JP6260941B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
そのため、半導体装置の実装構造においては、高温に保持されたり、高温熱サイクルを受けたりした場合の高温耐久性に優れた接合部が強く望まれている。また、環境保全の観点からすると、Pb(鉛)フリーの接合技術が必須となっている。
そのため、接合部の高温耐久性を確保するために、いろいろな試みがなされている。
このとき、母材金属とインサート材との直接的な接触を促進し、共晶反応の起点を早期に形成して、上記接合プロセスをより円滑なものとするべく、酸化皮膜を破壊するための凹凸構造を接合面に形成することが提案されている(引用文献1参照)。
しかしながら、使用環境状態や凹凸構造の形状によっては、凹凸構造が接合面に残存し、凹凸底部に残留する共晶反応液相の凝固物中に含まれるインサート材中の金属が配線金属の側に拡散することがあることが判明した。そして、このような金属の拡散が生じると配線金属の純度が下がり、降伏点の上昇による熱応力の増大、伸びの低下が生じ、耐久信頼性が損なわれる可能性があることが判った。
なお、本発明において、「高純度Al」とは、Alを99.0%以上含有するものを意味する。
そして、この共晶反応溶融物を酸化皮膜と共に排出して、接合界面の少なくとも一部において上記半導体チップの金属Aと配線金属とを直接接合し、半導体チップと配線金属が強固に接合される。
したがって、両金属の清浄面を接触させ、382℃以上に加熱保持すると反応(共晶溶融)が生じ、Al−95%Znが共晶組成となるが、共晶反応自体は合金成分に無関係な一定の変化であり、インサート材の組成は共晶反応の量を増減するに過ぎない。
したがって、Pbが含まれない金属AとAlとの直接接合によって強度が確保されることから、高温保持した場合にも脆い金属間化合物層やカーケンダルボイドを生成せず、優れた高温耐久性を備えたPbフリーの接合部を備えた半導体装置を製造することができる。
このとき、接合面には、半導体チップの金属Aに含まれる金属と配線金属のAlと、インサート材に含まれる金属との共晶反応をそれぞれ生じさせることが必要であり、そのためには、両共晶温度の高い方の温度に加熱する必要がある。
このとき、配線金属2は、高純度Alから成るものであって、その接合面には、予め微細な凹凸Rが形成してあると共に、その表面には、後述するように拡散防止層(図示せず)が形成されている。一方、半導体チップ3の接合面には、金属Aとして、例えばAl、CuあるいはAgを主成分とする金属層3cがめっきやスパッタリングなどによって形成されている。なお、これら配線金属2や金属層3cの表面には、酸化皮膜2f、3fが生成している。
すなわち、図2(a)に示すように、台形状断面の凹凸構造として、凸部先端を略平面とすれば、応力集中度は若干低下するとしても、応力集中手段の形成が容易となり、加工費を削減することができる。
さらに、図2(c)に示すように、四角錐を縦横方向に並列させた凹凸構造を採用することもでき、凹凸構造の凸部先端が点状となることから、さらに応力集中度を高めて、酸化皮膜の破断性能を向上させることができる。
なお、微細凹凸の寸法、形状としては、アスペクト比(高さ/幅):0.001以上、ピッチ:1μm以上で、望ましくはアスペクト比0.1以上、ピッチ:10μm以上である。
一方、密着層3aは、上記バリヤ層3bとチップ本体3との密着性を向上させる機能を有し、例えば、Ti(チタン)、Cr(クロム)などを用いることができる。
すなわち、ZnとAlを含む合金系の共晶温度は低く(Zn−Al系合金では382℃、Zn−Al−Mg系合金では330℃)、このような低い温度で、母材の軟化や変形を惹起することなく、接合を阻害する酸化皮膜を接合界面から除去して、両部材を接合することができる。
インサート材4の厚さが20μmに満たない場合、酸化皮膜の排出が不十分となったり、接合部のシール性が低下し、接合中に酸化が進み接合部の強度特性を低下させたりする。一方、200μmを超えると、余剰部分の排出のために高い加圧力が必要となったり、界面への残存が多くなり、継ぎ手性能を低下させたりすることがある。
すると、図1(b)に示すように、凹凸Rの凸部先端が接触した部位の応力が局所的に急激に上昇し、加圧力をさほど増すことなく、金属層3cの酸化被膜3fが機械的に破壊され、新生面が露出する。また、酸化被膜3fと共に、微細凹凸2r先端の酸化皮膜2fも破壊され、配線金属2の新生面が露出する。
そして、この共晶溶融範囲が接合界面全体に拡がっていくことにより、金属層3c及び配線金属2の酸化被膜3f、2fが表面から除去され、図1(c)に示すように、酸化皮膜3f、2fの欠片が共晶溶融相中に分散する。
これによって、図1(e)に示すように、配線金属2と半導体チップ3の金属層3cとの接合、すなわち金属AとAlとの直接的な接合が達成される。このとき、共晶反応生成物や酸化皮膜、インサート材に由来する金属などを含む微量の混合物が接合界面に残存することがあり得るが、金属同士の直接接合部が形成されている限り、強度上の問題となることはない。また、このような残存物は、電気伝導や熱伝導に寄与することになる。
この他に、めっきやパウダーデポジション法によって、インサート材金属を配線金属2や半導体チップ3の一方あるいは両方の接合面に予め被覆しておくことも可能であり、この場合には、被覆によって酸化皮膜の生成を防止できる。
もちろん、真空中で行うことも可能であるが、真空設備が必要となるばかりでなく、インサート材の溶融により真空計やゲートバルブを損傷する可能性があるので、大気中で行うことが設備面からもコスト的にも有利である。
すなわち、1MPaに満たない場合は、酸化皮膜の破壊や、共晶反応物や酸化皮膜欠片の接合面からの排出が十分にできず、30MPaを超えると半導体チップ2が損傷する可能性があることによる。
まず、図4(a)に示すように、配線金属2と半導体チップ3を準備し、これらの間にインサート材4を配置する。
一方、半導体チップ3の接合面には、上記した金属A(Al、Cu、Ag及びAuから成る少なくとも1種を主成分とする金属)から成る金属層3cがめっきやスパッタリングなどによって形成されている。なお、金属層3cの表面には、酸化皮膜3fが生成している。
その結果、図4(b)に示すように、金属層3cと配線金属2とが凹凸Rの底部を残した状態に直接的に接合され、凹凸Rの底部には、酸化皮膜3fの欠片が共晶溶融相Emの中に分散した状態に残留する。
このような接合部が高温環境に放置されると、図4(d)に示すように、残留物Esの中に含まれる金属原子、代表的にはZnが金属層3cに拡散するものの、配線金属2の側には、拡散防止層Lが障害となるため、金属原子の拡散が阻止される。そのため、配線金属2の伸びの低下や熱応力の増大を回避することができ、半導体装置の耐久信頼性を向上させることができる。
この場合、拡散防止層Lが接合面の内部(表面直下位置)に形成され、接合面の最表面が高純度Alであることから、その表面に酸化皮膜(酸化アルミニウム)2fが形成され(図5(a)参照)、高温放置後の金属原子の拡散が、配線金属2の表面から拡散防止層Lまでの範囲に及ぶ(図5(d)参照)こと以外は、基本的に図4と変わりはない。
また、接合条件、すなわち、加圧力、接合温度、微細凹凸形状、インサート材の成分、量などの調整により、凹凸構造の底部の残存を可及的に減らすことができ、断続的な接合を全面的な直接接合に近づけることができる。
このとき、上記裏面金属とベースプレートとの接合にも、上記した半導体チップと配線金属の接合と同様の製造方法や接合構造を採用することができる。
なお、ベースプレートの接合面を構成する金属Bについては、上記半導体チップの接合面を構成する金属Aと異なる材料であってもよいが、同種材を用いることが望ましい。
第1の実施形態として、図6(a)に示す半導体装置1は、冷却体(ヒートシンク)11上に、絶縁性セラミックス基板12の片面側に高純度Alから成る配線金属2を配置したバスバーが固定され、その配線金属2に半導体チップ3が接合された構造を備えている。そして、上記半導体チップ3は、その接合面に上記金属Aから成る金属層3cを備えており、半導体チップ3の金属層3cと配線金属2とが上記した方法により直接接合された構造となっている。
一方、絶縁性セラミックス基板12は、図中上面側に高純度Alから成る配線金属2を備え、図中下面側に同じく高純度Alから成る裏面金属5を備えており、これら配線金属2及び裏面金属5の表面(半導体チップ3及び後述するベースプレート11との接合面)には凹凸Rが形成されている。
なお、上記配線金属2及び裏面金属5の凹凸表面上には、拡散防止層Lが成膜されている。
こうして接合された半導体装置は、配線金属2及び裏面金属5の表面に金属原子の拡散防止層Lが形成されているため、接合面に凹凸Rが残存したとしても、また、高温環境に曝されたとしても、凹凸残存部の凝固物から配線金属2及び裏面金属5への拡散が防止される。したがって、配線金属2及び裏面金属5の本来の機械的性能を維持することができ、半導体装置の耐久信頼性を向上させることができる。
(a)半導体チップ
1.66×1.52×0.36mmのサイズのSiCダイオード(半導体チップ3)の裏面に、Ti/Ni/Agを蒸着により成膜した後、この成膜面上にAl(金属A)を6μmの厚さにスパッタリングして金属層3cを形成し、接合面とした。
AlNから成る厚さ0.64mmのセラミック基板12の両面に、純度99.99%の高純度アルミニウムから成る厚さ0.5mmの配線金属2と、同じく高純度アルミニウム(金属B)から成る厚さ0.5mmの裏面金属5をそれぞれ形成した。
そして、上記配線金属2及び裏面金属5には、その表面には、凹凸Rとして、ダイヤモンド工具を用いた切削加工によって、高さ0.1mm、ピッチ0.1mmの一方向溝を形成した。さらに、スパッタリングにより、その表面にNi層を5μmの厚さに成膜し、拡散防止層Lとした。
JIS H 4000に、A1070として規定される工業用純アルミニウム(金属B)から成る厚さ1.0mmの板材をベースプレート11とした。そして、その表面(裏面金属5との接合面)に、ダイヤモンド工具を用いた切削加工により、高さ0.1mm、ピッチ0.1mmの一方向溝を形成し、凹凸Rとした。
次に、半導体チップ3と配線金属2の接合面間と、裏面金属5とベースプレート11の接合面間に、急冷単ロール法によって作製したZn−3.5%Al−2.5%Mg合金から成る厚さ0.1mmの箔帯をそれぞれインサート材として挟んだ。
そして、赤外線加熱方式の拡散接合装置により、5MPaの加圧力の下で、400℃に1分間保持することによって、配線金属2と半導体チップ3、裏面金属5とベースプレート11をそれぞれ接合して、実施例1の半導体装置を得た。
インサート材として、急冷単ロール法によって作製したZn−4.0%Al−2.0%Cu合金から成る厚さ0.1mmの箔帯を用いたこと以外は、上記実施例1と同様の操作を繰り返すことによって、それぞれの接合面を接合して、実施例2の半導体装置を得た。
上記サイズのSiCダイオード(半導体チップ3)の裏面に、Ti/Ni/Agを蒸着により成膜し、接合面をAgとしたこと以外は)、上記実施例1と同様の操作を繰り返すことによって、それぞれの接合面を接合して、実施例3の半導体装置を得た。
配線金属2及び裏面金属5の最表面にWNをスパッタリング成膜して、拡散防止層Lとしたこと以外は、上記実施例1と同様の操作を繰り返すことによって、それぞれの接合面を接合し、実施例4の半導体装置を得た。
配線金属2及び裏面金属5の接合面に拡散防止層を形成することなく、上記実施例1と同様の操作を繰り返すことによって、それぞれの接合面を接合して、比較例1の半導体装置を得た。
上記実施例及び比較例によって得られた半導体装置を300℃に保持した恒温槽中に、それぞれ3000時間保持した後、下記方法によって電気抵抗率及び熱伝導率をそれぞれ測定し、接合部の電気伝導性及び熱伝導性を評価した。
その結果を表1に示す。
比較例の場合、バリヤ層がないため恒温槽中での保持によりZnが配線金属のAl中に拡散するため、電気抵抗率は大きく増加しているが、本発明の場合は拡散が防止されるため、高純度アルミの高い電気伝導率が維持された。
(b)熱伝導率
比較例の場合、バリヤ層がないため恒温槽中での保持によりZnが配線金属のAl中に拡散するため、熱伝導率は大幅に低下しているが、本発明の場合は拡散が抑制されるため、高純度アルミの高い熱伝導率が維持された。
2 配線金属(高純度Al)
R 凹凸
L 拡散防止層
2f 酸化皮膜
3 半導体チップ
3c 金属層(金属A)
3f 酸化皮膜
4 インサート材
5 裏面金属(高純度Al)
11 ベースプレート(金属B)
12 絶縁性セラミックス基材
Claims (13)
- 接合面がAl、Cu、Ag及びAuから成る群より選ばれた少なくとも1種を主成分とする金属Aから成る半導体チップと、高純度Alから成る配線金属とを接合するに際して、
上記両接合面の少なくとも一方に接合面の酸化皮膜を破壊するための凹凸を設けると共に、上記配線金属の接合面の表面に金属原子の拡散防止層を形成した上で、両接合面間にAlと上記金属Aに含まれるAu以外の少なくとも1種の金属とそれぞれ共晶反応を生じる金属としてZnを含むインサート材を介在させ、上記半導体チップと配線金属を相対的に加圧しつつ加熱し、接合界面に生じた共晶反応溶融物を上記酸化皮膜と共に排出して、上記共晶反応溶融物と上記酸化皮膜の欠片が、上記接合界面を構成する金属Aと上記拡散防止層とで包囲されるようにし、接合界面の少なくとも一部において上記半導体チップ及び配線金属の接合面を構成する金属Aと高純度Alとを直接接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 上記インサート材がZnを主成分とする金属であることを特徴とする請求項1に記載の接合方法。
- 上記インサート材がZnと、Al、Mg、Cu、Ag及びSnから成る群より選ばれた少なくとも1種の金属を主成分とする合金であることを特徴とする請求項1又は2に記載の接合方法。
- 上記インサート材がZn及びAlを主成分とする合金であることを特徴とする請求項3に記載の接合方法。
- 上記インサート材がZn、Al及びMgを主成分とする合金であることを特徴とする請求項3に記載の接合方法。
- 上記インサート材がZn、Al及びCuを主成分とする合金であることを特徴とする請求項3に記載の接合方法。
- 上記金属原子の拡散防止層がNi、TiN、WN、TiWN又はPtIrから成ることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つの項に記載の接合方法。
- 上記金属AがAlを主成分とする金属から成ることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つの項に記載の接合方法。
- 上記インサート材の厚さが20μm以上200μm以下であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1つの項に記載の接合方法。
- 配線金属が絶縁性セラミックス基板上に配置されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1つの項に記載の製造方法。
- 上記絶縁性セラミックス基板の半導体チップ側とは反対側に備えた裏面金属をベースプレート上に接合するに際して、上記裏面金属を高純度Alから成るものすると共に、上記ベースプレートの接合面をAl、Cu、Ag及びAuから成る群より選ばれた少なくとも1種を主成分とする金属Bから成るものとし、上記両接合面の少なくとも一方に接合面の酸化皮膜を破壊するための凹凸を設けると共に、上記裏面金属の接合面の表面に金属原子の拡散防止層を形成した上で、両接合面間にAlと上記金属Bに含まれるAu以外の少なくとも1種の金属とそれぞれ共晶反応を生じる金属としてZnを含むインサート材を介在させ、上記裏面金属とベースプレートを相対的に加圧しつつ加熱し、接合界面に生じた共晶反応溶融物を上記酸化皮膜と共に排出して、上記共晶反応溶融物と上記酸化皮膜の欠片が、上記接合界面を構成する金属Aと上記拡散防止層とで包囲されるようにし、接合界面の少なくとも一部において上記裏面金属及びベースプレートの接合面を構成する高純度Alと金属Bとを直接接合することを特徴とする請求項10に記載の製造方法。
- 半導体チップと配線金属とが接合されて成る半導体装置であって、
上記半導体チップはAl、Cu、Ag及びAuから成る群より選ばれた少なくとも1種を主成分とする金属Aを接合面に備え、上記配線金属は高純度Alから成ると共に、その接合面の表面に金属原子の拡散防止層を有し、
これら半導体チップ及び配線金属の接合面を構成する金属Aと高純度Alとが接合界面の少なくとも一部において直接接合され、当該直接接合部の周囲にZnの共晶組成物と、Al及び上記金属Aに含まれるAu以外の少なくとも1種の金属の酸化物を含む排出物が上記接合界面を構成する金属Aと上記拡散防止層とで包囲されて介在していることを特徴とする半導体装置。 - 上記配線金属が絶縁性セラミックス基板上に配置され、該絶縁性セラミックス基板の半導体チップ側とは反対側に備えた裏面金属がベースプレート上に接合されており、
上記裏面金属は高純度Alから成ると共に、その接合面の表面又は内部に金属原子の拡散防止層を有し、上記ベースプレートはAl、Cu、Ag及びAuから成る群より選ばれた少なくとも1種を主成分とする金属Bを接合面に備え、
これら裏面金属及びベースプレートの接合面を構成する高純度Alと金属Bとが接合界面の少なくとも一部において直接接合され、当該直接接合部の周囲にZnの共晶組成物と、Al及び上記金属Aに含まれるAu以外の少なくとも1種の金属の酸化物を含む排出物が介在していることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013166490 | 2013-08-09 | ||
JP2013166490 | 2013-08-09 | ||
PCT/JP2014/063565 WO2015019677A1 (ja) | 2013-08-09 | 2014-05-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015019677A1 JPWO2015019677A1 (ja) | 2017-03-02 |
JP6260941B2 true JP6260941B2 (ja) | 2018-01-24 |
Family
ID=52461025
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015530729A Active JP6260941B2 (ja) | 2013-08-09 | 2014-05-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6260941B2 (ja) |
WO (1) | WO2015019677A1 (ja) |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5557388A (en) * | 1978-10-20 | 1980-04-28 | Hitachi Ltd | Pressure welding method of aluminum member |
JP3506393B2 (ja) * | 1993-03-11 | 2004-03-15 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置とその製造方法、プリンタとその製造方法 |
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JP6016095B2 (ja) * | 2011-09-22 | 2016-10-26 | 日産自動車株式会社 | 接合方法及び接合部品 |
JP6003108B2 (ja) * | 2011-09-22 | 2016-10-05 | 日産自動車株式会社 | 接合方法及び接合部品の製造方法 |
JP2013176782A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Nissan Motor Co Ltd | 金属材料の接合方法 |
WO2013129229A1 (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-06 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2014
- 2014-05-22 WO PCT/JP2014/063565 patent/WO2015019677A1/ja active Application Filing
- 2014-05-22 JP JP2015530729A patent/JP6260941B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2015019677A1 (ja) | 2017-03-02 |
WO2015019677A1 (ja) | 2015-02-12 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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