JP6328938B2

JP6328938B2 - エラストマー組成物、フィルムおよび半導体装置

Info

Publication number: JP6328938B2
Application number: JP2014002302A
Authority: JP
Inventors: 聡子高橋; 慎寺木
Original assignee: Namics Corp
Current assignee: Namics Corp
Priority date: 2014-01-09
Filing date: 2014-01-09
Publication date: 2018-05-23
Anticipated expiration: 2034-01-09
Also published as: JP2015131866A

Description

本発明は、エラストマー組成物、フィルムおよび半導体装置に関する。

電子機器の小型化、薄型化、軽量化、高機能化に伴い、フレキシブルプリント配線板（Flexible Printed Circuit、以下ＦＰＣという）が広く用いられている。ＦＰＣは、絶縁性のフィルム（ベースフィルム）上に回路パターンを形成する導体を貼り合わせ、さらに回路パターン上に保護層（カバーレイ）を形成した構造を有している。カバーレイには、絶縁性、ベースフィルムとの接着性といった特性が要求される。さらに、ＦＰＣにおける信号の高周波化に伴い、カバーレイは、良好な高周波特性（低誘電率、低誘電正接）を有していることが要求される。特許文献１および２は、カバーレイとして用いられるフィルム状の樹脂組成物を開示している。

国際公開２００８−１８４８３号特開２０１１−６８７１３号公報

ベースフィルムには種々の材料が用いられるが、中でもポリイミドが広く用いられている。従来のカバーレイは、ポリイミドに対する接着性が十分でなかった。
本発明は、ポリイミドに対し良好な接着強度を有し、かつ、良好な高周波特性を有するエラストマー組成物を提供する。

本発明は、（Ａ）スチレン系熱可塑性エラストマーと、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）両末端にスチレン基を有するポリフェニレンエーテルオリゴマーと、（Ｄ）液状ゴムとを有し、前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分の合計に対し、前記（Ａ）成分が７０〜９５質量％含まれ、前記（Ａ）、（Ｂ）、および（Ｃ）成分の合計に対し、前記（Ｃ）成分が１０〜４０質量％含まれることを特徴とするエラストマー組成物を提供する。

前記（Ａ）成分は、ポリスチレン−ポリ（エチレン−エチレン／プロピレン）ブロック−ポリスチレンであってもよい。

前記（Ｄ）成分は、スチレン・ブタジエン系の液状ゴムであってもよい。

このエラストマー組成物は、１ＧＨｚ以上の周波数における比誘電率が３．０以下であってもよい。

このエラストマー組成物は、（Ｅ）イミド基を有する化合物を含んでもよい。

前記（Ｅ）成分は、マレイミド化合物およびイミドアクリレート化合物の少なくとも一方を含んでもよい。

このエラストマー組成物は、（Ｆ）有機過酸化物を含んでもよい。

このエラストマー組成物は、（Ｇ）式（１）のホスフィン酸金属塩を含んでもよい。

また、本発明は、上記いずれかのエラストマー組成物で形成されたフィルムを提供する。

さらに、本発明は、上記のフィルムを用いた半導体装置を提供する。

本発明によれば、ポリイミドに対し良好な接着強度を有し、かつ、良好な高周波特性を有するエラストマー組成物を得ることができる。

本発明に係るエラストマー組成物は、（Ａ）スチレン系熱可塑性エラストマーと、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）両末端にスチレン基を有するポリフェニレンエーテルオリゴマーと、（Ｄ）液状ゴムとを含む。

（Ａ）成分のスチレン系熱可塑性エラストマーとは、スチレン、その同族体もしくはその類似体を含有する熱可塑性エラストマーをいう。（Ａ）成分としては、例えば、ポリスチレン−ポリ（エチレン−エチレン／プロピレン）ブロック−ポリスチレン（ＳＥＥＰＳ）、スチレン−ブタジエンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン−エチレン／ブチレン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、およびポリブタジエン（ＰＢ）が挙げられる。ここで例示した化合物は単独で用いられてもよいし、２つ以上のものが混合して用いられてもよい。ポリイミドに対する接着強度向上の観点からは、（Ａ）成分がＳＥＥＰＳを含むことが好ましい。（Ａ）成分中のＳＥＥＰＳの量は、５０質量％以上であることが好ましく、８０質量％以上であることがより好ましい。（Ａ）成分は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分との合計に対し７０〜９５質量％含まれることが好ましい。すなわち、（Ａ）成分と（Ｂ）成分との質量割合は９５：５〜７０：３０の範囲にあることが好ましい。（Ａ）成分が多すぎると成形性が悪化する。（Ａ）成分が少なすぎると高周波特性が悪化し、さらに成形性も悪化する。また、（Ａ）成分としては、高周波特性の観点から比誘電率が３．０以下のものを用いることが好ましい。

（Ｂ）成分のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、シロキサン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ヒダントイン型エポキシ樹脂、およびナフタレン環含有エポキシ樹脂が挙げられる。エポキシ樹脂組成物において、ここで例示した化合物は単独で用いられてもよいし、２つ以上のものが混合して用いられてもよい。なお、フィルムの成形性の観点から、（Ｂ）成分のエポキシ樹脂は液状であることが好ましい。

（Ｃ）成分のポリフェニレンエーテルオリゴマーとしては、例えば、式（２）で示されるビニル化合物が用いられる。式（２）のビニル化合物は、数平均分子量が５００〜５０００であることが好ましく、１０００〜３５００であることがより好ましい。

式（２）中、Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵，Ｒ⁶，Ｒ⁷，Ｒ⁸，Ｒ⁹は、同一または異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基またはフェニル基である。これらの中でも、Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵，Ｒ⁶，Ｒ⁷，Ｒ⁸，Ｒ⁹が水素原子であることが好ましい。

式（２）のうち、−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−は式（３）で示される。

式（３）中、Ｒ¹⁰，Ｒ¹¹，Ｒ¹²，Ｒ¹⁵，Ｒ¹⁷は、同一または異なってもよく、ハロゲン原子または炭素数６以下のアルキル基またはフェニル基である。これらの中でも、Ｒ¹⁰，Ｒ¹¹，Ｒ¹²，Ｒ¹⁵，Ｒ¹⁷が炭素数６以下のアルキル基であることが好ましい。Ｒ¹³，Ｒ¹⁴，Ｒ¹⁶は、同一または異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子または炭素数６以下のアルキル基またはフェニル基である。これらの中でも、Ｒ¹³，Ｒ¹⁴，Ｒ¹⁶は、水素原子、ハロゲン原子または炭素数６以下のアルキル基であることが好ましい。

式（２）において、−（Ｙ−Ｏ）−は次式（４）で定義される１種類の構造、または下記構造式（４）で定義される２種類以上の構造がランダムに配列したものである。これらの中でも、−（Ｙ−Ｏ）−は下記構造式（４）で定義される１種類の構造が配列したものであることが好ましい。

式（４）において、Ｒ¹⁹，Ｒ²¹は、同一または異なってもよく、ハロゲン原子または炭素数６以下のアルキル基またはフェニル基である。これらの中でも、Ｒ¹⁹，Ｒ²¹が炭素数６以下のアルキル基であることが好ましい。Ｒ¹⁸，Ｒ²⁰は、同一または異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子または炭素数６以下のアルキル基またはフェニル基である。これらの中でも、Ｒ¹⁸，Ｒ²⁰が水素原子または炭素数３以下のアルキル基であることが好ましい。

式（２）において、Ｚは、炭素数１以上の有機基であり、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子を含むこともある。これらの中でも、Ｚがメチレン基であることが好ましい。ｄ，ｅは、少なくともいずれか一方が０でない、０〜３００の整数を示す。ｃ，ｆは、０または１の整数を示す。これらの中でも、ｃ，ｆが１であることが好ましい。

これらのなかでも好ましくは、Ｒ¹⁰，Ｒ¹¹，Ｒ¹²，Ｒ¹⁵，Ｒ¹⁷は炭素数３以下のアルキル基、Ｒ¹³，Ｒ¹⁴，Ｒ¹⁶は水素原子または炭素数３以下のアルキル基、Ｒ¹⁹，Ｒ²¹は炭素数３以下のアルキル基、Ｒ¹⁸，Ｒ²⁰は水素原子である。

また、式（２）における−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−は、次式（５）で示されることが好ましい。

また、式（２）における−（Ｙ−Ｏ）−が式（６）、若しくは、式（７）で示される構造、または、式（６）で示される構造および式（７）で示される構造がランダムに配列した構造を有することが好ましい。これらの中でも、−（Ｙ−Ｏ）−は下記構造式（７）で定義される構造が配列した構造を有することが好ましい。

（Ｄ）成分としては、例えば、液状ジエン系ゴム、液状ウレタン系ゴム、液状シリコーン系ゴムが挙げられる。（Ｄ）成分を添加することにより、樹脂組成物の成形性を向上させることができる。具体的には、例えばフィルムに成形するための乾燥時に亀裂が発生するのを防止することができる。高周波特性の観点からは、スチレン−ブタジエン系の液状ゴムを使用することが好ましい。また、（Ｄ）成分は、−ＣＯＯ−、−ＣＮ−、−ＯＨといったモル分極率の高い官能基を含まないことが好ましい。これらの官能基を含まない（Ｄ）成分を用いることで、エラストマー組成物の低誘電率化につながるためである。（Ｄ）成分は、（Ａ）〜（Ｄ）の合計量（エラストマー組成物が後述の（Ｅ）〜（Ｉ）を含む場合には（Ａ）〜（Ｉ）成分の合計量）に対し、５〜１５質量％含まれることが好ましく、８〜１２質量％含まれることがより好ましい。

（Ｃ）成分は、（Ａ）、（Ｂ）、および（Ｃ）成分の合計に対し、１０〜４０質量％含まれることが好ましい。（Ｃ）成分が少なすぎると成形性が悪化する。（Ｃ）成分が多すぎると相対的に（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の量が減少するため、接着性が悪化する。また、（Ｃ）成分としては、高周波特性の観点から比誘電率が３．０以下のものを用いることが好ましい。

エラストマー組成物は、上記の（Ａ）〜（Ｄ）成分に加えて、（Ｅ）イミド基を有する化合物、（Ｆ）有機過酸化物、（Ｇ）のホスフィン酸金属塩、（Ｈ）触媒、および（Ｉ）シランカップリング剤のうち少なくとも１つを含んでいてもよい。また、これらの成分の他、Ａｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂等の絶縁材料で形成された無機フィラーを含んでいてもよい。さらに、エラストマー組成物は、エポキシ樹脂の硬化剤として通常用いられる、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤を含んでもよい。

（Ｅ）成分としては、イミド基を有する化合物であればどのようなものが用いられてもよい。例えば、マレイミド化合物およびイミドアクリレート化合物の少なくとも一方を含む化合物が用いられてもよい。より具体的には、（Ｅ）成分は、例えば式（８）〜（１１）のマレイミド化合物いずれかであってもよい。（Ｅ）成分を添加することにより、誘電特性を維持しつつポリイミドとの接着性を強化することができる。（Ｅ）成分は、（Ａ）〜（Ｅ）の合計量（エラストマー組成物が（Ｆ）〜（Ｉ）を含む場合には（Ａ）〜（Ｉ）成分の合計量）に対し、５〜２５質量％含まれることが好ましい。

ここで、Ｒ²²〜Ｒ²⁹は、それぞれ水素原子、または炭素数６以下のアルキル基もしくはフェニル基である。Ｂは単結合または炭素数２０以下の２価の炭化水素基または酸素原子である。Ｒ²²〜Ｒ²⁹は互いに同一であっても異なっていてもよい。

ここで、Ｒ³⁰〜Ｒ³⁷は、それぞれ水素原子、または炭素数６以下のアルキル基である。Ｄは単結合または炭素数２０以下の２価の炭化水素基である。Ｒ³⁰〜Ｒ³⁷は互いに同一であっても異なっていてもよい。

ここで、Ｒ³⁸〜Ｒ⁴⁸は、それぞれ水素原子、または炭素数６以下のアルキル基である。Ｒ³⁸〜Ｒ⁴⁸は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｇは１〜２０の整数である。

ここで、Ｅは炭素数２０以下の２価の脂肪族炭化水素基である。

（Ｆ）成分としては、例えば、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、１，１−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、メチルエチルケトンパーオキサイド、２，５−ジメチルヘキシル−２，５−ジパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ｐ−メンタンハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｐ−クロルベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ヒドロキシヘプチルパーオキサイド、ジクロヘキサノンパーオキサイドなどが挙げられる。（Ｆ）成分を添加することにより、熱硬化性樹脂の反応を促進することができ、反応性を安定させることができる。本発明のエラストマー組成物をフィルム化して使用することを考慮すると、（Ｆ）成分としては、フィルム化の乾燥工程の６０〜１２０℃の温度域では活性化せず、それ以上の温度域で活性化するものが好ましい。そのような（Ｆ）成分としては、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエートが挙げられる。

（Ｇ）成分としては、例えば式（１）の化合物が用いられる。（Ｇ）成分を添加することにより、高周波特性および接着性を損なわずに難燃性を向上させることができる。

ここで、Ｒ¹、Ｒ²は、それぞれ、炭素数１〜５個の脂肪族炭化水素基または芳香族炭化水素基である。ａおよびｂは、１〜９の整数である。Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、またはＣｅである。（Ｇ）成分としては、特にホスフィン酸アルミニウムが好ましい。さらに、ホスフィン酸アルミニウムのうち、ジアルキルホスフィン酸アルミニウムであることが好ましく、ジエチルホスフィン酸アルミニウムであることがより好ましい。

（Ｈ）成分は、エポキシ樹脂の硬化を促進する触媒である。（Ｈ）成分としては、例えば、イミダゾール系硬化触媒、アミン系硬化触媒、リン系硬化触媒等が挙げられる。イミダゾール系硬化触媒としては、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−２−エチル−４−イミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物が挙げられる。中でも、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、および、1−シアノエチル−２−エチル−４−イミダゾールが好ましい。アミン系硬化触媒としては、２，４−ジアミノ−６−〔２’―メチルイミダゾリル−（１’）〕エチル−ｓ−トリアジン等のトリアジン化合物、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７（ＤＢＵ）、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン等の第三級アミン化合物が挙げられる。中でも、２，４−ジアミノ−６−〔２’―メチルイミダゾリル−（１’）〕エチル−ｓ−トリアジンが好ましい。また、リン系硬化触媒としては、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン等が挙げられる。これらの中でもイミダゾール系硬化触媒が、有機成分のみで低温硬化促進させることから特に好ましい。

このエラストマー組成物は、フィルム状に加工され、例えば、ＦＰＣのカバーレイとして用いられる。あるいは、このフィルムは、多層ＦＰＣにおいて、層間接着剤として用いられる。さらに、このフィルムは、ＦＰＣ以外の硬質基板における実装に用いられてもよい。すなわち、フィルム状のエラストマー組成物を用いて、半導体装置を製造することができる。

（１）試料の作製
表１および表２は、実施例１〜１１および比較例１〜７のエラストマー組成物の組成、並びに後述する評価の結果を示す。表１および表２において、エラストマー組成物の組成は質量部で表されている。

（Ａ）成分としては、エラストマーａ１およびａ２が用いられた。エラストマーａ１としては、株式会社クラレ製のセプトン（登録商標）４０４４（ＳＥＥＰＳ）が用いられた。エラストマーａ２としては、旭化成ケミカルズ株式会社製のタフテック（登録商標）Ｈ１０５２（ＳＥＢＳ）が用いられた。

（Ｂ）成分としては、エポキシ樹脂ｂ１、ｂ２、およびｂ３が用いられた。エポキシ樹脂ｂ１としては、三菱化学株式会社製のエピコート８２８（ビスフェノールＡ型、液状）が用いられた。エポキシ樹脂ｂ２としては、ＤＩＣ株式会社製のＨＰ４０３２Ｄ（ナフタレン環含有、液状）が用いられた。エポキシ樹脂ｂ３としては、日本化薬株式会社製のＮＣ３０００Ｈ（ビフェニル型、固形）が用いられた。

（Ｃ）成分としては、三菱瓦斯化学株式会社製のＯＰＥ−２Ｓｔ２２００が用いられた。ＯＰＥ−２Ｓｔ２２００は、式（２）で表され、−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−が式（５）、−（Ｙ−Ｏ）−が式（７）で表され、ｃ及びｄが０〜１００であって、数平均分子量２２５０である。

（Ｄ）成分としては、液状ゴムｄ１、ｄ２が用いられた。液状ゴムｄ１としては、株式会社クラレ製のＬ−ＳＢＲ−８２０（スチレン・ブタジエン系）が用いられた。液状ゴムｄ２としては、株式会社クラレ製のＬＩＲ−４０３（イソプレン系）が用いられた。

（Ｅ）成分としては、イミド化合物ｅ１およびｅ２が用いられた。イミド化合物ｅ１としては、ケイ・アイ化成株式会社製のＢＭＩ−７０（ビス−（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン）が用いられた。イミド化合物ｅ２としては、東亞合成株式会社製のＭ−１４０（Ｎ−アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタルイミド）が用いられた。

（Ｆ）成分としては、日油株式会社製のパーブチル（登録商標）Ｚ（ｔ−ブチルベンゾイルペルオキシド）が用いられた。（Ｇ）成分としては、クラリアントジャパン株式会社製のＯＰ９３５が用いられた。（Ｈ）成分としては、触媒ｈ１、ｈ２が用いられた。触媒ｈ１としては、四国化成工業株式会社製の１Ｂ２ＰＺ（１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）が用いられた。触媒ｈ２としては、四国化成工業株式会社製の２Ｅ４ＭＺ（２−エチル−４−メチルイミダゾール）が用いられた。（Ｉ）成分としては、信越化学工業株式会社製のＫＢＭ−４０３（３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン）が用いられた。

表１および表２の配合割合で各成分を計量および配合した後、（Ｆ）成分及び（Ｈ）成分を除いた各成分とトルエンを８０℃に加温された反応釜に投入した。反応釜において、回転数１５０ｒｐｍで回転させながら、常圧で３時間、混合した。混合後、冷却し、（Ｆ）成分及び（Ｈ）成分を加えた。こうして得られたエラストマー組成物のワニスを支持体の片面に塗布した。支持体としては、離型処理を施したＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）フィルムを用いた。塗布したワニスを９０℃で乾燥させ、支持体上においてフィルム状に成形した。フィルムの厚さは約２０〜２５μｍであった。以下、フィルム状に加工したエラストマー組成物を「接着フィルム」という。

（２）評価
作製した接着フィルムについて以下の評価を行った。
（２−１）成形性
支持体上に形成された接着フィルムを目視で外観観察し、割れの発生していたものを不良品（×）、それ以外を良品（○）と判断した。

（２−２）高周波特性
接着フィルムを２００℃で加熱硬化させ、支持体から剥離した後、試験片を切り出した。試験片のサイズは４０±０．５ｍｍ×１００±２ｍｍであった。試験片の厚みを測定した後、試験片を長さ１００ｍｍ、直径２ｍｍ以下の筒状に丸めて、空洞共振摂動法により、誘電率εおよび誘電正接ｔａｎδを測定した。測定には、共振周波数が２ＧＨｚ帯の共振器を用いた。

（２−３）ピール強度（引きはがし強度）
接着性の評価のため、ＪＩＳＣ６４７１に従ってピール強度を測定した。銅箔（福田金属箔粉工業株式会社製ＣＦ−Ｔ９ＦＺ−ＳＶ）の粗化面上に接着フィルムを載せ、その上にポリイミドフィルム（東レ・デュポン株式会社製５０ＥＮ）を載せて重ね合わせた後、プレス機で熱圧着させた（２００℃、６０ｍｉｎ、１０ｋｇｆ）。この試験片を１０ｍｍ幅にカットし、オートグラフで接着フィルムをポリイミドフィルムから引きはがし、ピール強度（１８０°方向引きはがし）を測定した。表１および表２には５つの試験片における測定結果の平均値を記載した。

（２−４）評価結果

実施例１〜３は、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、および（Ｄ）成分を含む例である。具体的には、実施例１〜３は、（Ａ）、（Ｂ）、および（Ｄ）成分として、エラストマーａ１、エポキシ樹脂ｂ１、液状ゴムｄ１を含む。実施例４は、実施例３に対して（Ａ）成分を、エラストマーａ１単体からエラストマーａ１およびａ２の混合物に変更した例である。実施例５は、実施例３に対して（Ｅ）成分としてイミド化合物ｅ１を添加した例である。実施例６は、実施例５に（Ｆ）成分を添加した例である。実施例７は、実施例６に対して（Ａ）成分の含有量を増やした例である。実施例８は、実施例６に対して（Ｂ）成分をエポキシ樹脂ｂ２に変更した例である。実施例９は、実施例６に対して（Ｇ）成分を添加した例である。実施例１０は、（Ｅ）成分としてイミド化合物ｅ２を用いた例である。実施例１１は、（Ｄ）成分として液状ゴムｄ２を用いた例である。なお実施例１０および１１は、（Ｂ）成分としてエポキシ樹脂ｂ３を用いている。

比較例１は、（Ａ）、（Ｂ）、および（Ｃ）成分の合計に対する（Ｃ）成分の含有量が４０質量％を超えた例である。比較例２および３は、（Ａ）、（Ｂ）、および（Ｃ）成分の合計に対する（Ｃ）成分の含有量が１０質量％を下回った例である。比較例４および５は、（Ａ）および（Ｂ）成分の合計に対する（Ａ）成分の割合が９５質量％を超えた例および７０質量％を下回った例である。比較例６および７は、（Ｄ）成分を含まない例である。

成形性の試験において、実施例１〜１１はいずれも良好な成形性を示したが、比較例２、３、および５はいずれも不良が発生した。なお成形性の不良により、高周波特性およびピール強度の測定ができなかったものは、表２において「不可」と記載した。

高周波特性の試験において、実施例１〜１１はいずれも、比誘電率は３．０を下回り（より詳細には２．６を下回っている）、また誘電正接は０．００３２〜０．００４７であり、良好な特性を示した。

ピール強度試験において、実施例１〜１１はいずれもピール強度が５Ｎ以上であり、ポリイミドに対する接着性が優れていた。また、（Ｅ）成分を含む実施例では、さらに接着性の向上が確認された。

Claims

（Ａ）スチレン系熱可塑性エラストマーと、
（Ｂ）エポキシ樹脂と、
（Ｃ）両末端にスチレン基を有するポリフェニレンエーテルオリゴマーと、
（Ｄ）液状ゴムと
を有し、
前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分の合計に対し、前記（Ａ）成分が７０〜９５質量％含まれ、
前記（Ａ）、（Ｂ）、および（Ｃ）成分の合計に対し、前記（Ｃ）成分が１０〜４０質量％含まれる
ことを特徴とするエラストマー組成物。
前記（Ａ）成分は、ポリスチレン−ポリ（エチレン−エチレン／プロピレン）ブロック−ポリスチレンを含む
ことを特徴とする請求項１に記載のエラストマー組成物。
前記（Ｄ）成分は、スチレン・ブタジエン系の液状ゴムである
ことを特徴とする請求項１または２に記載のエラストマー組成物。
１ＧＨｚ以上の周波数における比誘電率が３．０以下である
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載のエラストマー組成物。
（Ｅ）イミド基を有する化合物を含む
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載のエラストマー組成物。
前記（Ｅ）成分は、マレイミド化合物およびイミドアクリレート化合物の少なくとも一方を含む
ことを特徴とする請求項５に記載のエラストマー組成物。
（Ｆ）有機過酸化物を含む
ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載のエラストマー組成物。
（Ｇ）式（１）のホスフィン酸金属塩を含む

ことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載のエラストマー組成物。
請求項１ないし８のいずれか一項に記載のエラストマー組成物で形成されたフィルム。
請求項９に記載のフィルムを用いた半導体装置。