JP6228385B2 - Cadベースのコンテクスト属性を利用した欠陥分類 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態は、一般的には自動検査に関し、詳細には製造欠陥の分析技術に関する。
1つの実施形態において、画像処理システムは、対象となる画像位置の欠陥とパターンの1つ又はそれ以上の要素との間の近接性を評価することで、少なくとも1つの値を計算する。
1つの実施形態において、画像処理システムは、近接性に基づいて、欠陥がパターンの2つの要素の間を跨ぐ可能性を推定することで、及び/又は欠陥に最も近いパターンのセグメントを特定することで、少なくとも1つの値を計算する。
である3次多項式によって規定され、係数Ciはマップ50に対する最小2乗法により計算される。1つの実施形態では、ADCマシン26は、パラメトリック曲面を与えるために、一連のルジャンドル多項式の積
の係数を適合させる。別の実施形態では、多項式(何次でもよい)及び他の関数タイプを含む、別のタイプのパラメトリック曲面をマップに適合されることができる。いくつかの実施形態では、本技術分野で公知の他の曲面解析法は、曲面パラメータを抽出するために使用できる。曲面52は、3つの成分を使って定義することができる。
S=P+I+L
ここで、
平面(P)、積分非平面度(I)、及び局所的非平面度(L)である。
i=1,2,3であり、ここでμiはセグメントiに関する平均濃度値を表す。
42:分類のための欠陥を受け取る
44:属性値を計算する
45:CADからのコンテクスト属性
46:3Dマップからの形状及びテクスチャ属性
48:欠陥を分類する
Claims (30)
- 検査システムによって取り込まれている、欠陥を含む半導体ウェハのある部分の画像を受け取る段階と、
前記半導体ウェハの前記部分の画像をセグメント化して、前記半導体ウェハの前記部分に構築されたパターンの1又はそれ以上の要素を識別する段階と、
処理装置が、セグメント化された前記画像を処理して、
前記欠陥と前記パターンの少なくとも1つの識別された要素との間の重なり程度、 前記欠陥が交差する前記パターンの識別された要素の数、そして、
前記パターンの識別された要素の少なくとも1つの濃度に対する前記欠陥の濃度を示す相対的濃度値、
のうちの少なくとも1つに基づいて前記画像内の欠陥の属性に関する値を計算する段階と、
前記欠陥の属性に関する値、及び、前記欠陥と前記画像に関する視野内には無い前記半導体ウェハの前記部分の表面に構築されたパターンの少なくとも1つの要素との間の距離に基づいて前記欠陥を識別する段階と、
を含む方法。 - 前記重なりの程度は、前記欠陥と前記パターンの1又はそれ以上の識別された要素の少なくとも1つとの間の重複、前記欠陥と前記パターンの全ての識別された要素との間の重複、少なくとも1つの識別された要素の領域と前記欠陥と重複する領域との関係、そして、全ての識別された要素の領域と前記欠陥と重複するそれらの領域との関係、から構成されるグループから選択されるものである、請求項1に記載の方法。
- 前記欠陥の属性に関する値は、さらに、前記半導体ウェハ上に構築された前記パターンに関するコンピュータ支援設計(CAD)データに基づいて計算されるものである、請求項1に記載の方法。
- 前記欠陥の属性に関する値は、さらに前記画像に関する視野内には無い前記パターンの少なくもと1つの要素と関連するCADのデータの部分に基づいて計算されるものである、請求項1に記載の方法。
- 前記パターンの少なくとも1つの要素は、前記半導体ウェハの部分の画像に対応する領域の外側の前記半導体ウェハの領域にあるものである、請求項4に記載の方法。
- 前記欠陥の属性に関する値は、さらに前記欠陥と前記パターンの識別された少なくとも1つの要素との空間的関係に基づいて計算されるものである、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体ウェハの前記部分の画像のセグメント化は、コンピュータ支援設計(CAD)のデータを用いて与えられる、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体ウェハの前記部分の画像は走査型電子顕微鏡(SEM)像を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記欠陥の属性に関する値は、さらに前記半導体ウェハの表面の下の下層に関連するCADデータの部分に基づいて形成されるものである、請求項3に記載の方法。
- 前記欠陥の属性に関する値は、前記欠陥のトポグラフィックな特徴に基づいて計算されるものである、請求項1に記載の方法。
- メモリと、前記メモリと作動的に結合されたプロセッサとを含むシステムであって、
前記プロセッサは、
検査システムによって取り込まれている、欠陥を含む半導体ウェハのある部分の画像を受け取る処理と、
前記半導体ウェハの前記部分の画像をセグメント化して、前記半導体ウェハの前記部分に構築されたパターンの1又はそれ以上の要素を識別する処理と、
セグメント化された前記画像を処理して、
前記欠陥と前記パターンの少なくとも1つの識別された要素との間の重なり程度、 前記欠陥が交差する前記パターンの識別された要素の数、そして、
前記パターンの識別された要素の少なくとも1つの濃度に対する前記欠陥の濃度を示す相対的濃度値、
のうちの少なくとも1つに基づいて前記画像内の欠陥の属性に関する値を計算する処理と、
前記欠陥の属性に関する値、及び、前記欠陥と前記画像に関する視野内には無い前記半導体ウェハの前記部分の表面に構築されたパターンの少なくとも1つの要素との間の距離に基づいて前記欠陥を識別する処理と、
を実行するシステム。 - 前記重なりの程度は、前記欠陥と前記パターンの1又はそれ以上の識別された要素の少なくとも1つとの間の重複、前記欠陥と前記パターンの全ての識別された要素との間の重複、少なくとも1つの識別された要素の領域と前記欠陥と重複する領域との関係、そして、全ての識別された要素の領域と前記欠陥と重複するそれらの領域との関係、から構成されるグループから選択されるものである、請求項11に記載のシステム。
- 前記欠陥の属性に関する値は、さらに、前記半導体ウェハ上に構築された前記パターンに関するコンピュータ支援設計(CAD)データに基づいて計算されるものである、請求項11に記載のシステム。
- 前記欠陥の属性に関する値は、さらに前記画像に関する視野内には無い前記パターンの少なくもと1つの要素と関連するCADのデータの部分に基づいて計算されるものである、請求項11に記載のシステム。
- 前記パターンの少なくとも1つの要素は、前記半導体ウェハの部分の画像に対応する領域の外側の前記半導体ウェハの領域にあるものである、請求項14に記載のシステム。
- 前記欠陥の属性に関する値は、さらに前記欠陥と前記パターンの識別された少なくとも1つの要素との空間的関係に基づいて計算されるものである、請求項11に記載のシステム。
- 前記半導体ウェハの前記部分の画像のセグメント化は、コンピュータ支援設計(CAD)のデータを用いて与えられる、請求項11に記載のシステム。
- 前記半導体ウェハの前記部分の画像は走査型電子顕微鏡(SEM)像を含む、請求項11に記載のシステム。
- 前記欠陥の属性に関する値は、さらに前記半導体ウェハの表面の下の下層に関連するCADデータの部分に基づいて形成されるものである、請求項13に記載のシステム。
- 前記欠陥の属性に関する値は、前記欠陥のトポグラフィックな特徴に基づいて計算されるものである、請求項11に記載のシステム。
- 処理装置によって実行される命令が記録されたコンピュータ読み取り可能な非一時的な記録媒体であって、前記処理装置に、
検査システムによって取り込まれている、欠陥を含む半導体ウェハのある部分の画像を受け取る処理と、
前記半導体ウェハの前記部分の画像をセグメント化して、前記半導体ウェハの前記部分に構築されたパターンの1又はそれ以上の要素を識別する処理と、
セグメント化された前記画像を処理して、
前記欠陥と前記パターンの少なくとも1つの識別された要素との間の重なり程度、 前記欠陥が交差する前記パターンの識別された要素の数、そして、
前記パターンの識別された要素の少なくとも1つの濃度に対する前記欠陥の濃度を示す相対的濃度値、
のうちの少なくとも1つに基づいて前記画像内の欠陥の属性に関する値を計算する処理と、
前記欠陥の属性に関する値、及び、前記欠陥と前記画像に関する視野内には無い前記半導体ウェハの前記部分の表面に構築されたパターンの少なくとも1つの要素との間の距離に基づいて前記欠陥を識別する処理と、
を実行させる命令を含んでいる記録媒体。 - 前記重なりの程度は、前記欠陥と前記パターンの1又はそれ以上の識別された要素の少なくとも1つとの間の重複、前記欠陥と前記パターンの全ての識別された要素との間の重複、少なくとも1つの識別された要素の領域と前記欠陥と重複する領域との関係、そして、全ての識別された要素の領域と前記欠陥と重複するそれらの領域との関係、から構成されるグループから選択されるものである、請求項21に記載の記録媒体。
- 前記欠陥の属性に関する値は、さらに、前記半導体ウェハ上に構築された前記パターンに関するコンピュータ支援設計(CAD)データに基づいて計算されるものである、請求項21に記載の記録媒体。
- 前記欠陥の属性に関する値は、さらに前記画像に関する視野内には無い前記パターンの少なくもと1つの要素と関連するCADのデータの部分に基づいて計算されるものである、請求項21に記載の記録媒体。
- 前記パターンの少なくとも1つの要素は、前記半導体ウェハの部分の画像に対応する領域の外側の前記半導体ウェハの領域にあるものである、請求項24に記載の記録媒体。
- 前記欠陥の属性に関する値は、さらに前記欠陥と前記パターンの識別された少なくとも1つの要素との空間的関係に基づいて計算されるものである、請求項21に記載の記録媒体。
- 前記半導体ウェハの前記部分の画像のセグメント化は、コンピュータ支援設計(CAD)のデータを用いて与えられる、請求項21に記載の記録媒体。
- 前記半導体ウェハの前記部分の画像は走査型電子顕微鏡(SEM)像を含む、請求項21に記載の記録媒体。
- 前記欠陥の属性に関する値は、さらに前記半導体ウェハの表面の下の下層に関連するCADデータの部分に基づいて形成されるものである、請求項23に記載の記録媒体。
- 前記欠陥の属性に関する値は、前記欠陥のトポグラフィックな特徴に基づいて計算されるものである、請求項21に記載の記録媒体。
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