JP6344705B2 - バッテリーパック、回路基板および回路基板の連結方法 - Google Patents
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Description
一例として、硬性回路基板の回路パターンにソルダが塗布され、軟性回路基板の回路パターンが前記ソルダに接触した後、次にホットバーが前記軟性回路基板を前記硬性回路基板側に加圧しながら加熱する。そうすれば、前記ソルダがリフロー(reflow)されながら硬性回路基板の回路パターンと軟性回路基板の回路パターンとが相互間電気的に接続する。もちろん、以降冷却過程を通して液状のソルダは固状のソルダに硬化する。
さらに、軟性回路基板の外側に回路パターンが一定長さの突出および延長されていることによって、回路パターンが外部環境から保護されるように前記回路パターンに追加的に絶縁エポキシが塗布される工程が必要となる。
本発明の一実施例はホットバーが接触する絶縁層に少なくとも一つの貫通ホールが形成することによって、ホットバーの温度が増加しない状態でもはんだ付けが可能であり、これによってホットバーの寿命が増加し、絶縁層の外形損傷が防止されるバッテリーパック、回路基板および回路基板の連結方法を提供する。
前記第1ベース絶縁層は少なくとも300℃のガラス転移温度(Tg)を有する電気的に絶縁性物質を含むことができる。前記導電性接続部材は300℃より小さいリフロー温度を有するソルダであることができる。前記導電性接続部材は異方性導電フィルム(ACF)またはZ軸フィルム(ZAF)からなるグループから選択されたものであることもある。前記第1回路基板は前記第2回路基板に比べて、相対的にさらに曲がる軟性回路基板であることができる。
前記第2回路基板に付着した前記第1回路基板の前記第1端は前記第1カバー絶縁層で覆われないことがある。
前記回路基板の終端部は前記カバー絶縁層によって覆われないことがある。
前記ベース絶縁層はポリイミドおよびポリエチレンからなるグループから選択された物質を含むことができる。
前記カバー絶縁層はポリイミドおよびポリエチレンからなるグループから選択された物質を含むことができる。
前記ベース絶縁層は少なくとも300℃のガラス転移温度(Tg)と、少なくとも500℃の溶融点(Tm)を有する物質を含むことができる。
前記カバー絶縁層は少なくとも70℃のガラス転移温度(Tg)および少なくとも270℃の溶融点(Tm)を有する物質を含むことができる。
前記少なくとも一つの貫通ホールそれぞれは回路パターンの長さ方向に長く形成することができる。
前記少なくとも一つの貫通ホールそれぞれは前記回路パターンの幅方向に長く形成することができる。
前記第1回路パターンは前記ホットアイアンを前記第1ベース絶縁層領域上に位置させるとき、前記第1ベース絶縁層によって前記ホットアイアンから離隔することができる。
本発明の一実施例はホットバーが接触する絶縁層に少なくとも一つの貫通ホールが形成することによって、ホットバーの温度が増加しない状態でもはんだ付けが可能であり、これによってホットバーの寿命が増加し、絶縁層の外形損傷が防止されるバッテリーパック、回路基板および回路基板の連結方法を提供する。
本発明の実施例は該当技術分野において通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものであり、下記実施例は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲が下記実施例に限定されるものではない。むしろ、これら実施例は本開示をより充実かつ完全になるようにし、当業者に本発明の思想を完全に伝達するために提供されるものである。
また、以下の図面において、各層の厚さや大きさは説明の便宜および明確性のために誇張されたものであり、図面上で同一符号は同一な要素を示す。本明細書で用いられたように、‘および/または’という用語は該当記載された項目のうちいずれか一つおよび一つ以上のすべての組み合わせを含む。
図1aは通常のバッテリーパックを示す回路図であり、図1bは通常のバッテリーパックを示す概略図であり、図1cは本発明の一実施例による回路基板の接続構造を示す平面図である。
最高電源用ワイヤー140は第3バッテリーセル113の最高電源領域に溶接されている。つまり、第4導電性プレート124のタップ124aに一端がはんだ付けされている。
また、軟性回路基板200(FPCB:Flexible Printed Circuit Board)はFW(Flexible wire)またはFC(flexible circuitry)とも呼ばれ、ポリイミドおよび/またはPET(Polyethylene Terephtalate)を主要材料にして、その表面に回路パターンが形成された形態をする。ポリイミドおよび/またはPETは相対的に薄く軽くて軟性であるため、軟性回路基板300はよく曲がる。
図2aは本発明の一実施例による回路基板を示す平面図、図2bは底面図、図2cは図2aにおける2c−2c線断面図、図2dは図2aにおける2d−2d線断面図である。
貫通ホール211を有する第1ベース絶縁層210はほぼ平板形状であって、0.5μm乃至500μmの厚さを有する。但し、本発明は前記厚さに限定されるものではなく、前記厚さは使用される周辺環境、必要とする第1回路基板200の屈曲角度、必要とする第1回路基板200の強度などにより変更することができる。また、第1ベース絶縁層210はポリイミド、PETおよびその等価物の中から選択されたいずれか一つに形成することができるが、本発明はこれに限定するものではない。このような第1ベース絶縁層210は絶縁性に優れ、ガラス転移温度(Tg)が高くて高温でも寸法変形が少なく、また耐熱性に優れているだけでなく、柔軟性も優れていなければならない。さらに、このような第1ベース絶縁層210は耐薬品性や耐湿性が優れていなければならないが、このような条件に適したものがポリイミドまたはPETである。一例として、第1ベース絶縁層210がポリイミドである場合、これはガラス転移温度(Tg)がほぼ300℃乃至400℃以上であり、溶融温度(Tm)がほぼ500℃乃至700℃以上である。したがって、このようなポリイミドははんだ付け温度範囲(ほぼ摂氏150℃乃至300℃)で十分耐えられるだけでなく、前述した物理化学的特徴を有する。反面、PETはガラス転移温度(Tg)がほぼ70℃乃至100℃以上であり、溶融温度(Tm)がほぼ270℃乃至350℃以上である。このようにポリイミドのガラス転移温度および溶融温度がPETのガラス転移温度および溶融温度より高いため、ベース絶縁層210として最適の実施例はポリイミドである。
図3a乃至図3cに示されているように、まず、第2回路基板300は第2絶縁層310と、第2絶縁層310の表面に形成された第2回路パターン320を含む。ここで、前述のように第1回路基板200は軟性回路基板で、第2回路基板300は硬性回路基板に定義できる。
図4aおよび図4bに示されているように、本発明では導電性接続部材500としてACF(Anisotropic Conductive Films)、ZAF(Z−Axis Films)およびその等価物の中から選択されたいずれか一つが利用することもできる。一例として、回路パターンのピッチがほぼ375μm(ほぼ15mil)以下である場合、ソルダを利用した第1、第2回路基板の間の接続が難しい。つまり、回路パターンのピッチがほぼ375μm以下である場合、隣接したソルダ同士が短絡されやすいからである。
図5乃至図8は本発明の他の実施例による回路基板の接続構造を示す部分拡大平面図である。つまり、図5乃至図8は貫通ホールの大きさ、個数およびデザインが多様に変わる他の実施例を示す図である。
まず、図9aに示されているように、第2回路パターン320を有する第2回路基板300を用意し、また第2回路パターン320にはソルダのような導電性接続部材400をスクリーンプリンティングしておく。
次に、図9bに示されているように、第1回路パターン220を有する第1回路基板200を前記第2回路基板300上に載せるが、第1回路基板200の第1回路パターン220が第2回路基板300の第2回路パターン320に位置整列するようにする。
その後、ホットバー600を第1回路基板200から除去すれば、前述した液状のソルダ400が硬化しながら、第1回路パターン220と第2回路パターン320が堅く電気的および機構的に結合する。
また、本発明はホットバー600が接触する第1回路基板200の第1回路パターン220が第1ベース絶縁層210で覆われていることによって、第1回路パターン220の強度が向上し、エポキシ塗布工程を省略できる。
以上で説明したことは本発明によるバッテリーパック、回路基板および回路基板の連結方法を実施するための一つの実施例に過ぎないものであって、本発明は前記実施例に限定されず、以下の特許請求の範囲で請求するように本発明の要旨を逸脱せずに当該発明の属する分野で通常の知識を有する者であれば、誰でも多様な変更実施が可能な範囲まで本発明の技術的精神があるとみなされる。
121、122、123、124 導電性プレート
121a、122a、123a、124a 突出したタップ
130、140 最低および最大電源用ワイヤー
151、152 センシングワイヤー
180 パックケース
P−、P+ パック端子
B−、B+ 最低および最大電源供給端子
200 第1回路基板
210 第1ベース絶縁層
211 貫通ホール
220 第1回路パターン
230 第1カバー絶縁層
300 第2回路基板
310 第2絶縁層
320 第2回路パターン
400 導電性接続部材
500 導電性接続部材
510 導電性粒子
520 絶縁性フィルム
600 ホットバー
Claims (20)
- 第1周面、前記第1周面の反対である第2周面を有する第1回路パターンを含み、前記第2周面は第1ベース絶縁層によって覆われ、前記第1周面の一領域は第1カバー絶縁層によって覆われ、前記第1ベース絶縁層は少なくとも一つの貫通ホールによって貫通し、前記少なくとも一つの貫通ホールの一端のそれぞれは前記第1回路パターンによって全体が覆われた第1回路基板;
導電性接続部材によって前記第1回路基板の第1端において前記第1回路パターンの第1周面に付着する一側を有する第2回路基板;
前記第2回路基板に連結され、相互間電気的に連結される複数のバッテリーセル;
前記第1回路基板、前記第2回路基板および前記バッテリーセルを取り囲むパックケース;および
前記パックケースの外側に形成され、前記第1回路基板の反対端として第2端に付着するパック端子を含むことを特徴とするバッテリーパック。 - 前記第1ベース絶縁層は前記導電性接続部材のリフロー温度より高いガラス転移温度(Tg)を有することを特徴とする請求項1に記載のバッテリーパック。
- 前記第1ベース絶縁層は少なくとも300℃のガラス転移温度(Tg)を有する電気的に絶縁性の物質を含むことを特徴とする請求項1に記載のバッテリーパック。
- 前記導電性接続部材は300℃より小さいリフロー温度を有するソルダであることを特徴とする請求項3に記載のバッテリーパック。
- 前記導電性接続部材は異方性導電フィルム(ACF)またはZ軸フィルム(ZAF)からなるグループから選択されたことを特徴とする請求項3に記載のバッテリーパック。
- 前記第1回路基板は前記第2回路基板に比べて、相対的にさらに曲がる軟性回路基板であることを特徴とする請求項3に記載のバッテリーパック。
- 前記第2回路基板に形成された第2回路パターンをさらに含み、
前記第2回路パターンは前記第1回路パターンに整列することを特徴とする請求項1に記載のバッテリーパック。 - 前記第2回路パターンの幅は前記第1回路パターンの幅より大きいことを特徴とする請求項7に記載のバッテリーパック。
- 前記第2回路基板に付着した前記第1回路基板の前記第1端は前記第1カバー絶縁層で覆われないことを特徴とする請求項3に記載のバッテリーパック。
- 少なくとも一つの貫通ホールによって貫通したベース絶縁層;
前記ベース絶縁層上に形成され、前記少なくとも一つの貫通ホールの一端の全体を覆う回路パターン;および
前記回路パターンおよび前記ベース絶縁層上に形成されたカバー絶縁層を含み、
回路基板の終端部において前記カバー絶縁層によって覆われていない前記回路パターンは他の回路基板に導電性接続部材によって接続できることを特徴とする回路基板。 - 前記回路基板の終端部は前記カバー絶縁層によって覆われないことを特徴とする請求項10に記載の回路基板。
- 前記ベース絶縁層はポリイミドおよびポリエチレンテレフタレートからなるグループから選択された物質を含むことを特徴とする請求項10に記載の回路基板。
- 前記カバー絶縁層はポリイミドおよびポリエチレンテレフタレートからなるグループから選択された物質を含むことを特徴とする請求項10に記載の回路基板
- 前記回路基板は曲がれる軟性回路基板であることを特徴とする請求項10に記載の回路基板。
- 前記ベース絶縁層は少なくとも300℃のガラス転移温度(Tg)と、少なくとも500℃の溶融点(Tm)を有する物質を含むことを特徴とする請求項10に記載の回路基板。
- 前記カバー絶縁層は少なくとも70℃のガラス転移温度(Tg)および少なくとも270℃の溶融点(Tm)を有する物質を含むことを特徴とする請求項10に記載の回路基板。
- 前記少なくとも一つの貫通ホールそれぞれは回路パターンの長さ方向に長く形成されたことを特徴とする請求項10に記載の回路基板。
- 前記少なくとも一つの貫通ホールそれぞれは前記回路パターンの幅方向に長く形成されたことを特徴とする請求項10に記載の回路基板。
- 第1回路パターンの第1面の領域上に第1カバー絶縁層を形成し、第1回路パターンの反対面である第2面上に第1ベース絶縁層を形成し、前記第1ベース絶縁層は少なくとも一つの貫通ホールによって貫通し、前記第1回路パターンは前記少なくとも一つの貫通ホールの一端のそれぞれの全体を覆う第1回路基板を用意する段階;
第2ベース絶縁層上に第2回路パターンを形成して第2回路基板を用意する段階;
前記第2回路パターン上にスクリーンプリンティング方式で導電性接続部材を提供する段階;
前記第1回路基板の終端部領域を前記第2回路基板の一側上にマウンティングして前記第1回路パターンの前記第1面と前記第2回路パターンを整列する段階;
前記第1回路基板の前記終端部領域に対応する第1ベース絶縁層領域上にホットアイアンを位置させて前記導電性接続部材がリフローされるようにして、熱が前記ホットアイアンから前記第1回路パターンおよび前記導電性接続部材に前記少なくとも一つの貫通ホールを通して迅速かつ効率的に伝達されるようにする段階;および
前記第1ベース絶縁層から前記ホットアイアンを分離して前記導電性接続部材が硬化するようにする段階を含むことを特徴とする第1回路基板と第2回路基板を接続する方法。 - 前記第1回路パターンは前記ホットアイアンを前記第1ベース絶縁層領域上に位置させるとき、前記第1ベース絶縁層によって前記ホットアイアンから離隔されることを特徴とする請求項19に記載の第1回路基板と第2回路基板を接続する方法。
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