JP6335334B2 - パワー半導体素子、パワーモジュール、および電力変換装置 - Google Patents
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- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
Description
第1導電型の炭化ケイ素基板と、炭化ケイ素基板よりも不純物濃度が低い第1導電型の第1半導体層と、第1半導体層上に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されているゲート電極と、を備え、ゲート電極は、ゲート絶縁膜に接する側に多結晶シリコンの結晶粒の単層を有し、該単層の膜厚方向の平均粒径がゲート絶縁膜の膜厚の4倍以下としたパワー半導体素子。
前記(1)のパワー半導体素子において、第1半導体層上に形成され、ゲート絶縁膜よりも厚いフィールド絶縁膜を有し、フィールド絶縁膜上にゲート電極が存在するゲート電極給電配線領域があり、フィールド絶縁膜の端部に沿ってゲート電極給電配線領域のゲート電極にメッシュ状またはスリット状の平面パターン構造を有する。
第1導電型の炭化ケイ素基板と、炭化ケイ素基板よりも不純物濃度が低い第1導電型の第1半導体層と、第1半導体層上に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を備え、ゲート電極は、ゲート絶縁膜側に多結晶シリコンの結晶粒の単層を有し、ゲート絶縁膜と単層との間に、多結晶シリコンに含まれる導電型を制御する不純物に対する拡散防止膜を設けたパワー半導体素子。
特許文献1および特許文献2に開示の不揮発性記憶装置(EPROM:Erasable Programmable Read Only Memory)において、浮遊ゲートを構成する多結晶シリコンが粒成長をする際、粒界にリンを析出しゲート酸化膜に凹凸をもたらすいわゆるオキサイドリッジ現象により、消去特性が低下することが述べられている。多結晶シリコン中のリンが関与している点は、本発明と似ているが、本願発明者らはオキサイドリッジが原因ではないと考えている。EPROMと本SiC−MOSFETとの違いは、前者がトンネル現象を利用してゲート酸化膜にキャリアを注入することを前提にしているのに対し、パワー半導体であるSiC−MOSFETはキャリア注入をさせない設計になる。そのため前者のゲート酸化膜厚は1〜10nm、酸化膜に掛かる電界は5MV/cm程度であるのに対し、本実施例のSiC−MOSFETの酸化膜厚は50nmと厚い上、酸化膜に掛かる電界も2MV/cmと低い。従ってSiC−MOSFETにおいて仮にオキサイドリッジ現象が起きたとしても凹凸による電界集中効果は無視できると考えられる。
本発明の実施の形態1によるSiCパワーMOSFETの製造方法について図8〜図17を用いて工程順に説明する。図8〜図17は、SiCパワーMOSFETを示す要部断面図である。
Claims (7)
- 第1導電型の炭化ケイ素基板と、
前記炭化ケイ素基板よりも不純物濃度が低い前記第1導電型の炭化ケイ素からなる第1半導体層と、
前記第1半導体層上に形成されている厚さが50nmのゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されているゲート電極と、を備え、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜に接するゲート電極下層と、前記ゲート電極下層上に設けられたゲート電極上層と、を有し、
前記ゲート電極下層は、多結晶シリコンの結晶粒の単層を有し、前記単層の膜厚方向の平均粒径が前記ゲート絶縁膜の膜厚の4倍以下であり、
前記ゲート電極上層は、前記ゲート電極下層よりもリン濃度が高いことを特徴とするパワー半導体素子。 - 請求項1に記載のパワー半導体素子において、
さらに、
セルアレイ領域と、
前記セルアレイ領域を囲んで配置され、前記ゲート絶縁膜よりも厚いフィールド絶縁膜と、
前記フィールド絶縁膜上に配置され、前記ゲート電極に接続されたゲート電極給電配線領域と、を備え、
前記セルアレイ領域において、前記ゲート電極は、メッシュ状またはスリット状の平面パターン構造を有し、
前記平面パターン構造は、前記セルアレイ領域から前記フィールド絶縁膜上に連続して延在していることを特徴とするパワー半導体素子。 - 請求項1に記載のパワー半導体素子において、
前記多結晶シリコンの結晶粒の単層の膜厚方向の平均粒径が前記ゲート絶縁膜の膜厚の2倍以下であることを特徴とするパワー半導体素子。 - 請求項1に記載のパワー半導体素子において、
前記多結晶シリコンの結晶粒の単層の膜厚方向の平均粒径が前記ゲート絶縁膜の膜厚と略同一であることを特徴とするパワー半導体素子。 - 請求項1に記載のパワー半導体素子において、
前記第1半導体領域内に、前記ゲート絶縁膜と接する前記第1導電型とは異なる導電型の第2導電型の第2半導体領域を有することを特徴とするパワー半導体素子。 - ゲート制御回路に接続される端子を有し、
前記端子に請求項1に記載のパワー半導体素子のゲート電極が電気的に接続されていることを特徴とするパワーモジュール。 - ゲート制御回路を有し、
前記ゲート制御回路の出力に請求項1に記載のパワー半導体素子のゲート電極が電気的に接続されていることを特徴とする電力変換装置。
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