JP6284774B2 - モジュール - Google Patents
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Description
本発明は、モジュールに関し、例えばフィルタと能動素子を有するモジュールに関する。
例えば、移動体通信端末には、フィルタと、増幅器等を含む能動素子とを搭載したモジュールが用いられる。フィルタには、例えば弾性表面波共振器や圧電薄膜共振器を用いた弾性波デバイスが用いられる。能動素子としては、フィルタが濾過する信号を増幅する増幅器がある。
特許文献１には、回路基板に設けられた凹部にフィルタおよび増幅素子を搭載する技術が記載されている。
特許文献１においては、増幅素子が伝熱性蓋体上に搭載されているため、増幅素子において発生した熱を効率よく放出できる。しかしながら、フィルタと増幅素子とが回路基板の面方向に搭載されている。このため、モジュールを小型化することができない。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、能動素子において発生した熱を効率よく放出し、かつモジュールを小型化することを目的とする。
本発明は、上面に凹部を有する絶縁基板と、前記凹部内に搭載され、フィルタが形成されたチップと、前記凹部を覆うように前記絶縁基板上に設けられた金属板と、前記金属板上に搭載され、前記フィルタと電気的に接続された能動素子と、前記金属板と接続され、前記絶縁基板を貫通する金属配線と、を具備することを特徴とするモジュールである。
上記構成において、前記能動素子は前記フィルタが濾過した信号を増幅する、または、前記フィルタは前記能動素子が増幅した信号を濾過する構成とすることができる。
上記構成において、前記チップは、共通端子と送信端子との間に接続された送信フィルタと、前記共通端子と受信端子との間に接続された受信フィルタと、の少なくとも一方を備え、前記能動素子は、前記送信フィルタに増幅した信号を出力する増幅器と、前記受信フィルタが濾過した信号を増幅する増幅器と、の少なくとも一方を含む構成とすることができる。
本発明は、上面に第１凹部および第２凹部を有する絶縁基板と、前記第１凹部内に搭載され、共通端子と送信端子との間に電気的に接続された送信フィルタが形成された第１チップと、前記第２凹部内に搭載され、前記共通端子と受信端子との間に電気的に接続された受信フィルタが形成された第２チップと、前記第１凹部を覆うように、前記絶縁基板上に設けられた第１金属板上と、前記第２凹部を覆うように、前記絶縁基板上に設けられた第２金属板上と、前記第１金属板上に搭載され、前記送信フィルタに増幅した信号を出力する増幅器を含む第１能動素子と、前記第２金属板上に搭載され、前記受信フィルタが濾過した信号を増幅する増幅器を含む第２能動素子と、前記第１金属板と接続され、前記絶縁基板を貫通する第１金属配線と、前記第２金属板と接続され、前記絶縁基板を貫通する第２金属配線と、を具備することを特徴とするモジュールである。
本発明は、上面に第１凹部および第２凹部を有する絶縁基板と、前記第１凹部内に搭載され、第１共通端子と第１送信端子との間に電気的に接続された第１送信フィルタと、前記第１共通端子と第１受信端子との間に電気的に接続された第１受信フィルタと、の少なくとも一方のフィルタが形成された第１チップと、前記第２凹部内に搭載され、第２共通端子と第２送信端子との間に電気的に接続された第２送信フィルタと、前記第２共通端子と第２受信端子との間に電気的に接続された第２受信フィルタと、の少なくとも一方のフィルタが形成された第２チップと、前記第１凹部を覆うように、前記絶縁基板上に設けられた第１金属板上と、前記第２凹部を覆うように、前記絶縁基板上に設けられた第２金属板上と、前記第１金属板上に搭載され、前記第１送信フィルタに増幅した信号を出力する増幅器と前記第１受信フィルタが濾過した信号を増幅する増幅器との少なくとも一方を含む第１能動素子と、前記第２金属板上に搭載され、前記第２送信フィルタに増幅した信号を出力する増幅器と前記第２受信フィルタが濾過した信号を増幅する増幅器との少なくとも一方を含む第２能動素子と、前記第１金属板と接続され、前記絶縁基板を貫通する第１金属配線と、前記第２金属板と接続され、前記絶縁基板を貫通する第２金属配線と、を具備することを特徴とするモジュールである。
上記構成において、前記絶縁基板はセラミック基板である構成とすることができる。
本発明によれば、能動素子において発生した熱を効率よく放出し、かつモジュールを小型化することができる。
以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。
実施例１は、移動体端末用のデュプレクサと、パワーアンプとを搭載したモジュールの例である。図１は、実施例１に係るモジュール付近の回路のブロック図である。図１に示すように、デュプレクサ５４は、送信フィルタ５０および受信フィルタ５２を備えている。共通端子Ａｎｔはアンテナ５８に電気的に接続されている。送信フィルタ５０は、共通端子Ａｎｔと送信ノードＮＴｘとの間に電気的に接続されている。受信フィルタ５２は、共通端子Ａｎｔと受信ノードＮＲｘとの間に接続されている。パワーアンプ（ＰＡ）６０（増幅器）は、送信ノードＮＴｘと送信端子Ｔｘとの間に接続されている。ローノイズアンプ（ＬＮＡ）６２（増幅器）は、受信ノードＮＲｘと受信端子Ｒｘとの間に接続されている。
ＰＡ６０は、送信端子Ｔｘに入力された送信信号を増幅し送信ノードＮＴｘに出力する。送信フィルタ５０は、ＰＡ６０が増幅した送信信号を濾過する。送信フィルタ５０により濾過された送信信号は、共通端子Ａｎｔから出力される。受信フィルタ５２は、共通端子Ａｎｔから入力された受信信号を濾過し、受信ノードＮＲｘに出力する。ＬＮＡ６２は、受信フィルタ５２が濾過した受信信号を増幅し、受信端子Ｒｘに出力する。
送信フィルタ５０の通過帯域は、送信信号の送信帯域を含む。受信フィルタ５２の通過帯域は、受信信号の受信帯域を含む。送信フィルタ５０の通過帯域と受信フィルタ５２の通過帯域とは重なっていない。
以上により、送信端子から入力された送信信号は、ＰＡ６０により増幅され、送信フィルタ５０により濾過され、共通端子Ａｎｔから出力される。送信信号は、受信フィルタ５２を通過できないため、受信端子Ｒｘにはほとんど出力されない。共通端子Ａｎｔから入力した受信信号は、受信フィルタ５２により濾過され、ＬＮＡ６２により濾過され受信端子Ｒｘに出力される。受信信号は、送信フィルタ５０を通過できないため、送信端子Ｔｘにはほとんど出力されない。共通端子Ａｎｔと、送信フィルタ５０および／または受信フィルタ５２と、の間に整合回路を設けてもよい。
図２は、実施例１に係るモジュールの断面図である。実施例１に係るモジュール１００は、図１のうちデュプレクサ５４およびＰＡ６０を搭載している。図２に示すように、モジュール１００において、絶縁基板１０は、絶縁層１０ａから１０ｃを備えている。絶縁層１０ａから１０ｃは、例えばＨＴＣＣ（High Temperature Fired Ceramics）、ＬＴＣＣ（Low Temperature Fired Ceramics）、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライト、またはガラスセラミックス等を主に含む絶縁体である。絶縁層１０ａから１０ｃ上にそれぞれ配線層１２ａから１２ｃが形成されている。絶縁層１０ａから１０ｃを貫通するビア１４ａから１４ｃが形成されている。絶縁基板１０の下面には、例えばパッド１６が形成されている。絶縁基板１０の上面には配線層１２ｃによりパッド１７が形成されている。配線層１２ａから１２ｃ、ビア１４ａから１４ｃ、およびパッド１６は、例えばＣｕ（銅）またはＡｕ（金）を主に含む金属層である。
絶縁基板１０は上面に凹部２８を有する。例えば絶縁層１０ｃの開口が凹部２８となる。凹部２８内にチップ２０および２２がバンプ２４を介しフリップチップ搭載されている。チップ２０および２２にはそれぞれ送信フィルタ５０および受信フィルタ５２が形成されている。送信フィルタ５０および受信フィルタ５２は、例えば弾性表面波共振器、弾性境界波共振器、ラブ波共振器または圧電薄膜共振器等の弾性波共振器により形成されている。チップ２０および２２は、例えばベアチップであり、パッケージ等に実装されていない。送信フィルタ５０および受信フィルタ５２が弾性表面波フィルタ、弾性境界波フィルタ、またはラブ波フィルタの場合、チップ２０および２２は、圧電基板であり、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウムである。送信フィルタ５０および受信フィルタ５２が圧電薄膜共振器フィルタの場合、チップ２０および２２は、絶縁基板である。バンプ２４は、例えば半田または金等の金属を主に含む。
凹部２８を覆うように、絶縁基板１０上に金属板２６が設けられている。金属板２６は、例えばコバール、４２アロイ、鉄、ニッケル、またはインバー等を主に含む。金属板２６により、凹部２８内が気密封止される。これにより、チップ２０および２２がベアチップであっても、弾性波共振器の振動領域は凹部２８内の空隙に露出するため弾性波の振動は規制されない。
金属板２６上に能動素子３０がフェースアップ搭載されている。能動素子３０は、ＰＡ６０を含む。能動素子３０は、パッド１７とボンディングワイヤ３６を介し電気的に接続されている。絶縁基板１０上にチップ部品３４が搭載されている。チップ部品３４は、例えばチップ抵抗、チップインダクタおよび／またはチップコンデンサである。チップ部品３４により、例えば整合回路が形成される。絶縁基板１０上に、能動素子３０およびチップ部品３４を覆うように樹脂層１８が形成されている。樹脂層１８は、能動素子３０およびチップ部品３４を保護する。樹脂層１８は、例えば熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂であり、モールド成形されている。
送信端子Ｔｘに相当するパッド１６は、絶縁基板１０内の配線層１２ａから１２ｃ、ビア１４ａから１４ｃ、パッド１７およびボンディングワイヤ３６を介し能動素子３０の入力端子に電気的に接続されている。能動素子３０の出力端子は、ボンディングワイヤ３６、送信ノードＮＴｘに相当するパッド１７、絶縁基板１０内の配線層１２ｂ、ビア１４ｃおよびバンプ２４を介し送信フィルタ５０の入力端子に接続されている。送信フィルタ５０の出力端子は、バンプ２４、絶縁基板１０内の配線層１２ａ、１２ｂ、ビア１４ａおよび１４ｂを介し共通端子Ａｎｔに相当するパッド１６に電気的に接続されている。共通端子Ａｎｔに相当するパッド１６は、絶縁基板１０内の配線層１２ａ、１２ｂ、ビア１４ａ、１４ｂおよびバンプ２４を介し受信フィルタ５２の入力端子に電気的に接続されている。受信フィルタ５２の出力端子は、バンプ２４、絶縁基板１０内の配線層１２ａ、１２ｂ、ビア１４ａおよび１４ｂを介し受信ノードＮＲｘに相当するパッド１６に電気的に接続されている。
金属板２６は、配線層１２ａ、１２ｂ、およびビア１４ａから１４ｃにより形成される放熱用の金属配線１９を介しグランドパッドＧｎｄに相当するパッド１６に電気的に接続される。金属配線１９は、金属板２６を接地するとともに、能動素子３０からの発熱をグランドパッドＧｎｄに放出できる。金属配線１９は、金属板２６に対し複数設けることが好ましい。
図３は、実施例２に係るモジュールの断面図である。実施例２に係るモジュール１０２は、図１のブロックのうちデュプレクサ５４およびＬＮＡ６２を搭載している。図３に示すように、ＬＮＡ６２を含む能動素子３２が金属板２６上に搭載されている。受信端子Ｒｘ、送信ノードＮＴｘ、共通端子ＡｎｔおよびグランドパッドＧｎｄに相当するパッド１６、受信ノードＮＲｘに相当するパッド１７が設けられている。送信端子Ｔｘおよび受信ノードＮＲｘに対するパッド１６および送信ノードＮＴｘに対応するパッド１７は設けられていない。その他の構成は実施例１と同じであり、説明を省略する。
実施例３は、能動素子３０をフリップチップ実装する例である。図４は、実施例３に係るモジュールの断面図である。図４に示すように、モジュール１０４において、能動素子３０が、バンプ３８を用い、金属板２６およびパッド１７にフリップチップ実装されている。バンプ３８は、例えば半田または金等の金属を主に含む。その他の構成は、実施例１と同じであり、説明を省略する。
実施例４は、能動素子３２をフリップチップ実装する例である。図５は、実施例４に係るモジュールの断面図である。図５に示すように、モジュール１０６において、能動素子３２が、バンプ３８を用い、金属板２６およびパッド１７にフリップチップ実装されている。バンプ３８は、例えば半田または金等の金属を主に含む。その他の構成は、実施例２と同じであり、説明を省略する。
実施例１から４によれば、チップ２０および２２が搭載された凹部２８を覆う金属板２６上に能動素子３０または３２を搭載する。このように、発熱しやすい能動素子３０または３２を金属板２６上に搭載し、発熱しにくいフィルタが形成されたチップ２０および２２を凹部２８内に搭載する。これにより、能動素子３０または３２からの発熱を金属板２６を介し放出できる。さらに、チップ２０および２２と能動素子３０とを上から見て重ならせることができる。よって、能動素子３０において発生した熱を効率よく放出し、かつモジュールを小型化することができる。
金属板２６と接続され、絶縁基板１０を貫通する金属配線１９を設ける。これにより、能動素子３０において発生した熱を金属配線１９を介しより効率よく放出できる。
１つの凹部２８内に搭載されるチップ２０および２２は、１個でもよいし、複数個でもよい。例えば、送信フィルタ５０が形成されたチップ２０と受信フィルタ５２が形成されたチップ２２は１つのチップでもよい。チップ２０および２２の一方のみが凹部２８内に搭載されていてもよい。
チップ２０および２２が、ベアチップの場合、モジュールの小型化が可能である。また、チップ２０および２２の振動領域が空隙に露出するため、振動領域の振動が規制されない。送信フィルタ５０およびと受信フィルタ５２が弾性波フィルタである場合、振動領域は弾性波を励振する電極を含む領域である。
凹部２８を金属板２６で完全に覆うことにより、凹部２８内を気密封止することができる。絶縁基板１０をセラミック基板とすることにより、凹部２８内の気密性をさらに高めることができる。絶縁基板１０は、例えば樹脂基板でもよい。絶縁基板１０は多層基板でもよいし、単層基板でもよい。
能動素子３０または３２は、絶縁基板１０上にフェースアップ搭載されていてもよいし、フリップチップ搭載されていてもよい。能動素子３０および３２からの熱を効率よく放出するため、金属板２６上に能動素子３０または３２の面が接着剤または半田を用い固定されていることが好ましい。
実施例１から４において、フィルタとして送信フィルタ５０および受信フィルタ５２を例に説明したが、チップ２０または２２に形成されたフィルタは、例えば高周波信号（例えば周波数が８００ＭＨｚから５ＧＨｚの信号）を濾過するフィルタであればよい。フィルタは、弾性波フィルタでもよいが、他のフィルタでもよい。
能動素子３０または３２としてＰＡ６０またはＬＮＡ６２を例に説明したが、電圧の異なる複数の電源（例えばグランドと電源）が供給される素子であればよい。能動素子３０または３２は、トランジスタおよび／またはダイオード等を含んでいればよく、例えばスイッチ等を含んでもよい。能動素子３０および３２は、ベアチップでもよいし、パッケージに実装されていてもよい。
実施例１から４のように、能動素子はフィルタが濾過した信号を増幅する。または、フィルタは能動素子が増幅した信号を濾過する。このような回路において、能動素子とフィルタとを備えるモジュールにおいて、能動素子の熱を効率よく放出し、かつモジュールを小型化できる。
また、デュプレクサ５４を含むモジュールにおいて、チップは、送信フィルタ５０および受信フィルタ５２の少なくとも一方を備えればよい。能動素子は、ＰＡ６０およびＬＮＡ６２の少なくとも一方を含めばよい。このようなデュプレクサを備えるモジュールにおいて、ＰＡ６０およびＬＡＮ６２の少なくとも一方の熱を効率よく放出し、かつモジュールを小型化できる。発熱量の大きいＰＡ６０を含む能動素子３０を金属板２６上に搭載することが好ましい。
実施例５は、デュプレクサ、ＰＡおよびＬＮＡを備えるモジュールの例である。図６は、実施例５に係るモジュールの断面図である。図６に示すように、モジュール１０８において、絶縁基板１０の上面に複数の凹部２８ａ（第１凹部）および凹部２８ｂ（第２凹部）が形成されている。凹部２８ａおよび２８ｂ内にそれぞれチップ２０（第１チップ）およびチップ２２（第２チップ）が搭載されている。凹部２８ａおよび２８ｂを覆うように、絶縁基板１０上にそれぞれ金属板２６ａ（第１金属板）および金属板２６ｂ（第２金属板）が設けられている。金属板２６ａおよび２６ｂ上にそれぞれ能動素子３０（第１能動素子）および能動素子３２（第２能動素子）が搭載されている。絶縁基板１０の下面に、共通端子Ａｎｔ、送信端子Ｔｘ、受信端子ＲｘおよびグランドパッドＧｎｄに相当するパッド１６が形成されている。絶縁基板１０の上面に送信ノードＮＴｘおよび受信ノードＮＲｘに相当するパッド１７が形成されている。点線円７０において、面方向に延伸する配線層１２ｂと、垂直方向に延伸するビア１４ｂおよび１４ｃと、は接触していない。すなわち、面方向に延伸する配線層１２ｂと、垂直方向に延伸するビア１４ｂおよび１４ｃと、は、奥行き方向に交差している。その他の構成は、実施例１および２と同じであり説明を省略する。
実施例５によれば、凹部２８ａおよび２８ｂ内にそれぞれチップ２０および２２が搭載されている。これにより、送信フィルタ５０と受信フィルタ５２との干渉を抑制できる。よって、送信端子Ｔｘと受信端子Ｒｘ間のアイソレーション特性を向上できる。
また、金属板２６ａおよび２６ｂ上にそれぞれＰＡ６０およびＬＮＡ６２が搭載されている。これにより、ＰＡ６０とＬＮＡ６２との干渉を抑制できる。よって、送信端子Ｔｘと受信端子Ｒｘ間のアイソレーション特性を向上できる。
実施例３および４のように、能動素子３０および３２を絶縁基板１０上にフリップチップ搭載してもよい。
実施例６は、複数のデュプレクサを備えるモジュールの例である。図７は、実施例６に係るモジュール付近の回路のブロック図である。図７に示すように、回路５６ａは、デュプレクサ５４ａ、ＰＡ６０ａおよびＬＮＡ６２ａを備えている。デュプレクサ５４ａは、送信フィルタ５０ａ（第１送信フィルタ）および受信フィルタ５２ａ（第１受信フィルタ）を備えている。送信フィルタ５０ａは、共通端子Ａｎｔ１（第１共通端子）と送信ノードＮＴｘ１との間に電気的に接続されている。受信フィルタ５２ａは、共通端子Ａｎｔ１と受信ノードＮＲｘ１との間に電気的に接続されている。ＰＡ６０ａは送信端子Ｔｘ１（第１送信端子）と送信ノードＮＴｘ１との間に電気的に接続されている。ＬＮＡ６２ａは、受信端子Ｒｘ１（第１受信端子）と受信ノードＮＲｘ１との間に電気的に接続されている。
回路５６ｂは、デュプレクサ５４ｂ、ＰＡ６０ｂおよびＬＮＡ６２ｂを備えている。デュプレクサ５４ｂは、送信フィルタ５０ｂ（第２送信フィルタ）および受信フィルタ５２ｂ（第２受信フィルタ）を備えている。送信フィルタ５０ｂは、共通端子Ａｎｔ２（第２共通端子）と送信ノードＮＴｘ２との間に電気的に接続されている。受信フィルタ５２ｂは、共通端子Ａｎｔ２と受信ノードＮＲｘ２との間に電気的に接続されている。ＰＡ６０ｂは送信端子Ｔｘ２（第２送信端子）と送信ノードＮＴｘ２との間に電気的に接続されている。ＬＮＡ６２ｂは、受信端子Ｒｘ２（第２受信端子）と受信ノードＮＲｘ２との間に電気的に接続されている。
共通端子Ａｎｔ１およびＡｎｔ２は、スイッチＳＷに電気的に接続されている。アンテナ５８がスイッチＳＷに電気的に接続されている。スイッチＳＷは、共通端子Ａｎｔ１およびＡｎｔ２のいずれか一方をアンテナ５８に電気的に接続する。回路５６ａと５６ｂとは異なるバンドを扱う回路である。
図８は、実施例６に係るモジュールの断面図である。図８に示すように、モジュール１１０において、絶縁基板１０の上面に凹部２８ａ（第１凹部）および凹部２８ｂ（第２凹部）が形成されている。凹部２８ａ内に、送信フィルタ５０ａが形成されたチップ２０ａ（第１チップ）と、受信フィルタ５２ａが形成されたチップ２２ａ（第１チップ）と、が搭載されている。凹部２８ａを覆うように、絶縁基板１０上に金属板２６ａが設けられている。金属板２６ａ上に、ＰＡ６０ａを含む能動素子３０ａ（第１能動素子）がフェースアップ搭載されている。凹部２８ｂ内に、送信フィルタ５０ｂが形成されたチップ２０ｂ（第２チップ）と、受信フィルタ５２ｂが形成されたチップ２２ｂ（第２チップ）と、が搭載されている。凹部２８ｂを覆うように、絶縁基板１０上に金属板２６ｂが設けられている。金属板２６ｂ上に、ＰＡ６０ｂを含む能動素子３０ｂ（第２能動素子）がフェースアップ搭載されている。
絶縁基板１０の下面に、共通端子Ａｎｔ１およびＡｎｔ２、送信端子Ｔｘ１およびＴｘ２、受信ノードＮＲｘ１およびＮＲｘ２、並びにグランドパッドＧｎｄ１およびＧｎｄ２に相当するパッド１６が形成されている。絶縁基板１０の上面に、送信ノードＮＴｘ１およびＮＴｘ２の相当するパッド１７が形成されている。その他の構成は、実施例１と同じであり説明を省略する。
図９は、実施例７に係るモジュールの断面図である。図９に示すように、モジュール１１２において、金属板２６ａ上に、ＬＮＡ６２ａを含む能動素子３２ａがフェースアップ搭載されている。金属板２６ｂ上に、ＬＮＡ６２ｂを含む能動素子３２ｂがフェースアップ搭載されている。絶縁基板１０の下面に、共通端子Ａｎｔ１およびＡｎｔ２、受信端子Ｒｘ１およびＲｘ２、送信ノードＮＴｘ１およびＮＴｘ２、並びにグランドパッドＧｎｄ１およびＧｎｄ２に相当するパッド１６が形成されている。絶縁基板１０の上面に、受信ノードＮＲｘ１およびＮＲｘ２に相当するパッド１７が形成されている。その他の構成は、実施例６と同じであり説明を省略する。
実施例６および７においては、凹部２８ａ内に、送信フィルタ５０ａおよび受信フィルタ５２ａが形成されたチップ２０ａおよび２２ａを搭載する例を説明したが、凹部２８ａ内には、送信フィルタ５０ａと受信フィルタ５２ａの少なくとも一方のフィルタが形成された１または複数のチップが搭載されていればよい。凹部２８ｂ内には、送信フィルタ５０ｂと受信フィルタ５２ｂの少なくとも一方のフィルタが形成された１または複数のチップが搭載されていればよい。
金属板２６ａには、ＰＡ６０ａとＬＮＡ６２ａとの少なくとも一方を含む１または複数の能動素子が搭載されていればよい。金属板２６ｂには、ＰＡ６０ｂとＬＮＡ６２ｂとの少なくとも一方を含む１または複数の能動素子が搭載されていればよい。金属板２６ａまたは２６ｂ上に搭載された能動素子には、スイッチＳＷは含まれていてもよい。能動素子はフリップチップ搭載されていてもよい。
実施例６および７によれば、バンド間の干渉を抑制し、互いのアイソレーションを向上できる。バンドは、３以上でもよい。すなわち、回路５６ａおよび５６ｂが３以上設けられていてもよい。
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
１０ 絶縁基板
１０ａ−１０ｃ 絶縁層
１２ａ−１２ｃ 配線層
１４ａ−１４ｃ ビア
１６、１７ パッド
１８ 樹脂層
２０、２２ チップ
２４ パンプ
２６ 金属板
２８ 凹部
３０、３２ 能動素子
５０ 送信フィルタ
５２ 受信フィルタ
６０ ＰＡ
６２ ＬＮＡ
１０ａ−１０ｃ 絶縁層
１２ａ−１２ｃ 配線層
１４ａ−１４ｃ ビア
１６、１７ パッド
１８ 樹脂層
２０、２２ チップ
２４ パンプ
２６ 金属板
２８ 凹部
３０、３２ 能動素子
５０ 送信フィルタ
５２ 受信フィルタ
６０ ＰＡ
６２ ＬＮＡ
Claims (6)
- 上面に凹部を有する絶縁基板と、
前記凹部内に搭載され、フィルタが形成されたチップと、
前記凹部を覆うように前記絶縁基板上に設けられた金属板と、
前記金属板上に搭載され、前記フィルタと電気的に接続された能動素子と、
前記金属板と接続され、前記絶縁基板を貫通する金属配線と、
を具備することを特徴とするモジュール。 - 前記能動素子は前記フィルタが濾過した信号を増幅する、または、前記フィルタは前記能動素子が増幅した信号を濾過することを特徴とする請求項１記載のモジュール。
- 前記チップは、共通端子と送信端子との間に接続された送信フィルタと、前記共通端子と受信端子との間に接続された受信フィルタと、の少なくとも一方を備え、
前記能動素子は、前記送信フィルタに増幅した信号を出力する増幅器と、前記受信フィルタが濾過した信号を増幅する増幅器と、の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１記載のモジュール。 - 上面に第１凹部および第２凹部を有する絶縁基板と、
前記第１凹部内に搭載され、共通端子と送信端子との間に電気的に接続された送信フィルタが形成された第１チップと、
前記第２凹部内に搭載され、前記共通端子と受信端子との間に電気的に接続された受信フィルタが形成された第２チップと、
前記第１凹部を覆うように、前記絶縁基板上に設けられた第１金属板上と、
前記第２凹部を覆うように、前記絶縁基板上に設けられた第２金属板上と、
前記第１金属板上に搭載され、前記送信フィルタに増幅した信号を出力する増幅器を含む第１能動素子と、
前記第２金属板上に搭載され、前記受信フィルタが濾過した信号を増幅する増幅器を含む第２能動素子と、
前記第１金属板と接続され、前記絶縁基板を貫通する第１金属配線と、
前記第２金属板と接続され、前記絶縁基板を貫通する第２金属配線と、
を具備することを特徴とするモジュール。 - 上面に第１凹部および第２凹部を有する絶縁基板と、
前記第１凹部内に搭載され、第１共通端子と第１送信端子との間に電気的に接続された第１送信フィルタと、前記第１共通端子と第１受信端子との間に電気的に接続された第１受信フィルタと、の少なくとも一方のフィルタが形成された第１チップと、
前記第２凹部内に搭載され、第２共通端子と第２送信端子との間に電気的に接続された第２送信フィルタと、前記第２共通端子と第２受信端子との間に電気的に接続された第２受信フィルタと、の少なくとも一方のフィルタが形成された第２チップと、
前記第１凹部を覆うように、前記絶縁基板上に設けられた第１金属板上と、
前記第２凹部を覆うように、前記絶縁基板上に設けられた第２金属板上と、
前記第１金属板上に搭載され、前記第１送信フィルタに増幅した信号を出力する増幅器と前記第１受信フィルタが濾過した信号を増幅する増幅器との少なくとも一方を含む第１能動素子と、
前記第２金属板上に搭載され、前記第２送信フィルタに増幅した信号を出力する増幅器と前記第２受信フィルタが濾過した信号を増幅する増幅器との少なくとも一方を含む第２能動素子と、
前記第１金属板と接続され、前記絶縁基板を貫通する第１金属配線と、
前記第２金属板と接続され、前記絶縁基板を貫通する第２金属配線と、
を具備することを特徴とするモジュール。 - 前記絶縁基板はセラミック基板であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載のモジュール。
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