JP5092385B2 - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
この発明の実施の形態1の炭化珪素半導体装置の製造方法によって製造される炭化珪素半導体装置の素子構造を図1に示す。ここでは炭化珪素半導体装置の一例として、pnダイオードの断面構造を示す。また、この発明の実施の形態1の炭化珪素半導体装置の製造方法、具体的にはpnダイオードの製造方法を図2〜図6に示す。なお図1〜図6において、従来のpnダイオードの素子構造を示した図27のものと同一又は相当するものについては同一の符号を付してある。
この実施例では、炭化珪素半導体装置として図7〜図9に示す3種類の素子構造のpnダイオードを製作し、それぞれにおいて絶縁破壊電圧を測定した。図7は図5に示すpnダイオード(以下、サンプルAと記す。)であり、図27に示した従来技術に係る素子構造を備える。図8は図6に示すpnダイオード(以下、サンプルBと記す。)であり、この発明に係る実施の形態1で示した図1の素子構造を備える。図9は絶縁膜7および酸化膜6を全て除去したpnダイオード(以下、サンプルCと記す。)である。
この発明の実施の形態2の炭化珪素半導体装置の製造方法によって製造される炭化珪素半導体装置の素子構造を図13に示す。ここでは炭化珪素半導体装置の一例としてパワーMOSFET(Power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)の断面構造を示す。また、この発明の実施の形態2の炭化珪素半導体装置の製造方法、具体的にはパワーMOSFETの製造方法を図14〜図23に示す。なお図14〜図23において、実施の形態1の図1〜図6で示したものと同一又は相当するものについては同一の符号を付してある。
この発明の実施の形態3の炭化珪素半導体装置の製造方法によって製造される炭化珪素半導体装置の素子構造を図25に示す。ここでは炭化珪素半導体装置の一例としてショットキーダイオードの断面構造を示す。なお図25において、実施の形態1の図1〜図6で示したものと同一又は相当するものについては同一の符号を付す。
実施の形態1〜3では、絶縁破壊電圧を低下させる量の固定電荷が存在する絶縁膜7の表層部を除去する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法を提供し、絶縁膜7の表層部分を一定量除去することにより、絶縁膜7に存在する絶縁破壊電圧を低下させる量の固定電荷が除去可能であり、これにより簡易な方法でもって、高耐圧の炭化珪素半導体装置を安定して得ることができることを示した。
Claims (13)
- 炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
第1導電型の炭化珪素ウエハの表面内に第2導電型の電界緩和領域を形成する工程と、
前記電界緩和領域上に固定電荷が表層部に存在する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の表層部を除去する工程と、
を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
第1導電型の炭化珪素ウエハの表面内に第2導電型のウェル領域を形成する工程と、
前記炭化珪素ウエハの表面内で、かつ前記ウェル領域の周囲に第2導電型の電界緩和領域を形成する工程と、
前記電界緩和領域を覆うように前記炭化珪素ウエハの表面上に固定電荷が表層部に存在する絶縁膜を形成する工程と、
前記ウェル領域上に第1の主電極を形成する工程と、
前記炭化珪素ウエハの裏面上に第2の主電極を形成する工程と、
前記絶縁膜の表層部を除去する工程と、
を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
第1導電型の炭化珪素ウエハの表面内に所定の間隔に離間して複数の第2導電型のウェル領域を形成する工程と、
前記炭化珪素ウエハ表面内で、かつ前記複数のウェル領域の周囲に第2導電型の電界緩和領域を形成する工程と、
前記複数のウェル領域の表面内にそれぞれ第1導電型のソース領域を形成する工程と、
それぞれの前記ソース領域の間で、かつ前記炭化珪素ウエハ上にゲート酸化膜を形成する工程と
前記ゲート酸化膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記炭化珪素ウエハ上に前記ソース領域と電気的に接続される第1の主電極を形成する工程と、
前記電界緩和領域を覆うように、前記炭化珪素ウエハの表面上に固定電荷が表層部に存在する絶縁膜を形成する工程と、
前記炭化珪素ウエハの裏面上に第2の主電極を形成する工程と、
前記絶縁膜の表層部を除去する工程と、
を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項3に記載の炭化珪素装置の製造方法であって、
前記絶縁膜は下層の絶縁膜と上層の層間絶縁膜からなり、前記絶縁膜の表層部の除去は、
前記層間絶縁膜に対して行われることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
第1導電型の炭化珪素ウエハの表面内に第1の主電極の周囲に第2導電型のウェル領域を形成する工程と、
前記炭化珪素ウエハ表面内で、かつ前記ウェル領域の周囲に第2導電型の電界緩和領域を形成する工程と、
前記電界緩和領域を覆うように固定電荷が表層部に存在する絶縁膜を形成する工程と、
前記ウェル領域に接し、かつ前記ウェル領域の内側に、かつ前記炭化珪素ウエハ上に第1の主電極を形成する工程と、
前記炭化珪素ウエハの裏面に第2の主電極を形成する工程と、
前記絶縁膜の表層部を除去する工程と、
を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項2から5のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁膜の表層部を除去は、前記ウェル領域上に形成された前記絶縁膜の表層部は除去しないことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項1から6のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記電界緩和領域を形成する工程と前記固定電荷が表層部に存在する絶縁膜を形成する工程の間に、熱酸化膜を形成する工程を更に含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項1から7のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁膜はTEOS酸化膜からなることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項1から8のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記炭化珪素ウエハは第1導電型の炭化珪素基板上にエピタキシャル結晶成長法により炭化珪素層を形成する工程からなることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項1から9のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁膜の表層部を除去する工程において削除する前記表層部の厚さは、少なくとも0.5μmであることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項10に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記電界緩和領域の不純物濃度の範囲は1.6×1017〜3.2×1017cm−3であることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項10に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記電界緩和領域の不純物濃度の範囲は2.0×1017〜2.8×1017cm−3であることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項1から9のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁膜の表層部を除去する工程は、
前記炭化珪素半導体装置の絶縁破壊電圧を測定する工程と、
前記絶縁破壊電圧の測定値が所定の電圧設定値以上か否かを判別する工程と、
前記絶縁破壊電圧の測定値が前記所定の電圧設定値に満たない場合は、前記絶縁膜の表層部を所定量除去し、前記炭化珪素半導体装置の絶縁破壊電圧を測定する工程に戻る工程と
前記絶縁破壊電圧の測定値が前記所定の電圧設定値以上の場合は、前記絶縁膜の表層部の除去を停止する工程と、
からなることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
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