JP6256349B2 - 透明電極、及び、電子デバイス - Google Patents

Description

本発明は、透明電極、及び、電子デバイスに関し、特に導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極、及び、この透明電極を用いた電子デバイスに関する。

有機材料のエレクトロルミネッセンス（electroluminescence：以下ＥＬと記す）を利用した有機電界発光素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、数Ｖ〜数十Ｖ程度の低電圧で発光が可能な薄層型の完全固体素子であり、高輝度、高発光効率、薄型、軽量といった多くの優れた特徴を有する。このため、各種ディスプレイのバックライト、看板や非常灯等の表示板、照明光源等の面発光体として近年注目されている。

このような有機電界発光素子は、２枚の電極間に有機材料を用いて構成された発光層を挟持した構成であり、発光層で生じた発光光は電極を透過して外部に取り出される。このため、２枚の電極のうちの少なくとも一方は透明電極として構成される。

透明電極としては、酸化インジウムスズ（ＳｎＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３：Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）等の酸化物半導体系の材料が一般的に用いられているが、ＩＴＯと銀とを積層して低抵抗化を狙った検討もなされている（例えば下記特許文献１，２参照）。また、ＩＴＯはレアメタルのインジウムを使用しているために材料コストが高く、抵抗を下げるために形成後に３００℃程度でアニール処理する必要がある。そこで、電気伝導率の高い銀等の金属材料を薄層化した構成や、銀にアルミニウムを混ぜることにより銀単独よりも薄い厚さで導電性を確保する構成も提案されている（例えば下記特許文献３参照）。

特開２００２−１５６２３号公報 特開２００６−１６４９６１号公報 特開２００９−１５１９６３号公報

しかしながら、電気伝導率の高い銀やアルミニウムを用いて構成された透明電極であっても、十分な導電性と光透過性との両立を図ることは困難であった。

上述した問題の解決のため、本発明においては、導電性と光透過性とに優れた透明電極、及び、電子デバイスを提供する。

本発明の透明電極は、窒素含有層と、窒素含有層に隣接して設けられた銀を主成分とする導電層と、導電層との間に窒素含有層を狭持して設けられ、窒素含有層よりも高い屈折率を有する高屈折率層と、高屈折率層に接して設けられ、高屈折率層よりも屈折率の低い低屈折率層を備える。窒素含有層は、窒素原子を含有すると共に当該窒素原子が有する非共有電子対のうち芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない非共有電子対の数をｎ、分子量をＭとした場合の有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が２．０×１０^−３≦［ｎ／Ｍ］である化合物を用いて構成されている。
また、本発明の電子デバイスは、上記透明電極を備える。

本発明の透明電極によれば、窒素原子を含有する化合物を用いて構成された窒素含有層に隣接させて、銀を主成分とした導電層が設けられる。また、この窒素含有層は、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］値が２．０×１０^−３≦［ｎ／Ｍ］となる化合物から構成されている。さらに、本発明の透明電極では、高屈折率層と低屈折率層とを有する。
上記窒素含有層上に銀を主成分とする導電層を形成することにより、銀原子と窒素含有層を構成する化合物との相互作用により、銀の凝集が抑えられ、薄いながらも均一な厚さの導電層が得られる。また、低屈折率層、高屈折率層、窒素含有層及び導電層がこの順に積層されることにより、銀を主成分とする導電層で生じる反射が抑制される。
従って、銀を用いた透明電極において、導電性の向上と光透過性の向上との両立が可能となる。また、この透明電極を用いて、導電性と光透過性とに優れる電子デバイスを構成することができる。

本発明によれば、導電性と光透過性とに優れた透明電極、及び、電子デバイスを提供することができる。

透明電極の実施形態の構成を示す断面図である。 窒素原子の結合様式を説明するためのＴＢＡＣとＩｒ（ｐｐｙ）_３の構造式を示す図である。 ピリジン環の構造式と分子軌道を示す図である。 ピロール環の構造式と分子軌道を示す図である。 イミダゾール環の構造式と分子軌道を示す図である。 δ−カルボリン環の構造式と分子軌道を示す図である。 実施形態の有機電界発光素子の構成を示す断面図である。 実施形態の有機電界発光素子の構成を示す断面図である。 実施例の有機電界発光素子の構成を示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態を、図面に基づいて次に示す順に説明する。
１．透明電極
２．有機電界発光素子の第１例（ボトムエミッション型）
３．有機電界発光素子の第２例（逆積み構成）
４．照明装置
なお、各実施形態において共通の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

〈１．透明電極〉
以下本発明の透明電極の具体的な実施の形態について説明する。
図１に、本実施形態の透明電極の概略構成図（断面図）を示す。図１に示すように、透明電極１０は、低屈折率層１２、高屈折率層１３、窒素含有層１４、及び、導電層１５を備える。導電層１５は、窒素含有層１４に隣接して形成されている。また、窒素含有層１４は、導電層１５と高屈折率層１３とに間に挟持されている。高屈折率層１３の一方の面は窒素含有層１４と接し、他方の面に接して低屈折率層１２が形成されている。
これらの低屈折率層１２、高屈折率層１３、窒素含有層１４、及び、導電層１５からなる積層構造が、基材１１上に設けられている。

上記積層構造において、高屈折率層１３は、窒素含有層１４よりも高い屈折率を有する層である。また、低屈折率層１２は、高屈折率層１３よりも低い屈折率を有する層である。透明電極１０の電極部分を構成する導電層１５は、銀（Ａｇ）を主成分として構成された層である。導電層１５に隣接する窒素含有層１４は、窒素原子（Ｎ）を含有する化合物を用いて構成されている。窒素含有層１４は、特に導電層１５の主材料である銀と安定的に結合する窒素原子の非共有電子対（有効非共有電子対）の含有率が、所定範囲である化合物から構成されている。

以下に、本例の透明電極１０について、基材１１、低屈折率層１２、高屈折率層１３、窒素含有層１４、及び導電層１５の順に、詳細な構成を説明する。なお、本例の透明電極１０において、透明とは波長５５０ｎｍでの光透過率が５０％以上であることをいう。

［基材１１］
透明電極１０が形成される基材１１は、例えばガラス、プラスチック等を挙げることができるが、これらに限定されない。また、基材１１は透明であっても不透明であってもよい。透明電極１０が、基材１１側から光を取り出す電子デバイスに用いられる場合には、基材１１は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な基材１１としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。また、透明電極１０が、基材１１とは反対側から光を取り出す電子デバイスに用いられる場合には、基材１１は透明であっても、不透明であってもよい。

ガラスとしては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、透明電極１０の積層構造との密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて研磨等の物理的処理や、無機物又は有機物からなる被膜、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成される。

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）又はアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。

樹脂フィルムの表面には、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。このような被膜及びハイブリッド被膜は、ＪＩＳ−Ｋ−７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ^２・２４時間）以下のバリア性フィルム（バリア膜等ともいう）であることが好ましい。またさらには、ＪＩＳ−Ｋ−７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１０^−３ｍｌ／（ｍ^２・２４時間・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が１０^−５ｇ／（ｍ^２・２４時間）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。

以上のようなバリア性フィルムを形成する材料としては、樹脂フィルムの劣化をもたらす水分や酸素等素子の浸入を抑制する機能を有する材料を用いる。例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに当該バリア性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層（有機層）の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。

バリア性フィルムの形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。特に、特開２００４−６８１４３号公報に記載の大気圧プラズマ重合法を好ましく用いることができる。

一方、基材１１が不透明なものである場合、例えば、アルミニウム、ステンレス等の金属基板、不透明樹脂基板、セラミック製の基板等を用いることができる。これらの基板は、フレキシブルに屈曲するフィルム状であってもよい。

［低屈折率層］
低屈折率層１２は、この低屈折率層１２に接する高屈折率層１３よりも、低い屈折率を有する層である。特に波長５５０ｎｍにおける屈折率が、高屈折率層よりも０．１以上低いことが好ましく、とくに好ましくは、高屈折率層１３よりも０．３以上低いことが好ましい。このような低屈折率層１２は、低い屈折率と、光透過性とを有する材料で構成される。例えば、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２：ｎ＝１．３７）、フッ化リチウム（ＬｉＦ：ｎ＝１．３９）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２：ｎ＝１．４３）、フッ化アルミニウム（ＡｌＦ_３：ｎ＝１．３８）等の光学フィルムに一般的に用いられる低屈折率材料やPoly(1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropyl acrylate)：ｎ＝１．３８、Poly(2,2,3,3,4,4,4-heptafluorobutyl acrylate)：ｎ＝１．３８、Poly(2,2,3,3,4,4,4-heptafluorobutyl methacrylate)：ｎ＝１．３８、Poly(2,2,3,3,3-pentafluoropropyl acrylate)：ｎ＝１．３９、Poly(1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropyl methacrylate)：ｎ＝１．３９、Poly(2,2,3,4,4,4-hexafluorobutyl acrylate)：ｎ＝１．３９、Poly(2,2,3,3,3-pentafluoropropyl methacrylate)：ｎ＝１．４０、Poly(2,2,2-trifluoroethyl acrylate)：ｎ＝１．４１、Poly(2,2,3,3-tetrafluoropropyl acrylate)：ｎ＝１．４２、Poly(2,2,3,3-tetrafluoropropyl methacrylate)：ｎ＝１．４２、Poly(2,2,2-trifluoroethyl methacrylate)：ｎ＝１．４２等のポリマー材料などが用いられる。

また、図１に示すように、基材１１上に低屈折率層１２と高屈折率層１３とが積層される場合には、低屈折率層１２は、高屈折率層１３及び基材１１よりも屈折率が低い層とする。このとき、基材１１を高屈折率層１３よりも屈折率の低い材料から構成し、低屈折率層１２を、基材１１よりも屈折率が低い層とする。好ましくは、波長５５０ｎｍにおける低屈折率層１２の屈折率が、基材１１よりも０．１以上低いことが好ましい。これにより、透明電極１０の透過率をさらに高めることができる。

なお、基材１１の屈折率が高屈折率層１３よりも小さい場合には、別途低屈折率層１２を設けずに、基材１１上に直接高屈折率層１３を形成することにより、基材１１を低屈折率層１２としてもよい。このように、基材１１自体を低屈折率層として使用して、基材上に高屈折率層１３、窒素含有層１４及び導電層１５からなる積層構造を設ける構成としてもよい。或いは、低屈折率層１２が基材として要求される特性を有している場合には、別途基材を準備せずに、低屈折率層１２を基材として使用することも可能である。

［高屈折率層］
高屈折率層１３は、窒素含有層１４よりも高い屈折率を有する。高屈折率層１３の波長５５０ｎｍにおける屈折率が、窒素含有層１４の屈折率（ｎ＝１．７〜１．８）より０．１以上高いと好ましく、０．３以上高いとさらに好ましい。このような高屈折率層１３は、高い屈折率と、光透過性とを有する材料で構成される。例えば、酸化チタン（ＴｉＯ_２：ｎ＝２．３〜２．４）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ：ｎ＝２．４）、酸化カドミウム（ＣｄＯ：ｎ＝２．４９）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：ｎ＝２．１〜２．２）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ_２：ｎ＝１．９〜２．１）、五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５：ｎ＝２．１６）、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５：ｎ＝２．２〜２．４）等の光学フィルムに一般的に用いられる高屈折率材料が用いられる。

［窒素含有層］
窒素含有層１４は、導電層１５に隣接して形成され、高屈折率層１３と導電層１５とに挟持された層である。
導電層１５と接して窒素含有層１４が形成されることにより、導電層１５の主成分である銀と、窒素含有層１４を構成する窒素原子を含んだ化合物との相互作用により、窒素含有層表面における銀原子の拡散距離が減少し、銀の凝集が抑えられる。このため、一般的に、核成長型（Volumer-Weber：ＶＷ型）での成長により島状に孤立し易い薄銀層が、単層成長型（Frank-van der Merwe：ＦＭ型）の成長によって形成される。従って、窒素含有層１４に接して、銀を主成分とする導電層１５を形成することにより、薄いながらも、均一な厚さの導電層１５が得られる。

窒素含有層１４は、５ｎｍ以下の厚さを有することが好ましい。これは、窒素含有層１４の厚さが小さいほど、すなわち高屈折率層１３と導電層１５との距離が小さいほど、透明電極１０の光透過率が高くなるためである。なお、窒素含有層１４の厚さは、窒素含有層１４上に形成される導電層１５のＦＭ型での成長を妨げない程度の厚さ、すなわち窒素含有層１４が島状にならず高屈折率層１３を覆う連続層として形成される程度の厚さとする。

また、窒素含有層１４は、導電層１５に隣接して設けられた層であり、窒素原子（Ｎ）を含有する化合物を用いて構成されている。この窒素原子を含む化合物において、導電層１５を構成する主材料である銀と安定的に結合する窒素原子の非共有電子対を［有効非共有電子対］とする。そして、窒素含有層１４を構成する化合物は、［有効非共有電子対］の含有率が所定範囲であることを特徴としている。

ここで［有効非共有電子対］とは、化合物に含有される窒素原子が有する非共有電子対のうち、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない非共有電子対とする。芳香族性とは、π電子を持つ原子が環状に並んだ不飽和環状構造を言い、いわゆる「ヒュッケル則」に従う芳香族性であって、環上のπ電子系に含まれる電子の数が「４ｎ＋２」(ｎ＝０、又は自然数)個であることを条件としている。

［有効非共有電子対］は、その非共有電子対を備える窒素原子自体が、芳香環を構成するヘテロ原子であるか否かにかかわらず、窒素原子の有する非共有電子対が芳香族性に関与しているか否かによって選択される。例えば、ある窒素原子が芳香環を構成するヘテロ原子であっても、その窒素原子の非共有電子対が、芳香族性に必須要素として直接的に関与しない非共有電子対であれば、その非共有電子対は［有効非共有電子対］の一つとしてカウントされる。すなわち共役不飽和環構造（芳香環）上の非局在化したπ電子系に、芳香性発現のために必須のものとして関与していない非共有電子対であれば、その非共有電子対は［有効非共有電子対］の一つとしてカウントされる。これに対して、ある窒素原子が芳香環を構成するヘテロ原子でない場合であっても、その窒素原子の非共有電子対の全てが芳香族性に関与していれば、その窒素原子の非共有電子対は［有効非共有電子対］とはならない。尚、各化合物において、上述した［有効非共有電子対］の数ｎは、［有効非共有電子対］を有する窒素原子の数と一致する。

次に、上述した［有効非共有電子対］について、具体例を挙げて詳細に説明する。
窒素原子は、第１５族元素であり、最外殻に５個の電子を有する。このうち３個の不対電子は他の原子との共有結合に用いられ、残りの２個は一対の非共有電子対となる。このため、通常、窒素原子の結合本数は３本である。
例えば、窒素原子を有する基として、アミノ基（−ＮＲ^１Ｒ^２）、アミド基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^１Ｒ^２）、ニトロ基（−ＮＯ_２）、シアノ基（−ＣＮ）、ジアゾ基（−Ｎ_２）、アジド基（−Ｎ_３）、ウレア結合（−ＮＲ^１Ｃ＝ＯＮＲ^２−）、イソチオシアネート基（−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ）、チオアミド基（−Ｃ（＝Ｓ）ＮＲ^１Ｒ^２）などが挙げられる。尚、Ｒ^１，Ｒ^２は、それぞれ水素原子（Ｈ）又は置換基である。これらの基を構成する窒素原子の非共有電子対は、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していないため、［有効非共有電子対］に該当する。このうち、ニトロ基（−ＮＯ_２）の窒素原子が有する非共有電子対は、酸素原子との共鳴構造に利用されているものの、以降の実施例で示すように良好な効果が得られていることから、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］として窒素上に存在すると考えられる。

また、窒素原子は、非共有電子対を利用することで４本目の結合を作り出すこともできる。この場合の一例を、図２を用いて説明する。図２に、テトラブチルアンモニウムクロライド（ＴＢＡＣ）の構造式と、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］の構造式を示す。

このうち、ＴＢＡＣは、四つのブチル基のうちの１つが窒素原子とイオン結合し、対イオンとして塩化物イオンを有する、第四級アンモニウム塩である。この場合、窒素原子の非共有電子対を構成する電子のうちの１つは、ブチル基とのイオン結合に供与される。このため、ＴＢＡＣの窒素原子は、そもそも非共有電子対が存在していないと同等になる。従って、ＴＢＡＣを構成する窒素原子の非共有電子対は、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］には該当しない。

また、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３は、イリジウム原子と窒素原子とが配位結合している中性の金属錯体である。このＩｒ（ｐｐｙ）_３を構成する窒素原子の非共有電子対は、イリジウム原子に配位していて、配位結合に利用されている。従って、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３を構成する窒素原子の非共有電子対も、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］には該当しない。

また、窒素原子は、芳香環を構成することのできるヘテロ原子として一般的であり、芳香族性の発現に寄与することができる。この「含窒素芳香環」としては、たとえば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられる。

図３は、上記含窒素芳香環の一つであるピリジン環の構造式と分子軌道を示す図である。図３に示すとおり、ピリジン環は、６員環状に並んだ共役（共鳴）不飽和環構造において、非局在化したπ電子の数が６個であるため、４ｎ＋２（ｎ＝０又は自然数）のヒュッケル則を満たす。６員環内の窒素原子は、−ＣＨ＝を置換したものであるため、１個の不対電子を６π電子系に動員するのみであり、非共有電子対は芳香族性発現のために必須のものとして関与していない。

従って、ピリジン環を構成する窒素原子の非共有電子対は、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］に該当する。

図４は、ピロール環の構造式と分子軌道を示す図である。図４に示すとおり、ピロール環は、５員環を構成する炭素原子のうちの一つが窒素原子に置換された構造であり、π電子の数は６個であるため、ヒュッケル則を満たした含窒素芳香環である。ピロール環の窒素原子は、水素原子とも結合しているため、非共有電子対が６π電子系に動員される。

従って、ピロール環の窒素原子は、非共有電子対を有するものの、この非共有電子対は、芳香族性発現のために必須のものとして利用されているため、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］には該当しない。

図５は、イミダゾール環の構造式と分子軌道を示す図である。図５に示すとおり、イミダゾール環は、二つの窒素原子Ｎ^１，Ｎ^２が、５員環内の１位と３位を置換した構造を有しており、やはりπ電子数が６個の含窒素芳香環である。このうち一つの窒素原子Ｎ^１は、１個の不対電子のみを６π電子系に動員し、非共有電子対を芳香族性発現のために利用していないピリジン環型の窒素原子である。このため、この窒素原子Ｎ^１の非共有電子対は、［有効非共有電子対］に該当する。これに対して、他方の窒素原子Ｎ^２は、非共有電子対を６π電子系に動員しているピロール環型の窒素原子であるため、この窒素原子Ｎ^２の非共有電子対は、［有効非共有電子対］に該当しない。

従って、イミダゾール環においては、二つの窒素原子Ｎ^１，Ｎ^２のうちの一つの窒素原子Ｎ^１の非共有電子対のみが、［有効非共有電子対］に該当する。

以上のような「含窒素芳香環」の窒素原子における非共有電子対の選別は、含窒素芳香環骨格を有する縮環化合物の場合にも同様に適用される。

図６は、δ−カルボリン環の構造式と分子軌道を示す図である。図６に示すとおり、δ−カルボリン環は、含窒素芳香環骨格を有する縮環化合物であり、ベンゼン環骨格、ピロール環骨格、及びピリジン環骨格がこの順に縮合したアザカルバゾール化合物である。このうち、ピリジン環の窒素原子Ｎ^３は１個の不対電子のみをπ電子系に動員し、ピロール環の窒素原子Ｎ^４は非共有電子対をπ電子系に動員しており、環を形成している炭素原子からの１１個のπ電子とともに、全体のπ電子数が１４個の芳香環となっている。

従って、δ-カルボリン環の二つの窒素原子Ｎ^３，Ｎ^４のうち、ピリジン環を構成する窒素原子Ｎ^３の非共有電子対は［有効非共有電子対］に該当するが、ピロール環を構成する窒素原子Ｎ^４の非共有電子対は、［有効非共有電子対］に該当しない。

このように、縮環化合物を構成する窒素原子の非共有電子対は、縮環化合物を構成するピリジン環やピロール環等の単環中の結合と同様に、縮環化合物中の結合に関与する。

以上説明した［有効非共有電子対］は、導電層１５の主成分である銀と強い相互作用を発現するために重要である。このような［有効非共有電子対］を有する窒素原子は、安定性、耐久性の観点から、含窒素芳香環中の窒素原子であることが好ましい。従って、窒素含有層１４に含有される化合物は、［有効非共有電子対］を持つ窒素原子をヘテロ原子とした芳香族複素環を有することが好ましい。

本実施形態においては、このような化合物の分子量Ｍに対する［有効非共有電子対］の数ｎを、例えば有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］と定義する。そして窒素含有層１４は、この［ｎ／Ｍ］が、２．０×１０^-３≦［ｎ／Ｍ］となるように選択された化合物を用いて構成されているところが特徴的である。また窒素含有層１４は、以上のように定義される有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が、３．９×１０^-３≦［ｎ／Ｍ］の範囲であれば好ましく、６．５×１０^-３≦［ｎ／Ｍ］の範囲であればさらに好ましい。有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］となる化合物を用いて窒素含有層を構成することにより、窒素含有層に上述の導電層を構成する銀の凝集を抑える効果が得られる。

また、窒素含有層１４は、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲である化合物を用いて構成されていればよく、このような化合物のみで構成されていてもよく、またこのような化合物と他の化合物とを混合して用いて構成されていてもよい。他の化合物は、窒素原子が含有されていてもいなくてもよく、さらに有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲でなくてもよい。

窒素含有層１４が、複数の化合物を用いて構成されている場合、例えば化合物の混合比に基づき、これらの化合物を混合した混合化合物の分子量Ｍを求める。そして、この分子量Ｍに対する［有効非共有電子対］の合計の数ｎから、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の平均値を求める。この値が上述の所定範囲であることが好ましい。つまり、窒素含有層１４自体の有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が所定範囲であることが好ましい。

なお、窒素含有層１４が、複数の化合物を用いて構成されている場合であって、厚さ方向に化合物の混合比（含有比）が異なる構成であれば、導電層１５と接する側の窒素含有層１４の表面層における有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が所定範囲であればよい。

［化合物−１］
以下に、窒素含有層１４を構成する化合物として、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が２．０×１０^−３≦［ｎ／Ｍ］を満たす化合物の具体例（Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４８）を示す。各化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４８には、［有効非共有電子対］を有する窒素原子に対して○を付した。また、下記表１には、これらの化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４８の分子量Ｍ、［有効非共有電子対］の数ｎ、及び有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］を示す。下記化合物３３の銅フタロシアニンにおいては、窒素原子が有する非共有電子対のうち銅に配位していない非共有電子対が［有効非共有電子対］としてカウントされる。

尚、上記表１には、これらの例示化合物が、以降に説明する他の化合物−２を表す一般式（１）〜（８ａ）にも属する場合の該当一般式を示した。

［化合物−２］
また窒素含有層１４を構成する化合物としては、以上のような有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲である化合物に加え、他の化合物を用いてもよい。窒素含有層１４に用いられる他の化合物は、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲で有る無しにかかわらず、窒素原子を含有する化合物が好ましく用いられる。中でも［有効非共有電子対］を有する窒素原子を含有する化合物が特に好ましく用いられる。また窒素含有層１４に用いられる他の化合物は、この窒素含有層１４を備えた透明電極１０が適用される電子デバイスごとに必要とされる性質を有する化合物が用いられる。例えば、この透明電極１０が、有機電界発光素子の電極として用いられる場合、その成膜性や、電子輸送性の観点から、窒素含有層１４を構成する化合物として、以降に説明する一般式（１）〜（８ａ）で表される構造を有する化合物が好ましく用いられる。

これらの一般式（１）〜（８ａ）で示される構造を有する化合物の中には、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の範囲に当てはまる化合物も含まれ、このような化合物であれば単独で窒素含有層１４を構成する化合物として用いることができる（上記表１参照）。一方、下記一般式（１）〜（８ａ）で示される構造を有する化合物が、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の範囲に当てはまらない化合物であれば、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した範囲の化合物と混合することで窒素含有層１４を構成する化合物として用いることができる。

上記一般式（１）中におけるＸ１１は、−Ｎ（Ｒ１１）−又は−Ｏ−を表す。また一般式（１）中におけるＥ１０１〜Ｅ１０８は、各々−Ｃ（Ｒ１２）＝又は−Ｎ＝を表す。Ｅ１０１〜Ｅ１０８のうち少なくとも１つは−Ｎ＝である。上記Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれが水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。

この置換基の例としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基、ピペリジル基（ピペリジニル基ともいう）、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えば、ジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えばジフェニルホスフィニル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。

これらの置換基の一部は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。これらの置換基は、化合物と銀（Ａｇ）との相互作用を阻害することのないものが好ましく用いられ、さらには上述した有効非共有電子対を有する窒素を有するものが特に好ましく適用される。尚、以上の置換基に関する記述は、以降に説明する一般式（２）〜（８ａ）の説明において示される置換基に、同様に適用される。

以上のような一般式（１）で表される構造を有する化合物は、化合物中の窒素と、導電層１５を構成する銀との間で強力な相互作用を発現できるため、好ましい。

上記一般式（１ａ）で表される構造を有する化合物は、上記一般式（１）で示される構造を有する化合物の一形態であり、一般式（１）におけるＸ１１を−Ｎ（Ｒ１１）−とした化合物である。このような化合物であれば、上記相互作用をより強力に発現できるため、好ましい。

上記一般式（１ａ−１）で表される構造を有する化合物は、上記一般式（１ａ）で示される構造を有する化合物の一形態であり、一般式（１ａ）におけるＥ１０４を−Ｎ＝とした化合物である。このような化合物であれば、より効果的に上記相互作用を発現できるため、好ましい。

上記一般式（１ａ−２）で表される構造を有する化合物は、上記一般式（１ａ）で示される構造を有する化合物の他の一形態であり、一般式（１ａ）におけるＥ１０３及びＥ１０６を−Ｎ＝とした化合物である。このような化合物は、窒素原子の数が多いことから、より強力に上記相互作用を発現できるため、好ましい。

上記一般式（１ｂ）で表される構造を有する化合物は、上記一般式（１）で示される構造を有する化合物の他の一形態であり、一般式（１）におけるＸ１１を−Ｏ−とし、Ｅ１０４を−Ｎ＝とした化合物である。このような化合物であれば、より効果的に上記相互作用を発現できるため、好ましい。

さらに、以下の一般式（２）〜（８ａ）で表される構造を有する化合物であれば、より効果的に上記相互作用を発現できるため、好ましい。

上記一般式（２）は、一般式（１）の一形態でもある。上記一般式（２）の式中、Ｙ２１は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ２０１〜Ｅ２１６、Ｅ２２１〜Ｅ２３８は、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝又は−Ｎ＝を表す。Ｒ２１は水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。ただし、Ｅ２２１〜Ｅ２２９の少なくとも１つ、及びＥ２３０〜Ｅ２３８の少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。ｋ２１及びｋ２２は０〜４の整数を表すが、ｋ２１＋ｋ２２は２以上の整数である。

一般式（２）において、Ｙ２１で表されるアリーレン基としては、例えば、ｏ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基（例えば、［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジイル基、３，３’−ビフェニルジイル基、３，６−ビフェニルジイル基等）、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等が例示される。

また一般式（２）において、Ｙ２１で表されるヘテロアリーレン基としては、例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す）、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環からなる群から導出される２価の基等が例示される。

Ｙ２１で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基の中でも、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、当該３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基又はジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。

一般式（２）において、Ｅ２０１〜Ｅ２０８のうちの６つ以上、及びＥ２０９〜Ｅ２１６のうちの６つ以上が、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝で表されることが好ましい。

一般式（２）において、Ｅ２２５〜Ｅ２２９の少なくとも１つ、及びＥ２３４〜Ｅ２３８の少なくとも１つが−Ｎ＝を表すことが好ましい。

さらには、一般式（２）において、Ｅ２２５〜Ｅ２２９のいずれか１つ、及びＥ２３４〜Ｅ２３８のいずれか１つが−Ｎ＝を表すことが好ましい。

また、一般式（２）において、Ｅ２２１〜Ｅ２２４及びＥ２３０〜Ｅ２３３が、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝で表されることが好ましい態様として挙げられる。

さらに、一般式（２）で表される構造を有する化合物において、Ｅ２０３が−Ｃ（Ｒ２１）＝で表され、かつＲ２１が連結部位を表すことが好ましく、さらに、Ｅ２１１も同時に−Ｃ（Ｒ２１）＝で表され、かつＲ２１が連結部位を表すことが好ましい。

さらに、Ｅ２２５及びＥ２３４が−Ｎ＝で表されることが好ましく、Ｅ２２１〜Ｅ２２４及びＥ２３０〜Ｅ２３３が、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝で表されることが好ましい。

上記一般式（３）は、一般式（１ａ−２）の一形態でもある。上記一般式（３）の式中、Ｅ３０１〜Ｅ３１２は、各々−Ｃ（Ｒ３１）＝を表し、Ｒ３１は水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。また、Ｙ３１は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。

また一般式（３）において、Ｙ３１で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、一般式（２）のＹ２１と同様のものが挙げられる。

上記一般式（４）は、一般式（１ａ−１）の一形態でもある。上記一般式（４）の式中、Ｅ４０１〜Ｅ４１４は、各々−Ｃ（Ｒ４１）＝を表し、Ｒ４１は水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。またＡｒ４１は、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環、又は、置換若しくは無置換の芳香族複素環を表す。さらにｋ４１は３以上の整数を表す。

また一般式（４）において、Ａｒ４１が芳香族炭化水素環を表す場合、この芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。これらの環は、さらに一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。

また一般式（４）において、Ａｒ４１が芳香族複素環を表す場合、この芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環等が挙げられる。尚、アザカルバゾール環とは、カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が１つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。これらの環は、さらに一般式（１）において、Ｒ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。

上記一般式（５）の式中、Ｒ５１は置換基を表す。Ｅ５０１，Ｅ５０２、Ｅ５１１〜Ｅ５１５、Ｅ５２１〜Ｅ５２５は、各々−Ｃ（Ｒ５２）＝又は−Ｎ＝を表す。Ｅ５０３〜Ｅ５０５は、各々−Ｃ（Ｒ５２）＝を表す。Ｒ５２は、水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。Ｅ５０１及びＥ５０２のうちの少なくとも１つは−Ｎ＝であり、Ｅ５１１〜Ｅ５１５のうちの少なくとも１つは−Ｎ＝であり、Ｅ５２１〜Ｅ５２５のうちの少なくとも１つは−Ｎ＝である。

上記一般式（６）の式中、Ｅ６０１〜Ｅ６１２は、各々−Ｃ（Ｒ６１）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ６１は水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。またＡｒ６１は、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環、又は、置換若しくは無置換の芳香族複素環を表す。

また一般式（６）において、Ａｒ６１が表す、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環、又は、置換若しくは無置換の芳香族複素環は、一般式（４）のＡｒ４１と同様のものが挙げられる。

上記一般式（７）の式中、Ｒ７１〜Ｒ７３は、各々水素原子（Ｈ）又は置換基を表し、Ａｒ７１は、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。

また一般式（７）において、Ａｒ７１が表す芳香族炭化水素環又は芳香族複素環は、一般式（４）のＡｒ４１と同様のものが挙げられる。

上記一般式（８）は、一般式（７）の一形態でもある。上記一般式（８）の式中、Ｒ８１〜Ｒ８６は、各々水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。Ｅ８０１〜Ｅ８０３は、各々−Ｃ（Ｒ８７）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ８７は水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。Ａｒ８１は、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。

また一般式（８）において、Ａｒ８１が表す、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環は、一般式（４）のＡｒ４１と同様のものが挙げられる。

上記一般式（８ａ）で示される窒素含有化合物は、上記一般式（８）で示される窒素含有化合物の一形態であり、一般式（８）におけるＡｒ８１がカルバゾール誘導体である。上記一般式（８ａ）の式中、Ｅ８０４〜Ｅ８１１は、各々−Ｃ（Ｒ８８）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ８８は水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。Ｅ８０８〜Ｅ８１１のうち少なくとも一つは−Ｎ＝であり、Ｅ８０４〜Ｅ８０７、Ｅ８０８〜Ｅ８１１は、各々互いに結合して新たな環を形成してもよい。

［化合物−３］
また窒素含有層１４を構成するさらに他の化合物として、以上のような一般式（１）〜（８ａ）で表される構造を有する化合物の他、下記に具体例を示す化合物１〜１６６が例示される。これらの化合物は、導電層１５を構成する銀と相互作用する窒素原子を含有する化合物である。また、これらの化合物は、電子輸送性又は電子注入性を備えた材料である。従って、これらの化合物を用いて窒素含有層１４を構成した透明電極１０は、有機電界発光素子における透明電極として好適であり、有機電界発光素子における電子輸送層又は電子注入層として窒素含有層１４を用いることができるのである。尚、これらの化合物１〜１６６の中には、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の範囲に当てはまる化合物も含まれ、このような化合物であれば単独で窒素含有層１４を構成する化合物として用いることができる。さらに、これらの化合物１〜１６６の中には、上述した一般式（１）〜（８ａ）に当てはまる化合物もある。

（化合物の合成例）
以下に代表的な化合物の合成例として、化合物５の具体的な合成例を示すが、これに限定されない。

工程１：（中間体１の合成）
窒素雰囲気下において、２，８−ジブロモジベンゾフラン（１．０モル）、カルバゾール（２．０モル）、銅粉末（３．０モル）、炭酸カリウム（１．５モル）を、ＤＭＡｃ（ジメチルアセトアミド）３００ｍｌ中で混合し、１３０℃で２４時間撹拌した。これによって得た反応液を室温まで冷却後、トルエン１Ｌを加え、蒸留水で３回洗浄し、減圧雰囲気下において洗浄物から溶媒を留去した。残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー（ｎ−ヘプタン：トルエン＝４：１〜３：１）にて精製し、中間体１を収率８５％で得た。

工程２：（中間体２の合成）
室温、大気下で中間体１（０．５モル）をＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）１００ｍｌに溶解し、ＮＢＳ（Ｎ−ブロモコハク酸イミド）（２．０モル）を加え、一晩室温で撹拌した。得られた沈殿物を濾過し、メタノールで洗浄し、中間体２を収率９２％で得た。

工程３：（化合物５の合成）
窒素雰囲気下において、中間体２（０．２５モル）、２−フェニルピリジン（１．０モル）、ルテニウム錯体［（η_６−Ｃ_６Ｈ_６）ＲｕＣｌ_２］_２（０．０５モル）、トリフェニルホスフィン（０．２モル）、炭酸カリウム（１２モル）を、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）３Ｌ中で混合し、１４０℃で一晩撹拌した。

反応液を室温まで冷却後、ジクロロメタン５Ｌを加え、反応液を濾過した。次に、減圧雰囲気下（８００Ｐａ、８０℃）において濾液から溶媒を留去し、その残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー（ＣＨ_２Ｃｌ_２：Ｅｔ_３Ｎ＝２０：１〜１０：１）にて精製した。

減圧雰囲気下において、精製物から溶媒を留去した後、その残渣をジクロロメタンに再び溶解し、水で３回洗浄した。洗浄によって得られた物質を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧雰囲気下において乾燥後の物質から溶媒を留去することにより、化合物５を収率６８％で得た。

［窒素含有層の形成方法］
以上のような窒素含有層１４が高屈折率層１３上に形成されたものである場合、その形成方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法等）、スパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。なかでも蒸着法が好ましく適用される。

特に、複数の化合物を用いて窒素含有層１４を形成する場合であれば、複数の蒸着源から複数の化合物を同時に供給する共蒸着が適用される。また化合物として高分子材料を用いる場合であれば、塗布法が好ましく適用される。この場合、化合物を溶媒に溶解させた塗布液を用いる。化合物を溶解させる溶媒が限定されることはない。さらに、複数の化合物を用いて窒素含有層１４を形成する場合であれば、複数の化合物を溶解させることが可能な溶媒を用いて塗布液を作製すればよい。

［導電層］
導電層１５は、銀を主成分として構成された層であって、銀又は銀を主成分とした合金を用いて構成され、窒素含有層１４に隣接して形成された層である。このような導電層１５の形成方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法等）、スパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。なかでも蒸着法が好ましく適用される。また、導電層１５は、窒素含有層１４上に形成されることにより、形成後の高温アニール処理等がなくても十分に導電性を有することを特徴とするが、必要に応じて、形成後に高温アニール処理等を行ったものであってもよい。

導電層１５を構成する銀（Ａｇ）を主成分とする合金は、一例として銀マグネシウム（ＡｇＭｇ）、銀銅（ＡｇＣｕ）、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）、銀パラジウム銅（ＡｇＰｄＣｕ）、銀インジウム（ＡｇＩｎ）等が挙げられる。

以上のような導電層１５は、銀又は銀を主成分とした合金の層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であってもよい。

さらに、この導電層１５は、厚さが４〜１２ｎｍの範囲にあることが好ましい。厚さ１２ｎｍ以下では、層の吸収成分及び反射成分が低く抑えられ、導電層１５の光透過率が維持されるため好ましい。また、厚さが４ｎｍ以上であることにより、層の導電性も確保される。

なお、以上のような、低屈折率層１２、高屈折率層１３、窒素含有層１４、及び窒素含有層１４に隣接して設けられた導電層１５からなる積層構造の透明電極１０は、導電層１５の上部が保護膜で覆われていてもよく、別の導電性層が積層されていてもよい。この場合、透明電極１０の光透過性を損なうことのないように、保護膜及び導電性層が光透過性を有することが好ましい。また、低屈折率層１２の下部、すなわち、低屈折率層１２と基材１１との間にも、必要に応じた層を設けた構成としてもよい。

［アルミニウム層］
また、以上の構成の透明電極１０では、窒素含有層１４と導電層１５との界面上に、図示しないアルミニウム（Ａｌ）の層を設けてよい。アルミニウム層は、導電層１５と窒素含有層との相互作用を阻害しない厚さで形成する。また、アルミニウム層は連続膜ではなく、島状や孔を有する層であってもよい。この場合には、銀の層の一部が窒素含有層に隣接して設けられる。このように、窒素含有層と銀を主成分とする層との間に他の金属を挟んだ構成であってもよい。この場合には、導電層１５を構成する銀又は銀を主成分とする合金と、窒素含有層１４上に設けられたアルミニウム層との間に、合金の層が形成された構成となっていてもよい。

［透明電極の効果］
以上のように構成された透明電極１０は、窒素原子を含有する化合物を用いて構成された窒素含有層１４に隣接させて、銀を主成分とした導電層１５を設けた構成である。これにより、窒素含有層１４に隣接させて導電層１５を形成する際には、導電層１５を構成する銀原子が窒素含有層１４を構成する窒素原子を含んだ化合物と相互作用し、銀原子の窒素含有層１４表面での拡散距離が減少し、銀の凝集が抑えられる。このため、一般的には核成長型（Volumer-Weber：ＶＷ型）での成長により島状に孤立し易い薄銀層が、単層成長型（Frank-van der Merwe：ＦＭ型）の成長によって形成されるようになる。従って、薄いながらも、均一な厚さの導電層１５が得られるようになる。

そして特に、窒素含有層１４に対する導電層１５を構成する銀の結合安定性の指標として、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］を適用し、この値が２．０×１０^-３≦［ｎ／Ｍ］となる化合物を用いて窒素含有層１４を構成するようにした。これにより、上述したような「銀の凝集を抑える」効果が確実に得られる窒素含有層１４を設けることが可能になる。これは、後の実施例で詳細に説明するように、このような窒素含有層１４上には、６ｎｍと言った極薄層でありながらもシート抵抗の測定が可能な導電層１５が形成されることからも確認された。

以上の結果、この様な窒素含有層１４の上部に、薄い厚さであることで光透過性を確保しつつも、均一な厚さであることで導電性が確保された導電層１５を確実に得ることができ、銀を用いた透明電極１０における導電性の向上と光透過性の向上との両立を図ることが可能になる。

また、透明電極１０は、低屈折率層１２及び高屈折率層１３を有する構成であり、低屈折率層１２、高屈折率層１３、窒素含有層１４、及び導電層１５がこの順に積層されている。このため、銀を主成分とする導電層で生じる反射が抑制される。

また、このような透明電極１０は、レアメタルであるインジウム（Ｉｎ）を用いていないため低コストであり、またＺｎＯのような化学的に不安定な材料を用いていないため長期信頼性にも優れている。

［透明電極の用途］
上述した構成の透明電極１０は、各種電子デバイスに用いることができる。電子デバイスの例としては、有機電界発光素子、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、液晶素子、太陽電池、タッチパネル等が挙げられ、これらの電子デバイスにおいて光透過性を必要とされる電極部材として、上述の透明電極１０を用いることができる。
以下では、用途の一例として、透明電極をアノード及びカソードとして用いた有機電界発光素子の実施の形態を説明する。

〈２．有機電界発光素子（ボトムエミッション型）〉
［有機電界発光素子の構成］
次に、本発明の電子デバイスの実施形態について説明する。本実施形態では、電子デバイスの一例として、上述の透明電極１０を用いた有機電界発光素子について説明する。図７に、本実施形態の有機電界発光素子の断面構成図を示す。以下にこの図に基づいて有機電界発光素子の構成を説明する。

図７に示す有機電界発光素子２０は、透明基板２１上に設けられており、透明基板２１側から順に、アノードとなる透明電極１０、発光機能層２２、及びカソードとなる対向電極２３が積層されている。このうち、透明電極１０として、上述の実施形態の透明電極１０が用いられている。このため有機電界発光素子２０は、発生させた光（以下、発光光ｈと記す）を、少なくとも透明基板２１側から取り出すボトムエミッション型として構成されている。

また、有機電界発光素子２０の全体的な層構造は、上記に限定されることはなく、一般的な層構造であってもよい。ここでは、透明電極１０がアノード（すなわち陽極）側に配置され、主に導電層１５がアノードとして機能する一方、対向電極２３がカソード（すなわち陰極）として機能する。

この場合、例えば発光機能層２２は、アノードである透明電極１０の上部に［正孔注入層２２ａ／正孔輸送層２２ｂ／発光層２２ｃ／電子輸送層２２ｄ／電子注入層２２ｅ］をこの順に積層した構成を例示できるが、このうち少なくとも有機材料を用いて構成された発光層２２ｃを有することが必要である。正孔注入層２２ａ及び正孔輸送層２２ｂは、正孔輸送性と正孔注入性とを有する正孔輸送／注入層として設けられてもよい。電子輸送層２２ｄ及び電子注入層２２ｅは、電子輸送性と電子注入性とを有する単一層として設けられてもよい。また、これらの発光機能層２２のうち、例えば電子注入層２２ｅは無機材料で構成されている場合もある。

また、発光機能層２２は、これらの層の他にも正孔阻止層や電子阻止層等が必要に応じて必要箇所に積層されていてよい。さらに、発光層２２ｃは、各波長領域の発光光を発生させる各色発光層を有し、これらの各色発光層を、非発光性の中間層を介して積層させて発光層ユニットとして形成されていてもよい。中間層は、正孔阻止層、電子阻止層として機能してもよい。さらにカソードである対向電極２３も、必要に応じた積層構造であってもよい。このような構成において、透明電極１０と対向電極２３とで発光機能層２２が挟持されている部分のみが、有機電界発光素子２０における発光領域となる。

また、以上のような層構成においては、透明電極１０の低抵抗化を図ることを目的とし、透明電極１０の導電層１５に接して補助電極が設けられていてもよい。

以上のような構成の有機電界発光素子２０は、有機材料等を用いて構成された発光機能層２２の劣化を防止することを目的として、透明基板２１上において後述する透明封止材で封止されている。この透明封止材は、接着剤を介して透明基板２１側に固定されている。ただし、透明電極１０及び対向電極２３の端子部分は、透明基板２１上において発光機能層２２によって互いに絶縁性を保ちつつ、透明封止材から露出させた状態に配置される。

以下、上述した有機電界発光素子２０を構成するための主要各層の詳細を、透明基板２１、透明電極１０、対向電極２３、発光機能層２２の発光層２２ｃ、発光機能層２２の他の層、補助電極、及び封止材の順に説明する。その後、有機電界発光素子２０の作製方法を説明する。

［透明基板］
透明基板２１は、上述の図１に示す実施形態の透明電極１０が設けられる基材のうち、光透過性を有する透明な材料が用いられる。

［透明電極（アノード側）］
透明電極１０は、上述の実施形態の透明電極１０であり、透明基板２１側から順に、低屈折率層１２、高屈折率層１３、窒素含有層１４、及び導電層１５を順に形成した構成である。ここでは特に、透明電極１０を構成する導電層１５が実質的なアノードとなる。

［対向電極（カソード）］
対向電極２３は、発光機能層２２に電子を供給するためのカソードとして機能する電極層であり、金属、合金、有機又は無機の導電性化合物、及びこれらの混合物が用いられる。具体的には、金、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２等の酸化物半導体等が挙げられる。

対向電極２３は、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄層を形成させることにより作製することができる。また、対向電極２３としてのシート抵抗は、数百Ω／ｓｑ．以下が好ましく、厚さは通常５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

なお、この有機電界発光素子２０が、対向電極２３側からも発光光ｈを取り出す両面発光型であれば、上述した導電性材料のうち光透過性の良好な導電性材料を選択して対向電極２３を構成する。

［発光層］
本実施形態の有機電界発光素子に用いられる発光層２２ｃは、発光材料として例えば燐光発光化合物が含有されている。

この発光層２２ｃは、電極又は電子輸送層２２ｄから注入された電子と、正孔輸送層２２ｂから注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層２２ｃの層内であっても発光層２２ｃにおける隣接する層との界面であってもよい。

このような発光層２２ｃとしては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層２２ｃ間には非発光性の中間層（図示せず）を有していることが好ましい。

発光層２２ｃの厚さの総和は１〜１００ｎｍの範囲にあることが好ましく、さらに好ましくは、より低い電圧で駆動することができることから１〜３０ｎｍである。尚、発光層２２ｃの厚さの総和とは、発光層２２ｃ間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む厚さである。

複数層を積層した構成の発光層２２ｃの場合、個々の発光層の厚さとしては、１〜５０ｎｍの範囲に調整することが好ましく、１〜２０ｎｍの範囲に調整することがより好ましい。積層された複数の発光層が、青、緑、赤のそれぞれの発光色に対応する場合、青、緑、赤の各発光層の厚さの関係については、特に制限はない。

以上のような発光層２２ｃは、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜形成方法により形成することができる。

また発光層２２ｃは、複数の発光材料を混合してもよく、また燐光発光材料と蛍光発光材料（蛍光ドーパント、蛍光性化合物ともいう）を同一発光層２２ｃ中に混合して用いてもよい。

発光層２２ｃの構成として、ホスト化合物（発光ホストともいう）、発光材料（発光ドーパント化合物、ゲスト材料ともいう）を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。

（ホスト化合物）
発光層２２ｃに含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）における燐光発光の燐光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらに、燐光量子収率が０．０１未満である化合物が好ましい。また、ホスト化合物は、発光層２２ｃに含有される化合物の中で、層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。

ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、又は複数種用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機電界発光素子２０を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。

用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよい。

公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、かつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）化合物が好ましい。ここでいうガラス転移点（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Differential Scanning Colorimetry：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ−Ｋ−７１２１に準拠した方法により求められる値である。

以下に、有機電界発光素子に適用可能なホスト化合物の具体例（Ｈ１〜Ｈ７９）を示す。なお、有機電界発光素子に適用可能なホスト化合物は、これらに限定されない。
ホスト化合物Ｈ６８〜Ｈ７９において、ｘ及びｙはランダム共重合体の比率を表す。その比率は、例えば、ｘ：ｙ＝１：１０などとすることができる。

公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物を用いることもできる。例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等が挙げられる。

（発光材料）
本実施形態の有機電界発光素子に用いることのできる発光材料としては、燐光発光性化合物（燐光性化合物、燐光発光材料ともいう）が挙げられる。

燐光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にて燐光発光する化合物であり、燐光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましい燐光量子収率は０．１以上である。

上記燐光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光ＩＩの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本例において燐光発光性化合物を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記燐光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。

燐光発光性化合物の発光の原理としては２種挙げられる。一つは、キャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーを燐光発光性化合物に移動させることで燐光発光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型であり、もう一つは、燐光発光性化合物がキャリアトラップとなり、燐光発光性化合物上でキャリアの再結合が起こり燐光発光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型である。いずれの場合においても、燐光発光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件となる。

燐光発光性化合物は、一般的な有機電界発光素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物である。さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。

本実施形態の有機電界発光素子においては、少なくとも一つの発光層２２ｃに２種以上の燐光発光性化合物を含有していてもよく、発光層２２ｃにおける燐光発光性化合物の濃度比が発光層２２ｃの厚さ方向で変化していてもよい。

燐光発光性化合物は好ましくは発光層２２ｃの総量に対し０．１体積％以上３０体積％未満である。

（一般式（９）で表される構造を有する化合物）
発光層２２ｃに含まれる化合物（燐光発光性化合物）は、下記一般式（９）で表される構造を有する化合物であることが好ましい。

なお、一般式（９）で表される燐光発光性化合物（燐光発光性の金属錯体ともいう）は、有機電界発光素子２０の発光層２２ｃに発光ドーパントとして含有されることが好ましい態様であるが、発光層２２ｃ以外の発光機能層に含有されていてもよい。

上記一般式（９）中、Ｐ、Ｑは、各々炭素原子又は窒素原子を表し、Ａ１はＰ−Ｃと共に芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ａ２はＱ−Ｎと共に芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２は２座の配位子を表し、Ｐ１、Ｐ２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ１はＰ１、Ｐ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２又は３である。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。

そして、一般式（９）において、Ａ１が、Ｐ−Ｃと共に形成する芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。
これらの環はさらに、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。

一般式（９）において、Ａ１が、Ｐ−Ｃと共に形成する芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環等が挙げられる。
ここで、アザカルバゾール環とは、上記カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が１つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。
これらの環はさらに、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。

一般式（９）において、Ａ２が、Ｑ−Ｎと共に形成する芳香族複素環としては、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。
これらの環はさらに、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。

Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２で表される２座の配位子としては、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられる。

一般式（９）において、ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２又は３を表す、中でも、ｊ２は０である場合が好ましい。

一般式（９）において、Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素（単に遷移金属ともいう）が用いられるが、中でも、イリジウム好ましい。

（一般式（１０）で表される構造を有する化合物）
一般式（９）で表される構造を有する化合物の中でも、下記一般式（１０）で表される構造を有する化合物であることがさらに好ましい。

上記一般式（１０）中、Ｚは、炭化水素環基又は複素環基を表す。Ｐ、Ｑは、各々炭素原子又は窒素原子を表し、Ａ１はＰ−Ｃと共に芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ａ３は−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｎ−又は−Ｎ＝Ｎ−を表し、Ｒ０１、Ｒ０２は、各々水素原子又は置換基を表す。Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２は２座の配位子を表し、Ｐ１、Ｐ２は各々独立に炭素原子、窒素原子、又は酸素原子を表す。Ｌ１はＰ１、Ｐ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２又は３である。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。

一般式（１０）において、Ｚで表される炭化水素環基としては、非芳香族炭化水素環基、芳香族炭化水素環基が挙げられ、非芳香族炭化水素環基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でもよく、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。好ましくは、Ｚで表される基は、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基である。

また、芳香族炭化水素環基（芳香族炭化水素基、アリール基等ともいう）としては、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。
これらの基は、無置換でもよく、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。

一般式（１０）において、Ｚで表される複素環基としては、非芳香族複素環基、芳香族複素環基等が挙げられ、非芳香族複素環基としては、例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε−カプロラクトン環、ε−カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、１，３−ジオキサン環、１，４−ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン−１，１−ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ［２，２，２］−オクタン環等から導出される基を挙げられる。
これらの基は、無置換でもよく、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。

芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。
これらの基は、無置換でもよく、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。

一般式（１０）において、Ａ１が、Ｐ−Ｃと共に形成する芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。
これらの環はさらに、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。

一般式（１０）において、Ａ１がＰ−Ｃと共に形成する芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、アザカルバゾール環等が挙げられる。
ここで、アザカルバゾール環とは、上記カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が１つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。
これらの環はさらに、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。

一般式（１０）のＡ３で表される、−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｎ−において、Ｒ０１、Ｒ０２で各々表される置換基は、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基と同義である。

一般式（１０）において、Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２で表される２座の配位子としては、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられる。

また、ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２又は３を表す、中でも、ｊ２は０である場合が好ましい。

一般式（１０）において、Ｍ１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素（単に遷移金属ともいう）は、一般式（９）において、Ｍ１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素と同義である。

（一般式（１１）で表される構造を有する化合物）
上記一般式（１０）で表される構造を有する化合物の好ましい態様の一つとして、下記一般式（１１）で表される構造を有する化合物が挙げられる。

上記一般式（１１）中、Ｒ_０３は置換基を表し、Ｒ_０４は水素原子又は置換基を表し、複数のＲ_０４は互いに結合して環を形成してもよい。ｎ０１は１〜４の整数を表す。Ｒ_０５は水素原子又は置換基を表し、複数のＲ_０５は互いに結合して環を形成してもよい。ｎ０２は１〜２の整数を表す。Ｒ_０６は水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。ｎ０３は１〜４の整数を表す。Ｚ１はＣ−Ｃと共に６員の芳香族炭化水素環若しくは、５員又は６員の芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｚ２は炭化水素環基又は複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２は２座の配位子を表し、Ｐ１、Ｐ２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ１はＰ１、Ｐ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２又は３である。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。Ｒ_０３とＲ_０６、Ｒ_０４とＲ_０６及びＲ_０５とＲ_０６は互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（１１）において、Ｒ_０３、Ｒ_０４、Ｒ_０５、Ｒ_０６で各々表される置換基は、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。

一般式（１１）において、Ｚ１がＣ−Ｃと共に形成する６員の芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環等が挙げられる。
これらの環はさらに、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。

一般式（１１）において、Ｚ１がＣ−Ｃと共に形成する５員又は６員の芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。
これらの環はさらに、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。

一般式（１１）において、Ｚ２で表される炭化水素環基としては、非芳香族炭化水素環基、芳香族炭化水素環基が挙げられ、非芳香族炭化水素環基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でもよく、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。

また、芳香族炭化水素環基（芳香族炭化水素基、アリール基等ともいう）としては、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でもよく、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。

一般式（１１）において、Ｚ２で表される複素環基としては、非芳香族複素環基、芳香族複素環基等が挙げられ、非芳香族複素環基としては、例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε−カプロラクトン環、ε−カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、１，３−ジオキサン環、１，４−ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン−１，１−ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ［２，２，２］−オクタン環等から導出される基を挙げることができる。これらの基は無置換でもよく、また、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。

芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。

これらの環は無置換でもよく、さらに一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。

一般式（１１）において、Ｚ１及びＺ２で形成される基としては、ベンゼン環が好ましい。

一般式（１１）において、Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２で表される２座の配位子は、一般式（９）において、Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２で表される２座の配位子と同義である。

一般式（１１）において、Ｍ１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素は、一般式（９）において、Ｍ１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素と同義である。

また、燐光発光性化合物は、有機電界発光素子２０の発光層２２ｃに使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。

本実施形態の有機電界発光素子に適用される燐光発光性化合物は、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。

以下に燐光発光性化合物の具体例（Ｐｔ−１〜Ｐｔ−３、Ａ−１、Ｉｒ−１〜Ｉｒ−５０）を示す。なお、本実施形態の有機電界発光素子に適用される燐光発光性化合物は、これらに限定されない。なお、これらの化合物において、ｍ及びｎは繰り返し数を表す。

上記の燐光発光性化合物（燐光発光性金属錯体等ともいう）は、例えば、Organic Letters誌 vol.3 No.16 2579〜2581頁(2001)、Inorganic Chemistry,第30巻 第8号 1685〜1687頁(1991年)、J.Am.Chem.Soc.,123巻 4304頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第40巻第7号 1704〜1711頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第41巻 第12号 3055〜3066頁(2002年)、New Journal of Chemistry.,第26巻 1171頁(2002年)、European Journal of Organic Chemistry,第4巻 695〜709頁(2004年)、さらにこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。

（蛍光発光材料）
蛍光発光材料としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。

［注入層：正孔注入層、電子注入層］
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と発光層２２ｃの間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層２２ａと電子注入層２２ｅとがある。

注入層は、必要に応じて設けることができる。正孔注入層２２ａであれば、アノードと発光層２２ｃ又は正孔輸送層２２ｂの間、電子注入層２２ｅであればカソードと発光層２２ｃ又は電子輸送層２２ｄとの間に配置される。

正孔注入層２２ａは、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン層、酸化バナジウムに代表される酸化物層、アモルファスカーボン層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子層等が挙げられる。

電子注入層２２ｅは、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属層、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデンに代表される酸化物層等が挙げられる。電子注入層２２ｅはごく薄い層であることが望ましく、素材にもよるがその厚さは１ｎｍ〜１０μｍの範囲が好ましい。

［正孔輸送層］
正孔輸送層２２ｂは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層２２ａ、電子阻止層も正孔輸送層２２ｂに含まれる。正孔輸送層２２ｂは単層又は複数層設けることができる。

正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。

正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。

芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらには米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。

さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。

また、特開平１１−２５１０６７号公報、J.Huang et.al.,Applied Physics Letters,80(2002),p.139に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。

正孔輸送層２２ｂは、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層２２ｂの厚さについては特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層２２ｂは、上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。

また、正孔輸送層２２ｂの材料に不純物をドープしてｐ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。

このように、正孔輸送層２２ｂのｐ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。

［電子輸送層］
電子輸送層２２ｄは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層２２ｅ、正孔阻止層（図示せず）も電子輸送層２２ｄに含まれる。電子輸送層２２ｄは単層構造又は複数層の積層構造として設けることができる。

単層構造の電子輸送層２２ｄ、及び積層構造の電子輸送層２２ｄにおいて発光層２２ｃに隣接する層部分を構成する電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、カソードより注入された電子を発光層２２ｃに伝達する機能を有していればよい。このような材料としては従来公知の化合物の中から任意に選択して用いることができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体及びオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層２２ｄの材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。

また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送層２２ｄの材料として用いることができる。

その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されていても、電子輸送層２２ｄの材料として好ましく用いることができる。また、発光層２２ｃの材料としても例示されるジスチリルピラジン誘導体も電子輸送層２２ｄの材料として用いることができ、正孔注入層２２ａ、正孔輸送層２２ｂと同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送層２２ｄの材料として用いることができる。

電子輸送層２２ｄは、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層２２ｄの厚さについては特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層２２ｄは上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。

また、電子輸送層２２ｄに不純物をドープし、ｎ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。さらに電子輸送層２２ｄには、カリウムやカリウム化合物などを含有させることが好ましい。カリウム化合物としては、例えば、フッ化カリウム等を用いることができる。このように電子輸送層２２ｄのｎ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができる。

また電子輸送層２２ｄの材料（電子輸送性化合物）として、好ましくは、下記一般式（１２）で表される構造を有する化合物を用いることができる。

（Ａｒ１）ｎ１−Ｙ１ ・・・一般式（１２）

一般式（１２）の式中、ｎ１は１以上の整数を表し、Ｙ１はｎ１が１の場合は置換基を表し、ｎ１が２以上の場合は単なる結合手又はｎ１価の連結基を表す。Ａｒ１は後記する一般式（Ａ）で表される基を表し、ｎ１が２以上の場合、複数のＡｒ１は同一でも異なっていてもよい。ただし、上記一般式（１２）で表される構造を有する化合物は分子内に３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環を少なくとも２つ有する。

一般式（１２）において、Ｙ１で表される置換基の例としては、透明電極１０の窒素含有層１４を構成する化合物として示した一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基と同義である。

一般式（１２）において、Ｙ１で表されるｎ１価の連結基としては、具体的には、２価の連結基、３価の連結基、４価の連結基等が挙げられる。

一般式（１２）において、Ｙ１で表される２価の連結基としては、アルキレン基（例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、プロピレン基、エチルエチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、２，２，４−トリメチルヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、シクロヘキシレン基（例えば、１，６−シクロヘキサンジイル基等）、シクロペンチレン基（例えば、１，５−シクロペンタンジイル基など）等）、アルケニレン基（例えば、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ペンテニレン基、１−メチルビニレン基、１−メチルプロペニレン基、２−メチルプロペニレン基、１−メチルペンテニレン基、３−メチルペンテニレン基、１−エチルビニレン基、１−エチルプロペニレン基、１−エチルブテニレン基、３−エチルブテニレン基等）、アルキニレン基（例えば、エチニレン基、１−プロピニレン基、１−ブチニレン基、１−ペンチニレン基、１−ヘキシニレン基、２−ブチニレン基、２−ペンチニレン基、１−メチルエチニレン基、３−メチル−１−プロピニレン基、３−メチル−１−ブチニレン基等）、アリーレン基（例えば、ｏ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基（例えば、［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジイル基、３，３’−ビフェニルジイル基、３，６−ビフェニルジイル基等）、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等）、ヘテロアリーレン基（例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す）、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環からなる群から導出される２価の基等）、酸素や硫黄などのカルコゲン原子、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基等（ここで、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環としては、好ましくはＮ、Ｏ及びＳから選択されたヘテロ原子を、縮合環を構成する元素として含有する芳香族複素縮合環であることが好ましく、具体的には、アクリジン環、ベンゾキノリン環、カルバゾール環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、カルボリン環、サイクラジン環、キンドリン環、テペニジン環、キニンドリン環、トリフェノジチアジン環、トリフェノジオキサジン環、フェナントラジン環、アントラジン環、ペリミジン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の任意の一つが窒素原子で置き換わったものを表す）、フェナントロリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ベンゾジフラン環、ベンゾジチオフェン環、ナフトジフラン環、ナフトジチオフェン環、アントラフラン環、アントラジフラン環、アントラチオフェン環、アントラジチオフェン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、チオファントレン環（ナフトチオフェン環）等）が挙げられる。

一般式（１２）において、Ｙ１で表される３価の連結基としては、例えば、エタントリイル基、プロパントリイル基、ブタントリイル基、ペンタントリイル基、ヘキサントリイル基、ヘプタントリイル基、オクタントリイル基、ノナントリイル基、デカントリイル基、ウンデカントリイル基、ドデカントリイル基、シクロヘキサントリイル基、シクロペンタントリイル基、ベンゼントリイル基、ナフタレントリイル基、ピリジントリイル基、カルバゾールトリイル基等が挙げられる。

一般式（１２）において、Ｙ１で表される４価の連結基としては、上記の３価の基にさらにひとつ結合基がついたものであり、例えば、プロパンジイリデン基、１，３−プロパンジイル−２−イリデン基、ブタンジイリデン基、ペンタンジイリデン基、ヘキサンジイリデン基、ヘプタンジイリデン基、オクタンジイリデン基、ノナンジイリデン基、デカンジイリデン基、ウンデカンジイリデン基、ドデカンジイリデン基、シクロヘキサンジイリデン基、シクロペンタンジイリデン基、ベンゼンテトライル基、ナフタレンテトライル基、ピリジンテトライル基、カルバゾールテトライル基等が挙げられる。

なお、上記の２価の連結基、３価の連結基、４価の連結基は、各々さらに一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。

一般式（１２）で表される構造を有する化合物の好ましい態様としては、Ｙ１が３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を表すことが好ましく、当該３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環としては、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環が好ましい。また、ｎ１が２以上であることが好ましい。

さらに、一般式（１２）で表される構造を有する化合物は、分子内に上記の３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環を少なくとも２つ有する。

また、Ｙ１がｎ１価の連結基を表す場合、一般式（１２）で表される構造を有する化合物の三重項励起エネルギーを高く保つために、Ｙ１は非共役であることが好ましく、さらに、Ｔｇ（ガラス転移点、ガラス転移温度ともいう）を向上させる点から、芳香環（芳香族炭化水素環＋芳香族複素環）で構成されていることが好ましい。

ここで、非共役とは、連結基が単結合（一重結合ともいう）と二重結合の繰り返しによって表記できないか、又は連結基を構成する芳香環同士の共役が立体的に切断されている場合を意味する。

（一般式（Ａ）で表される基）
一般式（１２）中におけるＡｒ１は、下記一般式（Ａ）で表される基を表す。

式中、Ｘは、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ′）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は、−Ｃ（Ｒ１）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ′及びＲ１は水素原子、置換基又はＹ１との連結部位を表す。＊はＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手又は２価の連結基を表す。Ｙ３及びＹ４は、各々５員又は６員の芳香族環から導出される基を表し、少なくとも一方は環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。

ここで、一般式（Ａ）のＸで表される−Ｎ（Ｒ）−又は−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ′）−において、さらに、Ｅ１〜Ｅ８で表される−Ｃ（Ｒ１）＝において、Ｒ、Ｒ′及びＲ１で各々表される置換基は、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基と同義である。

また、一般式（Ａ）において、Ｙ２で表される２価の連結基としては、一般式（１２）において、Ｙ１で表される２価の連結基と同義である。

さらに、一般式（Ａ）において、Ｙ３及びＹ４で各々表される５員又は６員の芳香族環から導出される基の形成に用いられる５員又は６員の芳香族環としては、ベンゼン環、オキサゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジアジン環、トリアジン環、イミダゾール環、イソオキサゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。

さらに、Ｙ３及びＹ４で各々表される５員又は６員の芳香族環から導出される基の少なくとも一方は、環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表すが、当該環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環としては、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジアジン環、トリアジン環、イミダゾール環、イソオキサゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。

（Ｙ３で表される基の好ましい態様）
一般式（Ａ）において、Ｙ３で表される基としては、上記６員の芳香族環から導出される基であることが好ましく、さらに好ましくは、ベンゼン環から導出される基である。

（Ｙ４で表される基の好ましい態様）
一般式（Ａ）において、Ｙ４で表される基としては、上記６員の芳香族環から導出される基であることが好ましく、さらに好ましくは、窒素原子を環構成原子として含む芳香族複素環から導出される基であり、特に好ましくは、Ｙ４がピリジン環から導出される基である。

（一般式（Ａ）で表される基の好ましい態様）
一般式（Ａ）で表される基の好ましい態様としては、下記一般式（Ａ−１）、（Ａ−２）、（Ａ−３）、又は（Ａ−４）のいずれかで表される基が挙げられる。

上記一般式（Ａ−１）の式中、Ｘは−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ′）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は−Ｃ（Ｒ１）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ′及びＲ１は水素原子、置換基又はＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手又は２価の連結基を表す。Ｅ１１〜Ｅ２０は、−Ｃ（Ｒ２）＝又は−Ｎ＝を表し、少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。Ｒ２は、水素原子、置換基又は連結部位を表す。但し、Ｅ１１、Ｅ１２の少なくとも１つは−Ｃ（Ｒ２）＝を表し、Ｒ２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（１２）のＹ１との連結部位を表す。

上記一般式（Ａ−２）の式中、Ｘは−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ′）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は−Ｃ（Ｒ１）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ′及びＲ１は水素原子、置換基又はＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手又は２価の連結基を表す。Ｅ２１〜Ｅ２５は−Ｃ（Ｒ２）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｅ２６〜Ｅ３０は−Ｃ（Ｒ２）＝、−Ｎ＝、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｓｉ（Ｒ３）（Ｒ４）−を表し、Ｅ２１〜Ｅ３０の少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。Ｒ２は、水素原子、置換基又は連結部位を表し、Ｒ３及びＲ４は水素原子又は置換基を表す。但し、Ｅ２１又はＥ２２の少なくとも１つは−Ｃ（Ｒ２）＝を表し、Ｒ２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（１２）のＹ１との連結部位を表す。

上記一般式（Ａ−３）の式中、Ｘは−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ′）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は−Ｃ（Ｒ１）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ′及びＲ１は水素原子、置換基又はＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手又は２価の連結基を表す。Ｅ３１〜Ｅ３５は−Ｃ（Ｒ２）＝、−Ｎ＝、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｓｉ（Ｒ３）（Ｒ４）−を表し、Ｅ３６〜Ｅ４０は−Ｃ（Ｒ２）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｅ３１〜Ｅ４０の少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。Ｒ２は、水素原子、置換基又は連結部位を表し、Ｒ３及びＲ４は水素原子又は置換基を表す。但し、Ｅ３２又はＥ３３の少なくとも１つは−Ｃ（Ｒ２）＝で表され、Ｒ２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（１２）のＹ１との連結部位を表す。

上記一般式（Ａ−４）の式中、Ｘは−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ′）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は−Ｃ（Ｒ１）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ′及びＲ１は水素原子、置換基又はＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手又は２価の連結基を表す。Ｅ４１〜Ｅ５０は−Ｃ（Ｒ２）＝、−Ｎ＝、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｓｉ（Ｒ３）（Ｒ４）−を表し、少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。Ｒ２は、水素原子、置換基又は連結部位を表し、Ｒ３及びＲ４は水素原子又は置換基を表す。但し、Ｅ４２又はＥ４３の少なくとも１つは−Ｃ（Ｒ２）＝で表され、Ｒ２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（１２）のＹ１との連結部位を表す。

以下、一般式（Ａ−１）〜（Ａ−４）のいずれかで表される基について説明する。

一般式（Ａ−１）〜（Ａ−４）で表される基のいずれかのＸで表される−Ｎ（Ｒ）−又は−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ′）−において、さらにＥ１〜Ｅ８で表される−Ｃ（Ｒ１）＝において、Ｒ、Ｒ′及びＲ１で各々表される置換基は、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基と同義である。

一般式（Ａ−１）〜（Ａ−４）で表される基のいずれかにおいて、Ｙ２で表される２価の連結基としては、一般式（１２）において、Ｙ１で表される２価の連結基と同義である。

一般式（Ａ−１）のＥ１１〜Ｅ２０、一般式（Ａ−２）のＥ２１〜Ｅ３０、一般式（Ａ−３）のＥ３１〜Ｅ４０、一般式（Ａ−４）のＥ４１〜Ｅ５０で、各々表される−Ｃ（Ｒ２）＝のＲ２で表される置換基は、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基と同義である。

次に、一般式（１２）で表される構造を有する化合物のさらに好ましい態様について説明する。

［一般式（１３）で表される構造を有する化合物］
上記一般式（１２）で表される構造を有する化合物の中でも、下記一般式（１３）で表される構造を有する化合物が好ましい。この一般式（１３）は、透明電極１０の窒素含有層１４を構成する化合物として示した一般式（２）を含む。以下、一般式（１３）で表される構造を有する化合物について説明する。

上記一般式（１３）の式中、Ｙ５は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ５１〜Ｅ６６は、各々−Ｃ（Ｒ３）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ３は水素原子又は置換基を表す。Ｙ６〜Ｙ９は、各々芳香族炭化水素環から導出される基又は芳香族複素環から導出される基を表し、Ｙ６又はＹ７の少なくとも一方、及びＹ８又はＹ９の少なくとも一方は、Ｎ原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。ｎ３及びｎ４は０〜４の整数を表すが、ｎ３＋ｎ４は２以上の整数である。

一般式（１３）におけるＹ５は、一般式（２）におけるＹ２１と同義である。

一般式（１３）におけるＥ５１〜Ｅ６６は、一般式（２）におけるＥ２０１〜Ｅ２１６と同義であり、Ｅ５１〜Ｅ６６で各々表される−Ｃ（Ｒ３）＝のＲ３が置換基である場合、その置換基の例としては、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基が同様に適用される。

一般式（１３）において、Ｅ５１〜Ｅ６６で各々表される基としては、Ｅ５１〜Ｅ５８のうちの６つ以上及びＥ５９〜Ｅ６６のうちの６つ以上が、各々−Ｃ（Ｒ３）＝で表されることが好ましい。

一般式（１３）において、Ｙ６〜Ｙ９は、各々芳香族炭化水素環から導出される基の形成に用いられる芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。

さらに、上記芳香族炭化水素環は、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。

一般式（１３）において、Ｙ６〜Ｙ９は、各々芳香族複素環から導出される基の形成に用いられる芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の一つがさらに窒素原子で置換されている環を示す）等が挙げられる。

さらに、上記芳香族炭化水素環は、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。

一般式（１３）において、Ｙ６又はＹ７の少なくとも一方、及びＹ８又はＹ９の少なくとも一方で表されるＮ原子を含む芳香族複素環から導出される基の形成に用いられるＮ原子を含む芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の一つがさらに窒素原子で置換されている環を示す）等が挙げられる。

一般式（１３）において、Ｙ７、Ｙ９で表される基としては、各々ピリジン環から導出される基を表すことが好ましい。

また、一般式（１３）において、Ｙ６及びＹ８で表される基としては、各々ベンゼン環から導出される基を表すことが好ましい。

以上説明したような一般式（１３）で表される構造を有する化合物の中でもさらに好ましい態様として、透明電極１０の窒素含有層１４を構成する化合物として示した一般式（２）で表される構造を有する化合物が例示される。

以上のような一般式（１２），（１３）、又は一般式（２）で表される構造を有する化合物の具体例として、上記で例示した化合物（１〜１１８）が示される。

［阻止層：正孔阻止層、電子阻止層］
阻止層は、上述のように有機化合物薄膜の基本構成層の他に、必要に応じて設けられる。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。

正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層２２ｄの機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層２２ｄの構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層２２ｃに隣接して設けられていることが好ましい。

一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層２２ｂの機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層２２ｂの構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。阻止層の厚さとしては、好ましくは３〜１００ｎｍであり、さらに好ましくは５〜３０ｎｍである。

［補助電極］
補助電極は、透明電極１０の抵抗を下げる目的で設けられ、透明電極１０の導電層１５に接して設けられる。補助電極を形成する材料は、金、白金、銀、銅、アルミニウム等の抵抗が低い金属が好ましい。これらの金属は光透過性が低いため、光取り出し面２１ａからの発光光ｈの取り出しの影響のない範囲でパターン形成される。このような補助電極の形成方法としては、蒸着法、スパッタリング法、印刷法、インクジェット法、エアロゾルジェット法などが挙げられる。補助電極の線幅は、光を取り出す開口率の観点から５０μｍ以下であることが好ましく、補助電極の厚さは、導電性の観点から１μｍ以上であることが好ましい。

［封止材］
封止材は、有機電界発光素子２０を覆うものであって、板状（フィルム状）の封止部材であって接着剤によって透明基板２１側に固定されていてもよく、封止層であってもよい。この封止材は、有機電界発光素子２０における透明電極１０及び対向電極２３の端子部分を露出させる状態で、少なくとも発光機能層２２を覆う状態で設けられている。また封止材に電極を設け、有機電界発光素子２０の透明電極１０及び対向電極２３の端子部分と、この電極とを導通させるように構成されていてもよい。

板状（フィルム状）の封止材としては、具体的には、ガラス基板、ポリマー基板が挙げられ、これらの基板材料をさらに薄型のフィルム状にして用いてもよい。ガラス基板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー基板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。

なかでも、素子を薄型化できるということから、封止材として薄型のフィルム状にしたポリマー基板を好ましく使用することができる。

さらには、フィルム状としたポリマー基板は、ＪＩＳ−Ｋ−７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^−３ｍｌ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ−Ｋ−７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０^−３ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下であることが好ましい。

また、以上のような基板材料は、凹板状に加工して封止材として用いてもよい。この場合、上述した基板部材に対してサンドブラスト加工、化学エッチング加工等の加工が施され、凹状が形成される。

また、これに限らず、金属材料を用いてもよい。金属材料としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブデン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属又は合金が挙げられる。このような金属材料は、薄型のフィルム状にして封止材として用いることにより、有機電界発光素子が設けられた発光パネル全体を薄型化できる。

また、このような板状の封止材を透明基板２１側に固定するための接着剤は、封止材と透明基板２１との間に挟持された有機電界発光素子２０を封止するためのシール剤として用いられる。このような接着剤は、具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。

また、このような接着剤としては、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。

なお、有機電界発光素子２０を構成する有機材料は、熱処理により劣化する場合がある。このため、室温から８０℃までに接着硬化できる接着剤を使用することが好ましい。また、接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。

封止材と透明基板２１との接着部分への接着剤の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。

また、板状の封止材と透明基板２１と接着剤との間に隙間が形成される場合、この間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。

吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。

一方、封止材として封止層を用いる場合、有機電界発光素子２０における発光機能層２２を完全に覆い、かつ有機電界発光素子２０における透明電極１０及び対向電極２３の端子部分を露出させる状態で、透明基板２１上に封止層が設けられる。

このような封止層は、無機材料や有機材料を用いて構成される。特に、水分や酸素等、有機電界発光素子２０における発光機能層２２の劣化をもたらす物質の浸入を抑制する機能を有する材料で構成されることとする。このような材料として、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等の無機材料が用いられる。さらに封止層の脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる層と共に、有機材料からなる層を用いて積層構造としてもよい。

これらの層の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。

［保護層、保護板］
尚、ここでの図示は省略したが、透明基板２１との間に有機電界発光素子ＥＬ及び封止材を挟んで保護層若しくは保護板を設けてもよい。この保護層若しくは保護板は、有機電界発光素子ＥＬを機械的に保護するためのものであり、特に封止材が封止層である場合には、有機電界発光素子ＥＬに対する機械的な保護が十分ではないため、このような保護層若しくは保護板を設けることが好ましい。

以上のような保護層若しくは保護板は、ガラス板、ポリマー板、これよりも薄型のポリマーフィルム、金属板、これよりも薄型の金属フィルム、又はポリマー材料膜や金属材料膜が適用される。このうち特に、軽量かつ薄型化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。

［有機電界発光素子の作製方法］
ここでは一例として、図７に示す有機電界発光素子２０の製造方法を説明する。

まず、透明基板２１上に、低屈折率層１２を９０ｎｍ程度の厚さに形成する。次に、低屈折率層１２上に、高屈折率層１３を３０ｎｍ程度の厚さに形成する。次いで、窒素含有層１４を、１０ｎｍ以下、好ましくは３ｎｍ〜５ｎｍの厚さに形成する。その後、銀（又は銀を主成分とした合金）からなる導電層１５を、４ｎｍ〜１２ｎｍの厚さに形成し、アノード側の透明電極１０を透明基板２１上に作製する。これらの低屈折率層１２、高屈折率層１３、窒素含有層１４及び導電層１５の形成は、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、スパッタ法、印刷法等があるが、均質な層が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法が特に好ましい。また、導電層１５の形成前後には、必要に応じて補助電極のパターン形成を行う。

次にこの上に、正孔注入層２２ａ、正孔輸送層２２ｂ、発光層２２ｃ、電子輸送層２２ｄ、電子注入層２２ｅの順に形成し、発光機能層２２を形成する。これらの各層の形成は、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、スパッタ法、印刷法等があるが、均質な層が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法又はスピンコート法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる形成方法を適用してもよい。これらの各層の形成に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般に化合物を収蔵したボート加熱温度５０℃〜４５０℃、真空度１０^−６Ｐａ〜１０^−２Ｐａ、蒸着速度０．０１ｎｍ／秒〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０℃〜３００℃、厚さ０．１μｍ〜５μｍの範囲で、各条件を適宜選択することが望ましい。

次いで、カソードとなる対向電極２３を、蒸着法やスパッタ法などの適宜の形成方法によって形成する。この際、発光機能層２２によって透明電極１０に対して絶縁状態を保ちつつ、発光機能層２２の上方から透明基板２１の周縁に端子部分を引き出した形状にパターン形成する。

これにより、有機電界発光素子２０が得られる。またその後には、有機電界発光素子２０における透明電極１０及び対向電極２３の端子部分を露出させた状態で、少なくとも発光機能層２２を覆う封止材を設ける。この際、接着剤を用いて、封止材を透明基板２１側に接着し、これらの封止材−透明基板２１間に有機電界発光素子２０を封止する。

以上により、透明基板２１上に所望の有機電界発光素子２０が得られる。このような有機電界発光素子２０の作製においては、一回の真空引きで一貫して発光機能層２２から対向電極２３まで作製するのが好ましいが、途中で真空雰囲気から透明基板２１を取り出して異なる形成法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。

このようにして得られた有機電界発光素子２０に直流電圧を印加する場合には、アノードである導電層１５を＋の極性とし、カソードである対向電極２３を−の極性として、電圧２Ｖ以上４０Ｖ以下程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。尚、印加する交流の波形は任意でよい。

［有機電界発光素子の効果］
以上説明した有機電界発光素子２０は、上述の実施の形態の導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極１０をアノードとして用い、この上部に発光機能層２２とカソードとなる対向電極２３とをこの順に設けた構成である。このため、透明電極１０と対向電極２３との間に十分な電圧を印加して有機電界発光素子２０での高輝度発光を実現しつつ、透明電極１０側からの発光光ｈの取り出し効率が向上することによる高輝度化を図ることが可能である。さらに、所定輝度を得るための駆動電圧の低減による発光寿命の向上を図ることも可能になる。

〈３．有機電界発光素子（逆積み構成）〉
［有機電界発光素子の構成］
図８は、本発明の電子デバイスの一例として、上述した透明電極を用いた有機電界発光素子の第２例を示す断面構成図である。図８に示す第２例の有機電界発光素子３０は、透明基板３１側から順にカソード（透明電極１０）、発光機能層２２及びアノード（対向電極３３）が設けられ、積層順が逆であることのみが上述の図７を用いて説明した第１例の有機電界発光素子２０と異なる。以下、第１例と同様の構成要素についての重複する詳細な説明は省略し、第２例の有機電界発光素子３０の特徴的な構成を説明する。

図８に示す有機電界発光素子３０は、透明基板３１上に設けられており、透明基板３１側から順に、カソードとなる透明電極１０、発光機能層２２、及びアノードとなる対向電極３３がこの順に積層されている。このうち、光取り出し面３１ａ側の導電層として、上述の実施の形態の透明電極１０を用いているところが特徴的である。このため有機電界発光素子３０は、少なくとも透明基板３１側から発光光ｈを取り出すボトムエミッション型として構成されている。

このような有機電界発光素子３０は、第１例と同様に全体的な層構造が限定されることはなく、一般的な層構造であってよい。第２例の有機電界発光素子３０は、カソードとなる透明電極１０の上部に、電子注入層２２ｅ／電子輸送層２２ｄ／発光層２２ｃ／正孔輸送層２２ｂ／正孔注入層２２ａをこの順に設けた構成であり、この上部にアノードとなる対向電極３３が積層された構成である。

なお、発光機能層２２は、第１例で説明したと同様に、必要に応じたさまざまな構成が採用され、ここでの図示を省略した正孔阻止層や電子阻止層が設けられてもよい。以上のような構成において、透明電極１０と対向電極３３とで挟持された部分のみが、有機電界発光素子３０における発光領域となることも、第１例と同様である。

また以上のような層構成においては、透明電極１０の低抵抗化を図ることを目的とし、透明電極１０の導電層１５に接して補助電極が設けられていてもよいことも、第１例と同様である。

さらに、発光機能層２２の上方にアノードとして設けられる対向電極３３は、第１例のアノードと同様の金属、合金、有機又は無機の導電性化合物、及びこれらの混合物が用いられる。

［有機電界発光素子３０の効果］
以上説明した有機電界発光素子３０は、導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極１０をカソードとして用い、この上部に発光機能層２２とアノードとなる対向電極３３とをこの順に設けた構成である。このため、第１例と同様に、透明電極１０と対向電極３３との間に十分な電圧を印加して有機電界発光素子３０での高輝度発光を実現しつつ、透明電極１０側からの発光光ｈの取り出し効率が向上することによる高輝度化を図ることが可能である。さらに、所定輝度を得るための駆動電圧の低減による発光寿命の向上を図ることも可能になる。

なお、上述の実施形態では、低屈折率層、高屈折率層、窒素含有層及び導電層からなる透明電極をボトミエミッション型の有機電界発光素子に適用した構成について説明しているが、この透明電極が適用される有機電界発光素子は、ボトムエミッション型に限られず、例えば、対向電極側から光を取り出すトップエミッション型の構成としてもよい。有機電界発光素子が、トップエミッション型であれば、対向電極に透明な材料を用いると共に、透明基板に換えて反射性を有する不透明な基板を用い、発光光ｈを基板で反射させて対向電極側から取り出す構成としてもよい。また、トップエミッション型においても、上述の第１例の有機電界発光素子のような透明電極をアノードとする構成と、第２例の有機電界発光素子のようなカソードとする構成とを、それぞれ構成することができる。

［有機電界発光素子の用途］
上述した各構成の有機電界発光素子は、上述したように面発光体であるため各種の発光光源として用いることができる。例えば、家庭用照明や車内照明などの照明装置、時計や液晶用のバックライト、看板広告用照明、信号機の光源、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられる。また、これらの発光光源に限定されず、その他の光源としても用いることができる。
特に、カラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。

また、各実施形態例の有機電界発光素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。この場合、近年の照明装置及びディスプレイの大型化にともない、有機電界発光素子を設けた発光パネル同士を平面的に接合する、いわゆるタイリングによって発光面を大面積化してもよい。

動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。また異なる発光色を有する有機電界発光素子を２種以上使用することにより、カラー又はフルカラー表示装置を作製することが可能である。

以下では、用途の一例として照明装置について説明し、次にタイリングによって発光面を大面積化した照明装置について説明する。

〈４．照明装置〉
［照明装置−１］
本発明の照明装置の実施の形態について説明する。本実施形態の照明装置は、上述の各実施形態における有機電界発光素子を備えて構成されている。

本実施形態の照明装置に用いる有機電界発光素子は、上述した構成の各有機電界発光素子に共振器構造を持たせた設計としてもよい。共振器構造として構成された有機電界発光素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。

なお、有機電界発光素子に用いられる材料は、実質的に白色の発光を生じる有機電界発光素子（白色有機電界発光素子ともいう）に適用できる。例えば、複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得ることもできる。複数の発光色の組み合わせとしては、赤色、緑色、青色の３原色の３つの発光極大波長を含有させてもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した２つの発光極大波長を含有させてもよい。

また、複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光又は蛍光で発光する材料の組み合わせや、蛍光又はリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせでもよい。白色有機電界発光素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせて混合してもよい。

このような白色有機電界発光素子は、各色発光の有機電界発光素子をアレー状に個別に並列配置して白色発光を得る構成と異なり、有機電界発光素子自体が白色を発光する。このため、素子を構成するほとんどの層の形成にマスクを必要とせず、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で例えば電極層を形成でき、生産性も向上する。

また、このような白色有機電界発光素子の発光層に用いる発光材料としては、特に制限はなく、例えば液晶表示素子におけるバックライトであれば、ＣＦ（カラーフィルター）特性に対応した波長範囲に適合するように、上述の有機電界発光素子の実施形態に記載の金属錯体、また公知の発光材料の中から任意の材料を選択して組み合わせて白色化すればよい。

以上に説明した白色有機電界発光素子を用いれば、実質的に白色の発光を生じる照明装置を作製することが可能である。

［照明装置−２］
また、照明装置は、例えば有機電界発光素子を複数用いることにより、発光面を大面積化することもできる。この場合、透明基板上に有機電界発光素子を設けた複数の発光パネルを、支持基板上に複数配列する（すなわちタイリングする）ことによって発光面を大面積化する。支持基板は、封止材を兼ねるものであってもよく、この支持基板と、発光パネルの透明基板との間に有機電界発光素子を挟持する状態で各発光パネルをタイリングする。支持基板と透明基板との間には接着剤を充填し、これによって有機電界発光素子を封止してもよい。尚、発光パネルの周囲には、透明電極及び対向電極の端子を露出させておく。

このような構成の照明装置では、各発光パネルの中央が発光領域となり、発光パネル間には非発光領域が発生する。このため、非発光領域からの光取り出し量を増加させるための光取り出し部材を、光取り出し面の非発光領域に設けてもよい。光取り出し部材としては、集光シートや光拡散シートを用いることができる。

以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
［透明電極の作製］
試料１０１〜１４３の各透明電極を、導電性領域の面積が５ｃｍ×５ｃｍとなるように作製した。下記表２には、試料１０１〜１４３の各透明電極における各層の構成を示した。

［試料１０１，１０２の透明電極の作製］
以下のようにして、ガラス製の基材上に、下記表２に示すそれぞれの厚さで銀からなる導電層を形成した。

まず、透明な無アルカリガラス製の基材を、市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。またタングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、当該真空槽内に取り付けた。次に、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で、銀からなる導電層をそれぞれの厚さで形成した。試料１０１では厚さ５ｎｍで形成し、試料１０２では厚さ１５ｎｍで形成した。

［試料１０３の透明電極の作製］
以下のようにして、ガラス製の基材上に、酸化チタン（ＴｉＯ_２）からなる高屈折率層を３０ｎｍの厚さで形成し、この上部に銀からなる導電層を５ｎｍの厚さで形成した。

まず、透明な無アルカリガラス製の基材を市販の電子ビーム蒸着装置の基材ホルダーに固定し、酸化チタン（ＴｉＯ_２）を加熱ボートに入れ、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを電子ビーム蒸着装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、市販の真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。

次に、電子ビーム蒸着装置の真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、酸化チタン（ＴｉＯ_２）の入った加熱ボートに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で基材上に厚さ３０ｎｍの酸化チタンからなる高屈折率層を設けた。

次に、高屈折率層まで形成した基材を真空のまま真空蒸着装置の真空槽に移し、当該真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で厚さ５ｎｍの銀からなる導電層を形成し、高屈折率層とこの上部の導電層との積層構造からなる試料１０３の透明電極を得た。

［試料１０４〜１０８の透明電極の作製］
以下のようにして、ガラス製の基材上に、酸化チタン（ＴｉＯ_２）からなる高屈折率層を３０ｎｍの厚さで形成し、この上部に下記に示す化合物Ｎｏ．−１〜Ｎｏ．−５の材料からなる層（下地層）を、１０ｎｍの厚さで形成し、この上部に銀からなる導電層を５ｎｍの厚さで形成した。

まず、透明な無アルカリガラス製の基材を市販の電子ビーム蒸着装置の基材ホルダーに固定し、酸化チタン（ＴｉＯ_２）を加熱ボートに入れ、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを電子ビーム蒸着装置の真空槽に取り付けた。次に、化合物Ｎｏ．−１〜Ｎｏ．−５をタンタル製抵抗加熱ボートに入れ、真空蒸着装置の第１真空槽内に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、真空蒸着装置の第２真空槽内に取り付けた。

次に、電子ビーム蒸着装置の真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、各化合物の入った加熱ボートに電子ビームを照射し加熱して、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で基材上に厚さ３０ｎｍの酸化チタンからなる高屈折率層を設けた。

続いて、高屈折率層まで形成した基材を真空のまま真空蒸着装置の第１真空槽に移し、第１真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、各化合物の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で基材上に各化合物で構成された下地層を各厚さ１０ｎｍで設けた。

次に、下地層まで形成した基材を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で厚さ５ｎｍの銀からなる導電層を形成し、高屈折率層と下地層と導電層とがこの順に積層された試料１０４〜１０８の各透明電極を得た。

ここで用いた化合物のうち、化合物Ｎｏ．−１〜Ｎｏ．−５は以下に示すものであり、［有効非共有電子対］を有する窒素原子に対して○を付した。このうち化合物Ｎｏ．−１は窒素原子を含有していないアントラセンであり、化合物Ｎｏ．−２〜Ｎｏ．−５は窒素を含有するが有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の値が［ｎ／Ｍ］＜２．０×１０^−３である。

［試料１０９の透明電極の作製］
以下のようにして、ガラス製の基材上に、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）からなる低屈折率層を９０ｎｍの厚さで形成し、酸化チタン（ＴｉＯ_２）からなる高屈折率層を３０ｎｍの厚さで形成し、この上部に化合物Ｎｏ．−１の材料からなる層を１０ｎｍの厚さで形成し、この上部に銀からなる導電層を５ｎｍの厚さで形成した。

まず、透明な無アルカリガラス製の基材を市販の電子ビーム蒸着装置の基材ホルダーに固定し、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）を加熱ボートに入れ、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを電子ビーム蒸着装置の真空槽に取り付けた。また、酸化チタン（ＴｉＯ_２）を加熱ボートに入れ、電子ビーム蒸着装置の真空槽に取り付けた。次に、化合物Ｎｏ．−１をタンタル製抵抗加熱ボートに入れ、真空蒸着装置の第１真空槽内に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、真空蒸着装置の第２真空槽内に取り付けた。

次に、電子ビーム蒸着装置の真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）の入った加熱ボートに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で基材上に厚さ９０ｎｍのフッ化マグネシウムからなる低屈折率層を設けた。
さらに、酸化チタン（ＴｉＯ_２）の入った加熱ボートに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で低屈折率層上に厚さ３０ｎｍの酸化チタンからなる高屈折率層を設けた。

続いて、高屈折率層まで形成した基材を真空のまま真空蒸着装置の第１真空槽に移し、第１真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、化合物Ｎｏ．−１の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で基材上に化合物Ｎｏ．−１で構成された下地層を厚さ１０ｎｍで設けた。

次に、下地層まで形成した基材を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で厚さ５ｎｍの銀からなる導電層を形成し、低屈折率層、高屈折率層と窒素含有層と導電層とがこの順に積層された試料１０９の透明電極を得た。

［試料１１０〜１２９の透明電極の作製］
高屈折率層上に形成する層を、表１に示す化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１８の窒素含有層とし、下記表２に示す厚さ（１０ｎｍ、５ｎｍ、又は、３ｎｍ）で形成した以外は、上記試料１０９と同様の手順で試料１１０〜１２９の各透明電極を得た。

［試料１３０，１３１の透明電極の作製］
銀からなる導電層の厚さを８ｎｍとしたこと以外は、上記試料１１２と同様の手順で試料１３０，１３１の各透明電極を得た。なお、窒素含有層の形成には、試料１３０では化合物Ｎｏ．７、試料１３１では化合物Ｎｏ．１４を用いた。

［試料１３２の透明電極の作製］
高屈折率層を酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）で構成した以外は、上記試料１３０と同様の手順で試料１３２の透明電極を得た。なお、試料１３２では、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）のターゲットを用いたスパッタリング法により、低屈折率層上に酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）からなる高屈折率層を形成した。

［試料１３３の透明電極の作製］
高屈折率層を酸化ジルコニウム（ＺｒＯ）で構成した以外は、上記試料１３０と同様の手順で試料１３３の透明電極を得た。

［試料１３４の透明電極の作製］
高屈折率層を酸化カドミウム（ＣｄＯ）で構成した以外は、上記試料１３０と同様の手順で試料１３４の透明電極を得た。

［試料１３５の透明電極の作製］
高屈折率層を酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）で構成した以外は、上記試料１３０と同様の手順で試料１３５の透明電極を得た。なお、試料１３５では、ＩＴＯのターゲットを用いたスパッタリング法により低屈折率層上に、ＩＴＯからなる高屈折率層を形成した。

［試料１３６の透明電極の作製］
低屈折率層をフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成した以外は、上記試料１３２と同様の手順で試料１３６の透明電極を得た。

［試料１３７の透明電極の作製］
低屈折率層をフッ化カルシウム（ＣａＦ_２）で構成した以外は、上記試料１３２と同様の手順で試料１３７の透明電極を得た。

［試料１３８の透明電極の作製］
低屈折率層をフッ化アルミニウム（ＡｌＦ_２）で構成した以外は、上記試料１３２と同様の手順で試料１３８の透明電極を得た。

［試料１３９の透明電極の作製］
基材としてポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用いたこと以外は、上記試料１３２と同様の手順で試料１３９の各透明電極を得た。

［試料１４０の透明電極の作製］
窒素含有層を化合物Ｎｏ．１４を用いて構成した以外は、上記試料１３９と同様の手順で試料１４０の各透明電極を得た。

［試料１４１の透明電極の作製］
高屈折率層上に形成する層を、表１に示す化合物Ｎｏ．４８の窒素含有層とした以外は、上記試料１１２と同様の手順で試料１４１の各透明電極を得た。

［試料１４２の透明電極の作製］
高屈折率層上に形成する層を、表１に示す化合物Ｎｏ．４６の窒素含有層とした以外は、上記試料１１２と同様の手順で試料１４２の各透明電極を得た。

［試料１４３の透明電極の作製］
高屈折率層上に形成する層を、表１に示す化合物Ｎｏ．４７の窒素含有層とした以外は、上記試料１１２と同様の手順で試料１４３の各透明電極を得た。

［実施例１の各試料の評価］
上記で作製した試料１０１〜１４３の各透明電極について、光透過率、及び、シート抵抗値を測定した。光透過率の測定は、分光光度計（日立製作所製Ｕ−３３００）を用い、波長５５０ｎｍにおいて、試料と同じ基材をベースラインとして行った。シート抵抗値の測定は、抵抗率計（三菱化学社製ＭＣＰ−Ｔ６１０）を用い、４端子４探針法定電流印加方式で行った。この結果を下記表２に合わせて示す。

なお、上記各試料に用いられる化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１８、及び、化合物Ｎｏ．４６〜Ｎｏ．４８は、先の実施形態で有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の値が［ｎ／Ｍ］≧２．０×１０^−３であるとして示した例示化合物である。下記表２にはここで用いた化合物の有効非共有電子対の数［ｎ］、分子量［Ｍ］、及び有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］も示した。

［実施例１の評価結果］
表２から明らかなように、低屈折率層及び高屈折率層を有し、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が、２．０×１０^−３≦［ｎ／Ｍ］≦１．９×１０^−２の所定範囲内である化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１８、及び、化合物Ｎｏ．４６〜Ｎｏ．４８を用いて窒素含有層を構成した試料１１０〜１４３の透明電極は、実質的な導電性を担う銀を用いた導電層が５ｎｍ又は８ｎｍと極薄層でありながらも、シート抵抗値の測定が可能であり、単層成長型（Frank-van der Merwe：ＦＭ型）の成長によってほぼ均一な厚さで形成されていることが確認された。

これに対して、導電層のみの単層構造の試料１０１、窒素含有層を設けず高屈折率層の上部に導電層を積層した構造の試料１０３の透明電極は、シート抵抗の測定が不可能であり、電極として用いることができない。また、２．０×１０^−３＞［ｎ／Ｍ］である化合物Ｎｏ．−１〜Ｎｏ．−５を用いて窒素含有層を構成した試料１０４〜１０８の透明電極も、シート抵抗の測定が不可能であり、電極として用いることができない。さらに、低屈折率層及び高屈折率層を有するものの、窒素含有層として２．０×１０^−３＞［ｎ／Ｍ］である化合物Ｎｏ．−１を用いた試料１０９の透明電極についても、シート抵抗の測定が不可能であり、電極として用いることができない。
また、窒素含有層など窒素含有層を設けていない試料１０２は、導電層が１５ｎｍと厚いため、シート抵抗は低いものの光透過率が低く、透明電極として用いることはできない。

上述のように、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が所定範囲内である試料１１０〜１４３の透明電極は、光透過率も５０％以上であって透明電極として用いることが可能であることが確認された。この結果は、基材がガラスであってもプラスチック材料（ＰＥＴ）であっても同様であった。
さらに、これらの試料１１０〜１４３の透明電極は、導電層が５ｎｍ又は８ｎｍであっても、光透過率が７０％前後の高い値に保持された。さらに、導電層の５ｎｍから８ｎｍへ厚くした場合にも、シート抵抗値の低下が確認された。このため、試料１１０〜１４３の透明電極では、光透過率の向上と導電性の向上との両立が図られていることが確認された。

また、試料１１０〜１１２の透明電極は、窒素含有層の厚さのみが異なっており、窒素含有層の厚さが小さいほど、光透過率が高く、シート抵抗値が低いことが確認された。

また、試料１３０、１３２〜１３５の透明電極は、高屈折率層に用いる化合物のみが異なっており、それぞれの化合物の屈折率がＴｉＯ_２（ｎ＝２．３〜２．４）、Ｎｂ_２Ｏ_５（ｎ＝２．３）、ＣｄＯ（ｎ＝２．４９）、ＩＴＯ（ｎ＝２．１〜２．２）である。このようにいずれの化合物も窒素含有層（ｎ＝１．７〜１．８）より０．３以上高い屈折率を有している。このため、試料１３０、１３２〜１３４においては、光透過率が７０％以上に保持され、シート抵抗値も１ケタと低く保持されていることが確認された。また、試料１３５においては、ＩＴＯの屈折率が他の材料より低いため透過率が低いものの、十分に低いシート抵抗値が確認された。

また、試料１３２、１３６〜１３８の透明電極は、低屈折率層に用いる化合物のみが異なっており、それぞれの化合物の屈折率がＭｇＦ_２（ｎ＝１．３７）、ＬｉＦ（ｎ＝１．３９）、ＣａＦ_２（ｎ＝１．４３）、ＡｌＦ_３（ｎ＝１．３８）である。このようにいずれの化合物も高屈折率層（Ｎｂ_２Ｏ_５、ｎ＝２．３）より低い屈折率を有しており、光透過率が８０％以上に保持され、シート抵抗値も１ケタと低く保持されていることが確認された。

また試料１４２の透明電極は、Ｎｏ．４７のニトロ基を有する化合物を用いて窒素含有層を形成したものであり、光透過率、及び、シート抵抗に良好な結果が得られることが確認された。したがって、ニトロ基（−ＮＯ_２）の非共有電子対は、共鳴構造に利用されているものの、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない非共有電子対であって［有効非共有電子対］として、銀（Ａｇ）との結合に効果を発揮していることが確認された。

以上より、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］を指標として、導電層に隣接して設けた窒素含有層を構成する化合物を選択して用いることにより、光透過性を得るために薄層でありながらも低抵抗な電極層（すなわち透明電極）が得られることが確認された。

［ボトムエミッション型の有機電界発光素子の作製］
実施例１で作製した構成の各透明電極を、アノードとして発光機能層の下部に設けたボトムエミッション型の有機電界発光素子を作製した。図９を参照し、作製手順を説明する。なお、下記表３には、試料２０１〜２３５の有機電界発光素子に用いた透明電極の構成を示す。

［試料２０１，２０２の有機電界発光素子の作製手順］
（透明電極の導電層：アノードの形成）
まず、試料２０１，２０２の作製において、透明な無アルカリガラス製の透明基板２１の上部に、銀からなる導電層１５を５ｎｍ又は１５ｎｍの厚さで形成した。このような各導電層１５は、実施例１の試料１０１，１０２と同様の手順で形成した。

（正孔輸送・注入層の形成）
まず、正孔輸送注入材料として下記構造式に示すα−ＮＰＤが入った加熱ボートに通電して加熱し、α−ＮＰＤからなる正孔注入層と正孔輸送層とを兼ねた正孔輸送・注入層４２ａを、透明電極１０上に形成した。この際、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒、厚さ２０ｎｍとした。

（発光層の形成）
次に、先に構造式を示したホスト材料Ｈ４の入った加熱ボートと、先に構造式を示した燐光発光性化合物Ｉｒ−４の入った加熱ボートとを、それぞれ独立に通電し、ホスト材料Ｈ４と燐光発光性化合物Ｉｒ−４とからなる発光層４２ｂを、正孔輸送・注入層４２ａ上に形成した。この際、蒸着速度がホスト材料Ｈ４：燐光発光性化合物Ｉｒ−４＝１００：６となるように、加熱ボートの通電を調節した。また厚さ３０ｎｍとした。

（正孔阻止層の形成）
次に、正孔阻止材料として下記構造式に示すＢＡｌｑが入った加熱ボートに通電して加熱し、ＢＡｌｑからなる正孔阻止層４２ｃを、発光層４２ｂ上に形成した。この際、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒、厚さ１０ｎｍとした。

（電子輸送・注入層の形成）
その後、電子輸送材料として先に構造式を示した化合物１０の入った加熱ボートと、フッ化カリウムの入った加熱ボートとを、それぞれ独立に通電し、化合物１０とフッ化カリウムとからなる電子注入層と電子輸送層とを兼ねた電子輸送・注入層４２ｄを、正孔阻止層４２ｃ上に形成した。この際、蒸着速度が化合物１０：フッ化カリウム＝７５：２５になるように、加熱ボートの通電を調節した。また厚さ３０ｎｍとした。尚、化合物１０は、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が所定範囲である化合物Ｎｏ．７でもある。

（対向電極：カソードの形成）
次に、発光機能層４２が形成された透明基板２１を、真空蒸着装置の真空槽内に移送し、真空槽内を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、真空槽内に取り付けられたアルミニウムの入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．３ｎｍ／秒で厚さ１００ｎｍのアルミニウムからなる対向電極２３を形成した。この対向電極２３は、カソードとして用いられる。以上により透明基板２１上に、ボトムエミッション型の有機電界発光素子４０を形成した。

（素子の封止）
その後、有機電界発光素子４０を、厚さ３００μｍのガラス基板からなる封止材で覆い、有機電界発光素子４０を囲む状態で、透明封止材と透明基板２１との間に接着剤（シール材）を充填した。接着剤としては、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を用いた。透明封止材と透明基板２１との間に充填した接着剤に対して、ガラス基板（透明封止材）側からＵＶ光を照射し、接着剤を硬化させて有機電界発光素子４０を封止した。

なお、有機電界発光素子４０の形成においては、各層の形成に蒸着マスクを使用し、５ｃｍ×５ｃｍの透明基板２１における中央の４．５ｃｍ×４．５ｃｍを発光領域とし、発光領域の全周に幅０．２５ｃｍの非発光領域を設けた。また、アノードである透明電極１０の導電層１５と、カソードである対向電極２３とは、正孔輸送・注入層４２ａ〜電子輸送・注入層４２ｄによって絶縁された状態で、透明基板２１の周縁に端子部分を引き出された形状で形成した。

以上のようにして、透明基板２１上に有機電界発光素子４０を設け、これを透明封止材と接着剤とで封止した試料２０１，２０２の有機電界発光素子の各発光パネルを得た。これらの各発光パネルにおいては、発光層４２ｂで発生した各色の発光光ｈが、透明基板２１側から取り出される。

［試料２０３の有機電界発光素子の作製手順］
（透明電極の高屈折率層の形成）
まず、試料２０３の作製において、透明な無アルカリガラス製の透明基板２１の上部に、酸化チタンからなる高屈折率層１３を３０ｎｍの厚さで形成した。この際、実施例１の試料１０３と同様の手順で形成した。

（透明電極の導電層：アノードの形成）
次に、高屈折率層１３上に、厚さ５ｎｍの銀からなる導電層１５を、実施例１の試料１０３と同様の手順で形成した。この導電層１５は、アノードとして用いられる。

以下、試料２０１，２０２と同様にして、透明電極１０上に、正孔輸送・注入層４２ａ〜電子輸送・注入層４２ｄを形成し、さらに対向電極２３（カソード）を形成した。これにより、透明基板２１上に、ボトムエミッション型の有機電界発光素子４０を形成した。続いて、試料２０１，２０２と同様にして、有機電界発光素子４０を、封止材と接着剤とで封止し、試料３０３の有機電界発光素子の発光パネルを得た。これらの各発光パネルにおいては、発光層４２ｂで発生した各色の発光光ｈが、透明基板２１側から取り出される。

［試料２０４，２０５の有機電界発光素子の作製手順］
（透明電極の高屈折率層の形成）
まず、試料２０４，２０５の作製において、透明な無アルカリガラス製の透明基板２１の上部に、酸化チタンからなる高屈折率層１３を３０ｎｍの厚さで形成した。この際、実施例１の試料１０４，１０７と同様の手順で形成した。

（透明電極の下地層の形成）
次に、高屈折率層１３の上部に、各化合物で構成された下地層４４を１０ｎｍの厚さで形成した。このような下地層４４は、実施例１の試料１０４，１０７と同様の手順で形成した。

（透明電極の導電層：アノードの形成）
次に、下地層４４上に、厚さ５ｎｍの銀からなる導電層１５を、実施例１の試料１０４，１０７と同様の手順で形成した。この導電層１５は、アノードとして用いられる。

以下、試料２０１と同様にして、透明電極１０上に、正孔輸送・注入層４２ａ〜電子輸送・注入層４２ｄを形成し、さらに対向電極２３（カソード）を形成した。これにより、透明基板２１上に、ボトムエミッション型の有機電界発光素子４０を形成した。続いて、試料２０１と同様にして、有機電界発光素子４０を、封止材と接着剤とで封止し、試料２０４，２０５の有機電界発光素子の発光パネルを得た。

［試料２０６の有機電界発光素子の作製手順］
（透明電極の低屈折率層の形成）
まず、試料２０６の作製において、透明な無アルカリガラス製の透明基板２１の上部に、フッ化マグネシウムからなる低屈折率層１２を９０ｎｍの厚さで形成した。この際、実施例１の試料１０９と同様の手順で形成した。

（透明電極の高屈折率層の形成）
次に、低屈折率層１２の上部に、酸化チタンからなる高屈折率層１３を３０ｎｍの厚さで形成した。この際、実施例１の試料１０９と同様の手順で形成した。

（透明電極の下地層の形成）
次に、高屈折率層１３の上部に、各化合物で構成された下地層４４を１０ｎｍの厚さで形成した。このような下地層４４は、実施例１の試料１０９と同様の手順で形成した。

（透明電極の導電層：アノードの形成）
次に、下地層４４上に、厚さ５ｎｍの銀からなる導電層１５を、実施例１の試料１０９と同様の手順で形成した。この導電層１５は、アノードとして用いられる。

以下、試料２０１と同様にして、透明電極１０上に、正孔輸送・注入層４２ａ〜電子輸送・注入層４２ｄを形成し、さらに対向電極２３（カソード）を形成した。これにより、透明基板２１上に、ボトムエミッション型の有機電界発光素子４０を形成した。続いて、試料２０１と同様にして、有機電界発光素子４０を、封止材と接着剤とで封止し、試料２０６の有機電界発光素子の発光パネルを得た。

［試料２０７〜２０９の有機電界発光素子の作製手順］
（透明電極の低屈折率層の形成）
まず、試料２０７〜２０９の作製において、透明な無アルカリガラス製の透明基板２１の上部に、フッ化マグネシウムからなる低屈折率層１２を９０ｎｍの厚さで形成した。この際、実施例１の試料１１０〜１１２と同様の手順で形成した。

（透明電極の高屈折率層の形成）
次に、低屈折率層１２の上部に、酸化チタンからなる高屈折率層１３を３０ｎｍの厚さで形成した。この際、実施例１の試料１１０〜１１２と同様の手順で形成した。

（透明電極の窒素含有層の形成）
次に、高屈折率層１３の上部に、各化合物で構成された窒素含有層１４を、１０ｎｍ、５ｎｍ又は３ｎｍの各厚さで形成した。このような各窒素含有層１４は、実施例１の試料１１０〜１１２と同様の手順で形成した。

（透明電極の導電層：アノードの形成）
次に、窒素含有層１４上に、厚さ５ｎｍの銀からなる導電層１５を、実施例１の試料１１０〜１１２と同様の手順で形成した。この導電層１５は、アノードとして用いられる。

以下、試料２０１と同様にして、透明電極１０上に、正孔輸送・注入層４２ａ〜電子輸送・注入層４２ｄを形成し、さらに対向電極２３（カソード）を形成した。これにより、透明基板２１上に、ボトムエミッション型の有機電界発光素子４０を形成した。続いて、試料２０１と同様にして、有機電界発光素子４０を、封止材と接着剤とで封止し、試料２０７〜２０９の有機電界発光素子の発光パネルを得た。

［試料２１０〜２２５の有機電界発光素子の作製手順］
（透明電極の低屈折率層の形成）
まず、試料２１０〜２２５の作製において、透明な無アルカリガラス製の透明基板２１の上部に、フッ化マグネシウムからなる低屈折率層１２を９０ｎｍの厚さで形成した。この際、実施例１の試料１１４〜１２９と同様の手順で形成した。

（透明電極の高屈折率層の形成）
次に、低屈折率層１２の上部に、酸化チタンからなる高屈折率層１３を３０ｎｍの厚さで形成した。この際、実施例１の試料１１４〜１２９と同様の手順で形成した。

（透明電極の窒素含有層の形成）
次に、高屈折率層１３の上部に、各化合物で構成された窒素含有層１４を３ｎｍの厚さで形成した。このような各窒素含有層１４は、実施例１の試料１１４〜１２９と同様の手順で形成した。

（透明電極の導電層：アノードの形成）
次に、窒素含有層１４上に、厚さ８ｎｍの銀からなる導電層１５を、実施例１の試料１１４〜１２９と同様の手順で形成した。この導電層１５は、アノードとして用いられる。

以下、試料２０１と同様にして、透明電極１０上に、正孔輸送・注入層４２ａ〜電子輸送・注入層４２ｄを形成し、さらに対向電極２３（カソード）を形成した。これにより、透明基板２１上に、ボトムエミッション型の有機電界発光素子４０を形成した。続いて、試料２０１と同様にして、有機電界発光素子４０を、封止材と接着剤とで封止し、試料２１０〜２２５の有機電界発光素子の発光パネルを得た。

［試料２２６〜２２９の有機電界発光素子の作製手順］
（透明電極の低屈折率層の形成）
まず、試料２２６〜２２９の作製において、透明な無アルカリガラス製の透明基板２１の上部に、フッ化マグネシウムからなる低屈折率層１２を９０ｎｍの厚さで形成した。この際、実施例１の試料１３２〜１３５と同様の手順で形成した。

（透明電極の高屈折率層の形成）
次に、低屈折率層１２の上部に、それぞれ酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化カドミウム又はＩＴＯからなる高屈折率層１３を３０ｎｍの厚さで形成した。この際、実施例１の試料１３２〜１３５と同様の手順で形成した。

（透明電極の窒素含有層の形成）
次に、高屈折率層１３の上部に、各化合物で構成された窒素含有層１４を、３ｎｍの厚さで形成した。このような各窒素含有層１４は、実施例１の試料１３２〜１３５と同様の手順で形成した。

（透明電極の導電層：アノードの形成）
次に、窒素含有層１４上に、厚さ８ｎｍの銀からなる導電層１５を、実施例１の試料１３２〜１３５と同様の手順で形成した。この導電層１５は、アノードとして用いられる。

以下、試料２０１と同様にして、透明電極１０上に、正孔輸送・注入層４２ａ〜電子輸送・注入層４２ｄを形成し、さらに対向電極２３（カソード）を形成した。これにより、透明基板２１上に、ボトムエミッション型の有機電界発光素子４０を形成した。続いて、試料２０１と同様にして、有機電界発光素子４０を、封止材と接着剤とで封止し、試料２２６〜２２９の有機電界発光素子の発光パネルを得た。

［試料２３０〜２３２の有機電界発光素子の作製手順］
（透明電極の低屈折率層の形成）
まず、試料２３０〜２３２の作製において、透明な無アルカリガラス製の透明基板２１の上部に、それぞれ、フッ化リチウム、フッ化カルシウム又はフッ化アルミニウムからなる低屈折率層１２を９０ｎｍの厚さで形成した。この際、実施例１の試料１３６〜１３８と同様の手順で形成した。

（透明電極の高屈折率層の形成）
次に、低屈折率層１２の上部に、酸化ニオブからなる高屈折率層１３を３０ｎｍの厚さで形成した。この際、実施例１の試料１３６〜１３８と同様の手順で形成した。

（透明電極の窒素含有層の形成）
次に、高屈折率層１３の上部に、各化合物で構成された窒素含有層１４を、３ｎｍの厚さで形成した。このような各窒素含有層１４は、実施例１の試料１３６〜１３８と同様の手順で形成した。

（透明電極の導電層：アノードの形成）
次に、窒素含有層１４上に、厚さ８ｎｍの銀からなる導電層１５を、実施例１の試料１３６〜１３８と同様の手順で形成した。この導電層１５は、アノードとして用いられる。

以下、試料２０１と同様にして、透明電極１０上に、正孔輸送・注入層４２ａ〜電子輸送・注入層４２ｄを形成し、さらに対向電極２３（カソード）を形成した。これにより、透明基板２１上に、ボトムエミッション型の有機電界発光素子４０を形成した。続いて、試料２０１と同様にして、有機電界発光素子４０を、封止材と接着剤とで封止し、試料２３０〜２３２の有機電界発光素子の発光パネルを得た。

［試料２３３〜２３５の有機電界発光素子の作製手順］
（透明電極の低屈折率層の形成）
まず、試料２３３〜２３５の作製において、透明な無アルカリガラス製の透明基板２１の上部に、フッ化マグネシウムからなる低屈折率層１２を９０ｎｍの厚さで形成した。この際、実施例１の試料１４１〜１４３と同様の手順で形成した。

（透明電極の高屈折率層の形成）
次に、低屈折率層１２の上部に、酸化チタンからなる高屈折率層１３を３０ｎｍの厚さで形成した。この際、実施例１の試料１４１〜１４３と同様の手順で形成した。

（透明電極の窒素含有層の形成）
次に、高屈折率層１３の上部に、各化合物で構成された窒素含有層１４を３ｎｍの各厚さで形成した。このような各窒素含有層１４は、実施例１の試料１４１〜１４３と同様の手順で形成した。

（透明電極の導電層：アノードの形成）
次に、窒素含有層１４上に、厚さ５ｎｍの銀からなる導電層１５を、実施例１の試料１４１〜１４３と同様の手順で形成した。この導電層１５は、アノードとして用いられる。

以下、試料２０１と同様にして、透明電極１０上に、正孔輸送・注入層４２ａ〜電子輸送・注入層４２ｄを形成し、さらに対向電極２３（カソード）を形成した。これにより、透明基板２１上に、ボトムエミッション型の有機電界発光素子４０を形成した。続いて、試料２０１と同様にして、有機電界発光素子４０を、封止材と接着剤とで封止し、試料２３３〜２３５の有機電界発光素子の発光パネルを得た。

［実施例２の各試料の評価］
試料２０１〜２３５で作製した有機電界発光素子４０（発光パネル）について、駆動電圧、及び、色変化を測定した。この結果を下記表３に合わせて示す。

駆動電圧の測定においては、各有機電界発光素子４０の透明電極１０側（すなわち透明基板２１側）での正面輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるときの電圧を、駆動電圧として測定した。なお、輝度の測定には分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング製）を用いた。得られた駆動電圧の数値が小さいほど、好ましい結果であることを表わす。

また、色変化の測定においては、各有機電界発光素子４０に２．５ｍＡ／ｃｍ^２の電流を加え、角度の異なる位置からＣＩＥ１９３１表色系における色度を測定した。この際、透明電極１０側の発光面に対する法線方向となる０°の位置と、垂直水平（上下左右）方向にそれぞれ４５°の各位置とで色度を測定した。角度の異なる位置において測定した色度の差を、色度差として下記表３に示した。色度差は、色度の視野角特性を表し、数値が小さいほど好ましい結果となる。

［実施例２の評価結果］
表３から明らかなように、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が２．０×１０^−３≦［ｎ／Ｍ］である化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１８、及び、化合物Ｎｏ．４６〜Ｎｏ．４８を用いた窒素含有層１４を有する試料２０７〜２３５の有機電界発光素子は、駆動電圧が６Ｖ以下の低い駆動電圧で１０００ｃｄ／ｍ^２の正面輝度の発光が得られることが確認された。さらに、これらの試料２０７〜２３５の有機電界発光素子は、色変化の値が０．１２以下に抑えられていることが確認された。
また、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が３．９×１０^−３≦［ｎ／Ｍ］である化合物Ｎｏ．７〜Ｎｏ．１８、及び、化合物Ｎｏ．４６〜Ｎｏ．４８を用いた窒素含有層１４を有する試料２１４〜２３５の有機電界発光素子は、駆動電圧が５Ｖ未満の低い駆動電圧で１０００ｃｄ／ｍ^２の正面輝度の発光が得られることが確認された。

これに対して、導電層のみの単層構造の試料２０１、窒素含有層を設けず高屈折率層の上部に導電層を積層した構造の試料２０３、及び有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上記範囲を外れた化合物Ｎｏ．−１，Ｎｏ．−４を用いた下地層を有する試料２０４〜２０６の有機電界発光素子は、発光が得られないことが確認された。

また、下地層を設けていない試料２０２の有機電界発光素子は、導電層が厚さ１５ｎｍと厚いためシート抵抗は低く電極として機能し、このため、低い駆動電圧により発光を観測できることが確認された。しかしながら厚い銀層からなる導電層は、視野角による色度差が大きいことが確認された。

また、試料２０７〜２０９の有機電界発光素子は、窒素含有層の厚さのみが異なっており、窒素含有層の厚さが小さいほど、色変化の小さいことが確認された。これにより、窒素含有層の厚さが小さいほど、すなわち、高屈折率層と導電層との距離が小さいほど、色度の視野角依存性が抑えられることが確認された。

また、試料２２６〜２２９の有機電界発光素子は、高屈折率層に用いる化合物のみが異なっており、先に実施例１で説明したとおり、いずれの化合物も窒素含有層より０．３以上高い屈折率を有している。これら試料の有機電界発光素子は、駆動電圧及び色変化が共に低く抑えられていることが確認された。

以上より、本発明構成の透明電極を用いた有機電界発光素子は、低い駆動電圧での高輝度発光と安定した面発光が可能であることが確認された。またこれにより、所定輝度を得るための駆動電圧の低減と、発光寿命の向上が見込まれることが確認された。

なお、本発明は上述の実施形態例において説明した構成に限定されるものではなく、その他本発明構成を逸脱しない範囲において種々の変形、変更が可能である。

１０・・・透明電極、１１・・・基材、１２・・・低屈折率層、１３・・・高屈折率層、１４・・・窒素含有層、１５・・・導電層、２０，３０，４０・・・有機電界発光素子、２１，３１・・・透明基板、２１ａ，３１ａ・・・光取り出し面、２２，４２・・・発光機能層、２２ａ・・・正孔注入層、２２ｂ・・・正孔輸送層、２２ｃ，４２ｂ・・・発光層、２２ｄ・・・電子輸送層、２２ｅ・・・電子注入層、２３，３３・・・対向電極、４２ａ・・・正孔輸送・注入層、４２ｃ・・・正孔阻止層、４２ｄ・・・電子輸送・注入層

Claims (20)

1. 窒素原子を含有すると共に当該窒素原子が有する非共有電子対のうち芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない非共有電子対の数をｎ、分子量をＭとした場合の有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が２．０×１０^−３≦［ｎ／Ｍ］である化合物を用いて構成された窒素含有層と、
   前記窒素含有層に隣接して設けられた銀を主成分とする導電層と、
   前記導電層との間に前記窒素含有層を狭持して設けられ、前記窒素含有層よりも高い屈折率を有する高屈折率層と、
   前記高屈折率層に接して設けられ、前記高屈折率層よりも屈折率の低い低屈折率層を備えた
   透明電極。
2. 前記高屈折率層が、酸化チタン又は酸化ニオブで構成されている請求項１記載の透明電極。
3. 前記低屈折率層が、フッ化マグネシウム、フッ化リチウム、フッ化カルシウム及びフッ化アルミニウムから選ばれる少なくとも１種類以上を含んで構成されている請求項１又は２に記載の透明電極。
4. 前記窒素含有層は、５ｎｍ以下の厚さを有する請求項１に記載の透明電極。
5. 前記窒素含有層を構成する化合物の有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が、３．９×１０^−３≦［ｎ／Ｍ］である請求項１に記載の透明電極。
6. 前記窒素含有層は、下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する請求項１に記載の透明電極。
   

   

   ［ただし一般式（１）中において、
   Ｘ１１は、−Ｎ（Ｒ１１）−または−Ｏ−を表し、
   Ｅ１０１〜Ｅ１０８は、各々−Ｃ（Ｒ１２）＝または−Ｎ＝を表し、Ｅ１０１〜Ｅ１０８のうち少なくとも一つは−Ｎ＝であり、
   前記Ｒ１１及び前記Ｒ１２は、それぞれが水素原子（Ｈ）または置換基を表す。］
7. 前記窒素含有層は、前記一般式（１）におけるＸ１１を−Ｎ（Ｒ１１）−とした下記一般式（１ａ）で表される構造を有する化合物を含有する
   請求項６に記載の透明電極。
   

   
8. 前記窒素含有層は、前記一般式（１ａ）におけるＥ１０４を−Ｎ＝とした下記一般式（１ａ−１）で表される構造を有する化合物を含有する
   請求項７に記載の透明電極。
   

   
9. 前記窒素含有層は、前記一般式（１ａ）におけるＥ１０３及びＥ１０６を−Ｎ＝とした下記一般式（１ａ−２）で表される構造を有する化合物を含有する
   請求項７記載の透明電極。
   

   
10. 前記窒素含有層は、前記一般式（１）におけるＸ１１を−Ｏ−とし、Ｅ１０４を−Ｎ＝とした下記一般式（１ｂ）で表される構造を有する化合物を含有する
    請求項６に記載の透明電極。
    

    
11. 前記窒素含有層は、下記一般式（２）で表される構造を有する化合物を含有する請求項１に記載の透明電極。
    

    

    ［ただし一般式（２）中、
    Ｙ２１は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表し、
    Ｅ２０１〜Ｅ２１６、Ｅ２２１〜Ｅ２３８は、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝又は−Ｎ＝を表し、
    前記Ｒ２１は、水素原子（Ｈ）又は置換基を表し、
    Ｅ２２１〜Ｅ２２９の少なくとも１つ及びＥ２３０〜Ｅ２３８の少なくとも１つは−Ｎ＝であり、
    ｋ２１及びｋ２２は、０〜４の整数を表すが、ｋ２１＋ｋ２２は２以上の整数である。］
12. 前記窒素含有層は、下記一般式（３）で表される構造を有する化合物を含有する請求項１に記載の透明電極。
    

    

    ［ただし一般式（３）中、
    Ｅ３０１〜Ｅ３１２は、各々−Ｃ（Ｒ３１）＝を表し、
    前記Ｒ３１は水素原子（Ｈ）又は置換基を表し、
    Ｙ３１は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。］
13. 前記窒素含有層は、下記一般式（４）で表される構造を有する化合物を含有する請求項１に記載の透明電極。
    

    

    ［ただし一般式（４）中、
    Ｅ４０１〜Ｅ４１４は、各々−Ｃ（Ｒ４１）＝を表し、
    前記Ｒ４１は水素原子（Ｈ）又は置換基を表し、
    Ａｒ４１は、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環、又は、置換若しくは無置換の芳香族複素環を表し、
    ｋ４１は３以上の整数を表す。］
14. 前記窒素含有層は、下記一般式（５）で表される構造を有する化合物を含有する請求項１に記載の透明電極。
    

    

    ［ただし一般式（５）中、
    Ｒ５１は置換基を表し、
    Ｅ５０１，Ｅ５０２、Ｅ５１１〜Ｅ５１５、Ｅ５２１〜Ｅ５２５は、各々−Ｃ（Ｒ５２）＝又は−Ｎ＝を表し、
    Ｅ５０３〜Ｅ５０５は、各々−Ｃ（Ｒ５２）＝を表し、
    前記Ｒ５２は、水素原子（Ｈ）又は置換基を表し、
    Ｅ５０１及びＥ５０２のうち少なくとも１つは−Ｎ＝であり、
    Ｅ５１１〜Ｅ５１５のうち少なくとも１つは−Ｎ＝であり、
    Ｅ５２１〜Ｅ５２５のうち少なくとも１つは−Ｎ＝である。］
15. 前記窒素含有層は、下記一般式（６）で表される構造を有する化合物を含有する請求項１に記載の透明電極。
    

    

    ［ただし一般式（６）中、
    Ｅ６０１〜Ｅ６１２は、各々−Ｃ（Ｒ６１）＝又は−Ｎ＝を表し、 前記Ｒ６１は水素原子（Ｈ）又は置換基を表し、
    Ａｒ６１は、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環、又は、置換若しくは無置換の芳香族複素環を表す。］
16. 前記窒素含有層は、下記一般式（７）で表される構造を有する化合物を含有する
    請求項１に記載の透明電極。
    

    

    ［ただし一般式（７）中、
    Ｒ７１〜Ｒ７３は、各々水素原子（Ｈ）又は置換基を表し、
    Ａｒ７１は、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。］
17. 前記窒素含有層は、下記一般式（８）で表される構造を有する化合物を含有する
    請求項１に記載の透明電極。
    

    

    ［ただし一般式（８）中、
    Ｒ８１〜Ｒ８６は、各々水素原子（Ｈ）又は置換基を表し、
    Ｅ８０１〜Ｅ８０３は、各々−Ｃ（Ｒ８７）＝又は−Ｎ＝を表し、
    前記Ｒ８７は、水素原子（Ｈ）又は置換基を表し、
    Ａｒ８１は、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。］
18. 前記窒素含有層は、下記一般式（８ａ）で表される構造を有する化合物を含有する
    請求項１７に記載の透明電極。
    

    

    ［ただし一般式（８a）中において、
    Ｅ８０４〜Ｅ８１１は、各々−Ｃ（Ｒ８８）＝又は−Ｎ＝を表し、
    前記Ｒ８８は、それぞれが水素原子（Ｈ）又は置換基と表し、
    Ｅ８０８〜Ｅ８１１のうち少なくとも一つは−Ｎ＝であり、
    Ｅ８０４〜Ｅ８０７、Ｅ８０８〜Ｅ８１１は、各々互いに結合して新たな環を形成してもよい。］
19. 請求項１に記載の透明電極を有する電子デバイス。
20. 有機材料から構成される発光層を備える請求項１９に記載の電子デバイス。

Images