JP2013225312A5 - - Google Patents

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プロセッサ902は、マイクロプロセッサ、中央処理装置等の、1つ又はそれ以上の汎用処理装置を表している。特に、プロセッサ902は、複合命令セットコンピューティング(CISC)マイクロプロセッサ、縮小命令セットコンピューティング(RISC)マイクロプロセッサ、超長命令語(VLIW)マイクロプロセッサ、又は他の命令セット又は命令セットの組み合わせを実行するプロセッサとすることができる。また、プロセッサ902は、特定用途向け集積回路(ASIC)、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)、デジタルシグナルプロセッサ(DSP)、ネットワークプロセッサ等の1つ又はそれ以上の専用処理装置とすることができる。プロセッサ902は、本明細書で説明する動作又はステップを遂行するための命令926を実行するように構成される。
更に、コンピュータシステム900は、ネットワークインターフェース装置922を含むことができる。また、コンピュータシステム900は、ビデオ表示ユニット(例えば、液晶ディスプレイ(LCD)又はブラウン管(CRT))、英数字入力装置912(例えば、キーボード)、カーソル制御装置(例えば、マウス)、及び信号生成装置916(例えば、スピーカ)を含むことができる。

Claims (15)

  1. 分類方法であって、
    コンピュータシステムによって、パターンが形成され半導体ウェハの対象となる画像位置を含む領域の画像を受け取る段階と、
    前記コンピュータシステムによって、前記パターンに関連する、前記対象となる画像位置に対応する対象となるCAD位置を含むコンピュータ支援設計(CAD)データを受け取る段階と、
    前記コンピュータシステムによって、前記CADデータに関連する対象となるCAD位置のコンテクストに基づいて、前記対象となる画像位置の1つ又はそれ以上の属性に関する少なくとも1つの値を計算する段階と、
    を含む方法。
  2. 前記対象となる画像位置は、少なくとも1つの特徴を含み、前記少なくとも1つの特徴は、欠陥、プロセス変動、及び対象となる設計を含む多数の特徴から選択され、前記方法は、前記1つ又はそれ以上の属性に関する前記少なくとも1つの値に基づいて、前記対象となる画像位置での欠陥を自動的に分類する段階を更に含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記少なくとも1つの値を計算する段階は、ユーザから、前記対象となる画像位置と、前記CADデータで特定される1つ又はそれ以上の機能的セグメントとの間の空間的関係に関連する属性の定義を受け取る段階を含む、請求項1に記載の方法。
  4. 前記少なくとも1つの値を計算する段階は、前記CADデータのセグメントの属性値を計算する段階を含み、前記CADデータの前記セグメントは、
    前記パターンに対応する第1の層に関連する部分、
    前記パターンに対応する第1の層とは異なる第2の層に関連する部分、及び、
    前記画像の視野(FOV)の外側の1つ又はそれ以上の位置に対応する複数のデータ要素、
    のうちの少なくとも1つを備える、請求項3に記載の方法。
  5. 1つ又はそれ以上のラベルを前記画像の複数の画素に付加する段階を更に含み、前記複数の画素は、前記CADデータの前記セグメントに対応し、前記少なくとも1つの値を計算する段階は、前記1つ又はそれ以上ラベルに基づいて前記複数の画素のうちの1つ又はそれ以上を選択する段階と、前記選択した画素に関する前記複数の属性の前記少なくとも1つの値を計算する段階とを含む、請求項3に記載の方法。
  6. 前記少なくとも1つの値を計算する段階は、
    前記対象となる画像位置と、前記CADデータによって特定される多層構造との間の空間的関係に基づいて属性値を計算する段階、又は前記対象となる画像位置と、前記パターンの1つ又はそれ以上の要素との間の重複を評価する段階を含み、前記重複を評価する段階は、前記欠陥と前記パターンの少なくとも1つの要素との間の重複を推定する段階、又は前記欠陥と前記パターンの前記要素との間の重複の数を推定する段階を含む、請求項3に記載の方法。
  7. 前記少なくとも1つの値を評価する段階は、
    前記対象となる画像位置の欠陥と前記パターンの1つ又はそれ以上の要素との間の近接性を評価する段階と、
    前記近接性に基づいて、前記欠陥が前記パターンの2つの要素の間を跨ぐ可能性を推定する段階と、
    を含む、請求項1に記載の方法。
  8. 前記少なくとも1つの値を計算する段階は、前記対象となる画像位置の濃度レベルを前記パターンの1つ又はそれ以上の要素の複数の濃度レベルの各々と比較する段階、又は、前記半導体ウェハの複数の特徴に基づいて属性値を計算する段階を含み、前記複数の特徴は、前記画像では隠れているが前記CADデータには表れており、前記複数の特徴は、前記画像の視野の外側にあるか又は前記半導体ウェハの表面の下層にある、請求項1に記載の方法。
  9. 前記領域の3次元(3D)マップを受け取る段階と、
    前記3次元マップにおける前記欠陥のトポグラフィックな特徴に基づいて、前記欠陥の1つ又はそれ以上のトポグラフィック属性値を計算する段階と、
    を更に含み、前記欠陥を自動的に分類する段階は、前記欠陥を分類する際に、前記1つ又はそれ以上のトポグラフィック属性値を付加する段階を含む、請求項2に記載の方法。
  10. メモリと、
    前記メモリに接続される処理装置と、
    を備える装置であって、前記処理装置が、
    パターンが形成され、半導体ウェハの対象となる画像位置を含む領域の画像を受け取り、
    前記パターンに関連する、前記対象となる画像位置に対応する対象となるCAD位置を含むコンピュータ支援設計(CAD)データを受け取り、
    前記CADデータに関連する対象となるCAD位置のコンテクストに基づいて、前記対象となる画像位置の1つ又はそれ以上の属性に関する少なくとも1つの値を計算する、
    ように構成されている装置。
  11. 前記少なくとも1つの値を計算するために、前記処理装置が、
    ユーザから、前記対象となる画像位置と、前記CADデータで特定される1つ又はそれ以上の機能的セグメントとの間の空間的関係に関連する属性の定義を受け取り、
    前記CADデータのセグメントの属性値を計算する、
    ように構成され、前記CADデータの前記セグメントは、
    前記パターンに対応する第1の層に関連する部分、
    前記パターンに対応する第1の層とは異なる第2の層に関連する部分、及び、
    前記画像の視野(FOV)の外側の1つ又はそれ以上の位置に対応する複数のデータ要素、
    のうちの少なくとも1つを備える、請求項10に記載の装置。
  12. 前記処理装置は、
    ユーザから、前記対象となる画像位置と、前記CADデータで特定される1つ又はそれ以上の機能的セグメントとの間の空間的関係に関連する属性の定義を受け取り、
    1つ又はそれ以上のラベルを前記画像の複数の画素に付加する、
    ように更に構成され、前記複数の画素は、前記CADデータの前記セグメントに対応し、前記少なくとも1つの値を計算することは、前記1つ又はそれ以上ラベルに基づいて前記複数の画素のうちの1つ又はそれ以上を選択すること、及び前記選択した画素に関する前記複数の属性の前記少なくとも1つの属性を計算することを含む、請求項10に記載の装置。
  13. 前記処理装置は、
    ユーザから、前記対象となる画像位置と、前記CADデータで特定される1つ又はそれ以上の機能的セグメントとの間の空間的関係に関連する属性の定義を受け取り、
    記対象となる画像位置と前記CADデータで規定される多層構造との間の空間的関係に基づいて属性値を計算する、
    ように更に構成される、請求項10に記載の装置。
  14. 前記少なくとも1つの値は、前記対象となる画像位置の欠陥と前記パターンの1つ又はそれ以上の要素との間の重複の評価値、前記対象となる画像位置の欠陥と前記パターンの1つ又はそれ以上の要素との間の近接性の評価値、前記対象となる画像位置の濃度レベルの前記パターンの1つ又はそれ以上の要素の複数の濃度レベルの各々に対する比較値、又は前記半導体ウェハの複数の特徴に基づく属性値を含み、前記重複の評価値は、前記欠陥と前記パターンの少なくとも1つの要素との間の重複領域を示し、前記重複の評価値は、前記欠陥と前記パターンの前記要素との間の重複の数を含み、前記複数の特徴は、前記画像では隠れているが前記CADデータには表れている、請求項10に記載の装置。
  15. 処理装置により実行される場合に、前記処理装置に、
    パターンが形成され半導体ウェハの対象となる画像位置を含む領域の画像を受け取る段階と、
    前記パターンに関連する、前記対象となる画像位置に対応する対象となるCAD位置を含むコンピュータ支援設計(CAD)データを受け取る段階と、
    前記CADデータに関連する対象となるCAD位置のコンテクストに基づいて、前記対象となる画像位置の1つ又はそれ以上の属性に関する少なくとも1つの値を計算する段階と、
    を含む操作を実行させる命令を有する非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7448012B1 (en) 2004-04-21 2008-11-04 Qi-De Qian Methods and system for improving integrated circuit layout
US9858658B2 (en) 2012-04-19 2018-01-02 Applied Materials Israel Ltd Defect classification using CAD-based context attributes
DE102013109915B4 (de) * 2013-09-10 2015-04-02 Thyssenkrupp Steel Europe Ag Verfahren und Vorrichtung zur Überprüfung eines Inspektionssystems zur Erkennung von Oberflächendefekten
US10410338B2 (en) * 2013-11-04 2019-09-10 Kla-Tencor Corporation Method and system for correlating optical images with scanning electron microscopy images
WO2015120996A1 (en) * 2014-02-12 2015-08-20 Asml Netherlands B.V. Method of optimizing a process window
US9715724B2 (en) * 2014-07-29 2017-07-25 Applied Materials Israel Ltd. Registration of CAD data with SEM images
US10312161B2 (en) 2015-03-23 2019-06-04 Applied Materials Israel Ltd. Process window analysis
US11010886B2 (en) 2016-05-17 2021-05-18 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for automatic correction of drift between inspection and design for massive pattern searching
DE102017213060A1 (de) * 2017-07-28 2019-01-31 Siemens Aktiengesellschaft Computerimplementiertes Verfahren und Vorrichtung zum automatischen Generieren von gekennzeichneten Bilddaten und Analysevorrichtung zum Überprüfen eines Bauteils
KR102545141B1 (ko) 2017-12-01 2023-06-20 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그의 제조 방법
US11450122B2 (en) * 2017-12-31 2022-09-20 Asml Netherlands B.V. Methods and systems for defect inspection and review
US10853697B2 (en) * 2018-08-28 2020-12-01 Beijing Jingdong Shangke Information Technology Co., Ltd. System and method for monitoring online retail platform using artificial intelligence and fixing malfunction
JP7053417B2 (ja) 2018-09-13 2022-04-12 キオクシア株式会社 欠陥検査装置および欠陥検査方法
EP3660703B1 (en) * 2018-09-27 2023-06-07 Siemens Aktiengesellschaft Method, apparatus, and system for identifying device, storage medium, processor, and terminal
US11561256B2 (en) 2019-12-31 2023-01-24 Synopsys, Inc. Correlation between emission spots utilizing CAD data in combination with emission microscope images
CN111353983B (zh) * 2020-02-28 2023-05-23 腾讯科技(深圳)有限公司 缺陷检测识别方法、装置、计算机可读介质及电子设备
EP3916636A1 (de) * 2020-05-27 2021-12-01 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und systeme zum bereitstellen von synthetischen gelabelten trainingsdatensätzen und ihre anwendungen
US11861286B2 (en) * 2020-06-30 2024-01-02 Synopsys, Inc. Segregating defects based on computer-aided design (CAD) identifiers associated with the defects

Family Cites Families (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5923430A (en) 1993-06-17 1999-07-13 Ultrapointe Corporation Method for characterizing defects on semiconductor wafers
US5705301A (en) * 1996-02-27 1998-01-06 Lsi Logic Corporation Performing optical proximity correction with the aid of design rule checkers
US6148099A (en) * 1997-07-03 2000-11-14 Neopath, Inc. Method and apparatus for incremental concurrent learning in automatic semiconductor wafer and liquid crystal display defect classification
GB2329451B (en) * 1997-09-23 2002-01-02 Spirax Sarco Ltd Float operated devices
US6174738B1 (en) * 1997-11-28 2001-01-16 Advanced Micro Devices, Inc. Critical area cost disposition feedback system
US6987873B1 (en) * 1998-07-08 2006-01-17 Applied Materials, Inc. Automatic defect classification with invariant core classes
US6353222B1 (en) 1998-09-03 2002-03-05 Applied Materials, Inc. Determining defect depth and contour information in wafer structures using multiple SEM images
US6539106B1 (en) * 1999-01-08 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Feature-based defect detection
JP3350477B2 (ja) * 1999-04-02 2002-11-25 セイコーインスツルメンツ株式会社 ウエハ検査装置
JP2001005166A (ja) * 1999-06-17 2001-01-12 Nec Corp パターン検査方法及びパターン検査装置
US6577757B1 (en) * 1999-07-28 2003-06-10 Intelligent Reasoning Systems, Inc. System and method for dynamic image recognition
US6999614B1 (en) * 1999-11-29 2006-02-14 Kla-Tencor Corporation Power assisted automatic supervised classifier creation tool for semiconductor defects
US6373053B1 (en) 2000-01-31 2002-04-16 Advanced Micro Devices, Inc. Analysis of CD-SEM signal to detect scummed/closed contact holes and lines
US6510730B1 (en) 2000-03-31 2003-01-28 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for facilitating selection of optimized optical proximity correction
JP2001331784A (ja) * 2000-05-18 2001-11-30 Hitachi Ltd 欠陥分類方法及びその装置
JP2002031525A (ja) * 2000-07-14 2002-01-31 Seiko Instruments Inc 半導体ウエハのパターン形状評価方法及び装置
JP3743319B2 (ja) 2001-07-18 2006-02-08 株式会社日立製作所 欠陥検出方法及びその装置
US6948141B1 (en) * 2001-10-25 2005-09-20 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining critical area of semiconductor design data
US6745372B2 (en) * 2002-04-05 2004-06-01 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for facilitating process-compliant layout optimization
JP4073265B2 (ja) 2002-07-09 2008-04-09 富士通株式会社 検査装置及び検査方法
US6930308B1 (en) 2002-07-11 2005-08-16 Kla-Tencor Technologies Corporation SEM profile and surface reconstruction using multiple data sets
JP3944024B2 (ja) * 2002-08-20 2007-07-11 株式会社東芝 画像処理方法、半導体装置の製造方法、パターン検査装置およびプログラム
JP4302965B2 (ja) 2002-11-01 2009-07-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体デバイスの製造方法及びその製造システム
JP3959355B2 (ja) 2003-01-17 2007-08-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 微細パターンの3次元形状測定方法
EP1590696A2 (en) 2003-01-28 2005-11-02 Oraxion Full-filled optical measurements of surface properties of panels, substrates and wafers
US7508973B2 (en) * 2003-03-28 2009-03-24 Hitachi High-Technologies Corporation Method of inspecting defects
US9002497B2 (en) * 2003-07-03 2015-04-07 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data
WO2005015500A1 (en) 2003-08-08 2005-02-17 Applied Materials Israel, Ltd. Measurement of corner roundness
US20050031186A1 (en) * 2003-08-10 2005-02-10 Luu Victor Van Systems and methods for characterizing a three-dimensional sample
JP2005158780A (ja) * 2003-11-20 2005-06-16 Hitachi Ltd パターン欠陥検査方法及びその装置
US8340393B2 (en) 2003-12-10 2012-12-25 Applied Materials Israel Limited Advanced roughness metrology
US7194709B2 (en) * 2004-03-05 2007-03-20 Keith John Brankner Automatic alignment of integrated circuit and design layout of integrated circuit to more accurately assess the impact of anomalies
DE102004040372B4 (de) 2004-08-20 2006-06-29 Diehl Avionik Systeme Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Darstellung einer dreidimensionalen Topographie
JP4317805B2 (ja) * 2004-09-29 2009-08-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥自動分類方法及び装置
US7376269B2 (en) 2004-11-22 2008-05-20 Xerox Corporation Systems and methods for detecting image quality defects
JP4262690B2 (ja) 2005-03-16 2009-05-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ 形状測定装置および形状測定方法
US7760347B2 (en) * 2005-05-13 2010-07-20 Applied Materials, Inc. Design-based method for grouping systematic defects in lithography pattern writing system
US7760929B2 (en) * 2005-05-13 2010-07-20 Applied Materials, Inc. Grouping systematic defects with feedback from electrical inspection
WO2007000727A2 (en) 2005-06-28 2007-01-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of reconstructing a surface topology of an object
JP4776308B2 (ja) * 2005-09-05 2011-09-21 株式会社東京精密 画像欠陥検査装置、画像欠陥検査システム、欠陥分類装置及び画像欠陥検査方法
JP4466537B2 (ja) 2005-11-01 2010-05-26 株式会社デンソー 車両用ワイパ制御装置
US7570796B2 (en) * 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US7764826B2 (en) 2005-12-07 2010-07-27 Hitachi High-Technologies Corporation Method and apparatus of reviewing defects on a semiconductor device
US7570800B2 (en) 2005-12-14 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for binning defects detected on a specimen
JP4644613B2 (ja) * 2006-02-27 2011-03-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥観察方法及びその装置
US7684609B1 (en) * 2006-05-25 2010-03-23 Kla-Tencor Technologies Corporation Defect review using image segmentation
JP4791267B2 (ja) * 2006-06-23 2011-10-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査システム
JP2008041940A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Hitachi High-Technologies Corp Sem式レビュー装置並びにsem式レビュー装置を用いた欠陥のレビュー方法及び欠陥検査方法
US8194968B2 (en) 2007-01-05 2012-06-05 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions
JP5118872B2 (ja) 2007-03-30 2013-01-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体デバイスの欠陥観察方法及びその装置
DE102007019057A1 (de) 2007-04-23 2008-10-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen eines Kanten-Histogramms, Vorrichtung und Verfahren zum Ablegen eines Bildes in einer Bilddatenbank, Vorrichtung und Verfahren zum Auffinden von zwei ähnlichen Bildern und Computerprogramm
US7835564B2 (en) 2007-04-30 2010-11-16 International Business Machines Corporation Non-destructive, below-surface defect rendering using image intensity analysis
JP4936985B2 (ja) 2007-05-14 2012-05-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡およびそれを用いた三次元形状測定装置
US8799831B2 (en) * 2007-05-24 2014-08-05 Applied Materials, Inc. Inline defect analysis for sampling and SPC
JP2009092954A (ja) * 2007-10-09 2009-04-30 Toshiba Corp パターン評価方法
JP5022191B2 (ja) * 2007-11-16 2012-09-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
JP5021503B2 (ja) * 2008-01-15 2012-09-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン欠陥解析装置、パターン欠陥解析方法およびパターン欠陥解析プログラム
US7756658B2 (en) 2008-05-14 2010-07-13 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for detecting defects on a wafer and generating inspection results for the wafer
SG164293A1 (en) 2009-01-13 2010-09-29 Semiconductor Technologies & Instruments Pte System and method for inspecting a wafer
JP5641463B2 (ja) 2009-01-27 2014-12-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置及びその方法
KR101324349B1 (ko) * 2009-02-04 2013-10-31 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 반도체 결함 통합 투영 방법 및 반도체 결함 통합 투영 기능을 실장한 결함 검사 지원 장치
US8175373B2 (en) 2009-02-16 2012-05-08 Kla-Tencor Corporation Use of design information and defect image information in defect classification
US8112241B2 (en) 2009-03-13 2012-02-07 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for generating an inspection process for a wafer
US8595666B2 (en) * 2009-07-09 2013-11-26 Hitachi High-Technologies Corporation Semiconductor defect classifying method, semiconductor defect classifying apparatus, and semiconductor defect classifying program
JP2011033423A (ja) 2009-07-31 2011-02-17 Hitachi High-Technologies Corp パターン形状選択方法、及びパターン測定装置
US8473223B2 (en) 2009-10-07 2013-06-25 Iyun Leu Method for utilizing fabrication defect of an article
US8401273B2 (en) 2010-01-21 2013-03-19 Hitachi, Ltd. Apparatus for evaluating degradation of pattern features
JP4716148B1 (ja) 2010-03-30 2011-07-06 レーザーテック株式会社 検査装置並びに欠陥分類方法及び欠陥検出方法
US20110242312A1 (en) 2010-03-30 2011-10-06 Lasertec Corporation Inspection system and inspection method
KR101214806B1 (ko) * 2010-05-11 2012-12-24 가부시키가이샤 사무코 웨이퍼 결함 검사 장치 및 웨이퍼 결함 검사 방법
US8315453B2 (en) 2010-07-27 2012-11-20 Applied Materials Israel, Ltd. Defect classification with optimized purity
US8502146B2 (en) 2011-10-03 2013-08-06 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus for classification of defects using surface height attributes
US8604427B2 (en) 2012-02-02 2013-12-10 Applied Materials Israel, Ltd. Three-dimensional mapping using scanning electron microscope images
KR102071735B1 (ko) 2012-03-19 2020-01-30 케이엘에이 코포레이션 반도체 소자의 자동화 검사용 레시피 생성을 위한 방법, 컴퓨터 시스템 및 장치
US9858658B2 (en) 2012-04-19 2018-01-02 Applied Materials Israel Ltd Defect classification using CAD-based context attributes
US9595091B2 (en) 2012-04-19 2017-03-14 Applied Materials Israel, Ltd. Defect classification using topographical attributes
US10599944B2 (en) 2012-05-08 2020-03-24 Kla-Tencor Corporation Visual feedback for inspection algorithms and filters
US10330608B2 (en) 2012-05-11 2019-06-25 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for wafer surface feature detection, classification and quantification with wafer geometry metrology tools
US8826200B2 (en) 2012-05-25 2014-09-02 Kla-Tencor Corp. Alteration for wafer inspection
US9053390B2 (en) 2012-08-14 2015-06-09 Kla-Tencor Corporation Automated inspection scenario generation
GB2506115A (en) 2012-09-19 2014-03-26 Dupont Teijin Films Us Ltd An Interferometric Method for Profiling the Topography of a Sample Surface

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