片面に、厚み8〜50μmの銅箔からなる複数本の配線層74が形成された基板であり、自由に折り曲げられる。なお、配線層74は、絶縁性フィルム51の片面だけでなく、両面に形成されていてもよい。
図2は、図1に示す液晶モジュール10の構造を示す図であって、より詳細には図2(A)は、図1に示す液晶モジュール10の斜視図であり、図2(B)は図2(A)の矢線A−Aに沿った液晶モジュール10の断面図である。なお、図中に示されているレーザ光は矢印の方向へ照射され、圧着ツール100は矢印の方向へ押圧される。これらはACFを熱圧着されるために用いられる。詳しくは後述する。
図2(B)に示すように、LSIチップ40では、ACF81を用いたフェイスダウンボンディングにより、その表面に形成されたバンプ電極40aが、張出部20aに形成されたFPC用配線73の一端および表示部30に延びる表示用配線23と接続されている。また、FPC基板50の絶縁性フィルム51に形成された配線層74も、ACF82を用いてFPC用配線73の他端に接続されている。このようにして、FPC基板50の配線層74とLSIチップ40の入力端子とがFPC用配線73を介して接続されるので、外部からFPC基板50の各配線層74に与えられる映像信号、クロック信号などの信号、基準電圧などはそれぞれLSIチップ40の対応する入力端子に与えられる。
このような接続に用いられるACF81、82は、エポキシ系樹脂などの熱硬化性樹脂に微細な導電性粒子を混ぜ合わせてフィルム状に成型したものである。ここで、ACF81を用いて、LSIチップ40と表示用配線23およびFPC用配線73とを接続する場合について図2および図3を参照して説明する。
図3は、LSIチップ40およびその周辺部分をガラス基板20の裏面側から見た平面図である。なお、表示用配線23およびFPC用配線73とそれに対応するバンプ電極40aとの数は実際にはそれぞれ数十ないし百を超えることが多いが、図中では簡略に示されており、配線の幅や間隔なども実際とは異なり簡略に示されている。
まず、図3に示されるように、表示用配線23およびFPC用配線73の端部近傍を全て含むようようにガラス基板20上にACF81を供給する。具体的には、このACF81は、テープ状のセパレータに貼り付けられており、ACF供給装置によって上記位置に仮圧着された後、セパレータのみが取り外されることによりガラス基板20上に貼り付けられる(仮配置される)。その後LSIチップ40は、バンプ電極40aが対応する配線端部近傍の上方に位置するように、チップマウンタによってACF81の表面に載置される。
次に、図示されないレーザ光源を含むレーザ照射装置によって、ガラス基板20の裏面側すなわちLSIチップ40が載置されていない面のACF81が供給されている領域へレーザ光が照射される。このレーザ光源は、例えば赤外線波長帯(約800〜1100nm)のダイオードレーザ光源やYAGレーザ光源などであり、典型的にはアルミニウム(Al)またはタンタル(Ta)を含む材料によって形成される表示用配線23およびFPC用配線73により吸収可能な波長のレーザ光を適切な強さで適切な時間(例えばパルスで)照射する。ただし、4μm〜10μm程度の波長帯のレーザ光は、上記配線により吸収可能であっても、ガラス基板に対して損傷を与えることがあるため使用しないのが一般的である。
<2. 加熱用配線の構成>
また、図3に示されるように、ガラス基板20上には表示用配線23およびFPC用配線73の他に、電気的に他と接続されていないベタパターンの加熱用配線24が設けられている。この加熱用配線24の構成および機能について詳しく説明する。
また、図3に示されるように、ガラス基板20上には表示用配線23およびFPC用配線73の他に、電気的に他と接続されていないベタパターンの加熱用配線24が設けられている。この加熱用配線24の構成および機能について詳しく説明する。
この加熱用配線24は、他の配線と同一の素材、典型的にはアルミニウム(Al)またはタンタル(Ta)を含む材料によって形成されており、他の配線が形成されていない領域であるLSIチップ40の短辺部両側の下方(裏面方向)近傍に形成されている。
なお、厳密には加熱用配線24は、単なる導体パターンであって配線としての機能を有していないが、電気的に他と接続されていない点を除き、表示用配線23およびFPC用配線73と同一の材料でかつ同一の製造プロセスにより形成されるので、本明細書ではこれらを総括して配線と称する。
また、無電解めっき等のウェットプロセスやスパッタや蒸着などのドライプロセスにより、ガラス基板にアルミニウム(Al)またはタンタル(Ta)を含む導体層を形成し、フォトエッチングなどの工程を経て所望の導体パターンを形成する製造プロセスは周知であるので詳しい説明は省略する。
ここで前述したレーザ光源から照射されたレーザ光は、赤外線波長帯の光であるものとし、このレーザ光をほとんど吸収しないガラス基板20を透過して、上記加熱用配線24と、表示用配線23およびFPC用配線73と、LSIチップ40の裏面とに吸収される。このレーザ光はエネルギー密度が極めて高いので、吸収されることにより大きな熱エネルギーに変換され、ACF81に伝達される。また、ACF81もレーザ光を吸収するため、加熱される。
こうしてACF81を所定の温度に加熱しながらLSIチップ40の上面から(図示されない圧着装置に取り付けられた)圧着ツール100により所定の時間、所定の圧力を加えると、バンプ電極40aの下方に位置するACF81のみに圧力が加わる。その結果、ACF81内に分散していた導電性粒子が接触しながら重なって導電経路を形成する。このとき、圧力が加わらなかったACF81内の導電性粒子は導電経路を形成しないので、面に沿った方向には絶縁性が保持される。圧力を加えながらACF81を加熱すれば、ACF81に含まれる熱硬化性樹脂が硬化するので、加圧終了後もACF81内に形成された導電経路はそのまま維持される。
なお、ACF81の代わりに、ACF81のようなフィルム状ではなく、ペースト状の熱硬化性樹脂内に導電性粒子を混ぜ合わせた異方性導電ペースト(Anisotropic Conductive Paste)を使用してもよい。本明細書では、これら異方性導電膜および異方性導電ペーストをまとめて異方性導電接着剤という。
このように、加熱用配線24はACF81の下方に位置するが、ACF81により導電経路が形成されるよう設けられているわけではなく、レーザ光を吸収させてACF81を加熱するために設けられている。
すなわち、この加熱用配線24が設けられない従来の構成では、LSIチップ40の長手方向端部近傍の(バンプ電極40下方と接する)ACF81は、その熱がLSIチップ40外側方向の温度の低いガラス基板20領域、特にLSIチップ40の短辺外側近傍のガラス基板20領域へ伝わって逃げてしまう。なお、LSIチップ40の短辺外側近傍以外のLSIチップ40の長手方向近傍には、図3に示されるように、表示用配線23またはFPC用配線73が(引き出されるように)設けられているため、これらの配線がレーザ光を吸収することにより、その近傍のガラス基板20領域の温度は高くなる。そうして、従来の構成では、LSIチップ40の長手方向端部近傍のACF81は、その長手方向中央近傍のACF81よりも温度が低くなる。
しかし、加熱用配線24が設けられている本実施形態のガラス基板20では、この加熱用配線24の領域近傍の温度は、加熱用配線24が加熱されることによって高くなる。その結果、LSIチップ40の長手方向端部近傍の(バンプ電極40下方と接する)ACF81の温度は低下することなく、その長手方向中央近傍の(バンプ電極40下方と接する)ACF81の温度と略一致させることができる。
なお、図3に示される加熱用配線24の数、大きさ、配置位置、および形状等は一例であって、LSIチップ40のバンプ電極40下方に位置するACF81の温度を略一致させ、または略一致させる方向に調整することができる熱を発するものであればよい。また、加熱用配線24は、電気的に他と接続されていてもよく、例えばLSIチップ40の長手方向端部のバンプ電極40aと接続される表示用配線23またはFPC用配線73の形状を変形させることにより、加熱用配線24を形成してもよい。もっとも図3に示される加熱用配線24は、他の配線や電子部品との電気的な接続関係を考慮する必要がないので、加熱に適した大きさおよび形状で形成することができる点で好適である。
このように加熱用配線24は、ACF81(が貼り付けられる領域)の温度プロファイルを適宜に設定するための領域、すなわちACF81の温度分布を調節するための熱を発する加熱領域を含んでいればよく、さらには温度の低いLSIチップ40の外側方向への熱伝導により、LSIチップ40のバンプ電極40下方に位置するACF81の温度低下が比較的大きくなる領域の近傍に加熱領域を含んでいることが好ましい。
なお、上記温度プロファイルは、温度と基板面の位置との対応関係を規定するものとして簡単に説明したが、実際には圧着工程においてACFに与えられる熱の総量を考慮して、基板面の位置と温度と時間との対応関係(すなわち基板上の任意の位置における温度の経時変化)を規定するものであることが好ましい。
<3. 効果>
上記実施形態によれば、ACF近傍であって温度が低くなりやすい領域であるLSIチップ40の長手方向端部近傍の領域、ここではLSIチップ40の短辺部近傍に加熱用配線24をガラス基板20上に配置する。このことからACFを用いて電子部品をガラス基板に実装するため、基板裏面からレーザ光のような加熱のための光を照射するときに、この加熱用配線24が加熱されて温度分布を調節する熱を発生することにより、温度が低くなりやすい領域の温度が低下せず、結果としてACFを適切な温度に(典型的には均一に)加熱することができる。
上記実施形態によれば、ACF近傍であって温度が低くなりやすい領域であるLSIチップ40の長手方向端部近傍の領域、ここではLSIチップ40の短辺部近傍に加熱用配線24をガラス基板20上に配置する。このことからACFを用いて電子部品をガラス基板に実装するため、基板裏面からレーザ光のような加熱のための光を照射するときに、この加熱用配線24が加熱されて温度分布を調節する熱を発生することにより、温度が低くなりやすい領域の温度が低下せず、結果としてACFを適切な温度に(典型的には均一に)加熱することができる。
<4. 変形例>
上記実施形態では液晶モジュールである基板モジュールについて説明したが、液晶表示装置に使用される液晶モジュールに限定されず、有機または無機のEL(Electro Luminescence)ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル(Plasma Display Panel;PDP)、真空蛍光ディスプレイ(Vacuum Fluorescent Display)、電子ペーパなどの各種表示装置に使用される基板モジュールにも同様に適用することができ、また表示装置以外に使用される各種基板モジュールにも同様に適用することができる。さらに上記実施形態ではガラス基板を使用したが、レーザ光などの光を透過する透明基板、例えば耐熱プラスチック製の透明基板などを使用してもよい。
上記実施形態では液晶モジュールである基板モジュールについて説明したが、液晶表示装置に使用される液晶モジュールに限定されず、有機または無機のEL(Electro Luminescence)ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル(Plasma Display Panel;PDP)、真空蛍光ディスプレイ(Vacuum Fluorescent Display)、電子ペーパなどの各種表示装置に使用される基板モジュールにも同様に適用することができ、また表示装置以外に使用される各種基板モジュールにも同様に適用することができる。さらに上記実施形態ではガラス基板を使用したが、レーザ光などの光を透過する透明基板、例えば耐熱プラスチック製の透明基板などを使用してもよい。
また、上記実施形態では、LSIチップ40を実装するために加熱用配線24を設ける例について説明したが、その他の電子部品、例えば安定化コンデンサまたは昇圧コンデンサとして機能するセラミックチップコンデンサ、チップ抵抗器、チップコイルなどの受動部品を実装し、または発光ダイオード(LED)、ダイオード、トランジスタ、その他のLSIチップなどの能動部品をACFにより実装するためガラス基板20上に加熱用配線24を設ける構成であってもよい。この場合には、1つの電子部品における複数の端子をACFを介して基板と接続するための温度プロファイルを適宜に設定するように加熱用配線を設ける構成の他に、他の電子部品を含めて基板に貼り付けられたACF全てに対する温度プロファイルを適宜に設定することができるように加熱用配線を設ける構成などが考えられる。
なお、上記実施形態では加熱用配線24を設けるが、この構成に代えて導体パターン以外の部材、例えばレーザ光を吸収する素材のプラスチック片やテープなどを貼り付ける構成であってもよい。もっとも、これらを正確な位置に貼り付けることは困難であり、また剥がすための工程も必要であるため、製造時の工数が増加する。また、ACF81の形状を工夫する(加熱用配線24が設けられるべき領域にも設ける)ことで加熱用配線24を省略する構成であってもよい。もっとも、ACFは矩形の形状で貼り付けられ、導体パターンのように自由な形状を設定することができないのが一般的であるため、この構成では製造コストが増加する。この点、加熱用配線24は、他の配線パターンと同時に形成することができるため製造コストが増加することはなく、正確な位置に自由な形状で容易に設けることができる点で好適である。
10…液晶モジュール
20、25…ガラス基板
20a…張出部
23 …表示用配線
24 …加熱用配線
30…表示部
40…LSIチップ
40a…バンプ電極
50…FPC基板
73…FPC用配線
74…FPC基板の配線層
81、82…ACF(異方性導電膜)
20、25…ガラス基板
20a…張出部
23 …表示用配線
24 …加熱用配線
30…表示部
40…LSIチップ
40a…バンプ電極
50…FPC基板
73…FPC用配線
74…FPC基板の配線層
81、82…ACF(異方性導電膜)
Claims (6)
- 電子部品が異方性導電接着剤によって基板上に実装された基板モジュールであって、
導体パターンが形成された透明基板と、
前記透明基板面上に配置される異方性導電接着剤と、
前記異方性導電接着剤が配置される前記透明基板の表面側から所定の圧着手段で加圧され、前記透明基板の裏面側から照射される光で加熱される前記異方性導電接着剤によって実装される電子部品と
を備え、
前記導体パターンは、前記光を吸収することにより前記異方性導電接着剤の温度分布を調節する熱を発する加熱領域を有する加熱パターンを含むことを特徴とする、基板モジュール。 - 前記加熱パターンは、前記加熱領域のみからなり、前記透明基板に形成された他の導体パターンまたは前記電子部品と電気的に接続されないことを特徴とする、請求項1に記載の基板モジュール。
- 前記電子部品は、前記異方性導電接着剤を介して前記導体パターンに接続される複数の接続端子を有しており、
前記加熱領域は、前記光が照射されるときに、前記複数の接続端子に接する前記異方性導電接着剤の複数の領域のうち熱伝導による温度低下が大きい領域近傍に対応する前記透明基板上の領域に形成されることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の基板モジュール。 - 前記電子部品は、長方形状の集積回路チップであって、長辺に沿ってのみ前記複数の接続端子を有しており、
前記加熱領域は、前記接続端子を有しない前記集積回路チップの短辺近傍に対応する前記透明基板上の領域に形成されることを特徴とする、請求項3に記載の基板モジュール。 - 前記透明基板は、画像を表示する表示部を含み、
前記電子部品は、外部から与えられる信号に基づいて前記表示部を駆動する駆動素子を含む、請求項1から請求項4までのいずれかに記載の基板モジュール。 - 電子部品が異方性導電接着剤によって基板上に実装された基板モジュールの製造方法であって、
透明基板に導体パターンを形成するパターン形成工程と、
前記透明基板面上に異方性導電接着剤を配置する仮配置工程と、
前記異方性導電接着剤が配置される前記透明基板の表面側から所定の圧着手段で加圧するとともに、前記透明基板の裏面側から前記光を照射することで、前記電子部品を前記異方性導電接着剤により実装する実装工程と
を備え、
前記パターン形成工程では、前記導体パターンに含まれる加熱パターンであって、前記光を吸収することにより前記異方性導電接着剤の温度分布を調節する熱を発する加熱領域を有する加熱パターンを形成することを特徴とする、基板モジュールの製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009015050A JP2010177235A (ja) | 2009-01-27 | 2009-01-27 | 基板モジュールおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2010177235A true JP2010177235A (ja) | 2010-08-12 |
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ID=42707918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2009015050A Pending JP2010177235A (ja) | 2009-01-27 | 2009-01-27 | 基板モジュールおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2010177235A (ja) |
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