JP6270700B2 - 浮遊粒子検出装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る浮遊粒子検出装置1の構成を概略的に示す図である。図1に示されるように、浮遊粒子検出装置1は、流体としての空気50が流入口10aから流入し流出口10bから排出される容器(流路)を構成する筐体10と、流体供給部として空気供給部11と、光照射部12と、第1の受光部13と、第2の受光部14と、制御信号生成部15と、光源駆動部16と、第1の可変増幅部17と、第2の可変増幅部18と、信号処理部19とを有している。制御信号生成部15と、光源駆動部16と、第1の可変増幅部17と、第2の可変増幅部18と、信号処理部19とは、回路として構成することが可能である。
P[sec]=1000×W[mm]/F[m/sec] 式(1)
となる。1/Pは周波数を示し、1000×Wは波長を示し、Fは速度を示すので、式(1)は、「(速度)=(周波数)×(波長)」の式として表すこともできる。空気50の流速F[m/sec]が早いほど、1周期の期間P[sec]は短く(すなわち、周波数は高く)なる。空気50の流速F[m/sec]が速いほど、検出領域40において、より多い個数の浮遊粒子51,52を通過させることができるので、検出精度は向上する。また、空気50の流速F[m/sec]が速いほど、浮遊粒子間の間隔も広がり、浮遊粒子同士が互いに密着することに起因する読み飛ばしの発生回数が減少する。したがって、制御信号C1の周波数が高いほど(すなわち、1周期の期間P[sec]が短いほど)、検出精度は向上する。ただし、制御信号C1の周波数の上限は、光照射部12の構成要素である発光素子121並びに第1及び第2の受光素子131,141の周波数応答性能により制限される。
図7は、本発明の実施の形態2に係る浮遊粒子検出装置2の構成を概略的に示す図である。図7において、図1に示される構成要素と同一又は対応する構成要素には、図1に示される符号と同じ符号を付す。また、図8(a)から(f)は、実施の形態2に係る浮遊粒子検出装置2の動作を示す波形図である。図8(a)から(f)は、図3(a)から(f)に対応する波形図である。図7及び図8(a)から(f)からわかるように、実施の形態2に係る浮遊粒子検出装置2は、制御信号C2の波形が線形に値が増加する三角波状である点において、制御信号C1が2値の波形である実施の形態1のものと相違する。
P[sec]=1000×W[mm]/F[m/sec]となる。
Claims (9)
- 流体を供給して、前記流体を予め決められた流速で検出領域を通過させる流体供給部と、
光源駆動電圧に応じた光強度を持ち、予め決められた光束径を持つ照射光を、前記検出領域を通過する前記流体の中に存在する浮遊粒子に照射する光照射部と、
前記検出領域を通過する前記流体の中に存在する前記浮遊粒子に照射された前記照射光の散乱によって発生する散乱光の内の、予め決められた第1方向に進む第1の散乱光を受光し、前記第1の散乱光の強度に応じた第1の検出信号を出力する第1の受光部と、
前記散乱光の内の、予め決められた第2方向に進む第2の散乱光から予め決められた偏光方向を持つ偏光成分の光を分離し、前記分離された偏光成分の光を受光して、前記分離された偏光成分の光の強度に応じた第2の検出信号を出力する第2の受光部と、
前記浮遊粒子が前記照射光の前記光束径内に入ってから出るまでの浮遊粒子通過時間の間で予め決められた波形を持つ制御信号を生成する制御信号生成部と、
前記制御信号の前記波形に応じた前記光源駆動電圧を前記光照射部に供給する光源駆動部と、
前記制御信号の前記波形に基づく第1のゲインで前記第1の検出信号を増幅する第1の可変増幅部と、
前記制御信号の前記波形に基づく第2のゲインで前記第2の検出信号を増幅する第2の可変増幅部と、
前記増幅された第1の検出信号と前記増幅された第2の検出信号とに基づいて前記浮遊粒子の粒径及び種類を判別する信号処理部と、
を備え、
前記制御信号に応じた前記光源駆動電圧の増加によって前記照射光の光強度が増加したときに、前記第1の可変増幅部は、前記制御信号に応じて前記第1のゲインを減少させ、前記第2の可変増幅部は、前記制御信号に応じて前記第2のゲインを減少させ、
前記制御信号に応じた前記光源駆動電圧の減少によって前記照射光の光強度が減少したときに、前記第1の可変増幅部は、前記制御信号に応じて前記第1のゲインを増加させ、前記第2の可変増幅部は、前記制御信号に応じて前記第2のゲインを増加させる
ことを特徴とする浮遊粒子検出装置。 - 前記制御信号は、前記浮遊粒子通過時間の間で第1電位レベルと前記第1電位レベルよりも高い第2電位レベルとを持つ2値信号であることを特徴とする請求項1に記載の浮遊粒子検出装置。
- 前記制御信号が前記第1電位レベルである期間では、前記光照射部は前記照射光の光強度を第1強度値にし、前記第1の可変増幅部は前記第1のゲインを第1の値とし、前記第2の可変増幅部は前記第2のゲインを第2の値とし、
前記制御信号が前記第2電位レベルである期間では、前記光照射部は前記照射光の光強度を前記第1強度値よりも強い第2強度値とし、前記第1の可変増幅部は前記第1のゲインを前記第1の値より小さい第3の値とし、前記第2の可変増幅部は前記第2のゲインを前記第2の値より小さい第4の値とする
ことを特徴とする請求項2に記載の浮遊粒子検出装置。 - 前記制御信号は、前記浮遊粒子通過時間の間で、徐々に増加又は徐々に減少する電位の波形を持つことを特徴とする請求項1に記載の浮遊粒子検出装置。
- 前記制御信号は、前記浮遊粒子通過時間の間で、線形に増加又は線形に減少する電位の波形を持つことを特徴とする請求項4に記載の浮遊粒子検出装置。
- 前記制御信号が前記浮遊粒子通過時間の間で徐々に増加する期間では、前記照射光の光強度は、前記制御信号に応じて徐々に増加し、前記第1のゲインは、前記制御信号に応じて徐々に減少し、前記第2のゲインは、前記制御信号に応じて徐々に減少することを特徴とする請求項4又は5に記載の浮遊粒子検出装置。
- 前記制御信号が前記浮遊粒子通過時間の間で徐々に減少する期間では、前記照射光の光強度は、前記制御信号に応じて徐々に減少し、前記第1のゲインは、前記制御信号に応じて徐々に増加し、前記第2のゲインは、前記制御信号に応じて徐々に増加することを特徴とする請求項4又は5に記載の浮遊粒子検出装置。
- 前記光照射部は、前記照射光としてレーザ光を出射するレーザ発光素子を有することを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の浮遊粒子検出装置。
- 前記第1の受光部は、前記第1の散乱光が入射する第1の受光素子を有し、
前記第2の受光部は、前記予め決められた偏光方向を持つ偏光成分の光を分離する偏光フィルタと、前記分離された偏光成分の光が入射する第2の受光素子とを有する
ことを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の浮遊粒子検出装置。
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