JP2013225312A - Cadベースのコンテクスト属性を利用した欠陥分類 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パターンが形成され、半導体ウェハの対象となる画像位置を含む領域の画像を受け取る段階と、パターンに関連する、対象となる画像位置に対応する、対象となるCAD位置を含むコンピュータ支援設計(CAD)データを受け取る段階と含む分類方法である。CADデータに関連する、対象となるCAD位置のコンテクストに基づいて、対象となる画像位置の1つ又はそれ以上の属性に関する少なくとも1つの値を計算する。
【選択図】図2A
Description
本出願は、2012年4月19日出願の米国出願番号13/451,490「トポグラフィック属性を使用した欠陥分類」(受領番号08090.43(L023))に関連する。
本発明の実施形態は、一般的には自動検査に関し、詳細には製造欠陥の分析技術に関する。
1つの実施形態において、画像処理システムは、対象となる画像位置の欠陥とパターンの1つ又はそれ以上の要素との間の近接性を評価することで、少なくとも1つの値を計算する。
1つの実施形態において、画像処理システムは、近接性に基づいて、欠陥がパターンの2つの要素の間を跨ぐ可能性を推定することで、及び/又は欠陥に最も近いパターンのセグメントを特定することで、少なくとも1つの値を計算する。
である3次多項式によって規定され、係数Ciはマップ50に対する最小2乗法により計算される。1つの実施形態では、ADCマシン26は、パラメトリック曲面を与えるために、一連のルジャンドル多項式の積
の係数を適合させる。別の実施形態では、多項式(何次でもよい)及び他の関数タイプを含む、別のタイプのパラメトリック曲面をマップに適合されることができる。いくつかの実施形態では、本技術分野で公知の他の曲面解析法は、曲面パラメータを抽出するために使用できる。曲面52は、3つの成分を使って定義することができる。
S=P+I+L
ここで、
平面(P)、積分非平面度(I)、及び局所的非平面度(L)である。
i=1,2,3であり、ここでμiはセグメントiに関する平均濃度値を表す。
42:分類のための欠陥を受け取る
44:属性値を計算する
45:CADからのコンテクスト属性
46:3Dマップからの形状及びテクスチャ属性
48:欠陥を分類する
Claims (15)
- 分類方法であって、
コンピュータシステムによって、パターンが形成され半導体ウェハの対象となる画像位置を含む領域の画像を受け取る段階と、
前記コンピュータシステムによって、前記パターンに関連する、前記対象となる画像位置に対応する対象となるCAD位置を含むコンピュータ支援設計(CAD)データを受け取る段階と、
前記コンピュータシステムによって、前記CADデータに関連する対象となるCAD位置のコンテクストに基づいて、前記対象となる画像位置の1つ又はそれ以上の属性に関する少なくとも1つの値を計算する段階と、
を含む方法。 - 前記対象となる画像位置は、少なくとも1つの特徴を含み、前記少なくとも1つの特徴は、欠陥、プロセス変動、及び対象となる設計を含む多数の特徴から選択され、前記方法は、前記1つ又はそれ以上の属性に関する前記少なくとも1つの値に基づいて、前記対象となる画像位置での欠陥を自動的に分類する段階を更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの値を計算する段階は、ユーザから、前記対象となる画像位置と、前記CADデータで特定される1つ又はそれ以上の機能的セグメントとの間の空間的関係に関連する属性の定義を受け取る段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの値を計算する段階は、前記CADデータのセグメントの属性値を計算する段階を含み、前記CADデータの前記セグメントは、
前記パターンに対応する第1の層に関連する部分、
前記パターンに対応する第1の層とは異なる第2の層に関連する部分、及び、
前記画像の視野(FOV)の外側の1つ又はそれ以上の位置に対応する複数のデータ要素、
のうちの少なくとも1つを備える、請求項3に記載の方法。 - 1つ又はそれ以上のラベルを前記画像の複数の画素に付加する段階を更に含み、前記複数の画素は、前記CADデータの前記セグメントに対応し、前記少なくとも1つの値を計算する段階は、前記1つ又はそれ以上ラベルに基づいて前記複数の画素のうちの1つ又はそれ以上を選択する段階と、前記選択した画素に関する前記複数の属性の前記少なくとも1つの値を計算する段階とを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの値を計算する段階は、
前記対象となる画像位置と、前記CADデータによって特定される多層構造との間の空間的関係に基づいて属性値を計算する段階、又は前記対象となる画像位置と、前記パターンの1つ又はそれ以上の要素との間の重複を評価する段階を含み、前記重複を評価する段階は、前記欠陥と前記パターンの少なくとも1つの要素との間の重複を推定する段階、又は前記欠陥と前記パターンの前記要素との間の重複の数を推定する段階を含む、請求項3に記載の方法。 - 前記少なくとも1つの値を評価する段階は、
前記対象となる画像位置の欠陥と前記パターンの1つ又はそれ以上の要素との間の近接性を評価する段階と、
前記近接性に基づいて、前記欠陥が前記パターンの2つの要素の間を跨ぐ可能性を推定する段階と、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記複数の値を計算する段階は、前記対象となる画像位置の濃度レベルを前記パターンの1つ又はそれ以上の要素の複数の濃度レベルの各々と比較する段階、又は、前記半導体ウェハの複数の特徴に基づいて属性値を計算する段階を含み、前記複数の特徴は、前記画像では隠れているが前記CADデータには表れており、前記複数の特徴は、前記画像の視野の外側にあるか又は前記半導体ウェハの表面の下層にある、請求項1に記載の方法。
- 前記領域の3次元(3D)マップを受け取る段階と、
前記3次元マップにおける前記欠陥のトポグラフィックな特徴に基づいて、前記欠陥の1つ又はそれ以上のトポグラフィック属性値を計算する段階と、
を更に含み、前記欠陥を自動的に分類する段階は、前記欠陥を分類する際に、前記1つ又はそれ以上のトポグラフィック属性値を付加する段階を含む、請求項1に記載の方法。 - メモリと、
前記メモリに接続される処理装置と、
を備える装置であって、前記処理装置が、
パターンが形成され、半導体ウェハの対象となる画像位置を含む領域の画像を受け取り、
前記パターンに関連する、前記対象となる画像位置に対応する対象となるCAD位置を含むコンピュータ支援設計(CAD)データを受け取り、
前記CADデータに関連する対象となるCAD位置のコンテクストに基づいて、前記対象となる画像位置の1つ又はそれ以上の属性に関する少なくとも1つの値を計算する、
ように構成されている装置。 - 前記少なくとも1つの値を計算するために、前記プロセッサが、
ユーザから、前記対象となる画像位置と、前記CADデータで特定される1つ又はそれ以上の機能的セグメントとの間の空間的関係に関連する属性の定義を受け取り、
前記CADデータのセグメントの属性値を計算する、
ように構成され、前記CADデータの前記セグメントは、
前記パターンに対応する第1の層に関連する部分、
前記パターンに対応する第1の層とは異なる第2の層に関連する部分、及び、
前記画像の視野(FOV)の外側の1つ又はそれ以上の位置に対応する複数のデータ要素、
のうちの少なくとも1つを備える、請求項10に記載の装置。 - 前記プロセッサは、
ユーザから、前記対象となる画像位置と、前記CADデータで特定される1つ又はそれ以上の機能的セグメントとの間の空間的関係に関連する属性の定義を受け取り、
1つ又はそれ以上のラベルを前記画像の複数の画素に付加する、
ように更に構成され、前記複数の画素は、前記CADデータの前記セグメントに対応し、前記少なくとも1つの値を計算することは、前記1つ又はそれ以上ラベルに基づいて前記複数の画素のうちの1つ又はそれ以上を選択すること、及び前記選択した画素に関する前記複数の属性の前記少なくとも1つの属性を計算することを含む、請求項10に記載の装置。 - 前記プロセッサは、
ユーザから、前記対象となる画像位置と、前記CADデータで特定される1つ又はそれ以上の機能的セグメントとの間の空間的関係に関連する属性の定義を受け取り、
記対象となる画像位置と前記CADデータで規定される多層構造との間の空間的関係に基づいて属性値を計算する、
ように更に構成される、請求項10に記載の装置。 - 前記少なくとも1つの値は、前記対象となる画像位置の欠陥と前記パターンの1つ又はそれ以上の要素との間の重複の評価値、前記対象となる画像位置の欠陥と前記パターンの1つ又はそれ以上の要素との間の近接性の評価値、前記対象となる画像位置の濃度レベルの前記パターンの1つ又はそれ以上の要素の複数の濃度レベルの各々に対する比較値、又は前記半導体ウェハの複数の特徴に基づく属性値を含み、前記重複の評価値は、前記欠陥と前記パターンの少なくとも1つの要素との間の重複領域を示し、前記重複の評価値は、前記欠陥と前記パターンの前記要素との間の重複の数を含み、前記複数の特徴は、前記画像では隠れているが前記CADデータには表れている、請求項10に記載の装置。
- 処理装置により実行される場合に、前記処理装置に、
パターンが形成され半導体ウェハの対象となる画像位置を含む領域の画像を受け取る段階と、
前記パターンに関連する、前記対象となる画像位置に対応する対象となるCAD位置を含むコンピュータ支援設計(CAD)データを受け取る段階と、
前記CADデータに関連する対象となるCAD位置のコンテクストに基づいて、前記対象となる画像位置の1つ又はそれ以上の属性に関する少なくとも1つの値を計算する段階と、
を含む操作を実行させる命令を有する非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/451,486 US9858658B2 (en) | 2012-04-19 | 2012-04-19 | Defect classification using CAD-based context attributes |
US13/451,486 | 2012-04-19 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013225312A true JP2013225312A (ja) | 2013-10-31 |
JP2013225312A5 JP2013225312A5 (ja) | 2016-06-09 |
JP6228385B2 JP6228385B2 (ja) | 2017-11-08 |
Family
ID=49380165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013100672A Active JP6228385B2 (ja) | 2012-04-19 | 2013-04-19 | Cadベースのコンテクスト属性を利用した欠陥分類 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9858658B2 (ja) |
JP (1) | JP6228385B2 (ja) |
KR (1) | KR102132328B1 (ja) |
TW (1) | TWI616823B (ja) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130279790A1 (en) | 2013-10-24 |
US9858658B2 (en) | 2018-01-02 |
JP6228385B2 (ja) | 2017-11-08 |
TW201351305A (zh) | 2013-12-16 |
TWI616823B (zh) | 2018-03-01 |
KR20130118278A (ko) | 2013-10-29 |
KR102132328B1 (ko) | 2020-07-10 |
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