JP6261680B2 - 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置 - Google Patents

発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置 Download PDF

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Description

本発明の一態様は、トリアリールアミン化合物に関する。また、トリアリールアミン化
合物を用いた発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置に関する。
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用
した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対
の電極間に発光性の物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することに
より、発光性の物質からの発光を得ることができる。
このような発光素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べ画素の視認性が高
く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として
好適であると考えられている。また、このような発光素子は、薄型軽量に作製できること
も大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。
そして、これらの発光素子は膜状に形成することが可能であるため、面状の発光を容易
に得ることができる。よって、面状の発光を利用した大面積の素子を形成することができ
る。このことは、白熱電球やＬＥＤに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線
光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
そのエレクトロルミネッセンスを利用した発光素子は、発光性の物質が有機化合物であ
るか、無機化合物であるかによって大別できるが、発光性の物質に有機化合物を用いる場
合、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔がそれぞれ発
光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャリア（電子お
よび正孔）によって発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に
戻る際に発光する。
このようなメカニズムから、このような発光素子は電流励起型の発光素子と呼ばれる。
なお、有機化合物が形成する励起状態の種類としては、一重項励起状態と三重項励起状態
が可能であり、一重項励起状態からの発光が蛍光、三重項励起状態からの発光が燐光と呼
ばれている。
このような発光素子に関しては、その素子特性を向上させる上で、物質に依存した問題
が多く、これらを克服するために素子構造の改良や物質開発等が行われている。（例えば
、特許文献１）
特開２００３−２６７９７２号公報
本発明の一態様では、正孔輸送性および電子輸送性の両方を備えた、いわゆるバイポー
ラ性を有する新規のトリアリールアミン化合物を提供する。また、本発明の一態様は、発
光効率の高い発光素子を提供する。さらに、消費電力の低い発光装置、電子機器、または
照明装置を提供する。
本発明の一態様は、トリアリールアミン化合物である。従って、本発明の構成は、下記
一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物である。
但し、式中、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換
のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α１〜α３は、それぞれ独立
して置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し
、ｍ、ｎは、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフ
ェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又
は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベン
ゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ１−２
）で表されるアリール基のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル
基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換
のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリ
ル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基
のいずれかを表す。また、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又
は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
但し、式中、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換
のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α４〜α６は、それぞれ独立
して置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し
、ｑは、０または１である。また、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無
置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレ
ニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は
無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表
す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェ
ニル基のいずれかを表す。
また、本発明の別の一態様は、下記一般式（Ｇ２）で表されるトリアリールアミン化合
物である。
但し、式中、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換
のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α１は、置換又は無置換のフ
ェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｍ、ｎは、それぞれ独
立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置
換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル
基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換
又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ２−２）で表されるアリール基
のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナ
フチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、
置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換の
ジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また
、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基の
いずれかを表す。
但し、式中、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換
のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α４は、置換又は無置換のフ
ェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｑは、０または１であ
る。また、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換
又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換
のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフ
ェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は
、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す
。
また、本発明の別の一態様は、下記一般式（Ｇ３）で表されるトリアリールアミン化合
物である。
但し、式中、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換
のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。ｍ、ｎは、それぞれ独立して
０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナ
フチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置
換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無
置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ３−２）で表されるアリール基のいず
れかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル
基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又
は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベン
ゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ１
〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれ
かを表す。
但し、式中、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換
のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。ｑは、０または１である。ま
た、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無
置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフル
オレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル
基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素
原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
また、本発明の別の一態様は、下記構造式（１００）で表されるトリアリールアミン化
合物である。
また、本発明の別の一態様は、下記構造式（１３５）で表されるトリアリールアミン化
合物である。
また、本発明のトリアリールアミン化合物は、正孔輸送性および電子輸送性の両方を備
えた、いわゆるバイポーラ性を有している。また、熱物性が良好であり、アモルファス性
が高いことが特徴である。従って、発光素子の正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸
送層に適用することができる。さらに、本発明のトリアリールアミン化合物は、５員環に
結合したフェニル基を含む構造を介してアミンを構成する構造を有していることから、ア
ミンに結合される他の複素環への共役の広がりを抑えることができる。そのため、発光層
がホスト材料とゲスト材料（発光材料）との組み合わせにより構成される場合に、比較的
短波長の発光材料に対するホスト材料としても用いることができる。また、本発明のトリ
アリールアミン化合物は蛍光性を有するため、発光層における発光性物質としても用いる
ことができる。したがって本発明は、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を
用いた発光素子も含むものとする。
すなわち、本発明の別の構成は、一対の電極間にＥＬ層を有する発光素子であって、Ｅ
Ｌ層に含まれる発光層、または正孔輸送層の少なくとも一に本発明の一態様であるトリア
リールアミン化合物を含むことを特徴とする。
また、本発明の一態様は、発光素子を有する発光装置だけでなく、発光装置を有する電
子機器および照明装置も範疇に含めるものである。従って、本明細書中における発光装置
とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、
発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕ
ｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしく
はＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、
ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子に
ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモ
ジュールも全て発光装置に含むものとする。
本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、バイポーラ性を示すことから、発
光素子のＥＬ層を構成する正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層に用いることが
できる。また、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を正孔注入層、正孔輸送
層、発光層、電子輸送層などに用いて発光素子を形成することにより、発光効率の高い発
光素子を形成することができる。また、このような発光素子を適用することで、消費電力
が少なく、駆動電圧の低い発光装置、電子機器、および照明装置を提供することができる
。
発光素子の構造について説明する図。 発光素子の構造について説明する図。 発光素子の構造について説明する図。 発光装置について説明する図。 発光装置について説明する図。 電子機器について説明する図。 照明器具について説明する図。 構造式（１００）に示すトリアリールアミン化合物の１Ｈ−ＮＭＲチャート。 構造式（１００）に示すトリアリールアミン化合物の紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトル。 構造式（１３５）に示すトリアリールアミン化合物の１Ｈ−ＮＭＲチャート。 構造式（１３５）に示すトリアリールアミン化合物の紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトル。 発光素子について説明する図。 発光素子１の電流密度−輝度特性を示す図。 発光素子１の電圧−輝度特性を示す図。 発光素子１の輝度−電流効率特性を示す図。 発光素子１の電圧−電流特性を示す図。 発光素子１の輝度−色度特性を示す図。 発光素子１の発光スペクトルを示す図。 発光素子１の信頼性を示す図。 発光素子２〜４の電流密度−輝度特性を示す図。 発光素子２〜４の電圧−輝度特性を示す図。 発光素子２〜４の輝度−電流効率特性を示す図。 発光素子２〜４の電圧−電流特性を示す図。 発光素子２〜４の発光スペクトルを示す図。 発光素子５の電流密度−輝度特性を示す図。 発光素子５の電圧−輝度特性を示す図。 発光素子５の輝度−電流効率特性を示す図。 発光素子５の電圧−電流特性を示す図。 発光素子５の発光スペクトルを示す図。 発光素子５の信頼性を示す図。
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下
の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細
を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内
容に限定して解釈されるものではない。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物について説明する
。
本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、下記一般式（Ｇ１）で表される。
一般式（Ｇ１）において、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置
換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α１〜α３は、
それぞれ独立して置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のい
ずれかを表し、ｍ、ｎは、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又
は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニ
ル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無
置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般
式（Ｇ１−２）で表されるアリール基のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置
換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置
換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換
のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベン
ゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキ
ル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
また、一般式（Ｇ１−２）において、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の
場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α４
〜α６は、それぞれ独立して置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニ
レン基のいずれかを表し、ｑは、０または１である。また、Ａｒ３は、置換又は無置換の
フェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又
は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカ
ルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフ
ラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基
、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
また、一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物は、有機ＥＬ素子の耐熱性
の観点から、分子量４３０以上が好ましい。また、蒸着膜で形成する場合、昇華性の観点
から分子量１０００以下が好ましい。より好ましくは分子量５００以上、８００以下であ
る。
従って、一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物は、Ｅ１が窒素原子の場
合、分子量の観点からＡｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチ
ル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又
は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換
のジベンゾフラニル基のいずれかである方が好ましい。
ここで、一般式（Ｇ１）または（Ｇ１−２）中、α１〜α６で示されるフェニレン基、
または、ビフェニレン基の具体例としては、下記構造式（ｓ−１）〜（ｓ−８）のいずれ
かが挙げられる。
式中、（ｓ−２）、（ｓ−３）、（ｓ−５）〜（ｓ−８）の様にメタ位やオルト位で結
合しているほうが、共役が伸びづらく、好ましい。（ｓ−１）や（ｓ−４）の様にパラ位
で結合しているほうが、キャリア輸送性が向上し、信頼性が良好となることが期待できる
ため、好ましい。
また、一般式（Ｇ１）中、Ａｒ１〜Ａｒ３の具体例としては、下記構造式（ｓ−１１）
〜（ｓ−２５）のいずれかが挙げられる。
式中、（ｓ−１１）〜（ｓ−２５）で示した置換基は、バンドギャップが広い置換基で
あるため、共役が大きくなりづらく、好ましい。（ｓ−１２）〜（ｓ−２５）の様に、２
環以上で構成された環をもつアリール基は、キャリア輸送性が良好であり、好ましい。（
ｓ−１９）〜（ｓ−２２）の様に、９位置換や３位置換のカルバゾリル基や２位置換のジ
ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基は、ホール輸送性が良好となり、好ましい。
また、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、下記一般式（Ｇ２）で表さ
れる。
一般式（Ｇ２）において、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置
換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α１は、置換又
は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｍ、ｎは
、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、
置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換の
フルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェ
ニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ２−２）で表され
るアリール基のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル基、置換又
は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェ
ニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換
又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれか
を表す。また、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換の
フェニル基のいずれかを表す。
また、一般式（Ｇ２−２）において、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の
場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α４
は、置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し
、ｑは、０または１である。また、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無
置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレ
ニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は
無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表
す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェ
ニル基のいずれかを表す。
ここで、一般式（Ｇ２）または一般式（Ｇ２−２）におけるα１、α４、Ａｒ１、Ａｒ
２、Ａｒ３の具体例としては、一般式（Ｇ１）と同様のものが挙げられる。
また、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、下記一般式（Ｇ３）で表さ
れる。
一般式（Ｇ３）において、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置
換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。ｍ、ｎは、それ
ぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又
は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオ
レニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基
、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ３−２）で表されるアリ
ール基のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置
換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニ
ル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無
置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す
。また、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニ
ル基のいずれかを表す。
また、一般式（Ｇ３−２）において、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の
場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。ｑは
、０または１である。また、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換の
ナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基
、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換
のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。ま
た、Ｒ５〜Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基
のいずれかを表す。
ここで、一般式（Ｇ３）または一般式（Ｇ３−２）におけるＡｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３の
具体例としては、一般式（Ｇ１）と同様のものが挙げられる。
なお、上記一般式（Ｇ１）〜（Ｇ３）で表されるトリアリールアミン化合物において、
置換基を有すると熱物性（Ｔｇ）を向上させるためには、好ましい。具体的には、メチル
基、エチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などの炭素数１〜６のアルキル基や、フェニル基等が
挙げられる。
次に、上述した本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物の具体的な構造式を示
す。（下記構造式（１００）〜（１１８）、（１３０）〜（１３６）。）ただし、本発明
はこれらに限定されることはない。
なお、上記構造式（１００）〜（１１８）、（１３０）〜（１３６）で表されるトリア
リールアミン化合物は、バイポーラ性に優れた新規物質である。具体的には、ベンズイミ
ダゾリル基またはベンズオキサゾリル基が電子輸送性に優れた骨格であり、トリアリール
アミン骨格がホール輸送性に優れた骨格である。
次に、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物の合成方法の一例として、一般
式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物の合成方法について説明する。
≪一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物の合成法≫
下記一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物の合成方法の一例について説
明する。
一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物は、以下に示す合成スキーム（Ａ
）に示される合成方法によって合成することができる。
式中、Ｘ１はハロゲンを表し、ヨウ素、臭素、塩素の順で反応性が良好となり、好まし
い。
スキーム（Ａ）に示すように、ジアリールアミン化合物（ａ１）と、ハロゲン化アリー
ル化合物（ａ２）とをカップリングさせることで、上記一般式（Ｇ１）で表されるトリア
リールアミン化合物が得られる。
また前記スキーム（Ａ）の反応は様々な反応条件があるが、その一例として、塩基存在
下にて金属触媒を用いた合成方法を適用することができる。
前記合成反応において、ハートウィッグ・ブッフバルト反応を用いる場合について示す
。金属触媒としてはパラジウム触媒を用いることができ、前記パラジウム触媒としてはパ
ラジウム錯体とその配位子の混合物を用いることができる。前記パラジウム錯体としては
、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）等が挙げ
られる。また前記配位子としては、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンや、トリ（ｎ−
ヘキシル）ホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィンや、１，１−ビス（ジフェニル
ホスフィノ）フェロセン（略称：ＤＰＰＦ）等が挙げられる。また、塩基として用いるこ
とができる物質としては、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリ
ウム等の無機塩基等を挙げることができる。また、前記反応は溶液中で行うことが好まし
く、用いることができる溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン等が挙げられる。
ただし、前記用いることができる触媒およびその配位子、塩基、溶媒はこれらに限られる
ものでは無い。また前記反応は窒素やアルゴンなど不活性雰囲気下で行うことが好ましい
。
また、一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物のＡｒ１が（Ｇ１−２）であ
るとき、一般式（Ｇ’）で表されるトリアリールアミン化合物は、以下に示す合成スキー
ム（Ｂ）に示される合成方法によって合成することができる。
式中、Ｘ１とＸ２はそれぞれ独立してハロゲンを表し、ヨウ素、臭素、塩素の順で反応
性が良好となり、好ましい。
スキーム（Ｂ）に示すように、ジアリールアミン化合物（ａ１）と、ジハロゲン化アリ
ール化合物（ａ３）と、ジアリールアミン化合物（ａ４）とをカップリングさせることで
、上記一般式（Ｇ１’）で表されるトリアリールアミン化合物が得られる。
また、前記スキーム（Ｂ）の反応は様々な反応条件があるが、その一例として、塩基存
在下にて金属触媒を用いた合成方法を適用することができる。
前記合成反応において、ハートウィッグ・ブッフバルト反応を用いる場合について示す
。金属触媒としてはパラジウム触媒を用いることができ、前記パラジウム触媒としてはパ
ラジウム錯体とその配位子の混合物を用いることができる。前記パラジウム錯体としては
、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）等が挙げ
られる。また前記配位子としては、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンや、トリ（ｎ−
ヘキシル）ホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィンや、１，１−ビス（ジフェニル
ホスフィノ）フェロセン（略称：ＤＰＰＦ）等が挙げられる。また、塩基として用いるこ
とができる物質としては、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリ
ウム等の無機塩基等を挙げることができる。また、前記反応は溶液中で行うことが好まし
く、用いることができる溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン等が挙げられる。
ただし、前記用いることができる触媒およびその配位子、塩基、溶媒はこれらに限られる
ものでは無い。また前記反応は窒素やアルゴンなど不活性雰囲気下で行うことが好ましい
。
また、このとき、化合物（ａ１）と化合物（ａ４）は同一である方が、合成が簡便とな
り、好ましい。
以上、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物の合成方法の一例について説明
したが、本発明はこれに限定されることはなく、他のどのような合成方法によって合成さ
れても良い。
上述した本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、バイポーラ性に優れてい
るため、発光素子におけるキャリア輸送性材料として利用できる。その他、発光素子にお
ける発光層のホスト材料としても用いることができる。
また、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を用いることで、発光効率が高
く、駆動電圧の上昇を最小限に抑えた発光素子を実現することができる。また、このよう
な発光素子を適用することで、消費電力が低い発光装置、電子機器、または照明装置を実
現することができる。
さらに、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、有機薄膜太陽電池に用い
ることもできる。具体的には、有機薄膜太陽電池のキャリア輸送層、キャリア注入層に用
いることができる。また、アクセプター性物質との混合により、電荷発生層に用いること
ができる。また、光励起するため、発電層として用いることができる。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いるこ
とができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様として実施の形態１で示したトリアリールアミン化
合物を正孔輸送層に用いた発光素子について図１を用いて説明する。
本実施の形態に示す発光素子は、図１に示すように一対の電極（第１の電極（陽極）１
０１と第２の電極（陰極）１０３）間に発光層１１３を含むＥＬ層１０２が挟まれており
、ＥＬ層１０２は、発光層１１３の他に、正孔（または、ホール）注入層１１１、正孔（
または、ホール）輸送層１１２、電子輸送層１１４、電子注入層１１５、電荷発生層（Ｅ
）１１６などを含んで形成される。
このような発光素子に対して電圧を印加することにより、第１の電極１０１側から注入
された正孔と第２の電極１０３側から注入された電子とが、発光層１１３において再結合
し、発光層１１３に含まれる物質を励起状態にする。そして、励起状態の物質が基底状態
に戻る際に発光する。
なお、ＥＬ層１０２における正孔注入層１１１は、正孔輸送性の高い物質とアクセプタ
ー性物質を含む層であり、アクセプター性物質によって正孔輸送性の高い物質から電子が
引き抜かれることにより正孔（ホール）が発生する。従って、正孔注入層１１１から正孔
輸送層１１２を介して発光層１１３に正孔が注入される。
また、電荷発生層（Ｅ）１１６は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む
層である。アクセプター性物質によって正孔輸送性の高い物質から電子が引き抜かれるた
め、引き抜かれた電子が、電子注入性を有する電子注入層１１５から電子輸送層１１４を
介して発光層１１３に注入される。
以下に本実施の形態に示す発光素子を作製する上での具体例について説明する。
第１の電極（陽極）１０１および第２の電極（陰極）１０３には、金属、合金、電気伝
導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、酸化インジ
ウム−酸化スズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有し
た酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏ
ｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、金（Ａｕ）、白
金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍ
ｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ
）の他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセ
シウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、
ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、Ａ
ｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれら
を含む合金、その他グラフェン等を用いることができる。なお、第１の電極（陽極）１０
１および第２の電極（陰極）１０３は、例えばスパッタリング法や蒸着法（真空蒸着法を
含む）等により形成することができる。
正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、および電荷発生層（Ｅ）１１６に用いる正孔輸
送性の高い物質として、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル
アミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフ
ェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略
称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミ
ン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフ
ェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェ
ニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−
ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフ
ェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバ
ゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚ
ＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニ
ルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナ
フチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバ
ゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等が挙げられる。その他、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾ
リル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フ
ェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニ
ル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）等のカルバゾール化合物、等を
用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度
を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外の
ものを用いてもよい。
さらに、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフ
ェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニ
ルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］
（略称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス
（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いること
もできる。
なお、正孔輸送性の高い物質としては、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合
物を用いることもできる。
また、正孔注入層１１１および電荷発生層（Ｅ）１１６に用いるアクセプター性物質と
しては、遷移金属酸化物や元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を
挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。
特に、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物はバイポーラ性であり、これら
アクセプター性物質との混合物として正孔注入層１１１および電荷発生層（Ｅ）１１６に
好適に用いることができる。他には、電子輸送骨格と正孔輸送骨格とが化合して成るバイ
ポーラ性の有機化合物も、これらアクセプター性物質との混合物として用いることができ
る。
発光層１１３は、発光性の物質を含む層である。発光層１１３は、発光物質のみで構成
されていても、ホスト材料中に発光中心物質が分散された状態で構成されていても良い。
発光層１１３において、発光物質、および発光中心物質として用いることが可能な材料
には、特に限定は無く、これらの物質が発する光は、蛍光であっても燐光であっても良い
。なお、上記発光物質および発光中心物質としては、例えば、以下のようなものが挙げら
れる。
蛍光を発する物質としては、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）
フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ
）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル
）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−
４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡ
ＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニ
ル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，
１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９
−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニル
アミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９
，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４
−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９
，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（
略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニ
ル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰ
ＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジ
ベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、ク
マリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９
Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１
’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾ
ール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アン
トリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰ
ＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル
］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰ
ｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カル
バゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２Ｙ
ＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡ
ＰｈＡ）クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン、（略称：ＤＰＱｄ）、
ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニル
テトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エ
テニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣ
Ｍ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−
ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロ
パンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェ
ニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］
フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロ
ピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１
Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリ
デン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［
２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベ
ンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパ
ンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ
）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：Ｂ
ｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチ
ル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル
）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪ
ＴＭ）などが挙げられる。
なお、蛍光を発する物質としては、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を
用いることもできる。
燐光を発する物質としては、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニ
ル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３
ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−
Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、ト
リス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビ
ス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ
（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）
テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、ビス（ベンゾ［ｈ］
キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａ
ｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウ
ム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２
−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチル
アセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベ
ンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ
（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジ
ナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）
２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩ
Ｉ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセト
ナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩ
Ｉ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３
，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａ
ｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ
−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、トリス（１，３−ジフェニル−１，
３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ
（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオ
ロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ
）３（Ｐｈｅｎ））などが挙げられる。
また、上記ホスト材料に用いることが可能な材料としては、特に限定はないが、例えば
、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−
メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０
−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス
（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）
（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［
２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス
［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの
金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３
，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル
フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）
、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−
１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼ
ントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、
バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、９−
［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−
カルバゾール（略称：ＣＯ１１）などの複素環化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフ
チル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’
−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４
，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフル
オレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族
アミン化合物が挙げられる。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン
誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物
が挙げられ、具体的には、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、
Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ
−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アン
トリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イ
ル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰ
Ａ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］
−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛
４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾ
ール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−（９，１０−ジフ
ェニル−２−アントリル）−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、
６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，
Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１
０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、９−［４−（１０−フェニル−９−アント
リル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−
［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：Ｄ
ＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：Ｄ
ＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ
−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，
９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）
ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジ
フェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−ト
リイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）などを挙げることができる。これら及び公知の物
質の中から、上記発光中心物質のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップを有
する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。また、発光中心物質が燐光を発
する物質である場合、ホスト材料としては、発光中心物質の三重項励起エネルギー（基底
状態と三重項励起状態とのエネルギー差）よりも三重項励起エネルギーの大きい物質を選
択すれば良い。
なお、上記ホスト材料に用いることが可能な材料としては、本発明の一態様であるトリ
アリールアミン化合物を用いることもできる。発明の一態様であるトリアリールアミン化
合物はＳ１準位が高いため、蛍光を発する物質用のホスト材料としては、可視域の発光領
域で用いることができる。発明の一態様であるトリアリールアミン化合物はＴ１準位が高
いため、燐光を発する物質に対するホスト材料として用いる場合は、緑色より長波長の発
光領域で用いることができる。
なお、発光層１１３は２層以上が積層された構成としてもよい。例えば、第１の発光層
と第２の発光層を正孔輸送層側から順に積層して発光層１１３とする場合、第１の発光層
のホスト材料として正孔輸送性を有する物質を用い、第２の発光層のホスト材料として電
子輸送性を有する物質を用いる構成などがある。
電子輸送層１１４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層１１４には、
Ａｌｑ３、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）
、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、
ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）２、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト
］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などの金属錯体を用いることができる。また、２−（
４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジア
ゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，
３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリ
アゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチル
フェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴ
ＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ
）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：Ｂ
ｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポリ（２，５−ピリジン
−ジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル
）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジ
オクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジ
イル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述
べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正
孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても
よい。
また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層した
ものとしてもよい。
電子注入層１１５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層１１５には、
フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）
、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれ
らの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）のような希土類
金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層１１４を構成する物質を用
いることもできる。
あるいは、電子注入層１１５に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる
複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子
が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物とし
ては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述
した電子輸送層１１４を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることが
できる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具
体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウ
ム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、ア
ルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物）、カルシウム
酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を
用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用
いることもできる。
なお、上述した正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１
４、電子注入層１１５、電荷発生層（Ｅ）１１６は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含
む）、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
上述した発光素子は、第１の電極１０１および第２の電極１０３との間に生じた電位差
により電流が流れ、ＥＬ層１０２において正孔と電子とが再結合することにより発光する
。そして、この発光は、第１の電極１０１および第２の電極１０３のいずれか一方または
両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極１０１および第２の電極１０３の
いずれか一方、または両方が透光性を有する電極となる。
以上により説明した発光素子は、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を正
孔輸送層に適用して形成されることから、発光素子の素子効率の向上だけでなく、駆動電
圧の上昇を最小限に抑えることができる。
また、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、正孔輸送層だけでなく、他
の層（正孔注入層や発光層、電子輸送層など）にも用いることができるため、複数の層に
おいて共通の材料を用いることが可能となる。そのため、材料の合成コストや発光素子の
製造コストを抑えることができ、好ましい。
なお、本実施の形態で示した発光素子は、本発明の一態様であるトリアリールアミン化
合物を適用して作製される発光素子の一例である。また、上記の素子構造を備えた発光装
置の構成としては、パッシブマトリクス型の発光装置やアクティブマトリクス型の発光装
置が挙げられ、さらに素子構造の一部を改良することによりマイクロキャビティー構造の
発光装置に適用することもできる。これらの発光装置は、いずれも本発明に含まれるもの
とする。なお、これらの発光装置においては、消費電力を低減させることができる。
なお、アクティブマトリクス型の発光装置の場合において、ＴＦＴの構造は、特に限定
されない。例えば、スタガ型や逆スタガ型のＴＦＴを適宜用いることができる。また、Ｔ
ＦＴ基板に形成される駆動用回路についても、Ｎ型およびＰ型のＴＦＴからなるものでも
よいし、Ｎ型のＴＦＴまたはＰ型のＴＦＴのいずれか一方のみからなるものであってもよ
い。さらに、ＴＦＴに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定されない。例えば
、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜、その他、酸化物半導体膜等を用いることができる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用い
ることができるものとする。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様として、燐光性化合物と他の２種類以上の有機化
合物を発光層に用いた発光素子について説明する。
本実施の形態に示す発光素子は、図２に示すように一対の電極（陽極２０１及び陰極２
０２）間にＥＬ層２０３を有する構造である。なお、ＥＬ層２０３には、少なくとも発光
層２０４を有し、その他、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生
層（Ｅ）などが含まれていても良い。なお、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子
注入層、電荷発生層（Ｅ）には、実施の形態２に示した物質を用いることができる。
本実施の形態に示す発光層２０４には、燐光性化合物２０５、第１の有機化合物２０６
、および第２の有機化合物２０７が含まれている。実施の形態１に示したトリアリールア
ミン化合物は、第１の有機化合物２０６、または第２の有機化合物２０７として用いるこ
とができる。なお、燐光性化合物２０５は、発光層２０４におけるゲスト材料である。ま
た、第１の有機化合物２０６、および第２の有機化合物２０７のうち発光層２０４に含ま
れる割合の多い方を発光層２０４におけるホスト材料とする。
発光層２０４において、上記ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることによ
り、発光層の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる
濃度消光を抑制し、発光素子の発光効率を高くすることができる。
なお、第１の有機化合物２０６及び第２の有機化合物２０７のそれぞれの三重項励起エ
ネルギーの準位（Ｔ１準位）は、燐光性化合物２０５のＴ１準位よりも高いことが好まし
い。第１の有機化合物２０６（又は第２の有機化合物２０７）のＴ１準位が燐光性化合物
２０５のＴ１準位よりも低いと、発光に寄与する燐光性化合物２０５の三重項励起エネル
ギーを第１の有機化合物２０６（又は第２の有機化合物２０７）が消光（クエンチ）して
しまい、発光効率の低下を招くためである。
ここで、ホスト材料からゲスト材料へのエネルギー移動効率を高めるため、分子間のエ
ネルギー移動機構として知られているフェルスター機構（双極子−双極子相互作用）およ
びデクスター機構（電子交換相互作用）を考慮した上で、ホスト材料の発光スペクトル（
一重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光スペクトル、三重項励起状態か
らのエネルギー移動を論じる場合は燐光スペクトル）とゲスト材料の吸収スペクトル（よ
り詳細には、最も長波長（低エネルギー）側の吸収帯におけるスペクトル）との重なりが
大きくなることが好ましい。しかしながら通常、ホスト材料の蛍光スペクトルを、ゲスト
材料の最も長波長（低エネルギー）側の吸収帯における吸収スペクトルと重ねることは困
難である。なぜならば、そのようにしてしまうと、ホスト材料の燐光スペクトルは蛍光ス
ペクトルよりも長波長（低エネルギー）側に位置するため、ホスト材料のＴ１準位が燐光
性化合物のＴ１準位を下回ってしまい、上述したクエンチの問題が生じてしまうからであ
る。一方、クエンチの問題を回避するため、ホスト材料のＴ１準位が燐光性化合物のＴ１
準位を上回るように設計すると、今度はホスト材料の蛍光スペクトルが短波長（高エネル
ギー）側にシフトするため、その蛍光スペクトルはゲスト材料の最も長波長（低エネルギ
ー）側の吸収帯における吸収スペクトルと重ならなくなる。したがって、ホスト材料の蛍
光スペクトルをゲスト材料の最も長波長（低エネルギー）側の吸収帯における吸収スペク
トルと重ね、ホスト材料の一重項励起状態からのエネルギー移動を最大限に高めることは
、通常困難である。
そこで本実施形態においては、第１の有機化合物および第２の有機化合物は、励起錯体
（エキサイプレックスとも言う）を形成する組み合わせであることが好ましい。この場合
、発光層２０４におけるキャリア（電子及びホール）の再結合の際に第１の有機化合物２
０６と第２の有機化合物２０７は、励起錯体を形成する。これにより、発光層２０４にお
いて、第１の有機化合物２０６の蛍光スペクトルおよび第２の有機化合物２０７の蛍光ス
ペクトルは、より長波長側に位置する励起錯体の発光スペクトルに変換される。そして、
励起錯体の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルとの重なりが大きくなるように
、第１の有機化合物と第２の有機化合物を選択すれば、一重項励起状態からのエネルギー
移動を最大限に高めることができる。なお、三重項励起状態に関しても、ホスト材料では
なく励起錯体からのエネルギー移動が生じると考えられる。
燐光性化合物２０５としては、燐光性の有機金属錯体を用いることが好ましい。また、
第１の有機化合物２０６及び第２の有機化合物２０７としては、励起錯体を生じる組み合
わせであればよいが、電子を受け取りやすい化合物（電子トラップ性化合物）と、ホール
を受け取りやすい化合物（正孔トラップ性化合物）とを組み合わせることが好ましい。
燐光性の有機金属錯体としては、例えば、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロ
メチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：
Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）
ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａ
ｃａｃ）、トリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐ
ｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート
（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナ
ントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、ビス（
ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂ
ｚｑ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２
’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ）
）、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩ
Ｉ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２
−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート
（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエ
ニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉ
ｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリ
ジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（ア
セチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリ
ジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）
ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐ
ｐｒ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２
１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、トリス（１，３−ジフ
ェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）
（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３
−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：
Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））などが挙げられる。
電子を受け取りやすい化合物としては、例えば、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４
−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ
）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベ
ンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾ
チオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴ
ＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び、６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベ
ンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）が挙げられる。
ホールを受け取りやすい化合物としては、本発明の一態様であるトリアリールアミン化
合物を用いることができる。その他にも、例えば、４−フェニル−４’−（９−フェニル
−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、３−
［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−
フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（１
−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’−ＴＮＡＴＡ）、
２，７−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−スピロ
−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニルカル
バゾール−３−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（略称：ＰＣ
Ａ２Ｂ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−２−Ｎ’，Ｎ’−ジフェニルアミノ−９Ｈ−フルオ
レン−７−イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリフェニ
ル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）ベンゼン−１，
３，５−トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３
−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）
、２−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９
’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（カルバゾール−９−イ
ル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジアミ
ン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）、４，４−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェ
ニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ−（９，９−ジメチル
−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−｛９，９−ジメチル−２−［Ｎ’−フェニル−Ｎ
’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミノ］−９Ｈ−フルオレン−
７−イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバ
ゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚ
ＰＣＡ１）、３−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９
−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニ
ルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚ
ＤＰＡ２）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェ
ニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、３，
６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ］−９
−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニル
カルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：
ＰＣｚＰＣＡ２）が挙げられる。
上述した第１の有機化合物２０６及び第２の有機化合物２０７は、これらに限定される
ことなく、励起錯体を形成できる組み合わせであり、励起錯体の発光スペクトルが、燐光
性化合物２０５の吸収スペクトルと重なり、励起錯体の発光スペクトルのピークが、燐光
性化合物２０５の吸収スペクトルのピークよりも長波長であればよい。
なお、電子を受け取りやすい化合物とホールを受け取りやすい化合物で第１の有機化合
物２０６と第２の有機化合物２０７を構成する場合、その混合比によってキャリアバラン
スを制御することができる。具体的には、第１の有機化合物：第２の有機化合物＝１：９
〜９：１の範囲が好ましい。
本実施の形態で示した発光素子は、励起錯体の発光スペクトルと燐光性化合物の吸収ス
ペクトルとの重なりを利用したエネルギー移動により、エネルギー移動効率を高めること
ができるため、外部量子効率の高い発光素子を実現することができる。
なお、本発明に含まれる別の構成として、燐光性化合物２０５（ゲスト材料）の他の２
種類の有機化合物として、正孔トラップ性のホスト分子、および電子トラップ性のホスト
分子を用いて発光層２０４を形成し、２種類のホスト分子中に存在するゲスト分子に正孔
と電子を導いて、ゲスト分子を励起状態とする現象（すなわち、Ｇｕｅｓｔ Ｃｏｕｐｌ
ｅｄ ｗｉｔｈ Ｃｏｍｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｈｏｓｔｓ：ＧＣＣＨ）が得られるように
発光層２０４を形成する構成も可能である。
この時、正孔トラップ性のホスト分子、および電子トラップ性のホスト分子としては、
それぞれ、上述した正孔を受け取りやすい化合物、および電子を受け取りやすい化合物を
用いることができる。
なお、本実施の形態で示した発光素子は、本発明の一態様であるトリアリールアミン化
合物を適用して作製される発光素子の一例である。また、上記の素子構造を備えた発光装
置の構成としては、パッシブマトリクス型の発光装置やアクティブマトリクス型の発光装
置が挙げられ、さらに素子構造の一部を改良することによりマイクロキャビティー構造の
発光装置に適用することもできる。これらの発光装置は、いずれも本発明に含まれるもの
とする。
なお、アクティブマトリクス型の発光装置の場合において、ＴＦＴの構造は、特に限定
されない。例えば、スタガ型や逆スタガ型のＴＦＴを適宜用いることができる。また、Ｔ
ＦＴ基板に形成される駆動用回路についても、Ｎ型およびＰ型のＴＦＴからなるものでも
よいし、Ｎ型のＴＦＴまたはＰ型のＴＦＴのいずれか一方のみからなるものであってもよ
い。さらに、ＴＦＴに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定されない。例えば
、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜、その他、酸化物半導体膜等を用いることができる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用い
ることができるものとする。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様として、電荷発生層を挟んでＥＬ層を複数有する構
造の発光素子（以下、タンデム型発光素子という）について説明する。
本実施の形態に示す発光素子は、図３（Ａ）に示すように一対の電極（第１の電極３０
１および第２の電極３０４）間に、複数のＥＬ層（第１のＥＬ層３０２（１）、第２のＥ
Ｌ層３０２（２））を有するタンデム型発光素子である。
本実施の形態において、第１の電極３０１は、陽極として機能する電極であり、第２の
電極３０４は陰極として機能する電極である。なお、第１の電極３０１および第２の電極
３０４は、実施の形態２と同様な構成を用いることができる。また、複数のＥＬ層（第１
のＥＬ層３０２（１）、第２のＥＬ層３０２（２））は、実施の形態２または実施の形態
３で示したＥＬ層と同様な構成であっても良いが、いずれかが同様の構成であっても良い
。すなわち、第１のＥＬ層３０２（１）と第２のＥＬ層３０２（２）は、同じ構成であっ
ても異なる構成であってもよく、その構成は実施の形態２または実施の形態３と同様なも
のを適用することができる。
また、複数のＥＬ層（第１のＥＬ層３０２（１）、第２のＥＬ層３０２（２））の間に
は、電荷発生層（Ｉ）３０５が設けられている。電荷発生層（Ｉ）３０５は、第１の電極
３０１と第２の電極３０４に電圧を印加したときに、一方のＥＬ層に電子を注入し、他方
のＥＬ層に正孔を注入する機能を有する。本実施の形態の場合には、第１の電極３０１に
第２の電極３０４よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層（Ｉ）３０
５から第１のＥＬ層３０２（１）に電子が注入され、第２のＥＬ層３０２（２）に正孔が
注入される。
なお、電荷発生層（Ｉ）３０５は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透光性
を有する（具体的には、電荷発生層（Ｉ）３０５に対する可視光の透過率が、４０％以上
）ことが好ましい。また、電荷発生層（Ｉ）３０５は、第１の電極３０１や第２の電極３
０４よりも低い導電率であっても機能する。
電荷発生層（Ｉ）３０５は、正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体（アクセプター
）が添加された構成であっても、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体（ドナー）が
添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。
正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体が添加された構成とする場合において、正孔
輸送性の高い有機化合物としては、例えば、ＮＰＢやＴＰＤ、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ
、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニル
アミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができ
る。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であ
る。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いて
も構わない。なお、本発明の一態様であるカルバゾール化合物を電荷発生層（Ｉ）３０５
における正孔輸送性の高い有機化合物として用いることもできる。
また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラ
フルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。
また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族
に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ
、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化
レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安
定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
一方、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体が添加された構成とする場合において
、電子輸送性の高い有機化合物としては、例えば、Ａｌｑ、Ａｌｍｑ３、ＢｅＢｑ２、Ｂ
Ａｌｑなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることが
できる。また、この他、Ｚｎ（ＢＯＸ）２、Ｚｎ（ＢＴＺ）２などのオキサゾール系、チ
アゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外に
も、ＰＢＤやＯＸＤ−７、ＴＡＺ、Ｂｐｈｅｎ、ＢＣＰなども用いることができる。ここ
に述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお
、正孔よりも電子の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わな
い。
また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属ま
たは元素周期表における第２族、第１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用い
ることができる。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍ
ｇ）、カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウ
ム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有
機化合物を電子供与体として用いてもよい。
なお、上述した材料を用いて電荷発生層（Ｉ）３０５を形成することにより、ＥＬ層が
積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
本実施の形態では、ＥＬ層を２層有する発光素子について説明したが、図３（Ｂ）に示
すように、ｎ層（ただし、ｎは、３以上）のＥＬ層（３０２（１）〜３０２（ｎ））を積
層し、これらのＥＬ層（３０２（１）〜３０２（ｎ））の間にそれぞれ電荷発生層（Ｉ）
（３０５（１）〜３０５（ｎ−１））を配置した発光素子についても、同様に適用するこ
とが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数のＥＬ層を
有する場合、ＥＬ層とＥＬ層との間に電荷発生層（Ｉ）を配置することで、電流密度を低
く保ったまま、高輝度領域での発光が可能であり、電流密度を低く保つことができる。従
って、長寿命な発光素子を実現することができる。また、照明を応用例とした場合は、電
極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。ま
た、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。
また、それぞれのＥＬ層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所
望の色の発光を得ることができる。例えば、２つのＥＬ層を有する発光素子において、第
１のＥＬ層の発光色と第２のＥＬ層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光
素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合す
ると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から
得られた光と混合することにより、白色発光を得ることができる。
また、３つのＥＬ層を有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第１のＥＬ層の
発光色が赤色であり、第２のＥＬ層の発光色が緑色であり、第３のＥＬ層の発光色が青色
である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用
いることができる。
（実施の形態５）
本実施の形態に示す発光装置は、一対の電極間での光の共振効果を利用した微小光共振
器（マイクロキャビティー）構造を有しており、図４に示す様に一対の電極（反射電極４
０１及び半透過・半反射電極４０２）間に少なくともＥＬ層４０５を有する構造である発
光素子を複数、有している。また、ＥＬ層４０５は、少なくとも発光領域となる発光層４
０４を有し、その他、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層（
Ｅ）などが含まれていても良い。なお、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物
は、ＥＬ層４０５に含まれる正孔注入層、正孔輸送層、発光層４０４、または電子輸送層
に用いることができる。
本実施の形態では、図４に示すように構造の異なる発光素子（第１の発光素子（Ｒ）４
１０Ｒ、第２の発光素子（Ｇ）４１０Ｇ、第３の発光素子（Ｂ）４１０Ｂ）を有して構成
される発光装置について説明する。
第１の発光素子（Ｒ）４１０Ｒは、反射電極４０１上に第１の透明導電層４０３ａと、
第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂ、第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇ、第３の発光層（Ｒ）４０４
Ｒを一部に含むＥＬ層４０５と、半透過・半反射電極４０２とが順次積層された構造を有
する。また、第２の発光素子（Ｇ）４１０Ｇは、反射電極４０１上に第２の透明導電層４
０３ｂと、ＥＬ層４０５と、半透過・半反射電極４０２とが順次積層された構造を有する
。また、第３の発光素子（Ｂ）４１０Ｂは、反射電極４０１上にＥＬ層４０５と、半透過
・半反射電極４０２とが順次積層された構造を有する。
なお、上記発光素子（第１の発光素子（Ｒ）４１０Ｒ、第２の発光素子（Ｇ）４１０Ｇ
、第３の発光素子（Ｂ）４１０Ｂ）において、反射電極４０１、ＥＬ層４０５、半透過・
半反射電極４０２は共通である。また、第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂでは、４２０ｎｍ以
上４８０ｎｍ以下の波長領域にピークをもつ光（λＢ）を発光させ、第２の発光層（Ｇ）
４０４Ｇでは、５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光（λＧ）を発
光させ、第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒでは、６００ｎｍ以上７６０ｎｍ以下の波長領域に
ピークを持つ光（λＲ）を発光させる。これにより、いずれの発光素子（第１の発光素子
（Ｒ）４１０Ｒ、第２の発光素子（Ｇ）４１０Ｇ、第３の発光素子（Ｂ）４１０Ｂ）でも
、第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂ、第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇ、および第３の発光層（Ｒ
）４０４Ｒからの発光が重ね合わされた、すなわち可視光領域に渡るブロードな光を発光
させることができる。なお、上記より、波長の長さは、λＢ＜λＧ＜λＲなる関係である
とする。
本実施の形態に示す各発光素子は、それぞれ反射電極４０１と半透過・半反射電極４０
２との間にＥＬ層４０５を挟んでなる構造を有しており、ＥＬ層４０５に含まれる各発光
層から全方向に射出される発光は、微小光共振器（マイクロキャビティー）としての機能
を有する反射電極４０１と半透過・半反射電極４０２とによって共振される。なお、反射
電極４０１は、反射性を有する導電性材料により形成され、その膜に対する可視光の反射
率が４０％〜１００％、好ましくは７０％〜１００％であり、かつその抵抗率が１×１０
−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。また、半透過・半反射電極４０２は、反射性を有する
導電性材料と光透過性を有する導電性材料とにより形成され、その膜に対する可視光の反
射率が２０％〜８０％、好ましくは４０％〜７０％であり、かつその抵抗率が１×１０−
２Ωｃｍ以下の膜であるとする。
また、本実施の形態では、各発光素子で、第１の発光素子（Ｒ）４１０Ｒと第２の発光
素子（Ｇ）４１０Ｇにそれぞれ設けられた透明導電層（第１の透明導電層４０３ａ、第２
の透明導電層４０３ｂ）の厚みを変えることにより、発光素子毎に反射電極４０１と半透
過・半反射電極４０２の間の光学距離を変えている。つまり、各発光素子の各発光層から
発光するブロードな光は、反射電極４０１と半透過・半反射電極４０２との間において、
共振する波長の光を強め、共振しない波長の光を減衰させることができるため、素子毎に
反射電極４０１と半透過・半反射電極４０２の間の光学距離を変えることにより、異なる
波長の光を取り出すことができる。
なお、光学距離（光路長ともいう）とは、実際の距離に屈折率をかけたものであり、本
実施の形態においては、実膜厚にｎ（屈折率）をかけたものを表している。すなわち、「
光学距離＝実膜厚×ｎ」である。
また、第１の発光素子（Ｒ）４１０Ｒでは、反射電極４０１から半透過・半反射電極４
０２までの総厚をｍλＲ／２（ただし、ｍは自然数）、第２の発光素子（Ｇ）４１０Ｇで
は、反射電極４０１から半透過・半反射電極４０２までの総厚をｍλＧ／２（ただし、ｍ
は自然数）、第３の発光素子（Ｂ）４１０Ｂでは、反射電極４０１から半透過・半反射電
極４０２までの総厚をｍλＢ／２（ただし、ｍは自然数）としている。
以上より、第１の発光素子（Ｒ）４１０Ｒからは、主としてＥＬ層４０５に含まれる第
３の発光層（Ｒ）４０４Ｒで発光した光（λＲ）が取り出され、第２の発光素子（Ｇ）４
１０Ｇからは、主としてＥＬ層４０５に含まれる第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇで発光した
光（λＧ）が取り出され、第３の発光素子（Ｂ）４１０Ｂからは、主としてＥＬ層４０５
に含まれる第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂで発光した光（λＢ）が取り出される。なお、各
発光素子から取り出される光は、半透過・半反射電極４０２側からそれぞれ射出される。
また、上記構成において、反射電極４０１から半透過・半反射電極４０２までの総厚は
、厳密には反射電極４０１における反射領域から半透過・半反射電極４０２における反射
領域までの総厚ということができる。しかし、反射電極４０１や半透過・半反射電極４０
２における反射領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極４０１と半
透過・半反射電極４０２の任意の位置を反射領域と仮定することで充分に上述の効果を得
ることができるものとする。
次に、第１の発光素子（Ｒ）４１０Ｒにおいて、反射電極４０１から第３の発光層（Ｒ
）４０４Ｒへの光学距離を所望の膜厚（（２ｍ’＋１）λＲ／４（ただし、ｍ’は自然数
））に調節することにより、第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒからの発光を増幅させることが
できる。第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒからの発光のうち、反射電極４０１によって反射さ
れて戻ってきた光（第１の反射光）は、第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒから半透過・半反射
電極４０２に直接入射する光（第１の入射光）と干渉を起こすため、反射電極４０１から
第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒへの光学距離を所望の値（（２ｍ’＋１）λＲ／４（ただし
、ｍ’は自然数））に調節して設けることにより、第１の反射光と第１の入射光との位相
を合わせ、第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒからの発光を増幅させることができる。
なお、反射電極４０１と第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒとの光学距離とは、厳密には反射
電極４０１における反射領域と第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒにおける発光領域との光学距
離ということができる。しかし、反射電極４０１における反射領域や第３の発光層（Ｒ）
４０４Ｒにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極４０
１の任意の位置を反射領域、第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒの任意の位置を発光領域と仮定
することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
次に、第２の発光素子（Ｇ）４１０Ｇにおいて、反射電極４０１から第２の発光層（Ｇ
）４０４Ｇへの光学距離を所望の膜厚（（２ｍ’’＋１）λＧ／４（ただし、ｍ’’は自
然数））に調節することにより、第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇからの発光を増幅させるこ
とができる。第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇからの発光のうち、反射電極４０１によって反
射されて戻ってきた光（第２の反射光）は、第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇから半透過・半
反射電極４０２に直接入射する光（第２の入射光）と干渉を起こすため、反射電極４０１
から第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇへの光学距離を所望の値（（２ｍ’’＋１）λＧ／４（
ただし、ｍ’’は自然数））に調節して設けることにより、第２の反射光と第２の入射光
との位相を合わせ、第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇからの発光を増幅させることができる。
なお、反射電極４０１と第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇとの光学距離とは、厳密には反射
電極４０１における反射領域と第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇにおける発光領域との光学距
離ということができる。しかし、反射電極４０１における反射領域や第２の発光層（Ｇ）
４０４Ｇにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極４０
１の任意の位置を反射領域、第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇの任意の位置を発光領域と仮定
することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
次に、第３の発光素子（Ｂ）４１０Ｂにおいて、反射電極４０１から第１の発光層（Ｂ
）４０４Ｂへの光学距離を所望の膜厚（（２ｍ’’’＋１）λＢ／４（ただし、ｍ’’’
は自然数））に調節することにより、第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂからの発光を増幅させ
ることができる。第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂからの発光のうち、反射電極４０１によっ
て反射されて戻ってきた光（第３の反射光）は、第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂから半透過
・半反射電極４０２に直接入射する光（第３の入射光）と干渉を起こすため、反射電極４
０１から第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂへの光学距離を所望の値（（２ｍ’’’＋１）λＢ
／４（ただし、ｍ’’’は自然数））に調節して設けることにより、第３の反射光と第３
の入射光との位相を合わせ、第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂからの発光を増幅させることが
できる。
なお、第３の発光素子において、反射電極４０１と第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂとの光
学距離とは、厳密には反射電極４０１における反射領域と第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂに
おける発光領域との光学距離ということができる。しかし、反射電極４０１における反射
領域や第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難
であるため、反射電極４０１の任意の位置を反射領域、第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂの任
意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
なお、上記構成において、いずれの発光素子もＥＬ層に複数の発光層を有する構造を有
しているが、本発明はこれに限られることはなく、例えば、実施の形態４で説明したタン
デム型発光素子の構成と組み合わせて、一つの発光素子に電荷発生層を挟んで複数のＥＬ
層を設け、それぞれのＥＬ層に単数もしくは複数の発光層を形成する構成としてもよい。
本実施の形態で示した発光装置は、マイクロキャビティー構造を有しており、同じＥＬ
層を有していても発光素子ごとに異なる波長の光を取り出すことができるためＲＧＢの塗
り分けが不要となる。従って、高精細化を実現することが容易であるなどの理由からフル
カラー化を実現する上で有利である。また、特定波長の正面方向の発光強度を強めること
が可能となるため、低消費電力化を図ることができる。この構成は、３色以上の画素を用
いたカラーディスプレイ（画像表示装置）に適用する場合に、特に有用であるが、照明な
どの用途に用いても良い。
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を発光層に用いた
発光素子を有する発光装置について説明する。
また、上記発光装置は、パッシブマトリクス型の発光装置でもアクティブマトリクス型
の発光装置でもよい。なお、本実施の形態に示す発光装置には、他の実施形態で説明した
発光素子を適用することが可能である。
本実施の形態では、アクティブマトリクス型の発光装置について図５を用いて説明する
。
なお、図５（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）を鎖線Ａ−
Ａ’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は
、素子基板５０１上に設けられた画素部５０２と、駆動回路部（ソース線駆動回路）５０
３と、駆動回路部（ゲート線駆動回路）５０４ａ、５０４ｂと、を有する。画素部５０２
、駆動回路部５０３、及び駆動回路部５０４ａ、５０４ｂは、シール材５０５によって、
素子基板５０１と封止基板５０６との間に封止されている。
また、素子基板５０１上には、駆動回路部５０３、及び駆動回路部５０４ａ、５０４ｂ
に外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信
号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線５０７が設けられる
。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）５０８を設
ける例を示している。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプ
リント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には
、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含む
ものとする。
次に、断面構造について図５（Ｂ）を用いて説明する。素子基板５０１上には駆動回路
部及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース線駆動回路である駆動回路部５０３
と、画素部５０２が示されている。
駆動回路部５０３はｎチャネル型ＴＦＴ５０９とｐチャネル型ＴＦＴ５１０とを組み合
わせたＣＭＯＳ回路が形成される例を示している。なお、駆動回路部を形成する回路は、
種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実
施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必
要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。
また、画素部５０２はスイッチング用ＴＦＴ５１１と、電流制御用ＴＦＴ５１２と電流
制御用ＴＦＴ５１２の配線（ソース電極又はドレイン電極）に電気的に接続された第１の
電極（陽極）５１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極（陽極）５
１３の端部を覆って絶縁物５１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル
樹脂を用いることにより形成する。
また、上層に積層形成される膜の被覆性を良好なものとするため、絶縁物５１４の上端
部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁
物５１４の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を用いた場合、絶縁物５１４の上端部
に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁
物５１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光に
よってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができ、有機化合物に
限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸窒化シリコン等、の両者を使用することが
できる。
第１の電極（陽極）５１３上には、ＥＬ層５１５及び第２の電極（陰極）５１６が積層
形成されている。ＥＬ層５１５は、少なくとも発光層が設けられている。また、ＥＬ層５
１５には、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層
等を適宜設けることができる。なお、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は
、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、または電子輸送層に適用することができる。
なお、第１の電極（陽極）５１３、ＥＬ層５１５及び第２の電極（陰極）５１６との積
層構造で、発光素子５１７が形成されている。第１の電極（陽極）５１３、ＥＬ層５１５
及び第２の電極（陰極）５１６に用いる材料としては、実施の形態２に示す材料を用いる
ことができる。また、ここでは図示しないが、第２の電極（陰極）５１６は外部入力端子
であるＦＰＣ５０８に電気的に接続されている。
また、図５（Ｂ）に示す断面図では発光素子５１７を１つのみ図示しているが、画素部
５０２において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部５
０２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、
フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、カラーフィルタと組み合
わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。
さらに、シール材５０５で封止基板５０６を素子基板５０１と貼り合わせることにより
、素子基板５０１、封止基板５０６、およびシール材５０５で囲まれた空間５１８に発光
素子５１７が備えられた構造になっている。なお、空間５１８には、不活性気体（窒素や
アルゴン等）が充填される場合の他、シール材５０５で充填される構成も含むものとする
。
なお、シール材５０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料
はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板５０６
に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉ
ｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステル
またはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
以上のようにして、アクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用
いることができる。
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を含む発光素子を
適用して作製された発光装置を用いて完成させた様々な電子機器の一例について、図６を
用いて説明する。
発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビ
ジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデ
オカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、
携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙
げられる。これらの電子機器の具体例を図６に示す。
図６（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、
筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示
することが可能であり、発光装置を表示部７１０３に用いることができる。また、ここで
は、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。
テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリ
モコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キ
ー７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示さ
れる映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作
機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機
により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（
送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
図６（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キ
ーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む
。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部７２０３に用いることにより作製される
。
図６（Ｃ）は携帯型遊技機であり、筐体７３０１と筐体７３０２の２つの筐体で構成さ
れており、連結部７３０３により、開閉可能に連結されている。筐体７３０１には表示部
７３０４が組み込まれ、筐体７３０２には表示部７３０５が組み込まれている。また、図
６（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７
、ＬＥＤランプ７３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３
１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化
学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動
、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えて
いる。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部７３
０４および表示部７３０５の両方、又は一方に発光装置を用いていればよく、その他付属
設備が適宜設けられた構成とすることができる。図６（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、記録
媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の
携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図６（Ｃ）に示す
携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
図６（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１
に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、ス
ピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、発光
装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。
図６（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情
報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は
、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする
表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表
示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力
を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場
合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好
ましい。
また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサ
を有する検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、
表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操
作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類
によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画
のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表
示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モー
ドから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７
４０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。
また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光
源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
以上のようにして、本発明の一態様である発光装置を適用して電子機器を得ることがで
きる。発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能
である。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用
いることができる。
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を含む発光素子を
適用して作製された発光装置を用いて完成させた照明装置の一例について、図７を用いて
説明する。
図７は、発光装置を室内の照明装置８００１として用いた例である。なお、発光装置は
大面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面を
有する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置８００２を形成することも
できる。本実施の形態で示す発光装置に含まれる発光素子は薄膜状であり、筐体のデザイ
ンの自由度が高い。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができる
。さらに、室内の壁面に大型の照明装置８００３を備えても良い。
また、発光装置をテーブルの表面に用いることによりテーブルとしての機能を備えた照
明装置８００４とすることができる。なお、その他の家具の一部に発光装置を用いること
により、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。
以上のように、発光装置を適用した様々な照明装置が得られる。なお、これらの照明装
置は本発明の一態様に含まれるものとする。
また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用
いることができる。
≪合成例１≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（１００）で表される本発明の一態様であるトリ
アリールアミン化合物、４−フェニル−４’−（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾー
ル−２−イル）−フェニル−トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＢＩｍ）の合成方法につ
いて説明する。なお、ＢＰＡＢＩｍ（略称）の構造を以下に示す。
＜４−フェニル−４’−（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）−フェ
ニル−トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＢＩｍ）の合成＞
１００ｍＬ三口フラスコへ、２−（４−ブロモフェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベン
ゾイミダゾールを１．７ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、フェニルビフェニルアミンを１．２ｇ（
５．０ｍｍｏｌ）、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシドを１．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ビ
ス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を１７ｍｇ（３０μｍｏｌ）加え、フラ
スコ内の雰囲気を窒素置換した。この混合物へ、脱水キシレン１０ｍＬを加えた。この混
合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０
ｗｔ％ヘキサン溶液）２００ｍＬ（０．１ｍｍｏｌ）を加えた。この混合物を、窒素雰囲
気下、１３０℃で５時間加熱撹拌し、反応させた。
反応後、この反応混合液に酢酸エチル２００ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、
セライトを通してろ過した。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（展開溶媒 トルエン：酢酸エチル＝９：１）による精製を行った。得られたフラクシ
ョンを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、
目的物の淡黄色粉末を収量２．１ｇ、収率８２％で得た。
また、上記合成法の反応スキームを下記（Ａ−１）に示す。
上記合成法で得られた化合物の核磁気共鳴分光法（１Ｈ−ＮＭＲ）による分析結果を下
記に示す。また、１Ｈ−ＮＭＲチャートを図８（ａ）および図８（ｂ）に示す。図８（ｂ
）は図８（ａ）における６から９ｐｐｍの範囲の拡大図である。この結果から、上述の構
造式（１００）で表される本発明の一態様のトリアリールアミン化合物である４−フェニ
ル−４’−（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）−フェニル−トリフ
ェニルアミン（略称：ＢＰＡＢＩｍ）が得られたことがわかった。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝６．９８（ｄ，Ｊ＝９．
０Ｈｚ，２Ｈ），７．０７（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，１Ｈ），７．１２−７．５８（ｍ，２
５Ｈ），７．８５（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）。
次に、ＢＰＡＢＩｍ（略称）の紫外可視吸収スペクトル（以下、単に「吸収スペクトル
」という）及び発光スペクトルを測定した。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光
度計（（株）日本分光製 Ｖ５５０型）を用いた。また、発光スペクトルの測定には、蛍
光光度計（（株）浜松ホトニクス製 ＦＳ９２０）を用いた。また、吸収スペクトルおよ
び発光スペクトルのいずれの場合もＢＰＡＢＩｍ（略称）のトルエン溶液と、ＢＰＡＢＩ
ｍ（略称）の薄膜について測定した。なお、トルエン溶液（０．１２０ｍｍｏｌ／Ｌ）の
場合には、石英セルに入れ、室温で測定を行った。また薄膜の場合には、石英基板に蒸着
した薄膜を用い、吸収スペクトルを測定する場合には薄膜の吸収スペクトルから石英の吸
収スペクトルを差し引いて得られる値を示す。
得られた吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定結果を図９に示す。なお、図９（ａ
）には、ＢＰＡＢＩｍ（略称）のトルエン溶液について測定した結果を示す。また、図９
（ｂ）には、ＢＰＡＢＩｍ（略称）の薄膜について測定した結果を示す。図９（ａ）およ
び図９（ｂ）において、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）または発光強
度（任意単位）を表す。また、図９（ａ）および図９（ｂ）において、２本の実線が示さ
れているが、細い実線は吸収スペクトルを示し、太い実線は発光スペクトルを示している
。
図９（ａ）に示すＢＰＡＢＩｍ（略称）のトルエン溶液では、３６１ｎｍ付近に吸収ピ
ークが見られ、図９（ｂ）に示すＢＰＡＢＩｍ（略称）の薄膜では、３６４ｎｍ付近に吸
収ピークが見られた。
また、図９（ａ）に示すＢＰＡＢＩｍ（略称）のトルエン溶液では、最大発光波長が４
１０ｎｍ（励起波長３６５ｎｍ）、図９（ｂ）に示すＢＰＡＢＩｍ（略称）の薄膜では、
最大発光波長が４４５ｎｍ（励起波長３６３ｎｍ）であった。
以上のことから、ＢＰＡＢＩｍ（略称）は色純度の良い青色発光を呈することが分かっ
た。従って、青色の発光材料として用いることができる。
また、ＢＰＡＢＩｍ（略称）のＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位について、サイクリッ
クボルタンメトリ（ＣＶ）測定を行うことにより求めた。ＣＶ測定には、電気化学アナラ
イザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａまたは６００Ｃ）を用
いた。
また、ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（（
株）アルドリッチ製、９９．８％、カタログ番号；２２７０５−６）を用い、支持電解質
である過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（ｎ−Ｂｕ４ＮＣｌＯ４）（（株）東京
化成製、カタログ番号；Ｔ０８３６）を１００ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させ
、さらに測定対象を２ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用
電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補助電極とし
ては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ−３用Ｐｔカウンター電極（５ｃｍ））
を、参照電極としてはＡｇ／Ａｇ＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ７非水溶媒系
参照電極）をそれぞれ用いた。また、測定は室温（２０〜２５℃）とし、測定時のスキャ
ン速度は、０．１Ｖ／ｓｅｃに統一した。なお、本実施例では、参照電極の真空準位に対
するポテンシャルエネルギーを、−４．９４ｅＶであるとした。
ＣＶ測定で得られる酸化ピーク電位Ｅｐａと還元ピーク電位Ｅｐｃとの中間の電位（半
波電位）がＨＯＭＯ準位に相当することから、ＢＰＡＢＩｍ（略称）のＨＯＭＯ準位は、
−５．３７ｅＶと算出され、さらにＢＰＡＢＩｍ（略称）のＬＵＭＯ準位は、−２．２８
ｅＶと算出された。従って、ＢＰＡＢＩｍ（略称）のバンドギャップ（ΔＥ）は、３．０
９ｅＶであることが分かった。
従って、ＢＰＡＢＩｍ（略称）は広いバンドギャップを有していることが分かった。
また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値となった。酸化状態と中性状態間の
酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことが分かった。
従って、ＢＰＡＢＩｍ（略称）は正孔を良好に輸送することが分かった。
≪合成例２≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（１３５）で表される本発明の一態様であるトリ
アリールアミン化合物、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−｛４−（１，３−ベンゾ
オキサゾール−２−イル）−フェニル｝ベンジジン（略称：ＢＯｘＡＢＰ）の合成方法に
ついて説明する。なお、ＢＯｘＡＢＰ（略称）の構造を以下に示す。
＜Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−｛４−（１，３−ベンゾオキサゾール−２−イ
ル）−フェニル｝ベンジジン（略称：ＢＯｘＡＢＰ）の合成＞
５０ｍＬ三口フラスコへ、２−（４−ブロモフェニル）−１，３−ベンゾオキサゾール
を１．４ｇ（５．２ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンを０．８ｇ（２．５ｍ
ｍｏｌ）、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシドを１．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ビス（ジベ
ンジリデンアセトン）パラジウム（０）を２８ｍｇ（５０μｍｏｌ）加え、フラスコ内の
雰囲気を窒素置換した。この混合物へ、脱水キシレン２０ｍＬを加えた。この混合物を、
減圧下で攪拌しながら脱気した後、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘ
キサン溶液）０．３ｍＬ（０．２ｍｍｏｌ）を加えた。この混合物を、窒素雰囲気下、１
３０℃で４．５時間加熱撹拌し、反応させた。
反応後、この反応混合液に酢酸エチル２００ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、
セライトを通してろ過した。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（展開溶媒 トルエン：酢酸エチル＝９：１）による精製を行った。得られたフラクシ
ョンを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、
目的物の黄色粉末を収量１．７ｇ、収率９６％で得た。
また、上記合成法の反応スキームを下記（Ｂ−１）に示す。
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒 酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：５）は、目的物は０．３５、２−（４−ブロモフェニル）−１，３−ベンゾ
オキサゾールは０．６７、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンは０．３０だった。
上記合成法で得られた化合物の核磁気共鳴分光法（１Ｈ−ＮＭＲ）による分析結果を下
記に示す。また、１Ｈ−ＮＭＲチャートを図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示す。図１
０（ｂ）は図１０（ａ）における６から９ｐｐｍの範囲の拡大図である。この結果から、
上述の構造式（１３５）で表される本発明の一態様のトリアリールアミン化合物であるＮ
，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−｛４−（１，３−ベンゾオキサゾール−２−イル）
−フェニル｝ベンジジン（略称：ＢＯｘＡＢＰ）が得られたことがわかった。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．１１−７．２４（ｍ
，１４Ｈ），７．２８−７．３５（ｍ，８Ｈ），７．５１−７．５５（ｍ，６Ｈ），７．
７０−７．７３（ｍ，２Ｈ），８．９０（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，４Ｈ）。
次に、ＢＯｘＡＢＰ（略称）の紫外可視吸収スペクトル（以下、単に「吸収スペクトル
」という）及び発光スペクトルを測定した。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光
度計（（株）日本分光製 Ｖ５５０型）を用いた。また、発光スペクトルの測定には、蛍
光光度計（（株）浜松ホトニクス製 ＦＳ９２０）を用いた。また、吸収スペクトルおよ
び発光スペクトルのいずれの場合もＢＯｘＡＢＰ（略称）のトルエン溶液と、ＢＯｘＡＢ
Ｐ（略称）の薄膜について測定した。なお、トルエン溶液（０．１２０ｍｍｏｌ／Ｌ）の
場合には、石英セルに入れ、室温で測定を行った。また薄膜の場合には、石英基板に蒸着
した薄膜を用い、吸収スペクトルを測定する場合には薄膜の吸収スペクトルから石英の吸
収スペクトルを差し引いて得られる値を示す。
得られた吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定結果を図１１に示す。なお、図１１
（ａ）には、ＢＯｘＡＢＰ（略称）のトルエン溶液について測定した結果を示す。また、
図１１（ｂ）には、ＢＯｘＡＢＰ（略称）の薄膜について測定した結果を示す。図１１（
ａ）および図１１（ｂ）において、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）ま
たは発光強度（任意単位）を表す。また、図１１（ａ）および図１１（ｂ）において、２
本の実線が示されているが、細い実線は吸収スペクトルを示し、太い実線は発光スペクト
ルを示している。
図１１（ａ）に示すＢＯｘＡＢＰ（略称）のトルエン溶液では、３８１ｎｍ付近に吸収
ピークが見られ、図１１（ｂ）に示すＢＯｘＡＢＰ（略称）の薄膜では、３８４ｎｍ付近
に吸収ピークが見られた。
また、図１１（ａ）に示すＢＯｘＡＢＰ（略称）のトルエン溶液では、最大発光波長が
４３５ｎｍ（励起波長３８０ｎｍ）、図１１（ｂ）に示すＢＯｘＡＢＰ（略称）の薄膜で
は、最大発光波長が４７２ｎｍ（励起波長４００ｎｍ）であった。
以上のことから、ＢＯｘＡＢＰ（略称）は青色発光を呈することが分かった。従って、
青色の発光材料として用いることができる。
また、ＢＯｘＡＢＰ（略称）のＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位について、サイクリッ
クボルタンメトリ（ＣＶ）測定を行うことにより求めた。ＣＶ測定には、電気化学アナラ
イザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａまたは６００Ｃ）を用
いた。
また、ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（（
株）アルドリッチ製、９９．８％、カタログ番号；２２７０５−６）を用い、支持電解質
である過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（ｎ−Ｂｕ４ＮＣｌＯ４）（（株）東京
化成製、カタログ番号；Ｔ０８３６）を１００ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させ
、さらに測定対象を２ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用
電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補助電極とし
ては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ−３用Ｐｔカウンター電極（５ｃｍ））
を、参照電極としてはＡｇ／Ａｇ＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ７非水溶媒系
参照電極）をそれぞれ用いた。また、測定は室温（２０〜２５℃）とし、測定時のスキャ
ン速度は、０．１Ｖ／ｓｅｃに統一した。なお、本実施例では、参照電極の真空準位に対
するポテンシャルエネルギーを、−４．９４ｅＶであるとした。
ＣＶ測定で得られる酸化ピーク電位Ｅｐａと還元ピーク電位Ｅｐｃとの中間の電位（半
波電位）がＨＯＭＯ準位に相当することから、ＢＯｘＡＢＰ（略称）のＨＯＭＯ準位は、
−５．５０ｅＶと算出され、さらにＢＯｘＡＢＰ（略称）のＬＵＭＯ準位は、−２．５９
ｅＶと算出された。従って、ＢＯｘＡＢＰ（略称）のバンドギャップ（ΔＥ）は、２．９
１ｅＶであることが分かった。
従って、ＢＯｘＡＢＰ（略称）は広いバンドギャップを有していることが分かった。
また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値となった。酸化状態と中性状態間の
酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことが分かった。
従って、ＢＯｘＡＢＰ（略称）は正孔を良好に輸送することが分かった。
本実施例では、本発明のトリアリールアミン化合物である４−フェニル−４’−（１−
フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）−フェニル−トリフェニルアミン（略
称：ＢＰＡＢＩｍ）（構造式（１００））を正孔輸送層に用いた発光素子１について図１
２を用いて説明する。なお、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。
≪発光素子１の作製≫
まず、ガラス製の基板１１００上に酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）を
スパッタリング法により成膜し、陽極として機能する第１の電極１１０１を形成した。な
お、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。
次に、基板１１００上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄
し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸
着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を
３０分程度放冷した。
次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、基板１１００を真空蒸
着装置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、ＥＬ層１
１０２を構成する正孔注入層１１１１、正孔輸送層１１１２、発光層１１１３、電子輸送
層１１１４、電子注入層１１１５が順次形成される場合について説明する。
真空装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオ
レン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）と酸化モリブデン（ＶＩ）
とを、ＢＰＡＦＬＰ（略称）：酸化モリブデン＝４：２（質量比）となるように共蒸着す
ることにより、第１の電極１１０１上に正孔注入層１１１１を形成した。膜厚は５０ｎｍ
とした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発さ
せる蒸着法である。
次に、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミ
ン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）を１０ｎｍ蒸着することにより、正孔輸送層１１１２を形成し
た。
次に、正孔輸送層１１１２上に発光層１１１３を形成した。まず、２−［４−（ジベン
ゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（（略
称：ＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）、４−フェニル−４’−（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダ
ゾール−２−イル）−フェニル−トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＢＩｍ）、トリス（
２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）を、ＤＢ
ＴＢＩｍ−ＩＩ（略称）：ＢＰＡＢＩｍ（略称）：Ｉｒ（ｐｐｙ）３（略称）＝１：０．
５：０．０６（質量比）となるように共蒸着した。なお、膜厚は、２０ｎｍとした。次に
、ＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ（略称）、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（略称）を、ＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ（略
称）：Ｉｒ（ｐｐｙ）３（略称）＝１：０．０６（質量比）となるように共蒸着し、膜厚
を２０ｎｍとした。以上により、積層構造を有する発光層１１１３を形成した。
次に、発光層１１１３上にトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称
：Ａｌｑ）を２０ｎｍ蒸着することにより、電子輸送層１１１４を形成した。さらに電子
輸送層１１１４上にバソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）を１０ｎｍ蒸着した後、
さらにフッ化リチウムを１ｎｍ蒸着することにより、電子注入層１１１５を形成した。
最後に、電子注入層１１１５上にアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着し
、陰極となる第２の電極１１０３形成し、発光素子１を得た。なお、上述した蒸着過程に
おいて、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
以上により得られた発光素子１の素子構造を表１に示す。
また、作製した発光素子１は、大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス
内において封止した（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に８０℃にて１時間熱処理
）。
≪発光素子１の動作特性≫
作製した発光素子１の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれ
た雰囲気）で行った。
まず、発光素子１の電流密度−輝度特性を図１３に示す。また、電圧−輝度特性を図１
４、輝度−電流効率特性を図１５、電圧−電流特性を図１６、輝度−色度特性を図１７に
それぞれ示す。
図１３〜図１５より、本発明の一態様のトリアリールアミン化合物を正孔輸送層に用い
た発光素子１は、低消費電力で高効率な素子であることがわかった。また、図１６より、
低駆動電圧の素子であることが分かった。また、図１７より、各輝度でキャリアバランス
の良い素子であることが分かった。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子１の主な初期特性値を以下の表２に示
す。
上記、表２の結果からも本実施例で作製した発光素子１は、高輝度であり、高い電流効
率を示していることが分かる。さらに、色純度に関しては、純度の良い緑色発光を示すこ
とが分かる。
また、発光素子１に２５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを
、図１８に示す。図１８に示す通り、発光素子１の発光スペクトルは５１４ｎｍ、５４５
ｎｍ付近にピークを有しており、発光層１１１３に含まれるＩｒ（ｐｐｙ）３（略称）の
発光に由来していることが示唆される。
従って、ＢＰＡＢＩｍ（略称）は、緑色の光を発する物質よりも高いＴ１準位を有し、
緑色から長波長の燐光を呈する素子のホスト材料やキャリア輸送材料に用いることができ
る。
また、発光素子１についての信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図１９に示す。
図１９において、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を示し、横軸は
素子の駆動時間（ｈ）を示す。なお、信頼性試験は、初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ２に設
定し、電流密度一定の条件で発光素子１を駆動させた。図１９から、発光素子１の６４０
時間後の輝度は、初期輝度の７５％を保っていた。したがって、発光素子１は、高い信頼
性を示すことがわかった。また、本発明のトリアリールアミン化合物を発光素子に用いる
ことにより、長寿命の発光素子が得られることがわかった。
本実施例では、本発明のトリアリールアミン化合物であるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，
Ｎ’−ジ−｛４−（１，３−ベンゾオキサゾール−２−イル）−フェニル｝ベンジジン（
略称：ＢＯｘＡＢＰ）（構造式（１３５））を正孔注入層、または正孔輸送層、さらには
その両方に用いた発光素子２〜発光素子４について説明する。なお、本実施例における発
光素子２〜発光素子４の説明には、実施例１で発光素子１の説明に用いた図１２を用いる
こととする。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。
≪発光素子２〜発光素子４の作製≫
まず、ガラス製の基板１１００上に酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）を
スパッタリング法により成膜し、陽極として機能する第１の電極１１０１を形成した。な
お、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。
次に、基板１１００上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄
し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸
着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を
３０分程度放冷した。
次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、基板１１００を真空蒸
着装置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、ＥＬ層１
１０２を構成する正孔注入層１１１１、正孔輸送層１１１２、発光層１１１３、電子輸送
層１１１４、電子注入層１１１５が順次形成される場合について説明する。
真空装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、発光素子２の場合には、４，４’−ビス［Ｎ
−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）と酸化モリブデ
ン（ＶＩ）とを、ＮＰＢ（略称）：酸化モリブデン＝４：１（質量比）となるように共蒸
着することにより、第１の電極１１０１上に正孔注入層１１１１を形成した。膜厚は５０
ｎｍとした。また、発光素子３および発光素子４の場合には、ＢＯｘＡＢＰ（略称）と酸
化モリブデン（ＶＩ）とを、ＢＯｘＡＢＰ（略称）：酸化モリブデン＝４：１（質量比）
となるように共蒸着することにより、第１の電極１１０１上に正孔注入層１１１１を形成
した。膜厚は５０ｎｍとした。
次に、発光素子２および発光素子４の場合には、ＢＯｘＡＢＰ（略称）を１０ｎｍ蒸着
することにより、正孔輸送層１１１２を形成した。また、発光素子３の場合には、ＮＰＢ
（略称）を１０ｎｍ蒸着することにより、正孔輸送層１１１２を形成した。
次に、正孔輸送層１１１２上に発光層１１１３を形成した。９−［４−（Ｎ−カルバゾ
リル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、４−（１０−フェ
ニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリ
フェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）を、ＣｚＰＡ（略称）：ＰＣＢＡＰＡ（略称）＝
１：０．１（質量比）となるように共蒸着し、発光層１１１３を形成した。膜厚は、３０
ｎｍとした。
次に、発光層１１１３上にトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称
：Ａｌｑ）を１０ｎｍ蒸着することにより、電子輸送層１１１４を形成した。さらに電子
輸送層１１１４上にバソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）を２０ｎｍ蒸着した後、
さらにフッ化リチウムを１ｎｍ蒸着することにより、電子注入層１１１５を形成した。
最後に、電子注入層１１１５上にアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着し
、陰極となる第２の電極１１０３形成し、発光素子２〜発光素子４を得た。なお、上述し
た蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
以上により得られた発光素子２〜発光素子４の素子構造を表３に示す。
また、作製した発光素子２〜発光素子４は、大気に曝されないように窒素雰囲気のグロ
ーブボックス内において封止した（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に８０℃にて
１時間熱処理）。
≪発光素子２〜発光素子４の動作特性≫
作製した発光素子２〜発光素子４の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２
５℃に保たれた雰囲気）で行った。
まず、発光素子２〜発光素子４の電流密度−輝度特性を図２０に示す。また、電圧−輝
度特性を図２１、輝度−電流効率特性を図２２、電圧−電流特性を図２３にそれぞれ示す
。
図２０〜図２２より、本発明の一態様のトリアリールアミン化合物を用いた発光素子２
〜発光素子４は、低消費電力で高効率な素子であることがわかった。また、図２３より、
低駆動電圧の素子であることが分かった。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子２〜発光素子４の主な初期特性値を以
下の表４に示す。
上記、表４の結果からも本実施例で作製した発光素子２〜発光素子４は、高輝度であり
、高い電流効率を示していることが分かる。
また、発光素子２〜発光素子４に２５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光
スペクトルを、図２４に示す。図２４に示す通り、発光素子２〜発光素子４の発光スペク
トルは４７０ｎｍ付近にピークを有しており、発光層１１１３に含まれるＰＣＢＡＰＡ（
略称）の発光に由来していることが示唆された。
また、発光素子３についての信頼性試験を行った。なお、信頼性試験は、初期輝度を１
０００ｃｄ／ｍ２に設定し、電流密度一定の条件で発光素子３を駆動させた。その結果、
発光素子３の５５０時間後の輝度は、初期輝度の７９％を保っていた。したがって、本実
施の一態様であるトリアリールアミン化合物を正孔注入層に用いた発光素子３は、高い信
頼性を示すことがわかった。また、本発明のトリアリールアミン化合物を発光素子に用い
ることにより、長寿命の発光素子が得られることがわかった。
本実施例では、本発明のトリアリールアミン化合物であるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，
Ｎ’−ジ−｛４−（１，３−ベンゾオキサゾール−２−イル）−フェニル｝ベンジジン（
略称：ＢＯｘＡＢＰ）（構造式（１３５））発光層に用いた発光素子５について説明する
。なお、本実施例における発光素子５の説明には、実施例１で発光素子１の説明に用いた
図１２を用いることとする。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。
≪発光素子５の作製≫
まず、ガラス製の基板１１００上に酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）を
スパッタリング法により成膜し、陽極として機能する第１の電極１１０１を形成した。な
お、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。
次に、基板１１００上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄
し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸
着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を
３０分程度放冷した。
次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、基板１１００を真空蒸
着装置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、ＥＬ層１
１０２を構成する正孔注入層１１１１、正孔輸送層１１１２、発光層１１１３、電子輸送
層１１１４、電子注入層１１１５が順次形成される場合について説明する。
真空装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ
−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）と酸化モリブデン（ＶＩ）とを、ＮＰＢ
（略称）：酸化モリブデン＝４：１（質量比）となるように共蒸着することにより、第１
の電極１１０１上に正孔注入層１１１１を形成した。膜厚は５０ｎｍとした。
次に、ＮＰＢ（略称）を１０ｎｍ蒸着し、さらに４−（１０−フェニル−９−アントリ
ル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略
称：ＰＣＢＡＰＡ）を３０ｎｍ蒸着することにより、正孔輸送層１１１２を形成した。
次に、正孔輸送層１１１２上に発光層１１１３を形成した。９−［４−（１０−フェニ
ル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、ＢＯｘＡＢ
Ｐ（略称）、ＰＣＢＡＰＡ（略称）を、ＣｚＰＡ（略称）：ＢＯｘＡＢＰ（略称）：ＰＣ
ＢＡＰＡ（略称）＝１：０．０５：０．１（質量比）となるように共蒸着し、発光層１１
１３を形成した。膜厚は、３０ｎｍとした。
次に、発光層１１１３上にトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称
：Ａｌｑ）を１０ｎｍ蒸着することにより、電子輸送層１１１４を形成した。さらに電子
輸送層１１１４上にフッ化リチウムを１ｎｍ蒸着することにより、電子注入層１１１５を
形成した。
最後に、電子注入層１１１５上にアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着し
、陰極となる第２の電極１１０３形成し、発光素子５を得た。なお、上述した蒸着過程に
おいて、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
以上により得られた発光素子５の素子構造を表５に示す。
また、作製した発光素子５は、大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス
内において封止した（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に８０℃にて１時間熱処理
）。
≪発光素子５の動作特性≫
作製した発光素子５の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれ
た雰囲気）で行った。
まず、発光素子５の電流密度−輝度特性を図２５に示す。また、電圧−輝度特性を図２
６、輝度−電流効率特性を図２７、電圧−電流特性を図２８にそれぞれ示す。
図２６、図２７より、本発明の一態様のトリアリールアミン化合物を発光層に用いた発
光素子５は、低消費電力で高効率な素子であることがわかった。また、図２８より、低駆
動電圧の素子であることが分かった。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子５の主な初期特性値を以下の表６に示
す。
上記、表６の結果からも本実施例で作製した発光素子５は、高輝度であり、高い電流効
率を示していることが分かる。
また、発光素子５に２５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを
、図２９に示す。図２９に示す通り、発光素子５の発光スペクトルは４７３ｎｍ付近にピ
ークを有しており、発光層１１１３に含まれるＢＯｘＡＢＰ（略称）の発光に由来してい
ることが示唆される。
従って、ＢＯｘＡＢＰ（略称）は、青色の光を発する物質よりも高いＳ１準位を有し、
青色から長波長の蛍光を呈する素子のホスト材料やキャリア輸送材料に用いることができ
ることがわかった。
また、発光素子５についての信頼性試験を行った。なお、信頼性試験は、初期輝度を１
０００ｃｄ／ｍ２に設定し、電流密度一定の条件で発光素子５を駆動させた。その結果、
発光素子５の４５０時間後の輝度は、初期輝度の７９％を保っていた。したがって、発光
素子５は、高い信頼性を示すことがわかった。また、本発明のトリアリールアミン化合物
を発光素子の正孔注入層に用いることにより、長寿命の発光素子が得られることがわかっ
た。
１０１ 第１の電極
１０２ ＥＬ層
１０３ 第２の電極
１１１ 正孔注入層
１１２ 正孔輸送層
１１３ 発光層
１１４ 電子輸送層
１１５ 電子注入層
１１６ 電荷発生層
２０１ 陽極
２０２ 陰極
２０３ ＥＬ層
２０４ 発光層
２０５ 燐光性化合物
２０６ 第１の有機化合物
２０７ 第２の有機化合物
３０１ 第１の電極
３０２（１） 第１のＥＬ層
３０２（２） 第２のＥＬ層
３０２（ｎ−１） 第（ｎ−１）のＥＬ層
３０２（ｎ） 第（ｎ）のＥＬ層
３０４ 第２の電極
３０５ 電荷発生層（Ｉ）
３０５（１） 第１の電荷発生層（Ｉ）
３０５（２） 第２の電荷発生層（Ｉ）
３０５（ｎ−２） 第（ｎ−２）の電荷発生層（Ｉ）
３０５（ｎ−１） 第（ｎ−１）の電荷発生層（Ｉ）
４０１ 反射電極
４０２ 半透過・半反射電極
４０３ａ 第１の透明導電層
４０３ｂ 第２の透明導電層
４０４Ｂ 第１の発光層（Ｂ）
４０４Ｇ 第２の発光層（Ｇ）
４０４Ｒ 第３の発光層（Ｒ）
４０５ ＥＬ層
４１０Ｒ 第１の発光素子（Ｒ）
４１０Ｇ 第２の発光素子（Ｇ）
４１０Ｂ 第３の発光素子（Ｂ）
５０１ 素子基板
５０２ 画素部
５０３ 駆動回路部（ソース線駆動回路）
５０４ａ、５０４ｂ 駆動回路部（ゲート線駆動回路）
５０５ シール材
５０６ 封止基板
５０７ 配線
５０８ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
５０９ ｎチャネル型ＴＦＴ
５１０ ｐチャネル型ＴＦＴ
５１１ スイッチング用ＴＦＴ
５１２ 電流制御用ＴＦＴ
５１３ 第１の電極（陽極）
５１４ 絶縁物
５１５ ＥＬ層
５１６ 第２の電極（陰極）
５１７ 発光素子
５１８ 空間
１１００ 基板
１１０１ 第１の電極
１１０２ ＥＬ層
１１０３ 第２の電極
１１１１ 正孔注入層
１１１２ 正孔輸送層
１１１３ 発光層
１１１４ 電子輸送層
１１１５ 電子注入層
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０１ 筐体
７３０２ 筐体
７３０３ 連結部
７３０４ 表示部
７３０５ 表示部
７３０６ スピーカ部
７３０７ 記録媒体挿入部
７３０８ ＬＥＤランプ
７３０９ 操作キー
７３１０ 接続端子
７３１１ センサ
７３１２ マイクロフォン
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ａ、７４０３ｂ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
８００１ 照明装置
８００２ 照明装置
８００３ 照明装置
８００４ 照明装置

Claims (5)

  1. 式（１００）で表されるトリアリールアミン化合物を発光層に用いた発光素子。
  2. 式（１００）で表されるトリアリールアミン化合物を電子輸送層に用いた発光素子。
  3. 請求項１又は２に記載の発光素子を用いた発光装置。
  4. 請求項３に記載の発光装置を用いた電子機器。
  5. 請求項３に記載の発光装置を用いた照明装置。

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