JP3049926B2 - 粒度分布測定装置 - Google Patents
粒度分布測定装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種粉粒体、エアロゾ
ル、エマルジョン等の粒子の粒度分布を測定する装置に
関し、更に詳しくは、レーザ回折／散乱式の粒度分布測
定装置に関する。
ル、エマルジョン等の粒子の粒度分布を測定する装置に
関し、更に詳しくは、レーザ回折／散乱式の粒度分布測
定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ回折／散乱式の粒度分布測定装置
においては、媒体中で分散飛翔状態の被測定粒子群にレ
ーザ光を照射し、粒子による回折／散乱光の空間強度分
布をデテクタによって測定し、その測定結果をＡ−Ｄ変
換器によってデジタル化してコンピュータに採り込み、
フラウンホーファ回折理論ないしはミー散乱理論に基づ
く演算によりその粒子群の粒度分布を求める。
においては、媒体中で分散飛翔状態の被測定粒子群にレ
ーザ光を照射し、粒子による回折／散乱光の空間強度分
布をデテクタによって測定し、その測定結果をＡ−Ｄ変
換器によってデジタル化してコンピュータに採り込み、
フラウンホーファ回折理論ないしはミー散乱理論に基づ
く演算によりその粒子群の粒度分布を求める。
【０００３】このようなレーザ回折／散乱式の粒度分布
測定装置においては、従来、被測定粒子群の媒体中にお
ける濃度を、多重散乱を起こさないと思われる程度の濃
度に調整し、その試料に対して一定の強度を持つレーザ
光を照射する。そして、Ａ−Ｄ変換器のダイナミックレ
ンジを考慮し、このＡ−Ｄ変換器への入力信号が適当な
値となるように、デテクタとＡ−Ｄ変換器の間に介在す
るアンプのゲインを決定している。
測定装置においては、従来、被測定粒子群の媒体中にお
ける濃度を、多重散乱を起こさないと思われる程度の濃
度に調整し、その試料に対して一定の強度を持つレーザ
光を照射する。そして、Ａ−Ｄ変換器のダイナミックレ
ンジを考慮し、このＡ−Ｄ変換器への入力信号が適当な
値となるように、デテクタとＡ−Ｄ変換器の間に介在す
るアンプのゲインを決定している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この種の装置において
は、近年、粒度分布の測定範囲をより広くすることが要
求され、それに伴って測光精度を向上させる必要が生じ
ている。
は、近年、粒度分布の測定範囲をより広くすることが要
求され、それに伴って測光精度を向上させる必要が生じ
ている。
【０００５】回折／散乱光強度は、試料濃度のほか、被
測定粒子群の粒子径にも依存する。すなわち、小さな粒
子は大きな粒子に比較して、同一濃度でも回折／散乱光
強度は低下する。そのため、小さな粒子では回折／散乱
光強度が低下し、その測定出力のＳ／Ｎが悪化する結
果、アンプのゲインを上げても測光精度が低下して上記
の要求を満たすことが困難となる。
測定粒子群の粒子径にも依存する。すなわち、小さな粒
子は大きな粒子に比較して、同一濃度でも回折／散乱光
強度は低下する。そのため、小さな粒子では回折／散乱
光強度が低下し、その測定出力のＳ／Ｎが悪化する結
果、アンプのゲインを上げても測光精度が低下して上記
の要求を満たすことが困難となる。
【０００６】また、粒子群の量が少ない場合等、低濃度
の試料しか得られない場合においても、回折／散乱光強
度が低くなり、同様にして良好なＳ／Ｎのもとに強度分
布測定ができず、信頼性の高い粒度分布測定結果を得る
ことができないという問題がある。
の試料しか得られない場合においても、回折／散乱光強
度が低くなり、同様にして良好なＳ／Ｎのもとに強度分
布測定ができず、信頼性の高い粒度分布測定結果を得る
ことができないという問題がある。
【０００７】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
ので、微小な粒子や低い濃度の試料でも、高いＳ／Ｎの
もとに回折／散乱光の強度分布を測定することができ、
もって常に高精度の粒度分布測定結果を得ることのでき
る装置の提供を目的としている。
ので、微小な粒子や低い濃度の試料でも、高いＳ／Ｎの
もとに回折／散乱光の強度分布を測定することができ、
もって常に高精度の粒度分布測定結果を得ることのでき
る装置の提供を目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の粒度分布測定装置は、被測定粒子群に照射
するレーザ光の光源として半導体レーザを使用するとと
もに、この半導体レーザの出力光強度を複数段階に切り
換える切換手段を設け、この切換手段により選択されて
いる光強度に応じた演算のもとに回折／散乱光強度分布
測定結果を粒度分布に換算するように構成したことによ
って特徴付けられる。
め、本発明の粒度分布測定装置は、被測定粒子群に照射
するレーザ光の光源として半導体レーザを使用するとと
もに、この半導体レーザの出力光強度を複数段階に切り
換える切換手段を設け、この切換手段により選択されて
いる光強度に応じた演算のもとに回折／散乱光強度分布
測定結果を粒度分布に換算するように構成したことによ
って特徴付けられる。
【０００９】
【作用】被測定粒子群に照射するレーザ光の強度を強く
すると、その分だけ回折／散乱光の強度が増す。回折／
散乱光強度が増せばデテクタの出力信号のＳ／Ｎが向上
するから、微小な粒子や低濃度の試料の測定に際して、
必要に応じて照射レーザ光強度を強くすることによっ
て、このような試料でも高精度の粒度分布測定結果を得
ることができる。ここで、回折／散乱光の強度分布測定
結果を粒度分布に換算する際には、照射レーザ光強度の
変更に伴うバックグラウンド光強度の変化分を考慮する
ことにより、照射レーザ光強度の相違に起因する粒度分
布測定結果の相違は問題とならない。
すると、その分だけ回折／散乱光の強度が増す。回折／
散乱光強度が増せばデテクタの出力信号のＳ／Ｎが向上
するから、微小な粒子や低濃度の試料の測定に際して、
必要に応じて照射レーザ光強度を強くすることによっ
て、このような試料でも高精度の粒度分布測定結果を得
ることができる。ここで、回折／散乱光の強度分布測定
結果を粒度分布に換算する際には、照射レーザ光強度の
変更に伴うバックグラウンド光強度の変化分を考慮する
ことにより、照射レーザ光強度の相違に起因する粒度分
布測定結果の相違は問題とならない。
【００１０】また、半導体レーザでは、比較的簡単な回
路構成のもとに出力光強度を変化させることができ、本
発明はこの点を利用し、簡単な構成の追加によって所期
の目的を達成している。
路構成のもとに出力光強度を変化させることができ、本
発明はこの点を利用し、簡単な構成の追加によって所期
の目的を達成している。
【００１１】
【実施例】図１は本発明実施例の全体構成図である。レ
ーザダイオード１からの出力光は集光レンズ２ａおよび
コリメートレンズ２ｂ等によるビーム成形光学系２によ
って所定の大きさのレーザビームとなってフローセル３
に照射される。フローセル３内には被測定粒子群を媒液
中に分散させた縣濁液が流されており、レーザビームは
このフローセル３内の粒子群によって回折ないしは散乱
される。
ーザダイオード１からの出力光は集光レンズ２ａおよび
コリメートレンズ２ｂ等によるビーム成形光学系２によ
って所定の大きさのレーザビームとなってフローセル３
に照射される。フローセル３内には被測定粒子群を媒液
中に分散させた縣濁液が流されており、レーザビームは
このフローセル３内の粒子群によって回折ないしは散乱
される。
【００１２】フローセル３を挟んでレーザダイオード１
と反対側には、フーリエ変換レンズ４が配設されている
とともに、その焦点面上には例えばリングデテクタ等の
回折／散乱光検出用デテクタ５が配設されており、この
デテクタ５によってフローセル３内の粒子による回折／
散乱光の強度分布が測定される。
と反対側には、フーリエ変換レンズ４が配設されている
とともに、その焦点面上には例えばリングデテクタ等の
回折／散乱光検出用デテクタ５が配設されており、この
デテクタ５によってフローセル３内の粒子による回折／
散乱光の強度分布が測定される。
【００１３】デテクタ５の出力は、アンプ６およびＡ−
Ｄ変換器７を介してコンピュータ８にサンプリングさ
れ、フラウンホーファないしはミーの理論に基づく演算
によって粒度分布に換算される。
Ｄ変換器７を介してコンピュータ８にサンプリングさ
れ、フラウンホーファないしはミーの理論に基づく演算
によって粒度分布に換算される。
【００１４】レーザダイオード１はレーザ出力切換回路
９からの駆動電流によって駆動されるが、このレーザ出
力切換回路９はコンピュータ８からの制御信号により、
レーザダイオード１の出力光強度を例えば２段階に切り
換えることができる。
９からの駆動電流によって駆動されるが、このレーザ出
力切換回路９はコンピュータ８からの制御信号により、
レーザダイオード１の出力光強度を例えば２段階に切り
換えることができる。
【００１５】図２はレーザ出力切換回路９の構成例を示
すブロック図である。基準電圧発生器９１の出力電圧は
複数の抵抗９２ａ・・９２ｃによって分圧され、切換スイ
ッチ９３の状態に応じた電圧が増幅器９４に入力され
る。増幅器９４の出力は電流駆動回路９５に導入され、
この電流駆動回路９５は入力電圧に応じた大きさの電流
をレーザダイオード１に供給する。
すブロック図である。基準電圧発生器９１の出力電圧は
複数の抵抗９２ａ・・９２ｃによって分圧され、切換スイ
ッチ９３の状態に応じた電圧が増幅器９４に入力され
る。増幅器９４の出力は電流駆動回路９５に導入され、
この電流駆動回路９５は入力電圧に応じた大きさの電流
をレーザダイオード１に供給する。
【００１６】レーザダイオード１に隣接してモニタ用の
フォトダイオード９６が配設されており、このフォトダ
イオード９６の出力信号は電流検出回路９７を介して増
幅器９４の入力段にフィードバックされている。このよ
うな構成により、レーザダイオード１の出力光は、切換
スイッチ９３の状態に応じた強度に制御される。
フォトダイオード９６が配設されており、このフォトダ
イオード９６の出力信号は電流検出回路９７を介して増
幅器９４の入力段にフィードバックされている。このよ
うな構成により、レーザダイオード１の出力光は、切換
スイッチ９３の状態に応じた強度に制御される。
【００１７】レーザダイオード１は例えば２０ｍＷ程度
の高出力のものが用いられているとともに、切換スイッ
チ９３は実際には電子スイッチであって、コンピュータ
８からの制御信号に応じて切り換えられるようになって
おり、この切換スイッチ９３を接点ａ側に接続した状態
と、接点ｂ側に接続した状態では、レーザダイオード１
の出力光強度が数倍から１０倍程度に変化するように各
抵抗９２ａ・・９２ｃの抵抗値が設定されている。
の高出力のものが用いられているとともに、切換スイッ
チ９３は実際には電子スイッチであって、コンピュータ
８からの制御信号に応じて切り換えられるようになって
おり、この切換スイッチ９３を接点ａ側に接続した状態
と、接点ｂ側に接続した状態では、レーザダイオード１
の出力光強度が数倍から１０倍程度に変化するように各
抵抗９２ａ・・９２ｃの抵抗値が設定されている。
【００１８】コンピュータ８は、レーザダイオード１の
出力光強度が低い側の状態で回折／散乱光の強度分布を
測定している状態において、例えば適当ないくつかの回
折／散乱角における光強度測定データをモニタし、その
値があらかじめ設定された強度に達していない場合に
は、切換スイッチ９３を切り換えてレーザダイオード１
の出力光強度を増大させる。この切り換えと同時に、回
折／散乱光強度分布を粒度分布に換算するに際してのバ
ックグラウンド光の強度データを変更する。
出力光強度が低い側の状態で回折／散乱光の強度分布を
測定している状態において、例えば適当ないくつかの回
折／散乱角における光強度測定データをモニタし、その
値があらかじめ設定された強度に達していない場合に
は、切換スイッチ９３を切り換えてレーザダイオード１
の出力光強度を増大させる。この切り換えと同時に、回
折／散乱光強度分布を粒度分布に換算するに際してのバ
ックグラウンド光の強度データを変更する。
【００１９】以上の本発明実施例によると、例えばフロ
ーセル３内を流れる試料縣濁液の濃度の不足により、あ
るいは被測定粒子群の粒子径が小さいために、得られる
回折／散乱光強度の検出結果がある程度以上のレベルに
達していない場合には、自動的にレーザダイオード１か
らの出力光強度が数倍ないしは１０倍に増強される。こ
れにより、回折／散乱光強度が増大し、デテクタ５の出
力信号のＳ／Ｎが向上し、測光精度は通常の試料を測定
する場合と同等の高いレベルに維持される。
ーセル３内を流れる試料縣濁液の濃度の不足により、あ
るいは被測定粒子群の粒子径が小さいために、得られる
回折／散乱光強度の検出結果がある程度以上のレベルに
達していない場合には、自動的にレーザダイオード１か
らの出力光強度が数倍ないしは１０倍に増強される。こ
れにより、回折／散乱光強度が増大し、デテクタ５の出
力信号のＳ／Ｎが向上し、測光精度は通常の試料を測定
する場合と同等の高いレベルに維持される。
【００２０】ここで、レーザダイオードは、一般に光出
力強度によって波長が若干変化するが、その変化率は
０．１〜０．２％程度であって、粒度分布測定結果には
殆ど影響を及ぼすことがない。
力強度によって波長が若干変化するが、その変化率は
０．１〜０．２％程度であって、粒度分布測定結果には
殆ど影響を及ぼすことがない。
【００２１】なお、以上の実施例においては、レーザ出
力光切換回路９内の切換スイッチ９３をコンピュータ８
からの制御信号によって自動的に切り換える場合につい
て述べたが、本発明はこれに限定されることなく、回折
／散乱光強度の測定結果に基づく操作者の判断により、
切換スイッチ９３を手動で切り換えるように構成するこ
ともできる。
力光切換回路９内の切換スイッチ９３をコンピュータ８
からの制御信号によって自動的に切り換える場合につい
て述べたが、本発明はこれに限定されることなく、回折
／散乱光強度の測定結果に基づく操作者の判断により、
切換スイッチ９３を手動で切り換えるように構成するこ
ともできる。
【００２２】また、出力光強度の切り換え可能な段数は
２段に限らず、より多くの段階に切り換え得るように構
成してもよいことは勿論である。更に、以上の実施例で
は液体を媒体として被測定粒子群を分散させたが、気体
中に被測定粒子群を分散させる、いわゆる乾式測定や、
あるいはエマルジョンの測定にも本発明を適用し得るこ
とは言うまでもない。
２段に限らず、より多くの段階に切り換え得るように構
成してもよいことは勿論である。更に、以上の実施例で
は液体を媒体として被測定粒子群を分散させたが、気体
中に被測定粒子群を分散させる、いわゆる乾式測定や、
あるいはエマルジョンの測定にも本発明を適用し得るこ
とは言うまでもない。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
測定用光源としてレーザダイオード等の半導体レーザを
用い、この半導体レーザの出力光強度を複数段に切り換
え得るように構成したので、低濃度の試料や微小粒子の
測定等において回折／散乱光強度が不足している場合で
も、高強度のレーザ光を被測定粒子群に照射することに
よって、高いＳ／Ｎのもとに回折／散乱光を検出するこ
とができ、このような場合でも高精度の粒度分布測定結
果を得ることができる。
測定用光源としてレーザダイオード等の半導体レーザを
用い、この半導体レーザの出力光強度を複数段に切り換
え得るように構成したので、低濃度の試料や微小粒子の
測定等において回折／散乱光強度が不足している場合で
も、高強度のレーザ光を被測定粒子群に照射することに
よって、高いＳ／Ｎのもとに回折／散乱光を検出するこ
とができ、このような場合でも高精度の粒度分布測定結
果を得ることができる。
【００２４】ここで、現在実用化されているこの種の粒
度分布測定装置では、被測定粒子群の粒子径にもよる
が、概ね、粒子濃度の測定下限が数十ｐｐｍ程度であ
る。本発明の適用により、照射レーザ光強度を例えば１
０倍程度に切り換え得るように構成した場合、一般的な
濃度の試料から数ｐｐｍ程度の濃度の試料でも測定が可
能となり、測定アプリケーションに従来とは全く異なっ
たものが追加される可能性も生じる。
度分布測定装置では、被測定粒子群の粒子径にもよる
が、概ね、粒子濃度の測定下限が数十ｐｐｍ程度であ
る。本発明の適用により、照射レーザ光強度を例えば１
０倍程度に切り換え得るように構成した場合、一般的な
濃度の試料から数ｐｐｍ程度の濃度の試料でも測定が可
能となり、測定アプリケーションに従来とは全く異なっ
たものが追加される可能性も生じる。
【００２５】また、本発明によると低濃度の試料でも高
精度の粒度分布測定が可能であることから、試料の濃度
調整の操作が従来に比して簡単になるという効果もあ
る。そして、半導体レーザにおいてその出力光強度を変
化させるためには、その駆動回路内に簡単な切換回路を
追加するだけでよく、本発明を適用した場合でも装置コ
ストは極めて僅かに上昇するだけである。
精度の粒度分布測定が可能であることから、試料の濃度
調整の操作が従来に比して簡単になるという効果もあ
る。そして、半導体レーザにおいてその出力光強度を変
化させるためには、その駆動回路内に簡単な切換回路を
追加するだけでよく、本発明を適用した場合でも装置コ
ストは極めて僅かに上昇するだけである。
【図１】本発明実施例の全体構成図
【図２】そのレーザ出力切換回路９の構成例を示すブロ
ック図
ック図
１ レーザダイオード ２ ビーム成形光学系 ３ フローセル ４ フーリエ変換レンズ ５ デテクタ ６ アンプ ７ Ａ−Ｄ変換器 ８ コンピュータ ９ レーザ出力切換回路 ９１ 基準電圧発生器 ９２ａ・・９２ｃ 抵抗 ９３ 切換スイッチ ９４ 増幅器 ９５ 電流駆動回路 ９６ フォトダイオード ９７ 電流検出回路
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザを測定用光源とし、その出
力光を分散飛翔状態の被測定粒子群に照射して得られる
回折／散乱光の空間強度分布の測定結果を、演算手段に
よりその粒子群の粒度分布に換算する装置において、上
記半導体レーザの出力光強度を複数段階に切り換える切
換回路を有し、上記演算手段は、上記切換回路により選
択されている出力光強度に応じた演算のもとに上記換算
を行うよう構成されていることを特徴とする粒度分布測
定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4057804A JP3049926B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 粒度分布測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4057804A JP3049926B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 粒度分布測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05256758A JPH05256758A (ja) | 1993-10-05 |
| JP3049926B2 true JP3049926B2 (ja) | 2000-06-05 |
Family
ID=13066107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4057804A Expired - Fee Related JP3049926B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 粒度分布測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3049926B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5549394B2 (ja) * | 2010-06-10 | 2014-07-16 | 株式会社島津製作所 | 粒度分布測定装置 |
| JP6270700B2 (ja) * | 2014-12-01 | 2018-01-31 | 三菱電機株式会社 | 浮遊粒子検出装置 |
-
1992
- 1992-03-16 JP JP4057804A patent/JP3049926B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05256758A (ja) | 1993-10-05 |
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