JP5996671B2 - 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、炭化珪素半導体装置及びその製造方法に関する。
インバータなどに利用されるパワーデバイスに、炭化珪素基板を利用したSiC−MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)の利用が提案されている(特許文献1)。このSiC−MOSFETのオン抵抗に関する課題の一つにSiC特有の低チャネル移動度がある。一般に、基板として4H−SiC基板が用いられている。4H−SiC基板はSi面とC面の両面を持つが、例えば、一般的なSi面をチャネルとして用いたDMOSFET(Double−diffused MOSFET)の場合、チャネル移動度向上に有利と考えられているゲート絶縁膜へのSiON膜(酸窒化珪素膜)の適用や埋め込みチャネルの利用を考慮したとしても、チャネル移動度は50cm2/Vs以下となる。これはSi MOSFETと比べて、一桁小さい。このため、SiC パワーMOSFETの寄生抵抗成分の中で、チャネル抵抗成分の占める割合が最も高い。この高チャネル抵抗の問題は、比較的、チャネル移動度が高いC面を利用したとしても、依然としてSiC パワーMOSFETの大きな課題であることに変わりはない。
この低チャネル移動度の課題が存在するため、従来技術では、DMOSFETのゲート長を縮小することで、チャネル抵抗を低減し、DMOSFETのオン抵抗の低減を行ってきた。
従来技術により、ゲート長を縮小した場合、DMOSFETの耐圧特性が低下するという課題が存在する。図3に示す従来DMOSFET構造を用いてその課題について述べる。従来技術にてゲート長を縮小した場合、ソース拡散層102とボディ層106の各々の端部の距離が物理的に近づく。そのため、DMOSFETのドレイン電極に数百〜数千Vの電圧が印加された場合、この端部での空乏層を効果的に伸ばすことが出来ず、電界が集中してしまう。その結果、ソース拡散層102、ボディ層106、ドリフト層112間で、所謂パンチスルーが発生し、リーク電流が流れるようになるため耐圧が低下する。すなわち、ゲート長縮小によるオン抵抗低減と素子高耐圧を両立することは困難であった。
本発明の目的は、この素子低オン抵抗化と高耐圧化を両立するDMOSFET構造を提供することにある。
本願において開示される発明のうち代表的なものを簡単に説明すれば、次のとおりである。
本発明は、第1主面および前記第1主面と反対面の第2主面を有し、炭化珪素からなる第1導電型の基板と、前記基板の前記第1主面上に形成された炭化珪素からなるエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層内に形成された前記第1導電型とは異なる第2導電型の第1のボディ層と、前記エピタキシャル層内に形成された前記第1導電型とは異なる第2導電型の第2のボディ層と、前記第1のボディ層内に形成された前記第1導電型の第1のソース領域と、前記第2のボディ層内に形成された前記第1導電型の第2のソース領域と、前記第1のボディ層の横端部と前記第1のソース領域の横端部との間の前記第1のボディ層に位置する前記第1のソース領域に接して形成された前記第2導電型の第1チャネル領域と、前記第2のボディ層の横端部と前記第2のソース領域の横端部との間の前記第2のボディ層に位置する前記第2のソース領域に接して形成された前記第2導電型の第2チャネル領域と、前記第1チャネル領域と前記第2チャネル領域に接して形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接して形成されたゲート電極と、前記基板の前記第2主面から所定の深さを有して、前記基板に形成された前記第1導電型のドレイン領域と、を備えることを特徴とする炭化珪素半導体装置において、前記第1、及び、第2のソース領域と、前記第1、及び、第2のチャネル領域がリセスされた炭化珪素半導体装置で、前記ソース領域と、前記チャネル領域がリセスされた領域のボディ層の接合深さは、前記ソース領域のリセスされていない領域の接合深さよりも深くなっていることを特徴とする炭化珪素半導体装置およびその製造方法である。
以上のような本発明によれば、従来技術と比較して、ソース拡散層領域を形成した後、この一部をリセスした後ボディ層を形成するため、図1に示す通り、ボディー層105が形成される。従来構造に比べ、ボディー層105の存在により、ソース拡散層102との各々の端部の距離を広げることができ、効果的に空乏層を広げ、この端部での電界集中を抑制することが可能になる。図4、および、図5に、各々、従来構造、本発明構造の電界分布をデバイスシミュレータを用いて計算した結果を示す。図4の従来構造に比べ、図5に示す本発明構造の方がボディー端部での電界集中が抑制されていることが分かる。
以上のように、本発明によれば、ゲート長を縮小しによるチャネル抵抗の低減と素子高耐圧を両立する炭化珪素半導体装置を提供することができる。
以下、実施例1について図面を参照して詳細に説明する。
図1は、実施例1の炭化珪素半導体装置の断面模式図である。炭化珪素半導体装置は、DMOSFETの単位セルが複数配置された構造を有している。なお、図1では、複数の単位セルのうち一部が示されている。113はSiC基板であり、SiC基板113とSiC基板113上に形成されたエピタキシャル層112とでSiCエピタキシャル基板が構成されている。SiCエピタキシャル基板の基板表面にMOSFETのチャネル領域を構成するボディ層105、106と、MOSFETのソース領域を構成するソース拡散層領域102とが形成されている。チャネル領域は160となる。SiCエピタキシャル基板の裏面にはMOSFETのドレイン領域を構成するドレイン拡散層領域108が形成されている。103はボディ層105、106の電位固定用のp+層である。100はMOSFETのゲート電極であり、101はゲート絶縁膜である。110は層間膜である。107はSiCエピタキシャル基板表面の金属シリサイド層であり、109はSiCエピタキシャル基板裏面の金属シリサイド層である。111はソースへの配線用電極であり、140は裏面のドレインへの配線用電極である。
100はゲートへの配線用電極を介して外部から供給されるゲート電位、111はソース電位が印加される外部配線と電気的に接続されており、140もまた、外部から供給されるドレイン電位が印加される。
図2は実施例1における半導体装置の平面構造を示す説明図である。図2に示すように、炭化珪素半導体装置を搭載する半導体チップは、複数のnチャネル型のSiCパワーMOSFETが並列接続されたアクティブ領域(SiCパワーMISFET形成領域)121と、平面視において上記アクティブ領域121を囲む周辺形成領域とによって構成される。周辺形成領域には、平面視において上記アクティブ領域121を囲むように形成された複数のp型のフローティング・フィールド・リミッティング・リング(Floating Field Limited Ring:FLR)125と、さらに平面視において上記複数のp型のフローティング・フィールド・リミッティング・リング125を囲むように形成されたn+型のガードリング124が形成されている。
n型のSiCエピタキシャル基板のアクティブ領域の表面側に、SiCパワーMOSFETのゲート電極、n+型のソース領域、チャネル領域等が形成され、SiCエピタキシャル基板の裏面側に、SiCパワーMOSFETのn+型のドレイン領域が形成されている。
複数のp型のフローティング・フィールド・リミッティング・リング125をアクティブ領域121の周辺に形成することにより、オフ時において、最大電界部分が順次外側のp型のフローティング・フィールド・リミッティング・リング125へ移り、最外周のp型のフローティング・フィールド・リミッティング・リングで降伏するようになるので、炭化珪素半導体装置を高耐圧とすることが可能となる。図2では、3つのp型のフローティング・フィールド・リミッティング・リング125が形成されている例を図示しているが、これに限定されるものではない。また、n+型のガードリング124は、アクティブ領域121に形成されたSiCパワーMOSFETを保護する機能を有する。
アクティブ領域121内に形成された複数のSiCパワーMOSFETのそれぞれのゲート電極は、平面視において連結してストライプパターンとなっており、それぞれのストライプパターンに接続する引出配線(ゲートバスライン)によって、全てのSiCパワーMOSFETのゲート電極はゲート配線用電極122と電気的に接続している。図2では、ゲート電極はストライプパターンに形成されれいるが、これに限定されるものではなく、たとえば、ボックスパターンや多角形パターンなどがある。
また、複数のSiCパワーMOSFETのそれぞれのソース領域は、複数のSiCパワーMOSFETを覆う層間絶縁膜に形成された開口部123を通じてソース配線用電極120と電気的に接続している。ゲート配線用電極122とソース配線用電極120とは互いに離間して形成されており、ソース配線用電極120は、ゲート配線用電極122が形成された領域を除いて、アクティブ領域121のほぼ全面に形成されている。また、n型のSiCエピタキシャル基板の裏面側に形成されたn+型のドレイン領域は、n型のSiCエピタキシャル基板の裏面全面に形成されたドレイン配線用電極と電気的に接続している。
図6(a)から図6(l)を用いて、図1に示された実施例1の炭化珪素半導体装置の製造方法を説明する。本製造方法は、ソース拡散層領域を形成した後、この一部をリセスした後ボディ層を形成するため、ボディー層105が形成され、従来構造に比べ、ソース拡散層102との各々の端部の距離を広げることができ、効果的に空乏層を広げ、この端部での電界集中を抑制することが可能になり、ゲート長の縮小によるチャネル抵抗の低減と素子高耐圧を両立する炭化珪素半導体装置を実現できる。
まず、炭化珪素半導体装置は、4H−SiC基板に設けられている。SiC基板には、n型の不純物が注入されている。この不純物は、たとえば、窒素であり、たとえば、不純物濃度は1×1018〜1×1021cm−3の範囲である。また、SiC基板の表面はSi面でもC(炭素)面のどちらでもよい。
このSiC基板113上にSiC基板113よりも低濃度にn型不純物が注入されたSiCのn−型のエピタキシャル層112がエピタキシャル成長されている。このn−型のエピタキシャル層112の不純物濃度は炭化珪素半導体装置の素子定格に依存するが、たとえば、1×1014〜1×1017cm−3の範囲である。
以上の工程を経て、SiCエピタキシャル基板が完成する。次に、SiCエピタキシャル基板の裏面にドレインとなるn+型の拡散層領域108を設ける。この不純物濃度は高濃度であることが望ましく、例えば1×1019〜1×1021cm−3の範囲である(図6(a))。
次に、ソース拡散層102を形成する。ソール拡散層102の深さは0.5μm程度であり、通常、注入エネルギーが数百keVとなる。そのため、マスクとしてはSiO2(酸化珪素)などのハードマスクを用いるのが一般的である。まず、SiO2膜をプラズマCVD(化学気相成長)装置によって、1〜3μm程度堆積させる。次にポジレジストを塗布、露光、現像し、所望のボディ層の形状のレジストパターンを形成する。その後、SiO2膜をドライエッチングによって加工、レジスト除去をすることによって、パターニングされたマスク130がSiCエピタキシャル基板上に形成される(図6(b))。次に、イオン注入でn+型のソース拡散層領域102を形成する。不純物は、たとえば、N(窒素)である。不純物濃度は、たとえば、1×1019〜1×1021cm−3の範囲である(図6(b))。
続いて、ボディ層105,106の電位を固定するために、シリサイド層形成部分にp+層103を形成する。まず、プラズマCVD装置によって、SiO2膜を堆積させる。次にポジレジストを塗布、露光、現像し、所望のボディ層の形状のレジストパターンを形成する。その後、SiO2膜をドライエッチングによって加工、レジスト除去をすることによって、パターニングされたマスク130がSiCエピタキシャル基板上に形成される(図6(c))。続いて、イオン注入でp+層103を形成する。不純物はたとえばAlである。不純物濃度は、たとえば、1×1019〜1×1021cm−3の範囲である(図6(c))。
次に、ボディ層105を形成するためにソース拡散層102の一部をリセスする。まず、プラズマCVD装置によって、SiO2膜を堆積させる。次にポジレジストを塗布、露光、現像し、所望のボディ層の形状のレジストパターンを形成する。その後、SiO2膜をドライエッチングによって加工、レジスト除去をすることによって、パターニングされたマスク130がSiCエピタキシャル基板上に形成される(図6(d))。
続いて、ソース拡散層領域102、および、SiCエピタキシャル基板を例えばドライエッチングを用いてリセス領域131を形成する(図6(e))。リセスする深さは、たとえば、10〜200nmの範囲である。
次に、ボディ層105,106を形成する。ボディ層の深さは0.5〜2μmと深く、通常、注入エネルギーが数百keVから数MeVとなる。そのため、マスクとしてはSiO2(酸化珪素)などのハードマスクを用いるのが一般的である。まず、SiO2膜をプラズマCVD(化学気相成長)装置によって、1〜3μm程度堆積させる。次にポジレジストを塗布、露光、現像し、所望のボディ層の形状のレジストパターンを形成する。その後、SiO2膜をドライエッチングによって加工、レジスト除去をすることによって、パターニングされたマスク130がSiCエピタキシャル基板上に形成される(図6(f))。
続いて、イオン注入を用いてp型不純物を注入してボディ層を形成する。不純物はたとえばAl(アルミニウム)である。不純物濃度は、たとえば、1×1016〜1×1019cm−3の範囲である(図6(f))。本工程により従来のボディ層106よりも、更に深いボディ層105を形成でき、耐圧低下の原因となるパンチスルーが抑制可能となる。
全ての不純物注入後、注入した不純物の活性化を行う。SiCの活性化熱処理には、1500℃以上の温度が要求される。しかし、1500℃以上を超えるとSiC基板表面からSi原子や注入した不純物の離脱が起きる。また、表面平坦性が劣化してしまう。そこで、SiCエピタキシャル基板の表面と裏面を活性化熱処理前に炭素膜を被覆する。炭素膜はプラズマCVD装置によって、SiCエピタキシャル基板の表面と裏面に30nm程度堆積させる。この炭素膜を被覆した後、1500℃以上の高温で数分間活性化熱処理を行う。活性化熱処理後、被覆した炭素膜は酸素プラズマ処理で除去する。
炭素膜を被覆したことによって、SiCエピタキシャル基板表面近傍には炭素が余剰に入った層が形成される。この層を除去するため、高温水素雰囲気でSiCエピタキシャル基板表面をエッジングする。この時の温度は、1000℃以上が望ましい。また、この高温水素熱処理によるエッジングにより、先にリセスして形成したソース拡散層領域102のエッジ部分を丸めることができる。チャネル領域160のソース拡散層領域側端部が曲率5nm以上の角をなすことが望ましい。なお、この水素熱処理を行わずに、素子を形成しても良い。
次に、ゲート絶縁膜101とゲート電極100を形成する。ゲート絶縁膜101は、一酸化窒素ガスを用いてSiON膜をゲート絶縁膜101のSiCエピタキシャル基板表面層とするのが望ましい。ただし、ゲート絶縁膜101の膜厚を厚く形成するために、熱CVD装置によりSiO2膜を堆積させ、ゲート絶縁膜101を多層膜とするのが望ましい(図6(g))。ゲート絶縁膜101の膜厚は50〜150nmの範囲である。ゲート絶縁膜101を設けた後、ゲート電極100となるSi膜161を堆積する。Si膜161として、Pが注入された多結晶Si膜161を堆積させるのが一般的である(図6(g))。多結晶Si膜161の膜厚は100〜500nmの範囲である。続いて、多結晶Si膜161を加工する。ポジレジストを塗布、露光、現像し、所望のゲート電極100の形状のレジストパターン132を形成する。レジストパターン132を形成後、Si膜161をドライエッチングによって所望の形状に加工し、ゲート電極110を形成する(図6(h))。
レジストパターン132を除去後、プラズマCVD装置によって、層間膜110を堆積させる。その後、層間膜110を1000℃で焼きしめた後、続いて、ソース拡散層領域102と、ボディ層105,106の電位を固定するためのp+層103p+層へ配線用電極を設ける為に、層間膜110、及び、ゲート絶縁膜101の一部を開口し、コンタクト領域を形成する。ポジレジストを塗布、露光、現像し、所望の開口形状を得るためのレジストマスク132を形成する。次に、層間膜110及びゲート絶縁膜101をドライエッチングによって所望の形状に加工し、コンタクト領域を形成する(図6(i))。
続いて、ソース拡散層領域102とp+層103と配線用電極の接触抵抗を下げるために、ソース拡散層領域102とp+層103上に金属シリサイド層107を形成する。まず、マグネトロンスパッタ装置を用いて、金属膜を20nm程度堆積させる。金属膜を堆積させた後、500℃〜900℃のシリサイド化アニールを行い金属膜とSiCエピタキシャル基板を反応させて、金属シリサイド層107を形成する。続いて、ウェットエッチングを用いて、未反応の金属膜を除去する。この金属膜除去のためのウェットエッチングには、たとえば、硫酸加水が用いられる。(図6(j))
次に、裏面のn+型の拡散層領域108を覆うように金属シリサイド層109を形成する。SiCエピタキシャル基板の裏面にマグネトロンスパッタ装置を用いて、金属膜を100nm程度堆積させる。次に800℃〜1200℃のシリサイドかアニールを行い金属膜とSiCエピタキシャル基板を反応させて、金属シリサイド109を設ける(図6(k))。その後、裏面の金属シリサイド109を覆うように金属膜140を所望の膜厚堆積させる。
次に、ゲート電極100上へ配線用電極を設けるために、層間膜110の一部を開口する。ポジレジストを塗布、露光、現像し、所望のゲート開口部の形状のレジストパターンを形成する。レジストパターンを形成後、ドライエッチングによって所望の形状に加工する。続いて、ソースへの配線用電極111とゲートへの配線用電極を設ける。電極はメタルCVD装置によって、チタンと、窒化チタンと、アルミニウムを積層させる(図6(l))。アルミニウム膜の膜厚は配線への接続を考慮し、2μm以上の膜厚にするのが好ましい。電極のための金属膜を積層させた後、余分な金属膜を除去する。この時、ソースへの配線用電極111とゲートへの配線用電極の分離も行われる。その後、ソースへの配線用電極111へ配線が接続され、ゲートへの配線用電極へも配線が接続される。
以上、実施例1により、深いボディ層105を持つ炭化珪素半導体装置を形成できた。本構造によれば、従来技術と比較して、ソース拡散層領域を形成した後、この一部をリセスした後ボディ層を形成することで、従来ボディー層106よりも更に深いボディ層105を形成することができる。ボディー層105の存在により、従来構造に比べ、ソース拡散層102との各々の端部の距離を広げることができ、効果的に空乏層を広げ、この端部での電界集中を抑制し、耐圧特性を向上させることが可能になる。以上より、耐ゲート長を縮小しによるチャネル抵抗の低減と素子高耐圧を両立する炭化珪素半導体装置を提供することができる。
100・・・ゲート電極、101・・・ゲート絶縁膜、102・・・ソース拡散層、103・・・p+層、105・・・深いボディ層、106・・・ボディ層、107・・・表面金属シリサイド層、108・・・ドレイン拡散層領域、109・・・裏面金属シリサイド層、110・・・層間膜、111・・・ソース電極、112・・・SiCエピタキシャル層、113・・・SiC基板、120・・・ソース配線用電極、121・・・アクティブ領域、122・・・ゲート配線用電極、123・・・開口部、124・・・ガードリング、125・・・p型のフローティング・フィールド・リミッティング・リング、130、132・・・マスク層、131・・・リセス領域、140・・・金属膜、160・・・チャネル領域
Claims (7)
- 第1主面および前記第1主面と反対面の第2主面を有し、炭化珪素からなる第1導電型の基板と、
前記基板の前記第1主面上に形成された炭化珪素からなる前記第1導電型のエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層内に形成された前記第1導電型とは異なる第2導電型の第1のボディ層と、
前記エピタキシャル層内に形成され、前記第1のボディ層と離間して設けられた前記第2導電型の第2のボディ層と、
前記第1のボディ層内に形成された前記第1導電型の第1のソース領域と、
前記第2のボディ層内に形成された前記第1導電型の第2のソース領域と、
前記第1のボディ層の横端部と前記第1のソース領域の横端部との間の前記第1のボディ層に、前記第1のソース領域に接して形成された前記第2導電型の第1チャネル領域と、
前記第2のボディ層の横端部と前記第2のソース領域の横端部との間の前記第2のボディ層に、前記第2のソース領域に接して形成された前記第2導電型の第2チャネル領域と、
前記第1チャネル領域および前記第2チャネル領域に接して形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に接して形成されたゲート電極と、
前記基板の前記第2主面側に形成された前記第1導電型のドレイン領域と、
を備え、
前記エピタキシャル層の上面がリセスされた第1領域と、前記エピタキシャル層の上面がリセスされていない第2領域と、を有し、
前記ゲート電極の下方に位置する、前記第1チャネル領域、前記第1のソース領域の一部分、前記第2チャネル領域および前記第2のソース領域の一部分は、前記第1領域に形成され、
前記第1のソース領域の他の部分および前記第2のソース領域の他の部分は、前記第2領域に形成され、
前記第1領域における前記第1のソース領域の一部分および前記第2のソース領域の一部分は、前記第2領域の前記エピタキシャル層の上面から第1深さを有し、前記第2領域における前記第1のソース領域の他の部分および前記第2のソース領域の他の部分は、前記第2領域の前記エピタキシャル層の上面から第2深さを有し、
前記第1領域における前記第1のボディ層および前記第2のボディ層は、前記第2領域の前記エピタキシャル層の上面から第3深さを有し、前記第2領域における前記第1のボディ層および前記第2のボディ層は、前記第2領域の前記エピタキシャル層の上面から第4深さを有し、
前記第3深さと前記第1深さとの差が、前記第4深さと前記第2深さとの差よりも大きいことを特徴とする炭化珪素半導体装置。 - 請求項1記載の炭化珪素半導体装置において、
前記第1深さと前記第2深さとは同じであり、前記第3深さが前記第4深さよりも大きいことを特徴とする炭化珪素半導体装置。 - 請求項2記載の炭化珪素半導体装置において、
前記第3深さと前記第4深さとの差が、10〜200nmであることを特徴とする炭化珪素半導体装置。 - 請求項1記載の炭化珪素半導体装置において、
前記第3深さを有する前記第1領域の前記第1のボディ層と、前記第4深さを有する前記第2領域の前記第1のボディ層との境界部は、前記第1のソース領域の前記横端部を挟んで前記第1チャネル領域の反対側に位置し、
前記第3深さを有する前記第1領域の前記第2のボディ層と、前記第4深さを有する前記第2領域の前記第2のボディ層との境界部は、前記第2のソース領域の前記横端部を挟んで前記第2チャネル領域の反対側に位置することを特徴とする炭化珪素半導体装置。 - (a)炭化珪素からなる第1導電型の基板の第1主面上に、炭化珪素からなる前記第1導電型のエピタキシャル層を形成する工程、
(b)前記エピタキシャル層に前記第1導電型の不純物を導入して、互いに離間し、前記エピタキシャル層の上面から第1深さを有する、第1のソース領域および第2のソース領域を形成する工程、
(c)前記エピタキシャル層の上面をエッチングして、前記第1のソース領域の一部から前記第2のソース領域の一部に亘ってリセスを形成する工程、
(d)前記エピタキシャル層に前記第1導電型とは異なる第2導電型の不純物を導入して、互いに離間し、前記第1のソース領域を囲む第1のボディ層および前記第2のソース領域を囲む第2のボディ層を形成する工程、
(e)前記エピタキシャル層の上面に、ゲート絶縁膜を形成する工程、
(f)前記ゲート絶縁膜上に導電体膜を形成した後、前記導電体膜を加工して、ゲート電極を形成する工程、
(g)前記基板の前記第1主面と反対面の第2主面に、前記第1導電型のドレイン領域を形成する工程、
を含み、
前記(c)工程では、前記リセスが形成された第1領域と、前記リセスが形成されない第2領域と、が形成され、
前記(d)工程では、前記第1領域に、前記第2領域の前記エピタキシャル層の上面から第2深さを有し、前記第2領域に、前記第2領域の前記エピタキシャル層の上面から第3深さを有する、前記第1のボディ層および前記第2のボディ層が形成され、
前記第2深さは前記第3深さよりも大きいことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項5記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、
前記第2深さと前記第3深さとの差が、10〜200nmであることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項5記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、
前記第2深さを有する前記第1領域の前記第1のボディ層と、前記第3深さを有する前記第2領域の前記第1のボディ層との境界部は、前記第1のソース領域の前記横端部を挟んで前記第1チャネル領域の反対側に位置し、
前記第2深さを有する前記第1領域の前記第2のボディ層と、前記第3深さを有する前記第2領域の前記第2のボディ層との境界部は、前記第2のソース領域の前記横端部を挟んで前記第2チャネル領域の反対側に位置することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
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