JP2013236087A5

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Info

Publication number: JP2013236087A5
Application number: JP2013099680A
Authority: JP
Filing date: 2013-04-18
Publication date: 2016-06-09
Anticipated expiration: 2033-04-18

Description

１つの実施形態では、システムは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により取り込まれた画像から３Ｄマップを導出することにより３Ｄマップを受け取る。

プロセッサ９０２は、マイクロプロセッサ、中央処理装置等の、１つ又はそれ以上の汎用処理装置を表している。特に、プロセッサ９０２は、複合命令セットコンピューティング（ＣＩＳＣ）マイクロプロセッサ、縮小命令セットコンピューティング（ＲＩＳＣ）マイクロプロセッサ、超長命令語（ＶＬＩＷ）マイクロプロセッサ、又は他の命令セット又は命令セットの組み合わせを実行するプロセッサとすることができる。また、プロセッサ９０２は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）、ネットワークプロセッサ等の１つ又はそれ以上の専用処理装置とすることができる。プロセッサ９０２は、本明細書で説明する動作又はステップを遂行するための命令９２６を実行するように構成される。

更に、コンピュータシステム９００は、ネットワークインターフェース装置９２２を含むことができる。また、コンピュータシステム９００は、ビデオ表示ユニット（例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）又はブラウン管（ＣＲＴ））、英数字入力装置９１２（例えば、キーボード）、カーソル制御装置（例えば、マウス）、及び信号生成装置９１６（例えば、スピーカ）を含むことができる。

Claims

分類方法であって、
コンピュータシステムにより、対象位置を含む半導体ウェハ領域の３次元（３Ｄ）マップを受け取とる段階と、
前記コンピュータシステムにより、前記マップの前記対象位置のトポグラフィックな特徴に基づいて、前記対象位置の１つ又はそれ以上の属性に関する少なくとも１つの値を計算する段階と、
を含む方法。
前記対象位置は、少なくとも１つの特徴を含み、前記少なくとも１つの特徴は、欠陥、プロセス変動、及び対象となる設計を含む多数の特徴から選択され、前記方法は、前記１つ又はそれ以上の属性に関する前記少なくとも１つの値に基づいて、前記対象位置の欠陥を自動的に分類する段階を更に含む、請求項１に記載の方法。
前記少なくとも１つの値を計算する段階は、前記対象位置の１つ以上の３Ｄ形状パラメータを計算する段階と、前記対象位置の表面に対応する平面の方位を見つける段階又はパラメトリック曲面を前記３Ｄマップの前記対象位置に近似させる段階と、前記近似曲面から前記３Ｄ形状パラメータを導出する段階とを含む、請求項１に記載の方法。
前記３Ｄ形状パラメータを計算する段階は、前記対象位置の表面の曲率の評価値を見つける段階を含む、請求項３に記載の方法。
前記少なくとも１つの値を計算する段階は、前記対象位置の１つ又はそれ以上のテクスチャパラメータを計算する段階を含む、請求項１に記載の方法。
前記テクスチャパラメータを計算する段階は、前記対象位置の表面にわたる勾配を計算する段階と、前記勾配に基づいて前記表面の粗さの評価値を見つける段階とを含む、請求項５に記載の方法。
前記１つ又はそれ以上のテクスチャパラメータを計算する段階は、前記対象位置における多数のエッジの方向の規則性を計算する段階を含む、請求項５に記載の方法。
メモリと、
前記メモリに接続される処理装置と、
を備える装置であって、前記処理装置が、
対象位置を含む半導体ウェハ領域の３次元（３Ｄ）マップを受け取り、
前記マップの前記対象位置のトポログラフィックな特徴に基づいて、前記対象位置の１つ又はそれ以上の属性に関する少なくとも１つの値を計算する、
ように構成されている装置。
前記対象位置が少なくとも１つの特徴を含み、前記少なくとも１つの特徴が、欠陥、プロセス変動、及び対象の設計を含む複数の特徴のグループから選択され、前記処理装置は、前記１つ又はそれ以上の属性に関する前記少なくとも１つの値に基づいて、欠陥を自動的に分類するように更に構成されている、請求項８に記載の装置。
前記少なくとも１つの値は、前記対象位置の１つ又はそれ以上の３Ｄ形状パラメータを含み、前記処理装置は、該対象位置表面に対応する平面の方位を見つけることによって、又はパラメトリック曲面を前記マップの前記対象位置に近似させて、前記近似曲面から前記３Ｄ形状パラメータを導出することによって、前記３Ｄ形状パラメータを計算するように構成される、請求項８に記載の装置。
前記３Ｄ形状パラメータは、前記対象位置の表面の曲率の評価値を含む、請求項１０に記載の装置。
前記少なくとも１つの値は、前記対象位置の１つ又はそれ以上のテクスチャパラメータを含み、前記処理装置は、前記対象位置の表面にわたる勾配を計算し、前記勾配に応答して前記表面の粗さの評価値を見つけることにより、又は前記対象位置におけるエッジの方向の規則性を計算することにより、前記テクスチャパラメータを計算するように構成される、請求項８に記載の装置。
処理装置により実行される場合に、前記処理装置に、
対象位置を含む半導体ウェハ領域の３次元（３Ｄ）マップを受け取る段階と、
前記マップの前記該対象位置の１つ又はそれ以上の属性に関する値を計算する段階と、を含む操作を実行させる命令を有する非一時的コンピュータ可読記憶媒。
前記対象位置は、少なくとも１つの特徴を含み、前記少なくとも１つの特徴は、欠陥、プロセス変動、及び対象の設計を含む多数の特徴から選択され、前記処理装置は、前記１つ又はそれ以上の属性に関する前記少なくとも１つの値に基づいて、前記対象位置を自動的に分類する段階を更に含む操作を実行する、請求項１３に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
前記少なくとも１つの値は、１つ又はそれ以上の３Ｄ形状パラメータ又は前記対象位置のテクスチャパラメータを含む、請求項１３に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。