JP6281437B2 - 酸化物焼結体とその製造方法、および、この酸化物焼結体を用いたスパッタリングターゲット - Google Patents
酸化物焼結体とその製造方法、および、この酸化物焼結体を用いたスパッタリングターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP6281437B2 JP6281437B2 JP2014155563A JP2014155563A JP6281437B2 JP 6281437 B2 JP6281437 B2 JP 6281437B2 JP 2014155563 A JP2014155563 A JP 2014155563A JP 2014155563 A JP2014155563 A JP 2014155563A JP 6281437 B2 JP6281437 B2 JP 6281437B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide sintered
- sintered body
- oxide
- manufacturing
- shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明の酸化物焼結体の製造方法は、従来技術と同様に、
(1)金属酸化物を含む原料粉末を、水や有機バインダなどと混合することでスラリー化する、原料調整工程と、
(2)スラリーを噴霧乾燥して造粒粉末とする、造粒工程と、
(3)造粒粉末を加圧成形して成形体を得る、加圧成形工程と、
(4)成形体を焼成し、酸化物焼結体を得る、焼結工程と
を備える。
原料調整工程では、金属酸化物に、水、ポリビニルアルコール(PVA)などの有機バインダ、アクリル酸系共重合物のアミン塩などを混合し、粉砕してスラリー化することが必要となる。このようなスラリー化手段は、従来技術と同様であるため、ここでの説明は省略する。
造粒工程では、原料調整工程で得られたスラリーを、スプレードライヤなどを用いて噴霧乾燥し、造粒粉末を作製する。この際、乾燥温度を、130℃〜220℃とすることが好ましい。乾燥温度が130℃未満では、スラリーを十分に噴霧乾燥することができない場合がある。一方、乾燥温度が220℃を超えると、造粒粉末が硬質となり、加圧成形時に空孔が生じやすくなり、得られる酸化物焼結体が低密度なものとなってしまう場合がある。
加圧成形工程では、造粒工程で得られた造粒粉末を、金型やゴム型に充填した上で、一軸プレスまたは冷間静水圧プレス(CIP)などにより加圧成形する。このような成形方法も従来技術と同様であり、特に制限されることはないが、成形圧力を、100MPa〜300MPaとすることが好ましい。成形圧力が100MPa未満では、得られる成形体の密度や強度が低いものとなり、製品歩留まりの悪化を招く場合がある。一方、成形圧力が300MPaを超えても、それ以上の効果を得ることができないばかりか、プレス型などへの負荷が増大する場合がある。
本発明では、焼結工程において、上述のようにして得られた成形体を、焼成炉内のヒータとの間に特定の構造を有する遮蔽物を配置した状態で焼成することが必要となる。なお、焼結工程に使用する焼結炉は、焼結時における酸素流量を制御することができる限り、特に制限されることはない。以下、図1〜図5を参照しながら、焼成工程について説明する。
焼結工程に用いられる焼結炉は、少なくとも成形体1の両側に、好ましくは成形体1の四方を囲むように矩形状に配置されるヒータ2を備える。この焼結炉内には、成形体1を載置するためのセッター(セラミック製棚板)11a、成形体1を囲むように配置される遮蔽物3、遮蔽物3上に載置され、成形体1の上方を覆うためのセッター11b、ならびに、セッター11aの上面、セッター11bの下面および遮蔽物3の内壁で取り囲まれた領域10内に酸素ガスを供給するための複数(図示の例では4つ)の酸素ガス導入管12が設置される。なお、セッター11bの上に、さらに、成形体1、遮蔽物3、セッター11bおよび酸素ガス導入管12を設置し、多段積構造としてもよい。
a)形状
図1〜図4に示すように、遮蔽物3は、複数の遮蔽片4または遮蔽片8を幅方向に組み合わせることにより構成される。より具体的には、遮蔽物3の角部以外の部分では、複数の遮蔽片4を幅方向に組み合わせることにより、角部では、遮蔽片8を組み合わせることにより構成される。
間隙9、9a〜9cの幅dは、1mm〜5mm、好ましくは1mm〜4mm、より好ましくは1mm〜3mmに調整することが必要となる。これにより、焼結時に、領域10から外部に排出される分解生成ガスの流量を制御し、領域10内における酸素ガスの分布や対流および酸素ガスによる伝熱を均一化することができる。
遮蔽片4、4a〜4cおよび8の長手方向の長さは、間隙9、9a〜9cの数を上述した範囲で適宜調整することができる限り、特に制限されることないが、概ね100〜300mm程度することが好ましく、150mm〜250mm程度とすることがより好ましい。なお、遮蔽片4および4a〜4cの長手方向の長さは、全て同一とする必要はなく、間隙9、9a〜9cの数や位置が最適なものとなるように、上述した範囲で適宜調整してもよい。
遮蔽物3の材質は、目的とする酸化物焼結体の焼結温度で容易に変形および変質しないものであれば、特に制限されることはない。具体的には、遮蔽物3の材質として、アルミナ(Al2O3)、マグネシア(MgO)、ジルコニア(ZrO2)、アルミナ−シリカ(Al2O3−SiO2)系セラミックなどを使用することができる。これらの中でも、低コストで、熱環境度が高く、耐熱衝撃性に優れる、アルミナ製の遮蔽物を使用することが好ましい。
図1および図2に示すように、焼結炉内において、遮蔽物3は、ヒータ2と成形体1との間に配置される。より具体的には、遮蔽物3は、複数の成形体1を囲むように、セッター11a上に配置され、その上部には、セッター11bが配置される。ただし、セッター11aおよび11bならびに遮蔽物3によって取り囲まれる領域10内には、酸素ガスを供給するための酸素ガス導入管12を配置する必要がある。このような配置を採ることで、ヒータ2の輻射熱から成形体1を保護しつつ、分解生成ガスを、効率的に領域10から外部に排出することが可能となるため、領域10内の酸素ガスの分布や対流および酸素ガスによる伝熱を均一化することができる。
成形体1は、ヒータ2との間に、遮蔽物3が配置された状態で焼成される。この際の焼結条件は、目的とする酸化物焼結体の組成、形状、大きさおよび同時に焼成する成形体1の個数などに応じて、適宜選択されるべきものである。たとえば、長さが100mm〜400mm、幅が50mm〜200mm、厚さが3mm〜10mmの平板状の酸化インジウム系酸化物焼結体、または、全長が100mm〜300mm、外径が90mm〜180mm、内径が80mm〜140mmの円筒形の酸化インジウム系酸化物焼結体を得ようとする場合には、以下のような条件を採用することができる。
焼結工程における雰囲気は、酸化性雰囲気であることが必要であり、酸素ガス導入管12を介して、炉内容積1L当たり、0.9×10-2L/min〜3.6×10-2L/minの酸素を導入することが好ましく、1.5×10-2L/min〜2.7×10-2L/minの酸素を導入することがより好ましい。この際、炉内圧は、ゲージ圧で2気圧以下とすることが好ましい。
焼結温度は、成形体1を構成する金属酸化物粉末が粒成長することが可能な範囲とすることが必要となる。具体的には、酸化インジウム系酸化物焼結体を得ようとする場合、焼結温度を1100℃〜1600℃の範囲で設定することが好ましく、1400℃〜1550℃の範囲で設定することがより好ましい。
本発明において、焼結工程における昇温速度は、特に制限されることはないが、成形体1に含まれる有機バインダなどを揮発させた後、1300℃までは24時間程度かけて昇温し、1300℃から焼結温度までを150分以内で昇温することが好ましい。なお、1300℃から焼結温度までの昇温速度は、炉内の温度分布を均一に保てる範囲で、可能な限り早くすることがより好ましい。
(1)酸化物焼結体
本発明の酸化物焼結体は、上述した製造方法によって製造されるものである。このような酸化物焼結体は、収縮率や密度のばらつきが少ないことを特徴とする。具体的には、焼結前後における収縮率の最大値と最小値の差を0.3%以下、好ましくは0.1%以下とすることができる。また、相対密度の最大値と最小値の差を0.2%以下、好ましくは0.1%以下とすることができる。
本発明のスパッタリングターゲットは、従来のスパッタリングターゲットと同様に、バッキングプレートまたはバッキングチューブと、このバッキングプレートまたはバッキングチューブに接合されたターゲット材とから構成される。特に、本発明のスパッタリングターゲットは、ターゲット材として、本発明の酸化物焼結体が用いられていることを特徴とする。
[原料調整工程〜加圧成形工程]
はじめに、平均粒径が0.4μmの酸化インジウム粉末90質量%と、平均粒径が0.4μmの酸化スズ粉末10質量%とを混合し、これに水と有機バインダ(ポリビニルアルコール)2質量%加えて、湿式ボールミルを用いて18時間混合することによりスラリーを得た。
焼結工程に際して、図1〜図4に示すように、複数の遮蔽片4と遮蔽片8により構成される、遮蔽物3を用意した。このうち、遮蔽片4は、本体部5と、両端に、隣接する遮蔽片4同士を組み合わせた状態で、相決り継ぎ状の継ぎ目を構成する係合部6を備え、長手方向の長さが245mmまたは170mm、高さが30mm、厚さtが20mmであり、突出部7の長さwが10mm(w/t比=0.5)、厚さが8.5mmとなるように構成されたものであった。また、遮蔽片8は、長手方向の長さが235mmまたは160mm、高さが30mm、厚さtが20mmであり、側端部に設けられた突出部7の長さwが10mm(w/t比=0.5)、厚さが8.5mmとなるように構成されたものであった。
得られた4枚の酸化物焼結体のそれぞれについて、以下の評価を行った。
酸化物焼結体の寸法(長さ、幅および厚さ)をスケールで測定し、成形体1に対する収縮率を求めた。4枚の酸化物焼結体の収縮率の平均値、最大と最小値の差および標準偏差を表2に示す。
アルキメデス法により、酸化物焼結体の相対密度を測定した。4枚の酸化物焼結体の相対密度の平均値、最大値と最小値の差および標準偏差を表2に示す。
酸化物焼結体を定盤上に載置し、その端部4か所において、定盤からの浮き上がり量を測定し、その平均値をその酸化物焼結体の反り量とした。4枚の酸化物焼結体の反り量の平均値および最大値と最小値の差を表2に示す。
酸化物焼結体の外観を目視で観察することにより、クラックなどの欠陥の有無を確認した。この結果を表2に示す。
遮蔽物の配置や、これを構成する遮蔽片の形状を表1に示すようにしたこと以外は、実施例1と同様にして、酸化物焼結体を得て、その評価を行った。これらの結果を表2に示す。
実施例1と同様にして得られた造粒粉末をゴム型に充填し、CIPにより、3tоn/cm2(300MPa)で加圧成形することで、外径163mm、内径127mm、全長145mmの円筒形成形体を得た。
表1および表2より、本発明の技術的範囲に属する実施例1〜4で得られた酸化物焼結体は、焼結前後における収縮率の最大値と最小値の差が0.3%以下であることが確認された。また、これらの酸化物焼結体は、相対密度が99.60%以上と高く、かつ、その最大値と最小値の差が0.2%以下であることが確認された。さらに、目視による観察の結果、これらの酸化物焼結体には、欠陥がほとんど存在しないことが確認された。なお、実施例1〜3の平板状の酸化物焼結体については、反り量が0.30μm以下に抑制されていることが確認された。
2 ヒータ
3 遮蔽物
4、4a〜4c 遮蔽片
5、5a〜5c 本体部
6、6a〜6c 係合部
7 突出部
8 遮蔽片
9、9a〜9c 間隙
10 領域
11a、11b セッター
12 酸素ガス導入管
23 遮蔽物
24 遮蔽片
29 間隙
30 領域
33 遮蔽物
34 遮蔽片
39 間隙
40 領域
R1、R1a〜R1c、R2 経路
t 遮蔽片の厚さ
w 突出部の長さ
d 間隙の幅
Claims (10)
- 金属酸化物を含む原料粉末を加圧成形した成形体を得て、該成形体を焼結炉内のヒータとの間に遮蔽物が配置された状態で焼結させて、焼結体を得る酸化物焼結体の製造方法であって、
前記遮蔽物を、長さ方向端部に係合部を備えた複数の遮蔽片を、角部を除き、前記遮蔽片の係合部同士が相対し、かつ、相対する係合部の間に、厚さ方向に関して非直線状で、幅1mm〜5mmの間隙が形成されるように構成することを特徴とする、
酸化物焼結体の製造方法。 - 前記遮蔽物として、アルミナ製の遮蔽片を用いる、請求項1に記載の酸化物焼結体の製造方法。
- 前記遮蔽物の厚さを5mm〜30mmとする、請求項1または2に記載の酸化物焼結体の製造方法。
- 前記間隙の経路長さを、前記遮蔽物の厚さの1.5倍〜2.0倍とする、請求項1〜3のいずれかに記載の酸化物焼結体の製造方法。
- 前記係合部を、相決り継ぎ状に形成する、請求項1〜4のいずれかに記載の酸化物焼結体の製造方法。
- 前記遮蔽片の厚さに対する、前記係合部の突出部の長さの比を、0.5〜1.0とする、請求項5に記載の酸化物焼結体の製造方法。
- 前記遮蔽物、該遮蔽物を載置するセッターおよび該遮蔽物の上部に載置されるセッターによって形成される領域が、平面視で縦450mm〜1800mmおよび横350mm〜1400mmである場合において、前記間隙を縦方向に3個〜6個、横方向に4個〜6個設ける、請求項1〜6のいずれかに記載の酸化物焼結体の製造方法。
- 前記焼結工程において、炉内容積1L当たり、0.9×10-2L/min〜3.6×10-2L/minの酸素を流通させる、請求項1〜7のいずれかに記載の酸化物焼結体の製造方法。
- 前記酸化物焼結体を複数得た場合に、該複数の酸化物焼結体についての焼結前後における収縮率の最大値と最小値の差が0.3%以下であり、該複数の酸化物焼結体についての相対密度の最大値と最小値の差が0.2%以下であり、かつ、該複数の酸化物焼結体の反り量がいずれも0.25mm以下である、請求項1〜8のいずれかに記載の酸化物焼結体の製造方法。
- バンキングプレートまたはバッキングチューブに、ターゲット材を接合することによりスパッタリングターゲットを得る工程を備え、前記ターゲット材として、請求項1〜9のいずれかに記載の酸化物焼結体の製造方法により得られた酸化物焼結体を用いる、スパッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014155563A JP6281437B2 (ja) | 2014-07-30 | 2014-07-30 | 酸化物焼結体とその製造方法、および、この酸化物焼結体を用いたスパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014155563A JP6281437B2 (ja) | 2014-07-30 | 2014-07-30 | 酸化物焼結体とその製造方法、および、この酸化物焼結体を用いたスパッタリングターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016033092A JP2016033092A (ja) | 2016-03-10 |
JP6281437B2 true JP6281437B2 (ja) | 2018-02-21 |
Family
ID=55452181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014155563A Expired - Fee Related JP6281437B2 (ja) | 2014-07-30 | 2014-07-30 | 酸化物焼結体とその製造方法、および、この酸化物焼結体を用いたスパッタリングターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6281437B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017168906A1 (ja) * | 2016-03-28 | 2017-10-05 | 三井金属鉱業株式会社 | スパッタリングターゲット材及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット |
CN107065431A (zh) * | 2017-06-30 | 2017-08-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 掩膜板 |
CN113603494A (zh) * | 2021-08-02 | 2021-11-05 | 芜湖映日科技股份有限公司 | 一种长尺寸的ito旋转靶筒烧结方法 |
CN115677361B (zh) * | 2022-10-11 | 2023-08-11 | 广西晶联光电材料有限责任公司 | 一种ito靶材的常压烧结方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0791113B2 (ja) * | 1988-03-29 | 1995-10-04 | 日本碍子株式会社 | セラミックスの焼成方法およびその方法に用いられる焼成道具 |
JPH01282157A (ja) * | 1988-05-07 | 1989-11-14 | Matsushita Electric Works Ltd | セラミック基板の製造法 |
JPH05124870A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-21 | Toshiba Corp | セラミツク焼成用容器 |
JPH08188472A (ja) * | 1995-01-11 | 1996-07-23 | Murata Mfg Co Ltd | 焼成治具 |
JP2007113051A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法およびこれに用いる箱体 |
JP4999422B2 (ja) * | 2005-10-26 | 2012-08-15 | 美濃窯業株式会社 | 連続式の熱処理方法及び連続式の熱処理炉 |
JP2012153592A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Taiheiyo Cement Corp | 酸化亜鉛焼結体の製造方法 |
-
2014
- 2014-07-30 JP JP2014155563A patent/JP6281437B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016033092A (ja) | 2016-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6281437B2 (ja) | 酸化物焼結体とその製造方法、および、この酸化物焼結体を用いたスパッタリングターゲット | |
KR101956506B1 (ko) | 산화인듐-산화아연계 (izo) 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 | |
CN104773998A (zh) | 一种高致密度ito靶材的烧结方法 | |
CN104876597A (zh) | 一种纳米级基质结合高性能电熔镁钙砖及其制造方法 | |
KR101583693B1 (ko) | Ito 스퍼터링 타깃재 및 그 제조 방법 | |
TWI491580B (zh) | 蒸鍍用錠及其製造方法 | |
WO2006038538A1 (ja) | スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法 | |
JP6198363B1 (ja) | 円筒形スパッタリングターゲット材の焼成装置及び焼成方法 | |
JP5218032B2 (ja) | 透明導電膜用焼結体の製造方法 | |
JP6677058B2 (ja) | Sn−Zn−O系酸化物焼結体とその製造方法 | |
JP2012153592A (ja) | 酸化亜鉛焼結体の製造方法 | |
JP2010236779A (ja) | ローラハースキルンによるワークの焼成方法 | |
WO2016136088A1 (ja) | 円筒形ターゲット材の製造方法、円筒形スパッタリングターゲットおよび焼成用治具 | |
JP6594575B1 (ja) | ジルコニア焼結体からなる熱処理用部材 | |
JP6343695B2 (ja) | 酸化インジウム−酸化亜鉛系(izo)スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP2014091635A (ja) | 酸化物焼結体の製造方法 | |
JP4835542B2 (ja) | 導電性セラミックス焼結体の製造方法 | |
JP5169969B2 (ja) | 透明導電膜用焼結体の製造方法 | |
JP4835541B2 (ja) | 導電性セラミックス焼結体の製造法 | |
JP2016147778A (ja) | 無機粉末焼結体の製造方法 | |
JP6343234B2 (ja) | 炭化珪素焼結体、炭化珪素焼結体の製造方法、焼成治具、焼成炉および金属溶湯保持炉 | |
JP2007113051A (ja) | スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法およびこれに用いる箱体 | |
JP2009051674A (ja) | セラミックスの製造方法 | |
JP2002226278A (ja) | セラミックス焼結体の製造法 | |
JP2001122668A (ja) | セラミックス焼結体の製造法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180108 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6281437 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |