JP6321280B2 - ブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路 - Google Patents

ブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路 Download PDF

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Description

この発明は液晶表示技術に関し、特にブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路に関する。
GOA(Gate Driver on Array)と呼ばれる技術は、ゲートスイッチ回路の薄膜トランジスタをアレイ基板上に集積し、本来設置すべきアレイ基板のゲートドライバ集積回路の部分を省いて、材料のコストと工程の両方面から製品のコスト節減を達成することができる。目下GOA技術は、TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)技術の領域で常用される一種のゲート電極駆動技術であって、その製造技術は簡易であり、優れた応用性を有することから将来の発展が嘱望されている。GOA回路の主な機能は、その行の一行前のグリッド線から高レベル信号を出力し、シフトレジスタユニットのコンデンサに充電を行い、その行のグリッド線から高レベル信号を出力し、さらにその行の次の行のグリッド線を利用して高レベル信号を出力することでリセットを達成することにある。
図1は、従来の常用されているゲート電極駆動回路の構造を示した説明図である。図面に開示するように、カスケード接続する複数のGOAユニットを含んでなり、第N段のGOAユニットの制御に基づき表示領域の第N段水平走査線G(N)に対して充電を行う。該第N段GOAユニットはプルアップ制御モジュール1'と、プルアップモジュール2'と、ダウンロードモジュール3'と、第1プルダウンモジュール4' (Key pull-down part)と、ブーストラップコンデンサモジュール5'と、プルダウンホールディングモジュール6' (Pull-down holding part)とを含む。プルアップモジュール2'と、第1プルダウンモジュール4'と、ブーストラップコンデンサモジュール5'と、プルダウンホールディングモジュール6'とは、それぞれ第N段ゲート電極信号点Q(N)と第N段水平走査線G(N)とに電気的に接続する。プルアップ制御モジュール1'とダウンロードモジュール3'とは、それぞれ第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続する。プルダウンホールディングモジュール6'には直流低電圧VSSを入力する。
プルアップ制御モジュール1'は、第1薄膜トランジスタT1'を含み、そのゲート電極には第N−1段GOAユニットからのダウンロード信号ST(N-1)を入力し、ドレイン電極は第N-1段の水平走査線G(N-1)に電気的に接続し、ソース電極は該第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続する。プルアップモジュール2'は、第2薄膜トランジスタT2'を含んでなり、そのゲート電極は第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続し、ドレイン電極には第1高周波クロック信号CKか、もしくは第2高周波クロック信号XCKが入力し、ソース電極は第N段水平走査線G(N)に電気的に接続する。ダウンロードモジュール3'は第3薄膜トランジスタT3'を含んでなり、そのゲート電極は第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続し、ドレイン電極には第1高周波クロック信号CKか、もしくは第2高周波クロック信号XCKが入力し、ソース電極は第N段ダウンロード信号ST(N)を出力する。第1プルダウンモジュール4'は第4薄膜トランジスタT4'と第5薄膜トランジスタT5'とを含んでなり、薄膜トランジスタT4'のゲート電極は第N+1段水平走査線G(N+1)に電気的に接続し、ドレイン電極は第N段水平走査線G(N)に電気的に接続し、ソース電極には直流低電圧VSSが入力し、かつ第5薄膜トランジスタT5'は、ゲート電極が第N+1段水平走査線G(N+1)に電気的に接続し、ドレイン電極が該第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続し、ソース電極に直流低電圧VSSが入力する。ブーストラップコンデンサモジュール5'はブーストラップコンデンサCb'を含んでなる。プルダウンホールディングモジュール6'は第6薄膜トランジスタT6'と第7薄膜トランジスタT7'と、第8薄膜トランジスタT8'と、第9薄膜トランジスタT9'と、第10薄膜トランジスタT10'と、第11薄膜トランジスタT11'と、第12薄膜トランジスタT12'と、第13薄膜トランジスタT13'と、第14薄膜トランジスタT14'と、を含んでなり、第6薄膜トランジスタT6'のゲート電極は第1回路点P(N)'に電気的に接続し、ドレイン電極が第N段水平走査線G(N)に電気的に接続し、ソース電極に直流低電圧VSSが入力し、第7薄膜トランジスタT7'は、そのゲート電極が第1回路点P(N)'に電気的に接続し、ドレイン電極が第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続し、ソース電極に直流低電圧VSSが入力し、第8薄膜トランジスタT8'は、そのゲート電極が第2回路点K(N)'に電気的に接続し、ドレイン電極が第N段水平走査線G(N)に電気的に接続し、ソースに直流低電圧VSSが入力し、第9トランジスタT9'は、そのゲート電極が第2回路点K(N)'に電気的に接続し、ドレイン電極が第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続し、ソース電極に直流低電圧VSSが入力し、第10薄膜トランジスタT10'は、そのゲート電極に第1低周波クロック信号LC1が入力し、ドレイン電極に第1低周波クロック信号LC1が入力し、ソース電極が第1回路点P(N)に電気的に接続し、第11薄膜トランジスタT11'は、そのゲート電極に第2低周波クロック信号LC2が入力し、ドレイン電極に第1低周波クロック信号LC1が入力し、ソース電極が第1回路点P(N)に電気的に接続し、第12薄膜トランジスタT12'は、そのゲート電極に第2低周波クロック信号LC2が入力し、ドレイン電極に第2低周波クロック信号LC2が入力し、ソース電極が第2回路点K(N)に電気的に接続し、第13薄膜トランジスタT13'は、そのゲート電極に第1低周波クロック信号LC1が入力し、ドレイン電極に第2低周波クロック信号LC2が入力し、ソース電極が第2回路点K(N)'に電気的に接続し、第14薄膜トランジスタT14'は、そのゲート電極が該第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続し、ドレイン電極が第1回路点P(N)'に電気的に接続し、ソース電極に直流低電圧VSSが入力し、第15薄膜トランジスタT15'は、そのゲート電極が該第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続し、ドレイン電極が第2回路点K(N)'に電気的に接続し、ソース電極に直流低電圧VSSが入力する。該第6薄膜トランジスタT6'と該第8薄膜トランジスタT8'とによって、非作動時間における第N段水平走査線G(N)の低電位を維持し、該第7薄膜トランジスタT7'と第9薄膜トランジスタT9'とによって、非作動時間における第N段ゲート電極信号点Q(N)の低電位を維持する。
回路の全体構造からみれば、プルダウンホールディングモジュール6'は、比較的長い作動状態に置かれる。即ち、第1回路点P(N)'と第2回路点K(N)'とが、長時間順方向の高電位状態となる。係る回路において電圧のストレスを最も深刻に受ける素子が薄膜トランジスタT6'、T7'、T8'、T9'である。ゲート電極駆動回路の作動時間の増加に連れて、薄膜トランジスタT6'、T7'、T8'、T9'の閾値電圧Vthが漸増し、オン状態電流が漸減する。係る状況においては第N段水平走査線G(N)と第N段ゲート電極信号点Q(N)は、安定した好ましい低電位の状態を維持することができなくなり、このためゲート電極駆動回路の信頼性に影響を与える深刻な要因となる。
アモルファスシリコン薄膜トランジスタゲート電極駆動回路にとってプルダウンホールディングモジュールは不可欠である。通常はプルダウンホールディングモジュールを1セット設けるよう設計するか、もしくは交互に作動する2セットのプルダウンホールディングモジュールを設けるよう設計する。2セットのプルダウンホールディングモジュールを設けるデザインの主要な目的は、プルダウンホールディングモジュールの第1回路点P(N)'と第2回路点K(N)'によって制御する薄膜トランジスタT6'、T7'、T8'、T9'の受ける電圧ストレスを軽減させるためである。但し、実際に測定した結果、2セットのプルダウンホールディングモジュールを設けるよう設計しても、薄膜トランジスタT6'、T7'、T8'、T9'の4つの薄膜トランジスタは、依然としてゲート電極駆動回路全体から最も深刻な電圧ストレスを受ける部分であることが判明した。即ち、薄膜トランジスタの閾値(Vth)に最大のドリフトが発生することになる。
図2aは、閾値電圧にドリフトの発生する前後の時点における薄膜トランジスタ全体の電流対数と電圧曲線関係の変化を示した説明図である。図面には閾値電圧にドリフトが発生する前の電流対数と電圧との関係曲線を実線で表示し、電圧閾値にドリフトが発生した後の電流対数と電圧との関係曲線を点線で表示した。図2aから明らかなように、同一のゲートソース電圧Vgsの条件下、閾値電圧にドリフトの発生していない状態における電流対数Log(Ids)は、閾値電圧にドリフトが発生した後の電流対数に比して大きい。図2bは、閾値電圧にドリフトの発生する前後の時点における薄膜トランジスタ全体の電流と電圧曲線関係の変化を示した説明図である。図2bから明らかなように、同一のドレインソース電流Idsの条件下、閾値電圧にドリフトの発生していない状態におけるゲート電極電圧Vg1は、閾値電圧にドリフトの発生した後のゲート電極電圧Vg2に比して低い。即ち、閾値電圧にドリフトが発生した後、同等のドレインソース電流Idsを達成しようとするのであれば、さらに高いゲート電極電圧を必要とする。
図2a、図2bから明らかなように、閾値電圧Vthが順方向にドリフトすることによって、薄膜トランジスタのオン状態電流Ionが徐々に低下し、閾値電圧Vthの増加に伴い薄膜トランジスタのオン状態電流Ionも継続的に低下する。よって、回路にとっては、第N段ゲート電極信号点Q(N)と第N段水平走査線G(N)の電位の安定という好ましい状態を維持することができなくなる。係る状況は液晶表示装置の画面表示の異状を招くことになる。
以上述べたように、ゲート電極駆動回路において、最も容易に効力を失う素子は、プルダウンホールディングモジュールの薄膜トランジスタT6'、T7'、T8'、T9'である。したがって、ゲート電極駆動回路と液晶表示パネルの信頼性を高めるためには、前掲の問題を改善する必要がある。通常は、回路のデザインにおいて常用される手法として、4つの薄膜トランジスタのサイズを増大する方法が挙げられる。但し、薄膜トランジスタのサイズを増大させることは、同時に薄膜トランジスタを作動させるオフ状態ドレイン電流を増加させることになり、前掲の問題の本質的な解決には至らない。
この発明は、長期的に操作上の信頼性を高め、かつ閾値電圧のドリフトがゲート電極駆動回路の動作に与える影響を低減させるブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路を提供することを課題とする。
そこで、本発明者は、従来の技術に見られる問題点に鑑み鋭意研究を重ねた結果、カスケード接続する複数のGOAユニットを含んでなり、第N段GOAの制御によって、表示領域の第N段水平走査線に対して充電を行い、該第N段GOAユニットが、プルアップ制御モジュールと、プルアップモジュールと、ダウンロードモジュールと、第1プルダウンモジュールと、ブーストラップコンデンサモジュールと、プルダウンホールディングモジュールとを含んでなり、該プルアップモジュールと、該第1プルダウンモジュールと、該ブーストラップコンデンサモジュールと、該プルダウンホールディングモジュールとが、それぞれ第N段ゲート電極信号点と第N段水平走査線とに電気的に接続し、該プルアップ制御モジュールと、該ダウンロードモジュールとが、それぞれ該第N段ゲート電極信号点に電気的に接続し、該プルダウンホールディングモジュールが交互に作動する第1プルダウンホールディングモジュールと第2プルダウンホールディングモジュールとによってなるブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路によって課題を解決できる点に着眼し、係る知見に基づいて本発明を完成させた。
以下この発明について説明する。請求項1に記載するブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路は、カスケード接続する複数のGOAユニットを含んでなり、第N段GOAの制御によって、表示領域の第N段水平走査線に対して充電を行い、該第N段GOAユニットが、プルアップ制御モジュールと、プルアップモジュールと、ダウンロードモジュールと、第1プルダウンモジュールと、ブーストラップコンデンサモジュールと、プルダウンホールディングモジュールとを含んでなり、該プルアップモジュールと、該第1プルダウンモジュールと、該ブーストラップコンデンサモジュールと、該プルダウンホールディングモジュールとが、それぞれ第N段ゲート電極信号点と第N段水平走査線とに電気的に接続し、該プルアップ制御モジュールと、該ダウンロードモジュールとが、それぞれ該第N段ゲート電極信号点に電気的に接続し、該プルダウンホールディングモジュールに直流低電圧が入力し、
該プルダウンホールディングモジュールが交互に作動する第1プルダウンホールディングモジュールと第2プルダウンホールディングモジュールとによってなり、
該第1プルダウンホールディングモジュールは、ゲート電極が第1回路点に電気的に接続し、ドレイン電極が第N段水平走査線に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第1薄膜トランジスタと、ゲート電極が第1回路点に電気的に接続し、ドレイン電極が第N段ゲート電極信号点に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第2薄膜トランジスタと、ゲート電極が第1低周波クロック信号か、もしくは第1高周波クロック信号に電気的に接続し、ドレイン電極が第1低周波クロック信号か、もしくは第1高周波信号に電気的に接続し、ソース電極が第2回路点に電気的に接続する第3薄膜トランジスタと、ゲート電極が第N段ゲート電極信号点に電気的に接続し、ドレイン電極が第2回路点に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第4薄膜トランジスタと、ゲート電極が第N-1段ゲート電極信号点に電気的に接続し、ドレイン電極が第1回路点に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第5薄膜トランジスタと、ゲート電極が第N+1段水平走査線に電気的に接続し、ドレイン電極が第1回路点に電気的に接続し、かつソース電極が第N段ゲート電極信号点に電気的に接続する第6薄膜トランジスタと、ゲート電極が第2低周波クロック信号か、もしくは第2高周波クロック信号に電気的に接続し、ドレイン電極が第1低周波クロック信号か、もしくは第1高周波信号に電気的に接続し、ソース電極が第2回路点に電気的に接続する第7薄膜トランジスタと、上電極板が第2回路点に電気的に接続し、下電極板が第1回路点に電気的に接続する第1コンデンサと、を含み、
該第2プルダウンホールディングモジュールは、ゲート電極が第3回路点に電気的に接続し、ドレイン電極が第N段水平走査線に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第8薄膜トランジスタと、ゲート電極が第3回路点に電気的に接続し、ドレイン電極が第N段ゲート電極信号点に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第9薄膜トランジスタと、ゲート電極が第2低周波クロック信号か、もしくは第2高周波クロック信号に電気的に接続し、ドレインが第2低周波クロック信号か、もしくは第2高周波クロック信号に電気的に接続し、かつソース電極が第4回路点)に電気的に接続する第10薄膜トランジスタと、ゲート電極が第N段ゲート電極信号点に電気的に接続し、ドレイン電極が第4回路点に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第11薄膜トランジスタと、ゲート電極がN−1段ゲート電極信号点に電気的に接続し、ドレイン電極が第3回路点に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第12薄膜トランジスタと、ゲート電極が第N+1段水平走査線に電気的に接続し、ドレイン電極が第3回路点に電気的に接続し、かつソース電極が第N段ゲート電極信号点に電気的に接続する第13薄膜トランジスタと、ゲート電極が第1低周波クロック信号か、第1高周波信号に電気的に接続し、ドレイン電極が第2低周波クロック信号か、第2高周波クロック信号に電気的に接続し、ソース電極が第4回路点に電気的に接続する第14薄膜トランジスタT、上電極板が第4回路点に電気的に接続し、下電極板が第3回路点に電気的に接続する第2コンデンサと、を含む。
請求項2に記載するブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路は、請求項1におけるプルアップ制御モジュールが、ゲート電極に第N−1段GOAユニットからのダウンロード信号が入力し、ドレイン電極が第N−1段水平走査線に電気的に接続し、かつソース電極が該第N段ゲート電極信号点に電気的に接続する第15薄膜トランジスタを含み、
該プルアップモジュールが、ゲート電極が第N段ゲート電極信号点に電気的に接続し、ドレイン電極に第1高周波クロック信号か、第2高周波クロック信号が入力し、かつソース電極が第N段水平走査線に電気的に接続する第16薄膜トランジスタを含み、
該ダウンロードモジュールが、ゲート電極が該第N段ゲート電極信号点に電気的に接続し、ドレイン電極に第1高周波クロック信号か、第2高周波クロック信号が入力し、かつソース電極が第N段ダウンロード信号を出力する第17薄膜トランジスタを含み、
該第1プルダウンモジュールが、ゲート電極が第N+2段水平走査線に電気的に接続し、ドレイン電極が第N段水平走査線に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第18薄膜トランジスタと、及びゲート電極が第N+2段水平走査線に電気的に接続し、ドレイン電極が該第N段ゲート電極信号点に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第19薄膜トランジスタとを含み、
該ブーストラップコンデンサモジュールが、ブーストラップコンデンサを含む。
請求項3に記載するブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路は、請求項2におけるゲート電極駆動回路の第1段の接続関係において、第5薄膜トランジスタのゲート電極が回路起動信号に電気的に接続し、第12薄膜トランジスタのゲート電極とドレイン電極とが、回路起動信号に電気的に接続し、第15薄膜トランジスタのゲート電極とドレイン電極とが、いずれも回路起動信号に電気的に接続する。
請求項4に記載するブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路は、請求項2におけるゲート電極駆動回路の最後の1段の接続関係において、第6薄膜トランジスタのゲート電極が回路起動信号に電気的に接続し、第13薄膜トランジスタのゲート電極が第回路起動信号に電気的に接続し、第18薄膜トランジスタのゲート電極が第2段水平走査線に電気的に接続し、第19薄膜トランジスタのゲート電極が第2段水平走査線に電気的に接続する。
請求項5に記載のブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路は、
請求項1に記載のブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路において、
前記第1プルダウンホールディングモジュールが、上電極板が第1回路点に電気的に接続し、かつ下電極板に直流低電圧が入力する第3コンデンサを含み、
前記第2プルダウンホールディングモジュールが、上電極板が第3回路点に電気的に接続し、かつ下電極板に直流低電圧が入力するコンデンサを含み、
該第1プルダウンホールディングモジュールと該第2プルダウンホールディングモジュールとの回路の構成が同一である
ことを特徴とする。
請求項6に記載のブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路は、
請求項1に記載のブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路において、
前記第1プルダウンホールディングモジュールが、ゲート電極が第N+1段水平走査線に電気的に接続し、ドレイン電極が第2回路点に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第20薄膜トランジスタを含み、
前記第2プルダウンホールディングモジュールが、ゲート電極が第N+1段水平走査線に電気的に接続し、ドレイン電極が第4回路点に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する薄膜トランジスタを含み、
該第1プルダウンホールディングモジュールと該第2プルダウンホールディングモジュールの回路の構成が同一である
ことを特徴とする。
請求項7に記載のブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路は、
請求項1に記載のブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路において、
前記第1プルダウンホールディングモジュールが、
上電極板が第1回路点に電気的に接続し、下電極板に直流低電圧が入力する第3コンデンサと、
ゲート電極が第N+1段水平走査線に電気的に接続し、ドレイン電極が第2回路点に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第20薄膜トランジスタと、を含み、
前記第2プルダウンホールディングモジュールが、
上電極板が第3回路点に電気的に接続し、下電極板に直流低電圧が入力するコンデンサと、
ゲート電極が第N+1段水平走査線に電気的に接続し、ドレイン電極が第4回路点に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する薄膜トランジスタと、を含み、
該第1プルダウンホールディングモジュールと該第2プルダウンホールディングモジュールの回路の構成が同一である
ことを特徴とする。
請求項8に記載のブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路は、
請求項2に記載のブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路において、
前記第1高周波クロック信号と該第2高周波クロック信号とが、2つの位相の完全に逆である高周波クロック信号源であって、該第1低周波クロック信号と該第2低周波クロック信号とが2つの位相の完全に逆である低周波クロック信号源である
ことを特徴とする。
従来の常用されているゲート電極駆動回路の構造を示した説明図である。 閾値電圧にドリフトの発生する前後の時点における薄膜トランジスタ全体の電流対数と電圧曲線関係の変化を示した説明図である。 閾値電圧にドリフトの発生する前後の時点における薄膜トランジスタ全体の電流と電圧曲線関係の変化を示した説明図である。 この発明によるブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路の単段構成を示した説明図である。 この発明によるブーストラップ機能を具えたゲート電極駆動回路の単段構成の第1段の接続関係を示した説明図である。 この発明によるブーストラップ機能を具えたゲート電極駆動回路の単段構成の最後の1段の接続関係を示した説明図である。 図3に開示するプルダウンホールディングモジュールの第1の実施の形態を示した回路図である。 (a)は閾値電圧がドリフトする前の図3に開示するゲート駆動回路のシーケンス図である。 (b)は閾値電圧がドリフトした後の図3に開示するゲート電極駆動回路のシーケンス図である。 図3に採用するプルダウンホールディングモジュールの第2の実施の形態による回路図である。 図3に採用するプルダウンホールディングモジュールの第3の実施の形態による回路図である。 図3に採用するプルダウンホールディングモジュールの第4の実施の形態による回路図である
この発明は、長期的に操作上の信頼性を高め、かつ閾値電圧のドリフトがゲート電極駆動回路の動作に与える影響を低減させるブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路を提供するものであって、カスケード接続する複数のGOAユニットを含んでなり、第N段GOAの制御によって、表示領域の第N段水平走査線に対して充電を行い、該第N段GOAユニットが、プルアップ制御モジュールと、プルアップモジュールと、ダウンロードモジュールと、第1プルダウンモジュールと、ブーストラップコンデンサモジュールと、プルダウンホールディングモジュールと、を含んでなり、該プルアップモジュールと、該第1プルダウンモジュールと、該ブーストラップコンデンサモジュールと、該プルダウンホールディングモジュールとが、それぞれ第N段ゲート電極信号点と第N段水平走査線とに電気的に接続し、該プルアップ制御モジュールと、該ダウンロードモジュールとが、それぞれ該第N段ゲート電極信号点に電気的に接続し、該プルダウンホールディングモジュールが交互に作動する第1プルダウンホールディングモジュールと第2プルダウンホールディングモジュールとによってなる。係るブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路の構造と特徴を説明するために、具体的な実施例を挙げ、図面を参照にして以下に詳述する。
図3は、この発明によるブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路の単段構成を示した説明図であって、図面に開示するようにカスケード接続する複数のGOAユニットを含んでなり、第N段GOAの制御によって、表示領域の第N段水平走査線G(N)に対して充電を行う。該第N段GOAユニットは、プルアップ制御モジュール1と、プルアップモジュール2と、ダウンロードモジュール3と、第1プルダウンモジュール4と、ブーストラップコンデンサモジュール5と、プルダウンホールディングモジュール6とを含む。プルアップモジュール2と、第1プルダウンモジュール4と、ブーストラップコンデンサモジュール5と、プルダウンホールディングモジュール6とは、それぞれ第N段ゲート電極信号点Q(N)と該第N段水平走査線G(N)とに電気的に接続する。プルアップ制御モジュール1とダウンロードモジュール3とは、それぞれ該第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続し、プルダウンホールディングモジュール6には直流低電圧Vssが入力する。
プルダウンホールディングモジュール6は、第1プルダウンモジュール61と第2プルダウンホールディングモジュール62とが交互に作動するよう構成する。
第1プルダウンホールディングモジュール61は、ゲート電極が第1回路点P(N)に電気的に接続し、ドレイン電極が第N段水平走査線G(N)に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧Vssが入力する第1薄膜トランジスタT1と、ゲート電極が第1回路点P(N)に電気的に接続し、ドレイン電極が第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧VSSが入力する第2薄膜トランジスタT2と、ゲート電極が第1低周波クロック信号LC1か、もしくは第1高周波クロック信号CKに電気的に接続し、ドレインが第1低周波クロック信号LC1か、もしくは第1高周波クロック信号CKに電気的に接続し、かつソース電極が第2回路点S(N)に電気的に接続する第3薄膜トランジスタT3と、ゲート電極が第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続し、ドレイン電極が第2回路点S(N)に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧VSSが入力する第4薄膜トランジスタT4と、ゲート電極が第N-1段ゲート電極信号点Q(N-1)に電気的に接続し、ドレイン電極が第1回路点P(N)に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧VSSが入力する第5薄膜トランジスタT5と、ゲート電極が第N+1段水平走査線G(N+1)に電気的に接続し、ドレイン電極が第1回路点P(N)に電気的に接続し、かつソース電極が第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続する第6薄膜トランジスタT6と、ゲート電極が第2低周波クロック信号LC2か、第2高周波信号XCKに電気的に接続し、ドレイン電極が第1低周波クロック信号LC1か、第1高周波クロック信号CKに電気的に接続し、ソース電極が第2回路点S(N)に電気的に接続する第7薄膜トランジスタT7と、上電極板が第2回路点S(N)に電気的に接続し、下電極板が第1回路点P(N)に電気的に接続する第1コンデンサCst1と、を含む。
第2プルダウンホールディングモジュール62は、ゲート電極が第3回路点K(N)に電気的に接続し、ドレイン電極が第N段水平走査線G(N)に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧VSSが入力する第8薄膜トランジスタT8と、ゲート電極が第3回路点K(N)に電気的に接続し、ドレイン電極が第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧VSSが入力する第9薄膜トランジスタT9と、ゲート電極が第2低周波クロック信号LC2か、もしくは第2高周波クロック信号XCKに電気的に接続し、ドレインが第2低周波クロック信号LC2か、もしくは第2高周波クロック信号XCKに電気的に接続し、かつソース電極が第4回路点T(N)に電気的に接続する第10薄膜トランジスタT10と、ゲート電極が第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続し、ドレイン電極が第4回路点T(N)に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧VSSが入力する第11薄膜トランジスタT11と、ゲート電極がN−1段ゲート電極信号点Q(N−1)に電気的に接続し、ドレイン電極が第3回路点K(N)に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧VSSが入力する第12薄膜トランジスタT12と、ゲート電極が第N+1段水平走査線G(N+1)に電気的に接続し、ドレイン電極が第3回路点K(N)に電気的に接続し、かつソース電極が第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続する第13薄膜トランジスタT13と、ゲート電極が第1低周波クロック信号LC1か、第1高周波信号CKに電気的に接続し、ドレイン電極が第2低周波クロック信号LC2か、第2高周波クロック信号XCKに電気的に接続し、ソース電極が第4回路点T(N)に電気的に接続する第14薄膜トランジスタT14と、上電極板が第4回路点T(N)に電気的に接続し、下電極板が第3回路点K(N)に電気的に接続する第2コンデンサCst2と、を含む。
プルアップ制御モジュール1は、ゲート電極に第N−1段GOAユニットからのプルダウン信号ST(N−1)を入力し、ドレイン電極は第N-1段の水平走査線G(N-1)に電気的に接続し、ソース電極は該第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続する第15薄膜トランジスタT15を含み、プルアップモジュール2は、ゲート電極は第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続し、ドレイン電極には第1高周波クロック信号CKか、もしくは第2高周波クロック信号XCKが入力し、ソース電極は第N段水平走査線G(N)に電気的に接続する第16薄膜トランジスタT16と含み、ダウンロードモジュール3は、ゲート電極が第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続し、ドレイン電極には第1高周波クロック信号CKか、もしくは第2高周波クロック信号XCKが入力し、ソース電極が第N段ダウンロード信号ST(N)を出力する第17薄膜トランジスタT17を含み、第1プルダウンモジュール4は、ゲート電極が第N+2段水平走査線G(N+2)に電気的に接続し、ドレイン電極が第N段水平走査線G(N)に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧VSSが入力する第18薄膜トランジスタT18と、及びゲート電極が第N+2段水平走査線G(N+2)に電気的に接続し、ドレイン電極が第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧VSSが入力する第19薄膜トランジスタT19と、を含み、第1プルダウンモジュール4における第18薄膜トランジスタT18のゲート電極と、第19薄膜トランジスタT19におけるゲート電極とのいずれもが第N+2段水平走査線G(N+2)に電気的に接続する。係る構成は、
第N段ゲート電極信号点Q(N)の電位が三段階を呈するようにすることを主な目的とする。即ち、第1段階は高電位に至るまで上昇し、かつ一定の時間維持する。第2段階は第1段階を基礎として、さらなる高電位に上昇し、かつ一定の時間維持し、第3段階は第2段階を基礎として、第1段階の基本レベルの高電位に至るまで下降する。次いで、3段階における第3段階を利用して閾値電圧のブーストラップを進行させる。ブーストラップコンデンサモジュール5はブーストラップコンデンサCbを含む。
多段水平走査線のそれぞれの間の段数は循環する。即ち、第N段水平走査線G(N)のNが最後の一段Lastである場合、第N+2段水平走査線G(N+2)は、第2段水平走査線G(2)を表わす。第N段水平走査線G(N)におけるNが下から第2段のLast−1である場合、第N+2段水平走査線G(N+2)は、第1段水平走査線G(1)を表わし、その他はこれを以って推類する。
図3を参照し、図4について説明する。図4は、この発明によるブーストラップ機能を具えたゲート電極駆動回路の単段構成の第1段の接続関係を示した説明図である。即ち、Nが1である場合のゲート電極駆動回路の接続関係を示した説明図である。図面に開示するように、第5薄膜トランジスタT5は、ゲート電極が回路起動信号STVに電気的に接続し、第12薄膜トランジスタT12はゲート電極が回路起動信号STVに電気的に接続し、第15薄膜トランジスタT15はゲート電極とドレイン電極とが回路起動信号STVに電気的に接続する。
図3を参照し、図5について説明する。図5は、この発明によるブーストラップ機能を具えたゲート電極駆動回路の単段構成の最後の1段の接続関係を示した説明図である。即ち、Nが最後の1段のLastである場合のゲート電極駆動回路の接続関係を示した説明図である。図面に開示するように、第6薄膜トランジスタT6は、ゲート電極が回路起動信号STVに電気的に接続し、
第13薄膜トランジスタT13はゲート電極が回路起動信号STVに電気的に接続し、第18薄膜トランジスタT18は、ゲート電極が第2段水平走査線G(2)に電気的に接続し、第19薄膜トランジスタT19は、ゲート電極が第2段水平走査線G(2)に電気的に接続する。
図6は、図3に開示する第1プルダウンホールディングモジュールの実施の形態を示した回路図であって、図面に開示するように、第1薄膜トランジスタT1と、第2薄膜トランジスタT2と第3薄膜トランジスタT3と第4薄膜トランジスタT4と、第5薄膜トランジスタT5と、第6薄膜トランジスタT6と、第7薄膜トランジスタT7と、第1コンデンサCst1と、を含む。第1薄膜トランジスタT1は、ゲート電極が第1回路点P(N)に電気的に接続し、ドレイン電極が第N段水平走査線G(N)に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧VSSが入力する。第2薄膜トランジスタT2は、ゲート電極が第1回路点P(N)に電気的に接続し、ドレイン電極が第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧Vssが入力する。第3薄膜トランジスタT3はゲート電極が第1低周波クロック信号LC1か、もしくは第1高周波信号CKに電気的に接続し、ドレイン電極が第1低周波クロック信号LC1か、もしくは第1高周波信号CKに電気的に接続し、かつソース電極が第2回路点S(N)に電気的に接続する。第4薄膜トランジスタT4は、ゲート電極が第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続し、ドレイン電極が第2回路点S(N)に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧VSSが入力する。第4薄膜トランジスタT4は、主に作動時において第2回路点S(N)をプルダウンする。係る作用によって、第2回路点S(N)による第1回路点P(N)電位の制御という目的を達成することができる。第5薄膜トランジスタT5は、ゲート電極が第N-1段ゲート電極信号点Q(N-1)に電気的に接続し、ドレイン電極が第1回路点P(N)に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧VSSが入力する。第5薄膜トランジスタT5の作用は、第N段水平走査線G(N)と第N段ゲート電極信号点Q(N)の出力の作用時間を確保することにあり、第1回路点P(N)が低電位のオフ状態になり、ここから第N段水平走査線G(N)と第N段ゲート電極信号点Q(N)の正常な出力を確保する。第6薄膜トランジスタT6は、ゲート電極が第N+1段水平走査線G(N+1)に電気的に接続し、ドレイン電極が第1回路点P(N)に電気的に接続し、かつソース電極が第N段ゲート電極信号点Q(N)に電気的に接続する。係る構成は、第N段ゲート電極信号点Q(N)の三段階における第3段階の電位を利用して閾値電圧の測定を進行させ、かつ当該電位を第1回路点P(N)に保存することを目的とする。第7薄膜トランジスタT7はゲート電極が第2低周波クロック信号LC2か、もしくは第2高周波信号XCKに電気的に接続し、ドレイン電極が第1低周波クロック信号LC1か、もしくは第1高周波信号CKに電気的に接続し、かつソース電極が第2回路点S(N)に電気的に接続する。第1コンデンサCst1は、上電極板が第2回路点S(N)に電気的に接続し、下電極板が第1回路点P(N)に電気的に接続する。第1プルダウンホールディングモジュールと第2プルダウンホールディングモジュールとは、回路の構造が同一である。
図3を参照し、図7(a)、(b)について説明する。図7(a)は閾値電圧がドリフトする前の図3に開示するゲート駆動回路のシーケンス図であって、図7(b)は閾値電圧がドリフトした後の図3に開示するゲート電極駆動回路のシーケンス図である。図7(a)、(b)に開示するように、STV信号は回路起動信号であって、第1高周波クロック信号CKと第2高周波クロック信号XCKとは、位相が完全に逆である一組の高周波信号源であり、第1低周波クロック信号LC1と第2低周波クロック信号LC2とは、位相が完全に逆である一組の低周波信号源である。G(N−1)はN−1段水平走査線であって、即ち前1段の走査出力信号である。ST(N−1)はN−1段のダウンロード信号であって、即ち前1段のダウンロード信号である。Q(N−1)は、第N−1段ゲート電極信号点であって、即ち前1段のゲート電極信号点である。Q(N)は第N段ゲート電極信号点であって、即ち当該段のゲート電極信号点である。
図7(a)、(b)は、第1低周波クロック信号LC1が作動状態となった場合のシーケンス図である。図7(a)、(b)の開示から明らかなように、第N段ゲート電極信号点Q(N)電位は3段階を呈し、第1段階は高電位に至るまで上昇し、かつ一定の時間維持する。第2段階は第1段階を基礎として、さらなる高電位に上昇し、かつ一定の時間維持し、第3段階は第2段階を基礎として、第1段階の基本レベルの高電位に至るまで下降する。その第3段階の変化は、主に第6薄膜トランジスタT6の影響を受ける。図7(a)から明らかなように、液晶パネルが起動し点灯を始める初期タイムT0において、閾値電圧Vthは比較的低い。即ちゲート電極駆動回路が長時間の操作を経ていない時点では閾値電圧Vthにドリフトは発生していなく、第N段ゲート電極信号Q(N)の第3段階の電位が比較的低く、これに対応する第1回路点P(N)の電位も比較的低い。図7(b)ら明らかなように、第N段ゲート電極信号点Q(N)の第3段階における電位は、電圧の応力の作用によって閾値電圧Vthにドリフトが発生してから、これに伴い上昇する。よって該部分を利用して第1薄膜トランジスタT1と第2薄膜トランジスタT2の閾値電圧の測定という目的を達成することができる。
図7(a)と(b)とから明らかなように、図3に開示するゲート電極駆動回路の作動の過程は次のとおりである、即ち、第N+1段水平走査線G(N+1)が通電状態になると、第6薄膜トランジスタT6がオンになる。この場合第N段ゲート電極信号点Q(N)と第1回路点P(N)の電位が同一となり、第2薄膜トランジスタT2が等価のダイオード接続法となる。第1回路点P(N)は、第N段ゲート電極信号点Q(N)の第3段階において、第6薄膜トランジスタT6を通じて第1薄膜トランジスタT1と第2薄膜トランジスタT2の閾値電圧の値を保存することができる。よって、閾値電圧Vthのドリフトに伴い、第N段ゲート電極信号点Q(N)の第3段階における電位は上昇し、第1回路点P(N)が保存する閾値電圧の電圧値も上昇する。次いで第2回路点S(N)が再度第1コンデンサCst1を通じて第1回路点P(N)を上昇させる。係る方式によって閾値電圧の変化を補償することができる。
図7(a)、(b)に開示するように、閾値電圧がドリフトする前後において、第N段ゲート電極信号点Q(N)と第1回路点P(N)との電位に明らかな変化が発生する、特に第1回路点P(N)の電位の増加は、閾値電圧のドリフトが第1薄膜トランジスタT1と第2薄膜トランジスタT2のオン状態電流に対する影響を効率よく低減することができる。ここから第N段水平走査線G(N)と第N段ゲート電極信号点Q(N)は、長時間にわたる操作を経た後においても依然として好ましい低電位状態を維持することができる。
同様に、第2低周波クロック信号LC2の作動状態時(図示しない)において、第2プルダウンホールディングモジュール62が作動し、第N段ゲート電極信号点Q(N)は3段階の変化を呈する。第1段階は高電位に至るまで上昇し、かつ一定の時間維持する。第2段階は第1段階を基礎として、さらなる高電位に上昇し、かつ一定の時間維持し、第3段階は第2段階を基礎として、第1段階の基本レベルの高電位に至るまで下降する。第3段階の変化は、主に第13薄膜トランジスタT13の影響を受ける。第3段階の閾値電圧はドリフトする前において比較的低く、閾値電圧のドリフト発生に伴い上昇する。よって、当該部分を利用して第8薄膜トランジスタT8と第9薄膜トランジスタT9の閾値電圧を測定するという目的を達成することができる。この場合図3に開示するゲート電極駆動回路の作動の過程は、第N+1段水平走査線G(N+1)が通電状態になると、第13薄膜トランジスタT13がオンになる。この場合、第N段ゲート電極信号点Q(N)と第3回路点K(N)の電位が同一となり、第9薄膜トランジスタT9が等価となりダイオード接続となる。第3回路点K(N)は第N段ゲート電極信号点の第3段階において、第13薄膜トランジスタT13を通じて第8薄膜トランジスタT8と第9薄膜トランジスタT9の閾値電圧を保存することができる。よって、閾値電圧Vthのドリフトに伴い、第N段ゲート電極信号点Q(N)の第3段階における電位が上昇し、第3回路点K(N)に保存した閾値電圧も上昇する。次いで、第4回路点T(N)が、再度第2コンデンサCst2を通じて第3回路点K(N)を上昇させる。このため閾値電圧の変化をブーストラップし、ここから第N段水平走査線G(N)と第N段ゲート電極信点Q(N)は長時間の走査を経ても、依然として好ましい低電圧状態を維持することができる。
図7(a)、7(b)に開示するように、第1低周波クロック信号LC1と第2低周波クロック信号LC2とは交互に作動する。即ち、図3に開示する第1プルダウンホールディングモジュール61と第2プルダウンホールディングモジュール62とが交互に作動すする。よって、それぞれのモジュールの作動時間を減少させ、電圧から受ける応力の作用を低減させ、回路全体の信頼性を高めることができる。
図6を参照にして図8について説明する。図8は図3に採用する第1プルダウンホールディングモジュールの第2の実施の形態による回路図である。図8に開示する構造は、図6に開示する構造を基礎として、さらに第3コンデンサCst3を加えてなり、その上電極板は第1回路点P(N)に電気的に接続し、下電極板には直流低電圧Vssが入力する。第3コンデンサCst3の主要な作用は閾値電圧を保存することにある。第1薄膜トランジスタT1と薄膜トランジスタT2本体に存在する一定の浮遊容量によって、第3コンデンサCst3の作用を生起させることができる。よって、実際の回路の設計において、第3コンデンサCst3は省くことができる。
図6を参照、図9について説明する。図9は図3に採用する第1プルダウンホールディングモジュールの第3の実施の形態による回路図である。図9に開示する構造は、図6に開示する構造を基礎として、さらに第20薄膜トランジスタT20を加えてなり、そのゲート電極は第N+1段水平走査線G(N+1)に電気的に接続し、ドレイン電極は第2回路点S(N)に電気的に接続し、かつソース電極には直流低電圧Vssが入力する。第1プルダウンホールディングモジュールと第2ホールディングモジュールとは、回路の構成が同一である。第20薄膜トランジスタT20は第N段ゲート電極信号点Q(N)の第1段階の電位が高くないことによって第2回路点S(N)の作動時間における電位がプルダウンして十分に低くならないことを補うこと、を主な目的とする。
図6を参照にし、図10について説明する。図10は図3で採用する第1プルダウンホールディングモジュールの第4の実施の形態による回路図である。図10に開示する構造は、図6に開示する構造を基礎として、さらに第3コンデンサCst3と第20薄膜トランジスタT20とを加えてなり、第3コンデンサCst3は上電極板が第1回路点P(N)に電気的に接続し、下電極板には直流低電圧Vssが入力する。第20薄膜トランジスタT20は、ゲート電極が第N+1段水平走査線G(N+1)に電気的に接続し、ドレイン電極が第2回路点S(N)に電気的に接続し、かつソース電極には直流低電圧Vssが入力する。第1プルダウンホールディングモジュールと第2ホールディングモジュールとは、回路の構成が同一である。
図3に開示するゲート電極駆動回路における第1プルダウンホールディングモジュール61と第2プルダウンホールディングモジュール62とは、図6、図8、図9、図10に開示するプルダウンホールディングモジュールの回路の内の任意の一構成を以って代替とすることができ、第1プルダウンホールディングモジュール61と第2プルダウンホールディングモジュール62とは回路の構成が同一である。代替した後のゲート電極駆動回路のシーケンス図は図7(a)、(b)の開示と同一になる。その作動の過程は図3に開示するゲート電極駆動回路と同一である。よって、詳細な説明は割愛する。
以上をまとめると、この発明によるブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路は、従来のゲート電極駆動回路の構造においてプルダウンホールディングモジュールの電圧から受ける応力が深刻で、容易に失効するという問題を改善するためのものであって、コンデンサのブーストラップ作用を利用してプルダウンホールディングモジュールの第1回路点P(N)か、もしくは第3回路点K(N)を制御し、薄膜トランジスタの閾値電圧を測定する機能が得られるよう設計することで第1回路点P(N)か、もしくは第3回路点K(N)に閾値電圧を保存する。ここから、薄膜トランジスタの閾値電圧のドリフトによって生起する変化に対して、第1回路点P(N)、もしくは第3回路点K(N)による制御を達成することができる。この発明はブーストラップ機能を具えるプルダウンホールディングモジュールによってゲート電極駆動回路の長時間の操作における信頼性を高め、閾値電圧のドリフトがゲート電極駆動回路の作動に与える影響を低減させるものである。
以上は、この発明の好ましい実施の形態を説明したものであって、この発明の実施の範囲を限定するものではない。よって、当業者がこの発明の提示する技術プランと技術思想に基づき修正、
改変などを行うことは可能であるが、但しこれら修正、改変などはいずれもこの発明の特許請求の範囲に含まれるものとする。
1、1' プルアップ制御モジュール
2、2' プルアップモジュール
3、3' ダウンロードモジュール
4、4' 第1プルダウンモジュール
5、5' ブーストラップコンデンサモジュール
6、6' プルダウンホールディングモジュール
61 第1プルダウンホールディングモジュール
62 第2プルダウンホールディングモジュール
Cb' ブーストラップコンデンサ
CK 第1高周波クロック信号
Cst1 第1コンデンサ
Cst2 第2コンデンサ
Cst3 第3コンデンサ
DC 直流信号源
G(1) 第1段水平走査線
G(2) 第2段水平走査線
G(N) 第N段水平走査線
G(N+1) 第N+1段水平走査線
G(N+2) 第N+1段水平走査線
G(N−1) N−1段水平走査線
Ids ドレインソース電流
Ion オン状態電流
K(N)' 第2回路点
K(N) 第3回路点
LC 第1低周波クロック信号
Log(Ids) 電流対数
LC2 第2低周波クロック信号
P(N)、P(N)' 第1回路点
Q(N) 第N段ゲート電極信号点
Q(N−1) 第N−1段ゲート電極信号点
S(N) 第2回路点
ST(N−1) ダウンロード信号
STV 回路起動信号
T0 初期タイム
T1、T1' 第1薄膜トランジスタ
T2、T2' 第2薄膜トランジスタ
T3、T3' 第3薄膜トランジスタ
T4、T4' 第4薄膜トランジスタ
T5、T5' 第5薄膜トランジスタ
T6、T6' 第7薄膜トランジスタ
T8、T8' 第8薄膜トランジスタ
T9、T9' 第9薄膜トランジスタ
T10、T10' 第10薄膜トランジスタ
T11、T11' 第11薄膜トランジスタ
T12、T12' 第12薄膜トランジスタ
T13、T13' 第13薄膜トランジスタ
T14、T14' 第14薄膜トランジスタ
T15、T15' 第15薄膜トランジスタ
T16 第16薄膜トランジスタ
T17 第17薄膜トランジスタ
T18 第18薄膜トランジスタ
T19 第19薄膜トランジスタ
T20 第20薄膜トランジスタ
T(N) 第4回路点
Vgs ゲートソース電圧
Vg1 ゲート電極電圧
Vg2 ゲート電極電圧
VSS 直流低電圧
Vth 閾値電圧
XCK 第2高周波クロック信号

Claims (8)

  1. カスケード接続する複数のGOAユニットを含んでなり、第N段GOAの制御によって、表示領域の第N段水平走査線に対して充電を行い、
    該第N段GOAユニットが、プルアップ制御モジュールと、プルアップモジュールと、ダウンロードモジュールと、第1プルダウンモジュールと、ブーストラップコンデンサモジュールと、プルダウンホールディングモジュールとを含んでなり、
    該プルアップモジュールと、該第1プルダウンモジュールと、該ブーストラップコンデンサモジュールと、該プルダウンホールディングモジュールとが、それぞれ第N段ゲート電極信号点と第N段水平走査線とに電気的に接続し、
    該プルアップ制御モジュールと、該ダウンロードモジュールとが、それぞれ該第N段ゲート電極信号点に電気的に接続し、該プルダウンホールディングモジュールに直流低電圧が入力し、
    該プルダウンホールディングモジュールが交互に作動する第1プルダウンホールディングモジュールと第2プルダウンホールディングモジュールとによってなり、
    第1プルダウンホールディングモジュールは、
    ゲート電極が第1回路点に電気的に接続し、ドレイン電極が第N段水平走査線に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第1薄膜トランジスタと、
    ゲート電極が第1回路点に電気的に接続し、ドレイン電極が第N段ゲート電極信号点に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第2薄膜トランジスタと、
    ゲート電極が第1低周波クロック信号か、もしくは第1高周波クロック信号に電気的に接続し、ドレイン電極が第1低周波クロック信号か、もしくは第1高周波信号に電気的に接続し、ソース電極が第2回路点に電気的に接続する第3薄膜トランジスタと、
    ゲート電極が第N段ゲート電極信号点に電気的に接続し、ドレイン電極が第2回路点に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第4薄膜トランジスタと、
    ゲート電極が第N−1段ゲート電極信号点に電気的に接続し、ドレイン電極が第1回路点に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第5薄膜トランジスタと、
    ゲート電極が第N+1段水平走査線に電気的に接続し、ドレイン電極が第1回路点に電気的に接続し、かつソース電極が第N段ゲート電極信号点に電気的に接続する第6薄膜トランジスタと、
    ゲート電極が第2低周波クロック信号か、もしくは第2高周波クロック信号に電気的に接続し、ドレイン電極が第1低周波クロック信号か、もしくは第1高周波信号に電気的に接続し、ソース電極が第2回路点に電気的に接続する第7薄膜トランジスタと、
    上電極板が第2回路点に電気的に接続し、下電極板が第1回路点に電気的に接続する第1コンデンサと、を含み、
    第2プルダウンホールディングモジュールは、
    ゲート電極が第3回路点に電気的に接続し、ドレイン電極が第N段水平走査線に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第8薄膜トランジスタと、
    ゲート電極が第3回路点に電気的に接続し、ドレイン電極が第N段ゲート電極信号点に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第9薄膜トランジスタと、
    ゲート電極が第2低周波クロック信号か、もしくは第2高周波クロック信号に電気的に接続し、ドレインが第2低周波クロック信号か、もしくは第2高周波クロック信号に電気的に接続し、かつソース電極が第4回路点に電気的に接続する第10薄膜トランジスタと、
    ゲート電極が第N段ゲート電極信号点に電気的に接続し、ドレイン電極が第4回路点に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第11薄膜トランジスタと、
    ゲート電極がN−1段ゲート電極信号点に電気的に接続し、ドレイン電極が第3回路点に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第12薄膜トランジスタと、
    ゲート電極が第N+1段水平走査線に電気的に接続し、ドレイン電極が第3回路点に電気的に接続し、かつソース電極が第N段ゲート電極信号点に電気的に接続する第13薄膜トランジスタと、
    ゲート電極が第1低周波クロック信号か、第1高周波信号に電気的に接続し、ドレイン電極が第2低周波クロック信号か、第2高周波クロック信号に電気的に接続し、ソース電極が第4回路点に電気的に接続する第14薄膜トランジスタと
    上電極板が第4回路点に電気的に接続し、下電極板が第3回路点に電気的に接続する第2コンデンサと、を含
    ことを特徴とするブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路。
  2. 請求項1に記載のブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路において、
    前記プルアップ制御モジュールが、ゲート電極に第N−1段GOAユニットからのダウンロード信号が入力し、ドレイン電極が第N−1段水平走査線に電気的に接続し、かつソース電極が該第N段ゲート電極信号点に電気的に接続する第15薄膜トランジスタを含み、
    該プルアップモジュールが、ゲート電極が第N段ゲート電極信号点に電気的に接続し、ドレイン電極に第1高周波クロック信号か、第2高周波クロック信号が入力し、かつソース電極が第N段水平走査線に電気的に接続する第16薄膜トランジスタを含み、
    ダウンロードモジュールが、ゲート電極が該第N段ゲート電極信号点に電気的に接続し、ドレイン電極に第1高周波クロック信号か、第2高周波クロック信号が入力し、かつソース電極が第N段ダウンロード信号を出力する第17薄膜トランジスタを含み、
    第1プルダウンモジュールが、
    ゲート電極が第N+2段水平走査線に電気的に接続し、ドレイン電極が第N段水平走査線に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第18薄膜トランジスタと、
    ート電極が第N+2段水平走査線に電気的に接続し、ドレイン電極が該第N段ゲート電極信号点に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第19薄膜トランジスタとを含み、
    ブーストラップコンデンサモジュールが、ブーストラップコンデンサを含
    ことを特徴とするブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路。
  3. 請求項2に記載のブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路において、
    前記ゲート電極駆動回路の第1段の接続関係において、第5薄膜トランジスタのゲート電極が回路起動信号に電気的に接続し、第12薄膜トランジスタのゲート電極とドレイン電極とが、回路起動信号に電気的に接続し、第15薄膜トランジスタのゲート電極とドレイン電極とが、いずれも回路起動信号に電気的に接続す
    ことを特徴とするブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路。
  4. 請求項2に記載のブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路において、
    前記ゲート電極駆動回路の最後の1段の接続関係において、第6薄膜トランジスタのゲート電極が回路起動信号に電気的に接続し、第13薄膜トランジスタのゲート電極が第回路起動信号に電気的に接続し、第18薄膜トランジスタのゲート電極が第2段水平走査線に電気的に接続し、第19薄膜トランジスタのゲート電極が第2段水平走査線に電気的に接続す
    ことを特徴とするブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路。
  5. 請求項1に記載のブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路において、
    記第1プルダウンホールディングモジュールが、上電極板が第1回路点に電気的に接続し、かつ下電極板に直流低電圧が入力する第3コンデンサを含み、
    前記第2プルダウンホールディングモジュールが、上電極板が第3回路点に電気的に接続し、かつ下電極板に直流低電圧が入力するコンデンサを含み、
    第1プルダウンホールディングモジュールと該第2プルダウンホールディングモジュールとの回路の構成が同一であ
    ことを特徴とするブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路。
  6. 請求項1に記載のブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路において、
    記第1プルダウンホールディングモジュールが、ゲート電極が第N+1段水平走査線に電気的に接続し、ドレイン電極が第2回路点に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第20薄膜トランジスタを含み、
    前記第2プルダウンホールディングモジュールが、ゲート電極が第N+1段水平走査線に電気的に接続し、ドレイン電極が第4回路点に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する薄膜トランジスタを含み、
    該第1プルダウンホールディングモジュールと該第2プルダウンホールディングモジュールの回路の構成が同一であ
    ことを特徴とするブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路。
  7. 請求項1に記載のブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路において、
    記第1プルダウンホールディングモジュールが、
    上電極板が第1回路点に電気的に接続し、下電極板に直流低電圧が入力する第3コンデンサと
    ゲート電極が第N+1段水平走査線に電気的に接続し、ドレイン電極が第2回路点に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する第20薄膜トランジスタと、を含み、
    前記第2プルダウンホールディングモジュールが、
    上電極板が第3回路点に電気的に接続し、下電極板に直流低電圧が入力するコンデンサと、
    ゲート電極が第N+1段水平走査線に電気的に接続し、ドレイン電極が第4回路点に電気的に接続し、かつソース電極に直流低電圧が入力する薄膜トランジスタと、を含み、
    該第1プルダウンホールディングモジュールと該第2プルダウンホールディングモジュールの回路の構成が同一であ
    ことを特徴とするブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路。
  8. 請求項2に記載のブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路において、
    前記第1高周波クロック信号と該第2高周波クロック信号とが、2つの位相の完全に逆である高周波クロック信号源であって、該第1低周波クロック信号と該第2低周波クロック信号とが2つの位相の完全に逆である低周波クロック信号源であ
    ことを特徴とするブーストラップ機能を具えるゲート電極駆動回路
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