JP6289840B2 - 銀インク組成物、導電体及び通信機器 - Google Patents

Description

本発明は、高温での加熱処理を行うことなく、十分な導電性を有する金属銀を形成可能な銀インク組成物、並びに該銀インク組成物を用いて得られた導電体及び通信機器に関する。

金属銀は、記録材料や印刷刷版の材料として、また、導電性に優れることから高導電性材料として幅広く使用されている。
これまでに金属銀の一般的な製造方法としては、例えば、ベヘン酸銀、ステアリン酸銀、α−ケトカルボン酸銀、β−ケトカルボン酸銀等の有機酸銀を用いる方法が開示されている。例えば、β−ケトカルボン酸銀は、約２１０℃以下の低温で加熱処理しても速やかに金属銀を形成する（特許文献１参照）。このような優れた特性を生かして、β−ケトカルボン酸銀を溶媒に溶解させて銀インク組成物を調製し、これを基材上に印刷して、得られた印刷物を加熱（焼成）処理することで、金属銀を形成する方法が開示されている（特許文献１参照）。

一方で、金属銀形成時の加熱処理については、加熱温度のさらなる低温化が期待されている。その理由は、加熱温度が低温となることで、銀インク組成物を印刷して加熱処理を行う基材の材質に関する制約が少なくなり、耐熱性が高くない材質の基材も用いることができるようになり、銀インク組成物の利用範囲が大きく広がるからである。例えば、通信機器の筐体に、このような耐熱性が高くない材質を用いた場合に、筐体の一部を電子回路の基材として用いることが可能になるなど、通信機器の設計の自由度が飛躍的に向上する。
これに対して、ギ酸銀とアミン化合物が配合されてなる液状組成物を基材上に塗工して、９０℃で加熱処理を行うことにより、金属銀被膜を形成する方法が開示されている（特許文献２参照）。

特開２００９−１１４２３２号公報 特開２０１２−０６９２７３号公報

しかし、特許文献２に記載の方法では、液状組成物の銀濃度が極めて低いため、十分な導電性を有する金属銀を形成するためには、液状組成物の塗工を繰り返し行う必要があり、実用性が低く、十分な導電性を有する金属銀を形成することは、実質的に困難であるという問題点があった。このように、より低温での加熱処理によって、十分な導電性を有する金属銀を形成可能な銀インク組成物は、これまでに開示されていないのが実情であった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、高温での加熱処理を行うことなく、十分な導電性を有する金属銀を形成可能な銀インク組成物、並びに該銀インク組成物を用いて得られた導電体及び通信機器を提供することを課題とする。

上記課題を解決するため、
本発明は、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀と、炭素数が７又は８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を有するモノアルキルアミンと、ギ酸と、が配合されてなり、前記カルボン酸銀が、下記一般式（１）で表わされるβ−ケトカルボン酸銀であることを特徴とする銀インク組成物を提供する。

（式中、Ｒは炭素数１〜５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であり；Ｘはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基である。）

また、本発明は、前記銀インク組成物を用いて、金属銀を形成して得られたことを特徴とする導電体を提供する。
また、本発明は、前記銀インク組成物を用いて、基材上に金属銀を形成して得られた導電体を備え、さらに前記基材を筐体として備えたことを特徴とする通信機器を提供する。

本発明によれば、高温での加熱処理を行うことなく、十分な導電性を有する金属銀を形成可能な銀インク組成物、並びに該銀インク組成物を用いて得られた導電体及び通信機器が提供される。

＜銀インク組成物＞
本発明に係る銀インク組成物は、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀（以下、単に「カルボン酸銀」と略記することがある）と、炭素数２５以下のアミン化合物及び第４級アンモニウム塩、アンモニア、並びに前記アミン化合物又はアンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩からなる群から選択される一種以上の含窒素化合物（以下、単に「含窒素化合物」と略記することがある）と、シュウ酸、ヒドラジン及び下記一般式（５）で表される化合物（以下、「化合物（５）」と略記することがある）からなる群から選択される一種以上の還元性化合物（以下、単に「還元性化合物」と略記することがある）と、が配合されてなることを特徴とする。
Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^２１ ・・・・（５）
（式中、Ｒ^２１は、炭素数２０以下のアルキル基、アルコキシ基若しくはＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、水酸基又はアミノ基である。）

前記還元性化合物を配合することで、前記銀インク組成物は、金属銀をより形成し易くなり、例えば、低温での加熱処理でも十分な導電性を有する金属銀（導電体）を形成できる。

［カルボン酸銀］
前記カルボン酸銀は、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有していれば特に限定されない。例えば、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基の数は１個のみでもよいし、２個以上でもよい。また、カルボン酸銀中の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基の位置も特に限定されない。

本発明において、前記カルボン酸銀は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

前記カルボン酸銀は、下記一般式（１）で表わされるβ−ケトカルボン酸銀（以下、「β−ケトカルボン酸銀（１）」と略記することがある）及び下記一般式（４）で表されるカルボン酸銀（以下、「カルボン酸銀（４）」と略記することがある）からなる群から選択される一種以上であることが好ましい。
なお、本明細書においては、単なる「カルボン酸銀」との記載は、特に断りの無い限り、「β−ケトカルボン酸銀（１）」及び「カルボン酸銀（４）」だけではなく、これらを包括する、「式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀」を意味するものとする。

（式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ^１−ＣＹ_２−」、「ＣＹ_３−」、「Ｒ^１−ＣＨＹ−」、「Ｒ^２Ｏ−」、「Ｒ^５Ｒ^４Ｎ−」、「（Ｒ^３Ｏ）_２ＣＹ−」若しくは「Ｒ^６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ_２−」で表される基であり；
Ｙはそれぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子であり；Ｒ^１は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基であり；Ｒ^２は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ^３は炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ^６は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であり；
Ｘはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基、又は一般式「Ｒ^７Ｏ−」、「Ｒ^７Ｓ−」、「Ｒ^７−Ｃ（＝Ｏ）−」若しくは「Ｒ^７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基であり；
Ｒ^７は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基である。）

（式中、Ｒ^８は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基又は式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基であり、前記脂肪族炭化水素基がメチレン基を有する場合、１個以上の該メチレン基はカルボニル基で置換されていてもよい。）

（β−ケトカルボン酸銀（１））
β−ケトカルボン酸銀（１）は、前記一般式（１）で表される。
式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ^１−ＣＹ_２−」、「ＣＹ_３−」、「Ｒ^１−ＣＨＹ−」、「Ｒ^２Ｏ−」、「Ｒ^５Ｒ^４Ｎ−」、「（Ｒ^３Ｏ）_２ＣＹ−」若しくは「Ｒ^６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ_２−」で表される基である。

Ｒにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状（脂肪族環式基）のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。また、前記脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基及び不飽和脂肪族炭化水素基のいずれでもよい。そして、前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜６であることがより好ましい。Ｒにおける好ましい前記脂肪族炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基が例示できる。

Ｒにおける直鎖状又は分枝鎖状の前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、３−エチルブチル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、ｎ−ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、１，１−ジメチルペンチル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、４，４−ジメチルペンチル基、１−エチルペンチル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル基、４−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、１−プロピルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、１−メチルヘプチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、１−エチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、４−エチルヘキシル基、５−エチルヘキシル基、１，１−ジメチルヘキシル基、２，２−ジメチルヘキシル基、３，３−ジメチルヘキシル基、４，４−ジメチルヘキシル基、５，５−ジメチルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、２−プロピルペンチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基が例示できる。
Ｒにおける環状の前記アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基が例示できる。

Ｒにおける前記アルケニル基としては、ビニル基（エテニル基、−ＣＨ＝ＣＨ_２）、アリル基（２−プロペニル基、−ＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ_２）、１−プロペニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_３）、イソプロペニル基（−Ｃ（ＣＨ_３）＝ＣＨ_２）、１−ブテニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_３）、２−ブテニル基（−ＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_３）、３−ブテニル基（−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ_２）、シクロヘキセニル基、シクロペンテニル基等の、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換された基が例示できる。
Ｒにおける前記アルキニル基としては、エチニル基（−Ｃ≡ＣＨ）、プロパルギル基（−ＣＨ_２−Ｃ≡ＣＨ）等の、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が三重結合（Ｃ≡Ｃ）に置換された基が例示できる。

Ｒにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子が例示できる。また、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての置換基が同一であってもよいし、すべての置換基が異なっていてもよく、一部の置換基のみが異なっていてもよい。

Ｒにおけるフェニル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、炭素数が１〜１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、該脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基（−ＯＨ）、シアノ基（−Ｃ≡Ｎ）、フェノキシ基（−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_５）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
置換基である前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。

ＲにおけるＹは、それぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子である。そして、一般式「Ｒ^１−ＣＹ_２−」、「ＣＹ_３−」及び「Ｒ^６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ_２−」においては、それぞれ複数個のＹは、互いに同一でも異なっていてもよい。

ＲにおけるＲ^１は、炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基（Ｃ_６Ｈ_５−）であり、Ｒ^１における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ^２は、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ^３は、炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基である。すなわち、Ｒ^４及びＲ^５は、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素数が１〜１８である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ^６は、炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であり、Ｒ^６における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。

Ｒは、上記の中でも、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、一般式「Ｒ^６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ_２−」で表される基、水酸基又はフェニル基であることが好ましい。そして、Ｒ^６は、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であることが好ましい。

一般式（１）において、Ｘはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基（Ｃ_６Ｈ_５−ＣＨ_２−）、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基（Ｃ_２Ｈ_５−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨ−）、又は一般式「Ｒ^７Ｏ−」、「Ｒ^７Ｓ−」、「Ｒ^７−Ｃ（＝Ｏ）−」若しくは「Ｒ^７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基である。
Ｘにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基としては、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。

Ｘにおけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。
Ｘにおけるフェニル基及びベンジル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、ニトロ基（−ＮＯ_２）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。

ＸにおけるＲ^７は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基（Ｃ_４Ｈ_３Ｓ−）、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基（ビフェニル基、Ｃ_６Ｈ_５−Ｃ_６Ｈ_４−）である。Ｒ^７における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１０である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。また、Ｒ^７におけるフェニル基及びジフェニル基の前記置換基としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^７がチエニル基又はジフェニル基である場合、これらの、Ｘにおいて隣接する基又は原子（酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基）との結合位置は、特に限定されない。例えば、チエニル基は、２−チエニル基及び３−チエニル基のいずれでもよい。

一般式（１）において、２個のＸは、２個のカルボニル基で挟まれた炭素原子と二重結合を介して１個の基として結合していてもよく、このようなものとしては式「＝ＣＨ−Ｃ_６Ｈ_４−ＮＯ_２」で表される基が例示できる。

Ｘは、上記の中でも、水素原子、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、ベンジル基、又は一般式「Ｒ^７−Ｃ（＝Ｏ）−」で表される基であることが好ましく、少なくとも一方のＸが水素原子であることが好ましい。

β−ケトカルボン酸銀（１）は、２−メチルアセト酢酸銀（ＣＨ_３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ_３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、アセト酢酸銀（ＣＨ_３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−エチルアセト酢酸銀（ＣＨ_３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、プロピオニル酢酸銀（ＣＨ_３ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソブチリル酢酸銀（（ＣＨ_３）_２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ピバロイル酢酸銀（（ＣＨ_３）_３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、カプロイル酢酸銀（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_３ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ｎ−ブチルアセト酢酸銀（ＣＨ_３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ベンジルアセト酢酸銀（ＣＨ_３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ_２Ｃ_６Ｈ_５）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ベンゾイル酢酸銀（Ｃ_６Ｈ_５−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ピバロイルアセト酢酸銀（（ＣＨ_３）_３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソブチリルアセト酢酸銀（（ＣＨ_３）_２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−アセチルピバロイル酢酸銀（（ＣＨ_３）_３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−アセチルイソブチリル酢酸銀（（ＣＨ_３）_２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、又はアセトンジカルボン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）であることが好ましい。

β−ケトカルボン酸銀（１）は、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の後処理により形成された導電体（金属銀）において、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。原料や不純物が少ない程、例えば、形成された金属銀同士の接触が良好となり、導通が容易となり、抵抗率が低下する。

β−ケトカルボン酸銀（１）は、後述するように、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、好ましくは６０〜２１０℃、より好ましくは６０〜２００℃という低温で分解し、金属銀を形成することが可能である。そして、前記還元性化合物等の還元剤と併用することで、より低温で分解して金属銀を形成する。

本発明において、β−ケトカルボン酸銀（１）は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

（カルボン酸銀（４））
カルボン酸銀（４）は、前記一般式（４）で表される
式中、Ｒ^８は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基（−ＣＯＯＨ）又は式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基である。
Ｒ^８における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。ただし、Ｒ^８における前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１５であることが好ましく、１〜１０であることがより好ましい。

Ｒ^８における前記脂肪族炭化水素基がメチレン基（−ＣＨ_２−）を有する場合、１個以上の該メチレン基はカルボニル基で置換されていてもよい。カルボニル基で置換されていてもよいメチレン基の数及び位置は特に限定されず、すべてのメチレン基がカルボニル基で置換されていてもよい。ここで「メチレン基」とは、単独の式「−ＣＨ_２−」で表される基だけでなく、式「−ＣＨ_２−」で表される基が複数個連なったアルキレン基中の１個の式「−ＣＨ_２−」で表される基も含むものとする。

カルボン酸銀（４）は、ピルビン酸銀（ＣＨ_３−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、酢酸銀（ＣＨ_３−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、酪酸銀（ＣＨ_３−（ＣＨ_２）_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソ酪酸銀（（ＣＨ_３）_２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−エチルへキサン酸銀（ＣＨ_３−（ＣＨ_２）_３−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ネオデカン酸銀（ＣＨ_３−（ＣＨ_２）_５−Ｃ（ＣＨ_３）_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、シュウ酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、又はマロン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）であることが好ましい。また、上記のシュウ酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）及びマロン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）の２個の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基のうち、１個が式「−ＣＯＯＨ」で表される基となったもの（ＨＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ、ＨＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）も好ましい。

カルボン酸銀（４）も、β−ケトカルボン酸銀（１）と同様に、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の後処理により形成された導電体（金属銀）において、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。そして、前記還元性化合物等の還元剤と併用することで、より低温で分解して金属銀を形成する。

本発明において、カルボン酸銀（４）は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

前記カルボン酸銀は、２−メチルアセト酢酸銀、アセト酢酸銀、２−エチルアセト酢酸銀、プロピオニル酢酸銀、イソブチリル酢酸銀、ピバロイル酢酸銀、カプロイル酢酸銀、２−ｎ−ブチルアセト酢酸銀、２−ベンジルアセト酢酸銀、ベンゾイル酢酸銀、ピバロイルアセト酢酸銀、イソブチリルアセト酢酸銀、アセトンジカルボン酸銀、ピルビン酸銀、酢酸銀、酪酸銀、イソ酪酸銀、２−エチルへキサン酸銀、ネオデカン酸銀、シュウ酸銀及びマロン酸銀からなる群から選択される一種以上であることが好ましい。
そして、これらカルボン酸銀の中でも、２−メチルアセト酢酸銀及びアセト酢酸銀は、後述する含窒素化合物（なかでもアミン化合物）との相溶性に優れ、銀インク組成物の高濃度化に、特に適したものとして挙げられる。

［含窒素化合物］
前記含窒素化合物は、炭素数２５以下のアミン化合物（以下、「アミン化合物」と略記することがある）、炭素数２５以下の第４級アンモニウム塩（以下、「第４級アンモニウム塩」と略記することがある）、アンモニア、炭素数２５以下のアミン化合物が酸と反応してなるアンモニウム塩（以下、「アミン化合物由来のアンモニウム塩」と略記することがある）、及びアンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩（以下、「アンモニア由来のアンモニウム塩」と略記することがある）からなる群から選択される一種以上のものである。すなわち、配合される含窒素化合物は、一種のみでよいし、二種以上でもよく、二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

（アミン化合物、第４級アンモニウム塩）
本発明において、前記アミン化合物は、炭素数が１〜２５であり、第１級アミン、第２級アミン及び第３級アミンのいずれでもよい。また、前記第４級アンモニウム塩は、炭素数が４〜２５である。前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩は、鎖状及び環状のいずれでもよい。また、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子（例えば、第１級アミンのアミノ基（−ＮＨ_２）を構成する窒素原子）の数は１個でもよいし、２個以上でもよい。

前記第１級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいモノアルキルアミン、モノアリールアミン、モノ（ヘテロアリール）アミン、ジアミン等が例示できる。

前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、Ｒにおける前記アルキル基と同様のものが例示でき、炭素数が１〜１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。
好ましい前記モノアルキルアミンとして、具体的には、ｎ−ブチルアミン、ｎ−へキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、３−アミノペンタン、３−メチルブチルアミン、２−ヘプチルアミン（２−アミノヘプタン）、２−アミノオクタン、２−エチルヘキシルアミン、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルアミンが例示できる。

前記モノアリールアミンを構成するアリール基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等が例示でき、炭素数が６〜１０であることが好ましい。

前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、芳香族環骨格を構成する原子として、ヘテロ原子を有するものであり、前記ヘテロ原子としては、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、ホウ素原子が例示できる。また、芳香族環骨格を構成する前記へテロ原子の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよい。２個以上である場合、これらへテロ原子は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、これらへテロ原子は、すべて同じでもよいし、すべて異なっていてもよく、一部だけ異なっていてもよい。
前記ヘテロアリール基は、単環状及び多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されないが、３〜１２員環であることが好ましい。

前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜４個有する単環状のものとしては、ピロリル基、ピロリニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、ピペリジニル基、ピラゾリジニル基、ピペラジニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１個有する単環状のものとしては、フラニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１個有する単環状のものとしては、チエニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、モルホリニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアゾリジニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜５個有する多環状のものとしては、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、インダゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、テトラゾロピリジル基、テトラゾロピリダジニル基、ジヒドロトリアゾロピリダジニル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ジチアナフタレニル基、ベンゾチオフェニル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ベンゾチアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。

前記ジアミンは、アミノ基を２個有していればよく、２個のアミノ基の位置関係は特に限定されない。好ましい前記ジアミンとしては、前記モノアルキルアミン、モノアリールアミン又はモノ（ヘテロアリール）アミンにおいて、アミノ基（−ＮＨ_２）を構成する水素原子以外の１個の水素原子が、アミノ基で置換されたものが例示できる。
前記ジアミンは炭素数が１〜１０であることが好ましく、より好ましいものとしてはエチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタンが例示できる。

前記第２級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいジアルキルアミン、ジアリールアミン、ジ（ヘテロアリール）アミン等が例示できる。

前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
好ましい前記ジアルキルアミンとして、具体的には、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、ジ（２−エチルへキシル）アミンが例示できる。

前記ジアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６〜１０であることが好ましい。また、ジアリールアミン一分子中の２個のアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。

前記ジ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基と同様であり、６〜１２員環であることが好ましい。また、ジ（ヘテロアリール）アミン一分子中の２個のヘテロアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。

前記第３級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいトリアルキルアミン、ジアルキルモノアリールアミン等が例示できる。

前記トリアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、トリアルキルアミン一分子中の３個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、３個のアルキル基は、すべてが同じでもよいし、すべてが異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。
好ましい前記トリアルキルアミンとして、具体的には、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンが例示できる。

前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜６の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルモノアリールアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６〜１０であることが好ましい。

本発明において、前記第４級アンモニウム塩としては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいハロゲン化テトラアルキルアンモニウム等が例示できる。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜１９であることが好ましい。また、ハロゲン化テトラアルキルアンモニウム一分子中の４個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、４個のアルキル基は、すべてが同じでもよいし、すべてが異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が例示できる。
好ましい前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムとして、具体的には、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミドが例示できる。

ここまでは、主に鎖状のアミン化合物及び第４級有機アンモニウム塩について説明したが、前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩は、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子が環骨格構造（複素環骨格構造）の一部であるようなヘテロ環化合物であってもよい。すなわち、前記アミン化合物は環状アミンでもよく、前記第４級アンモニウム塩は環状アンモニウム塩でもよい。この時の環（アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子を含む環）構造は、単環状及び多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されず、脂肪族環及び芳香族環のいずれでもよい。
環状アミンであれば、好ましいものとして、ピリジンが例示できる。

前記第１級アミン、第２級アミン、第３級アミン及び第４級アンモニウム塩において、「置換基で置換されていてもよい水素原子」とは、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子に結合している水素原子以外の水素原子である。この時の置換基の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよく、前記水素原子のすべてが置換基で置換されていてもよい。置換基の数が複数の場合には、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、複数個の置換基はすべて同じでもよいし、すべて異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。また、置換基の位置も特に限定されない。

前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩における前記置換基としては、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、水酸基、トリフルオロメチル基（−ＣＦ_３）等が例示できる。ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。

前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、かかるアルキル基は、置換基としてアリール基を有する、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は置換基として好ましくは炭素数が１〜５のアルキル基を有する、炭素数が３〜７の環状のアルキル基が好ましく、このような置換基を有するモノアルキルアミンとして、具体的には、２−フェニルエチルアミン、ベンジルアミン、２，３−ジメチルシクロヘキシルアミンが例示できる。
また、置換基である前記アリール基及びアルキル基は、さらに１個以上の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよく、このようなハロゲン原子で置換された置換基を有するモノアルキルアミンとしては、２−ブロモベンジルアミンが例示できる。ここで、前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。

前記モノアリールアミンを構成するアリール基が置換基を有する場合、かかるアリール基は、置換基としてハロゲン原子を有する、炭素数が６〜１０のアリール基が好ましく、このような置換基を有するモノアリールアミンとして、具体的には、ブロモフェニルアミンが例示できる。ここで、前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。

前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、かかるアルキル基は、置換基として水酸基又はアリール基を有する、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、このような置換基を有するジアルキルアミンとして、具体的には、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルベンジルアミンが例示できる。

前記アミン化合物は、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｎ−へキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、３−アミノペンタン、３−メチルブチルアミン、２−ヘプチルアミン、２−アミノオクタン、２−エチルヘキシルアミン、２−フェニルエチルアミン、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン、ジ（２−エチルへキシル）アミン、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン又はＮ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンであることが好ましい。
そして、これらアミン化合物の中でも、２−エチルヘキシルアミンは、前記カルボン酸銀との相溶性に優れ、銀インク組成物の高濃度化に特に適しており、さらに後述する導電体の表面粗さの低減に特に適したものとして挙げられる。

（アミン化合物由来のアンモニウム塩）
本発明において、前記アミン化合物由来のアンモニウム塩は、前記アミン化合物が酸と反応してなるアンモニウム塩であり、前記酸は、塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸でもよいし、酢酸等の有機酸でもよく、酸の種類は特に限定されない。
前記アミン化合物由来のアンモニウム塩としては、ｎ−プロピルアミン塩酸塩、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン塩酸塩、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン塩酸塩等が例示できるが、これらに限定されない。

（アンモニア由来のアンモニウム塩）
本発明において、前記アンモニア由来のアンモニウム塩は、アンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩であり、ここで酸としては、前記アミン化合物由来のアンモニウム塩の場合と同じものが例示できる。
前記アンモニア由来のアンモニウム塩としては、塩化アンモニウム等が例示できるが、これに限定されない。

本発明においては、前記アミン化合物、第４級アンモニウム塩、アミン化合物由来のアンモニウム塩及びアンモニア由来のアンモニウム塩は、それぞれ一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
そして、前記含窒素化合物としては、前記アミン化合物、第４級アンモニウム塩、アミン化合物由来のアンモニウム塩及びアンモニア由来のアンモニウム塩からなる群から選択される一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

前記銀インク組成物において、前記含窒素化合物の配合量は、前記カルボン酸銀の配合量１モルあたり０．２〜１５モルであることが好ましく、０．３〜５モルであることがより好ましく、０．３〜２．５モルであることが特に好ましい。
前記含窒素化合物の配合量を上記のように規定することで、銀インク組成物は、高温による加熱処理を行わなくても、より安定して導電体（金属銀）を形成できる。

後述するように、前記カルボン酸銀及び還元性化合物を共に配合した場合、得られる混合物（銀インク組成物）においては、カルボン酸銀又は還元性化合物の種類によっては、カルボン酸銀の少なくとも一部において金属銀の形成が開始され、金属銀が析出することがある。ここで、含窒素化合物の配合量が少ない方が、混合物（銀インク組成物）の粘度が高くなり、析出した金属銀の凝集が抑制され、得られた銀インク組成物中での金属銀の分散性が向上する。このような銀インク組成物を用いて、後述する方法で金属銀を形成して得られた導電体は、粘度が低い、すなわち含窒素化合物の配合量が多い銀インク組成物を用いた場合の導電体よりも、導電性が高く（体積抵抗率が低く）、表面粗さも小さくなり、より好ましい特性を有するものとなる。

［還元性化合物］
前記還元性化合物は、シュウ酸（ＨＯＯＣ−ＣＯＯＨ）、ヒドラジン（Ｈ_２Ｎ−ＮＨ_２）及び前記一般式（５）で表される化合物（化合物（５））からなる群から選択される一種以上のものである。すなわち、配合される還元性化合物は、一種のみでよいし、二種以上でもよく、二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

式中、Ｒ^２１は、炭素数２０以下のアルキル基、アルコキシ基若しくはＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、水酸基又はアミノ基である。
Ｒ^２１における炭素数２０以下のアルキル基は、炭素数が１〜２０であり、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、前記一般式（１）のＲにおける前記アルキル基と同様のものが例示できる。

Ｒ^２１における炭素数２０以下のアルコキシ基は、炭素数が１〜２０であり、Ｒ^２１における前記アルキル基が酸素原子に結合してなる一価の基が例示できる。

Ｒ^２１における炭素数２０以下のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基は、炭素数が２〜２０であり、窒素原子に結合している２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよく、該アルキル基はそれぞれ炭素数が１〜１９である。ただし、これら２個のアルキル基の炭素数の合計値が２〜２０である。
窒素原子に結合している前記アルキル基は、それぞれ直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、炭素数が１〜１９である点以外は、前記一般式（１）のＲにおける前記アルキル基と同様のものが例示できる。

前記還元性化合物として、ヒドラジンは、一水和物（Ｈ_２Ｎ−ＮＨ_２・Ｈ_２Ｏ）を用いてもよい。

前記還元性化合物は、ギ酸（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＨ）、ギ酸メチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ_３）、ギ酸エチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ_２ＣＨ_３）、ギ酸ブチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ（ＣＨ_２）_３ＣＨ_３）、プロパナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２ＣＨ_３）、ブタナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ_２）_２ＣＨ_３）、ヘキサナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ_２）_４ＣＨ_３）、ホルムアミド（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ_２）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（ＣＨ_３）_２）又はシュウ酸であることが好ましい。

前記銀インク組成物において、前記還元性化合物の配合量は、前記還元性化合物中のカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）のモル数が、前記カルボン酸銀中の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基のモル数の、好ましくは０．１６〜３倍、より好ましくは０．２〜２．４倍、さらに好ましくは０．２４〜２倍、特に好ましくは０．５〜２倍となるように、調節する。すなわち、本発明において、配合された前記カルボン酸銀中の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基のモル数に対する、配合された前記還元性化合物中のカルボニル基のモル数の比（［還元性化合物中のカルボニル基のモル数］／［カルボン酸銀中の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基のモル数］、モル比）が、好ましくは０．１６〜３、より好ましくは０．２〜２．４、さらに好ましくは０．２４〜２、特に好ましくは０．５〜２である。例えば、還元性化合物がカルボニル基を１個有するもので、カルボン酸銀が式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を１個有するものである場合には、還元性化合物の配合量をカルボン酸銀の配合量に対して、好ましくは０．１６〜３倍モル、より好ましくは０．２〜２．４倍モル、さらに好ましくは０．２４〜２倍モル、特に好ましくは０．５〜２倍モルとすればよい。また、例えば、還元性化合物がカルボニル基を２個有するもので、カルボン酸銀が式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を１個有するものである場合には、還元性化合物の配合量をカルボン酸銀の配合量に対して、好ましくは０．０８〜１．５倍モル、より好ましくは０．１〜１．２倍モル、さらに好ましくは０．１２〜１倍モル、特に好ましくは０．２５〜１倍モルとすればよい。
前記還元性化合物の配合量を上記のように規定することで、銀インク組成物は、高温による加熱処理を行わなくても、より安定して導電体（金属銀）を形成できる。なかでも、前記還元性化合物の配合量が多い方が、銀インク組成物の保存安定性が向上し、後述する導電体の導電性がより高くなる。また、前記還元性化合物の配合量が多い方が、後述するように前記還元性化合物を滴下しながら配合する場合に、その滴下速度の変動を容易に抑制できる。なお、前記還元性化合物がギ酸、シュウ酸等の酸性化合物である場合には、その配合量が過多になると、刷版や印刷機等の銀インク組成物を基材へ付着させる手段を腐食させることがある。そこで、通常は塩基性である前記含窒素化合物の配合量が少ない場合には、前記還元性化合物の配合量が過多とならないように調節することが好ましい。

［その他の成分］
前記銀インク組成物は、前記カルボン酸銀、含窒素化合物及び還元性化合物以外に、本発明の効果を損なわない範囲内において、これらに該当しないその他の成分がさらに配合されてなるものでもよい。
前記その他の成分は特に限定されず、目的に応じて任意に選択でき、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
前記その他の成分で好ましいものとしては、アルコール及びアルコール以外の溶媒が例示できる。

（アルコール）
前記アルコールは、下記一般式（２）で表されるアセチレンアルコール類（以下、「アセチレンアルコール（２）」と略記することがある）であることが好ましい。

（式中、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に炭素数１〜２０のアルキル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。）

式中、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に炭素数１〜２０のアルキル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。
Ｒ’及びＲ’’における炭素数１〜２０のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。Ｒ’及びＲ’’における前記アルキル基としては、前記一般式（１）のＲにおける前記アルキル基と同様のものが例示できる。

Ｒ’及びＲ’’におけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基としては、炭素数が１〜１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、該脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基、シアノ基、フェノキシ基等が例示でき、Ｒにおけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基と同様である。そして、置換基の数及び位置は特に限定されず、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。

Ｒ’及びＲ’’は、炭素数１〜２０のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であることがより好ましい。

好ましいアセチレンアルコール（２）としては、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オールが例示できる。

銀インク組成物において、アセチレンアルコール（２）の配合量は、前記カルボン酸銀の配合量１モルあたり０．０３〜０．７モルであることが好ましく、０．０５〜０．３モルであることがより好ましい。このような範囲とすることで、銀インク組成物製造時における前記還元性化合物配合前の混合物の安定性がより向上する。

（溶媒）
前記溶媒は、前記アルコール以外のものであり、配合成分の種類や量に応じて任意に選択できる。

前記銀インク組成物において、配合成分の総量に占める前記その他の成分の配合量の比率は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、０質量、すなわちその他の成分を配合しなくても、銀インク組成物は十分にその効果を発現する。

［銀インク組成物の製造方法］
前記銀インク組成物は、前記カルボン酸銀、含窒素化合物及び還元性化合物、並びに必要に応じて前記その他の成分を配合することで得られる。各成分の配合後は、得られたものをそのまま銀インク組成物としてもよいし、必要に応じて引き続き公知の精製操作を行って得られたものを銀インク組成物としてもよい。本発明においては、上記の各成分の配合時において、導電性を阻害する不純物が生成しないか、又はこのような不純物の生成量を極めて少ない量に抑制できるため、精製操作を行わなくても十分な導電性を有する導電体が得られる。

各成分の配合時には、すべての成分を添加してからこれらを混合してもよいし、一部の成分を順次添加しながら混合してもよく、すべての成分を順次添加しながら混合してもよい。
混合方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサー、三本ロール、ニーダー又はビーズミル等を使用して混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。

前記銀インク組成物は、配合成分がすべて溶解していてもよいし、一部の成分が溶解せずに分散した状態であってもよいが、配合成分がすべて溶解していることが好ましく、溶解していない成分は均一に分散していることが好ましい。溶解していない成分を均一に分散させる場合には、例えば、上記の三本ロール、ニーダー又はビーズミル等を用いて分散させる方法を適用するのが好ましい。

配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、−５〜６０℃であることが好ましい。そして、配合時の温度は、配合成分の種類及び量に応じて、配合して得られた混合物が撹拌し易い粘度となるように、適宜調節するとよい。
また、配合時間も、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、１０分〜３６時間であることが好ましい。

例えば、前記カルボン酸銀及び還元性化合物を共に配合した場合、得られる混合物（銀インク組成物）は比較的発熱し易い。そして、これらを配合時の温度が高い場合、この混合物は、後述する銀インク組成物の加熱処理時と同様の状態になるため、前記還元性化合物による前記カルボン酸銀の分解促進作用によって、前記カルボン酸銀の少なくとも一部において金属銀の形成が開始されることがあると推測される。このような金属銀を含有する銀インク組成物は、後述する導電体の製造時において、金属銀を含有しない銀インク組成物よりも温和な条件で後処理を行うことにより、導電体（金属銀）を形成できることがある。また、還元性化合物の配合量が十分に多い場合にも、同様に温和な条件で後処理を行うことにより、導電体を形成できることがある。このように、前記カルボン酸銀の分解を促進する条件を採用することで、後処理として、より低温での加熱処理で、あるいは加熱処理を行わずに常温での乾燥処理のみで、導電体を形成できることがある。また、このような金属銀を含有する銀インク組成物は、金属銀を含有しない銀インク組成物と同様に取り扱うことができ、特に取り扱い性が劣ることもない。

本発明においては、例えば、前記カルボン酸銀及び含窒素化合物を配合した後、前記還元性化合物を配合して、前記銀インク組成物を製造する場合には、前記還元性化合物を滴下しながら配合することが好ましく、さらに滴下速度の変動を抑制することで、後述する導電体の表面粗さをより低減できる傾向にある。

＜導電体及びその製造方法＞
本発明に係る導電体は、前記銀インク組成物を用いて、金属銀を形成して得られたことを特徴とし、金属銀を主成分とするものである。ここで、「金属銀を主成分とする」とは、金属銀の比率が、見かけ上金属銀だけからなるとみなし得る程度に十分に高いことを意味し、例えば、導電体中の金属銀の比率は９９質量％以上であることが好ましい。

前記導電体は、例えば、基材上に銀インク組成物を付着させ、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の後処理を適宜選択して行うことで製造できる。加熱処理は、乾燥処理を兼ねて行ってもよい。
基材は、フィルム状又はシート状であることが好ましく、厚さが１０〜５０００μｍであることが好ましい。

基材の材質は、目的に応じて適宜選択すればよく、特に限定されないが、好ましいものとして具体的には、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、ポリシクロオレフィン、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ酢酸ビニル（ＰＶＡｃ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等のアクリル樹脂、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド（ＰＡ）、ポリイミド、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリトリメチレンテレフタレート（ＰＴＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリウレタン、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、変性ポリフェニレンエーテル（ｍ−ＰＰＥ）、ポリアリレート、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂等の合成樹脂が例示できる。
また、基材の材質としては、上記以外にも、ガラス、シリコン等のセラミックスや、紙が例示できる。
また、基材は、ガラスエポキシ樹脂等の、二種以上の材質からなるものでもよい。

基材は、単層からなるものでもよいし、二層以上の複数層からなるものでもよい。基材が複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが異なっていてもよい。そして、複数層が互いに異なる場合、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。ここで、複数層が互いに異なるとは、各層の材質及び厚さの少なくとも一方が互いに異なることを意味する。
なお、基材が複数層からなる場合には、各層の合計の厚さが、上記の好ましい基材の厚さとなるようにするとよい。

銀インク組成物は、例えば、印刷法、塗布法、浸漬法等の公知の方法で基材上に付着させることができる。
前記印刷法としては、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、ディップ式印刷法、インクジェット式印刷法、ディスペンサー式印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、パッド印刷法等が例示できる。
前記塗布法としては、スピンコーター、エアーナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ブレードコーター、ロールコーター、ゲートロールコーター、バーコーター、ロッドコーター、グラビアコーター等の各種コーターや、ワイヤーバー等を用いる方法が例示できる。

銀インク組成物の乾燥処理は、公知の方法で行えばよく、例えば、常圧下、減圧下及び送風条件下のいずれで行ってもよく、大気下及び不活性ガス雰囲気下のいずれでおこなってもよい。そして、乾燥温度も特に限定されず、加熱乾燥及び常温乾燥のいずれでもよい。加熱処理が不要な場合の好ましい乾燥方法としては、１８〜３０℃で大気下において乾燥させる方法が例示できる。

銀インク組成物を加熱処理する場合、加熱処理時の温度は、好ましくは１００℃以下、より好ましくは９０℃以下とすることができる。加熱処理時の温度の下限値は、金属銀を効率的に形成できる限り特に限定されないが、５０℃であることが好ましい。
また、加熱時間は、加熱温度に応じて適宜調節すればよく、例えば、０．１〜６時間とすることができる。

前記導電体は、金属銀が十分に形成され、導電性が高い、すなわち体積抵抗率が低いものとすることができ、例えば、体積抵抗率を好ましくは２５００μΩ・ｃｍ以下、より好ましくは１０００μΩ・ｃｍ以下、特に好ましくは３００μΩ・ｃｍとすることができる。

また、前記導電体は、表面粗さを十分に低減することができ、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下、さらに好ましくは２５０ｎｍ以下、特に好ましくは２００ｎｍ以下、最も好ましくは１００ｎｍ以下とすることができる。
なお、本明細書において「表面粗さ」とは、算術平均粗さ（Ｒａ）を意味し、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけを抜き取り、この抜取り部分の平均線の方向にＸ軸を、縦倍率の方向にＹ軸を取り、粗さ曲線をｙ＝ｆ（ｘ）で表したときに、以下の式によって求められた値をナノメートル（ｎｍ）単位で表示したものである。以下、この表面粗さを「表面粗さＲａ」と記載することがある。

＜通信機器＞
本発明に係る通信機器は、前記銀インク組成物を用いて、基材上に金属銀を形成して得られた導電体を備え、さらに前記基材を筐体として備えたことを特徴とする。前記基材及び導電体間には、インク受容層等の中間層を備えていてもよい。
かかる通信機器は、例えば、所定のパターンを形成した前記導電体をアンテナとし、前記基材で筐体を構成したこと以外は、公知の通信機器と同様の構成とすることができる。例えば、基材上に導電体が形成された積層構造に加え、音声入力部、音声出力部、操作スイッチ、表示部等を組み合わせることにより、携帯電話機を構成できる。
前記通信機器は、従来よりもさらなる軽量化及び薄層化が容易なものである。また、前記導電体を低温で形成することも可能であり、基材等の材質を幅広く選択できるので、設計の自由度が飛躍的に向上し、より合理的な構造とすることも可能である。

以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。

＜銀インク組成物及び導電体の製造、並びに導電体の評価＞
［実施例１］
液温が５０℃以下となるように、ビーカー中で２−エチルヘキシルアミン（１１．０ｇ）に２−メチルアセト酢酸銀（１９．０ｇ）を添加して、メカニカルスターラーを用いて１５分間撹拌することにより、液状物を得た。この液状物に、反応液の温度が５０℃以下となるように、ギ酸（１．２２ｇ）を３０分間かけて滴下した。ギ酸の滴下終了後、２５℃にて反応液をさらに１．５時間撹拌することにより、銀インク組成物を得た。各配合成分の種類と使用量を表１に示す。

なお、表１中、「含窒素化合物（モル比）」とは、２−メチルアセト酢酸銀（カルボン酸銀）の配合量１モルあたりの２−エチルヘキシルアミン（含窒素化合物）の配合量（モル数）（［含窒素化合物のモル数］／［カルボン酸銀のモル数］）を意味する。一方、「還元性化合物（モル比）」とは、配合された２−メチルアセト酢酸銀（カルボン酸銀）中の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基のモル数に対する、配合されたギ酸（還元性化合物）中のカルボニル基のモル数の比（［還元性化合物中のカルボニル基のモル数］／［カルボン酸銀中の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基のモル数］）を意味する。これらは、以降の表においても同様である。

得られた銀インク組成物を使用して、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製フィルム（東レ社製「ルミラーＳ１０」、厚さ１００μｍ）上にスクリーン印刷を行った。スクリーン版としては、ステンレス製５００メッシュのものを使用し、乳剤厚１０μｍの条件で、線幅０．５ｍｍ、線長３０ｍｍのパターンを印刷した。

次いで、得られた印刷パターンを、８０℃で１時間焼成（加熱処理）することにより後処理を行い、導電体（金属銀）のパターンを形成した。
形成したパターンについて、線抵抗値Ｒ（Ω）、断面積Ａ（ｃｍ^２）、及び線長Ｌ（ｃｍ）を測定し、式「ρ＝Ｒ×Ａ／Ｌ」により、パターンの体積抵抗率ρ（Ω・ｃｍ）を算出した。なお、線抵抗値Ｒはデジタルマルチメータ（三和電気計器社製「ＰＣ５０００ａ」）を用いて測定し、断面積Ａは形状測定レーザマイクロスコープ（キーエンス社製「ＶＫ−Ｘ１００」）を用いて測定した。さらに、形状測定レーザマイクロスコープ（キーエンス社製「ＶＫ−Ｘ１００」）を用いて、形成したパターンの表面粗さ（算術平均表面粗さＲａ）を測定した。このとき、表面粗さは、ＪＩＳＢ０６０１：２００１（ＩＳＯ４２８７、１９９７）に従い、λｃ（輪郭曲線フィルタ）＝０．０８ｍｍでカットオフして測定した。
これらの結果を表２に示す。

［実施例２］
表１に示すモル比となるように、ギ酸の配合量を１．２２ｇに代えて２．３６ｇとしたこと以外は、実施例１と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体を製造及び評価した。結果を表２に示す。

［実施例３］
表１に示すモル比となるように、ギ酸の配合量を１．２２ｇに代えて３．１５ｇとしたこと以外は、実施例１と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体を製造及び評価した。結果を表２に示す。

［実施例４］
表１に示すモル比となるように、ギ酸の配合量を１．２２ｇに代えて３．９４ｇとしたこと以外は、実施例１と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体を製造及び評価した。結果を表２に示す。

［実施例５］
表１に示すモル比となるように、２−エチルヘキシルアミンの配合量を１１．０ｇに代えて１４．４ｇとし、２−メチルアセト酢酸銀の配合量を１９．０ｇに代えて１５．６ｇとし、ギ酸の配合量を１．２２ｇに代えて１．２１ｇとしたこと以外は、実施例１と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体を製造及び評価した。結果を表２に示す。

［実施例６］
表１に示すモル比となるように、ギ酸の配合量を１．２１ｇに代えて３．１８ｇとしたこと以外は、実施例５と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体を製造及び評価した。結果を表２に示す。

［実施例７］
表１に示すモル比となるように、２−エチルヘキシルアミンの配合量を１１．０ｇに代えて１６．０ｇとし、２−メチルアセト酢酸銀の配合量を１９．０ｇに代えて１３．８ｇとし、ギ酸の配合量を１．２２ｇに代えて１．２１ｇとしたこと以外は、実施例１と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体を製造及び評価した。結果を表２に示す。

［実施例８］
表１に示すモル比となるように、２−エチルヘキシルアミンの配合量を１１．０ｇに代えて１７．４ｇとし、２−メチルアセト酢酸銀の配合量を１９．０ｇに代えて１２．５ｇとしたこと以外は、実施例１と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体を製造及び評価した。結果を表２に示す。

［実施例９］
表１に示すモル比となるように、ギ酸の配合量を１．２２ｇに代えて２．３５ｇとしたこと以外は、実施例８と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体を製造及び評価した。結果を表２に示す。

［比較例１］
ギ酸を配合しなかったこと以外は、実施例１と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体の製造及び評価を試みた。結果を表２に示す。

［比較例２］
ギ酸を配合しなかったこと以外は、実施例５と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体の製造及び評価を試みた。結果を表２に示す。

［比較例３］
ギ酸を配合しなかったこと以外は、実施例７と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体の製造及び評価を試みた。結果を表２に示す。

［比較例４］
ギ酸を配合しなかったこと以外は、実施例８と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体の製造及び評価を試みた。結果を表２に示す。

なお、表１中、「−」は、その成分が未配合であることを意味し、表２中、「−」は、その項目の評価を未実施であることを意味する。

表１及び２に示すとおり、実施例１〜９の銀インク組成物は、ギ酸（還元性化合物）を配合したことにより、８０℃という低い加熱温度でも、加熱処理により十分な導電性を有する導電体のパターンを形成できた。また、導電体のパターンは、表面粗さも小さかった。
これに対して、比較例１〜４の銀インク組成物は、ギ酸を配合しなかったことにより、８０℃という低い加熱温度では、加熱処理により金属銀が十分に形成されず、加熱処理物のパターンは線抵抗値が大き過ぎてオーバーロードとなり、体積抵抗率を算出できず（体積抵抗率は１×１０^７μΩ・ｃｍよりも大きく）、導電性を有していなかった。

［実施例１０］
表３及び４に示すように、印刷パターンを８０℃で焼成（加熱処理）するのに代えて、５０℃で焼成し、導電体（金属銀）のパターンを形成したこと以外は、実施例４と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体を製造及び評価した。結果を表４に示す。

［実施例１１］
表３及び４に示すように、印刷パターンを８０℃で１時間焼成（加熱処理）するのに代えて、５０℃で２時間焼成し、導電体（金属銀）のパターンを形成したこと以外は、実施例４と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体を製造及び評価した。結果を表４に示す。

［実施例１２］
表３及び４に示すように、印刷パターンを８０℃で１時間焼成（加熱処理）するのに代えて、５０℃で３時間焼成し、導電体（金属銀）のパターンを形成したこと以外は、実施例４と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体を製造及び評価した。結果を表４に示す。

［実施例１３］
表３及び４に示すように、印刷パターンを８０℃で１時間焼成（加熱処理）するのに代えて、室温（２３〜２５℃）で２４時間静置して乾燥させることにより、導電体（金属銀）のパターンを形成したこと以外は、実施例３と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体を製造及び評価した。結果を表４に示す。

表３及び４に示すとおり、実施例１０〜１２の銀インク組成物は、実施例４よりもさらに低い加熱温度でも、加熱処理により十分な導電性を有する導電体のパターンを形成できた。導電体のパターンは、体積抵抗率及び表面粗さが実施例４と同程度であった。さらに、実施例１３では、印刷パターンを加熱処理することなく、乾燥処理するだけでも、十分な導電性を有する導電体のパターンを形成できた。これは、銀インク組成物の製造時において、ギ酸配合時の温度上昇とギ酸によるカルボン酸銀の分解促進作用によって、金属銀の形成が開始され、製造後の銀インク組成物の加熱処理を行わなくても金属銀の形成が進行し、乾燥（溶媒の除去）が終了するまでに、十分な導電性を有する導電体が形成されたことを示唆していた。そして、実施例１〜１２においても、同様に、銀インク組成物の製造時において、金属銀の形成が開始されていたことを示唆していた。

［実施例１４］
液温が５０℃以下となるように、ビーカー中で２−エチルヘキシルアミン（１６．５ｇ）にアセト酢酸銀（１７．８ｇ）を添加して、メカニカルスターラーを用いて１時間撹拌することにより、液状物を得た。この液状物に、反応液の温度が５０℃以下となるように、ギ酸（３．１５ｇ）を３０分間かけて滴下した。ギ酸の滴下終了後、２５℃にて反応液をさらに１．５時間撹拌することにより、銀インク組成物を得た。各配合成分の種類と使用量を表５に示す。
次いで、この銀インク組成物を用いて、実施例１と同様に導電体を製造及び評価した。結果を表６に示す。

［実施例１５］
表５に示すモル比となるように、２−エチルヘキシルアミンの配合量を１６．５ｇに代えて１１．０ｇとしたこと以外は、実施例１４と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体を製造及び評価した。結果を表６に示す。

［実施例１６］
表５に示すように、アセト酢酸銀（１７．８ｇ）に代えてイソブチリル酢酸銀（２０．２ｇ）を用いたこと以外は、実施例１４と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体を製造及び評価した。結果を表６に示す。

［実施例１７］
表５に示すように、アセト酢酸銀（１７．８ｇ）に代えてピバロイル酢酸銀（２１．４ｇ）を用い、２−エチルヘキシルアミンの配合量を１６．５ｇに代えて２２．０ｇとし、さらに２−エチルヘキシルアミン添加後の撹拌時間を１時間に代えて２４時間としたこと以外は、実施例１４と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体を製造及び評価した。結果を表６に示す。

［実施例１８］
液温が５０℃以下となるように、ビーカー中で２−メチルアセト酢酸銀（１９．０ｇ）に２−エチルヘキシルアミン（１１．０ｇ）を添加して、メカニカルスターラーを用いて１５分間撹拌することにより、液状物を得た。この液状物に、反応液の温度が５０℃以下となるように、ギ酸（３．１５ｇ）を３０分間かけて滴下した。ギ酸の滴下終了後、２５℃にて反応液をさらに１．５時間撹拌することにより、銀インク組成物を得た。各配合成分の種類と使用量を表５に示す。
次いで、この銀インク組成物を用いて、実施例１と同様に導電体を製造及び評価した。結果を表６に示す。

［実施例１９］
液温が５０℃以下となるように、ビーカー中で２−エチルヘキシルアミン（７．７ｇ）に２−メチルアセト酢酸銀（１９．０ｇ）を添加して、メカニカルスターラーを用いて１５分間撹拌することにより、液状物を得た。この液状物に、反応液の温度が５０℃以下となるように、ギ酸（２．７５ｇ）を３０分間かけて滴下した。ギ酸の滴下終了後、２５℃にて反応液をさらに１．５時間撹拌することにより、銀インク組成物を得た。各配合成分の種類と使用量を表５に示す。
次いで、この銀インク組成物を用いて、実施例１と同様に導電体を製造及び評価した。結果を表６に示す。

［実施例２０］
表５に示すように、２−エチルヘキシルアミンの配合量を７．７ｇに代えて４．４ｇとし、ギ酸の配合量を２．７５ｇに代えて３．１５ｇとしたこと以外は、実施例１９と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体を製造及び評価した。結果を表６に示す。

［実施例２１］
表５に示すように、２−エチルヘキシルアミンの配合量を７．７ｇに代えて４．４ｇとし、ギ酸の配合量を２．７５ｇに代えて２．３６ｇとしたこと以外は、実施例１９と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体を製造及び評価した。結果を表６に示す。

表５及び６に示すとおり、実施例１４〜２１の銀インク組成物は、カルボン酸銀の種類、含窒素化合物及び還元性化合物の配合量、カルボン酸銀及び含窒素化合物の配合順が変化しても、還元性化合物（ギ酸）を配合したことにより、８０℃という低い加熱温度でも、加熱処理により十分な導電性を有する導電体のパターンを形成できた。また、導電体のパターンは、表面粗さも小さかった。

［実施例２２］
液温が５０℃以下となるように、ビーカー中で２−ヘプチルアミン（後述する２−メチルアセト酢酸銀に対して０．４倍モル量）に２−メチルアセト酢酸銀を添加して、メカニカルスターラーを用いて１５分間撹拌することにより、液状物を得た。この液状物に、反応液の温度が５０℃以下となるように、ギ酸（２−メチルアセト酢酸銀に対して０．７倍モル量）を３０分間かけて滴下した。ギ酸の滴下終了後、２５℃にて反応液をさらに１．５時間撹拌することにより、銀インク組成物を得た。各配合成分の種類と使用量を表７に示す。
次いで、この銀インク組成物を用いて、実施例１と同様に導電体を製造及び評価した。結果を表８に示す。

［実施例２３］
表７に示すように、２−ヘプチルアミン（２−メチルアセト酢酸銀に対して０．４倍モル量）に代えて２−アミノオクタン（２−メチルアセト酢酸銀に対して０．４倍モル量）を用いたこと以外は、実施例２２と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体を製造及び評価した。結果を表８に示す。

［実施例２４］
液温が５０℃以下となるように、ビーカー中で２−エチルヘキシルアミン（後述するアセト酢酸銀に対して０．６倍モル量）にアセト酢酸銀を添加して、メカニカルスターラーを用いて１５分間撹拌することにより、液状物を得た。この液状物に、反応液の温度が５０℃以下となるように、ギ酸（アセト酢酸銀に対して０．８倍モル量）を３０分間かけて滴下した。ギ酸の滴下終了後、２５℃にて反応液をさらに１．５時間撹拌することにより、銀インク組成物を得た。各配合成分の種類と使用量を表７に示す。
次いで、この銀インク組成物を用いて、実施例１と同様に導電体を製造及び評価した。結果を表８に示す。

［実施例２５］
液温が５０℃以下となるように、ビーカー中で２−エチルヘキシルアミン（後述するカプロイル酢酸銀に対して２．０倍モル量）にカプロイル酢酸銀を添加して、メカニカルスターラーを用いて１５分間撹拌することにより、液状物を得た。この液状物に、反応液の温度が５０℃以下となるように、ギ酸（カプロイル酢酸銀に対して１．０倍モル量）を３０分間かけて滴下した。ギ酸の滴下終了後、２５℃にて反応液をさらに１．５時間撹拌することにより、銀インク組成物を得た。各配合成分の種類と使用量を表７に示す。
次いで、この銀インク組成物を用いて、実施例１と同様に導電体を製造及び評価した。結果を表８に示す。
なお、カプロイル酢酸銀は以下に示す方法で製造した。

（カプロイル酢酸銀の製造）
容量が５００ｍＬのビーカーに、カプロイル酢酸メチル（３−オキソオクタン酸メチル、日本精化社製）を添加し、氷水浴（浴温３〜５℃）で冷却しながら、マグネチックスターラーで撹拌した。ここへ、１０％水酸化ナトリウム水溶液（７０．０ｇ）を５分間かけて滴下した。この間、液温は２０℃以下となるようにした。ここへさらに、蒸留水（７０．０ｇ）を添加し、２０℃に温度調節したインキュベーター内で２４時間撹拌した。次いで、得られた反応液を１０℃以下に冷却し、５％硝酸（２２．１ｇ）を添加して、反応液のｐＨを５．５とした。次いで、容量１０００ｍＬのビーカーに５％硝酸銀水溶液（４７６．６ｇ）を添加し、撹拌速度３５０ｒｐｍで撹拌しながら、ここへ上記のｐＨ５．５の反応液を９分間かけて滴下した。この間、液温は１１〜１２℃であった。次いで、得られた反応液から、この反応で生成した沈殿を遠心分離し、この沈殿を水（１００ｍＬ）で１回洗浄した後、エタノール（１００ｍＬ）で３回洗浄し、５時間減圧乾燥させることで、白色粉末としてカプロイル酢酸銀（３−オキソオクタン酸銀）を得た（３０．１ｇ）。
得られたカプロイル酢酸銀について、元素分析（Ｅｌｅｍｅｎｔａｒ社製「ｖａｒｉｏＥＬＩＩＩ」）を行った結果、Ｃ：３６．３％（理論値３６．３％）、Ｈ：４．９％（理論値４．９％）であり、ＴＧ／ＤＴＡ（示差熱熱重量同時測定）によって３００℃で加熱後の加熱残分を測定した結果、４１．３％（理論値４０．７％）であったことから、その構造を特定した。

［実施例２６］
液温が５０℃以下となるように、ビーカー中で２−エチルヘキシルアミン（後述する２−メチルアセト酢酸銀に対して０．５倍モル量）に２−メチルアセト酢酸銀を添加して、メカニカルスターラーを用いて１５分間撹拌することにより、液状物を得た。この液状物に、反応液の温度が５０℃以下となるように、ギ酸（２−メチルアセト酢酸銀に対して０．６倍モル量）を３０分間かけて滴下した。ギ酸の滴下終了後、２５℃にて反応液をさらに１．５時間撹拌することにより、銀インク組成物を得た。各配合成分の種類と使用量を表７に示す。
次いで、この銀インク組成物を用いて、実施例１と同様に導電体を製造及び評価した。結果を表８に示す。

［実施例２７］
表７に示すように、ギ酸の配合量を、２−メチルアセト酢酸銀に対して０．６倍モル量とするのに代えて０．７倍モル量としたこと以外は、実施例２６と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体を製造及び評価した。結果を表８に示す。

［実施例２８］
表７に示すように、ギ酸の配合量を、２−メチルアセト酢酸銀に対して０．６倍モル量とするのに代えて０．８倍モル量としたこと以外は、実施例２６と同様に銀インク組成物を製造し、さらに導電体を製造及び評価した。結果を表８に示す。

表７及び８に示すとおり、実施例２２〜２８の銀インク組成物は、カルボン酸銀及び含窒素化合物の種類、含窒素化合物及び還元性化合物（ギ酸）の配合比が変化しても、還元性化合物を配合したことにより、８０℃という低い加熱温度でも、加熱処理により十分な導電性を有する導電体のパターンを形成できた。また、導電体のパターンは、表面粗さも小さかった。

本発明は、印刷法を適用した導電回路等、高導電性の金属銀のパターン形成に利用可能である。

Claims (3)

1. 式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀と、
   炭素数が７又は８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を有するモノアルキルアミンと、
   ギ酸と、が配合されてなり、
   前記カルボン酸銀が、下記一般式（１）で表わされるβ−ケトカルボン酸銀であることを特徴とする銀インク組成物。
   

   

   （式中、Ｒは炭素数１〜５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であり；Ｘはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基である。）
2. 請求項１に記載の銀インク組成物を用いて、金属銀を形成して得られたことを特徴とする導電体。
3. 請求項１に記載の銀インク組成物を用いて、基材上に金属銀を形成して得られた導電体を備え、さらに前記基材を筐体として備えたことを特徴とする通信機器。