JP6220628B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、カラー表示装置において、表示輝度を向上する手法が提案されている。一例として、赤色（Ｒ）の画素、緑色（Ｇ）の画素、青色（Ｂ）の画素、及び、白色（Ｗ）の画素を行方向に沿って所定の順番で配置し、１つの単位画素（絵素）を構成する液晶表示装置が提案されている。

単位画素を構成する色画素の各々については、印加電圧に対する透過率のＶ−Ｔ特性が異なり、ピーク透過率が得られる電圧値が異なる場合がある。特に、青色画素については、赤色画素及び緑色画素と比べてＶ−Ｔ特性の差が大きく、青色画素でのピーク透過率は比較的低電圧で得られるのに対して、赤色画素及び緑色画素でのピーク透過率は比較的高電圧で得られる。このため、色画素毎にピーク透過率に応じて電圧値を設定し、ホワイトバランスを維持する手法などが適用されている。

特開２００６−２５９１３５号公報

本実施形態の目的は、表示品位を向上することが可能な表示装置を提供することにある。

本実施形態によれば、
赤色画素に配置された第１画素電極と、緑色画素に配置された第２画素電極と、青色画素に配置された第３画素電極と、を備えた第１基板と、前記第１画素電極に対向する第１スリット、前記第２画素電極に対向する第２スリット、及び、前記第３画素電極に対向する第３スリットを備えた共通電極と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備え、前記第３スリットの面積及び面積率の少なくとも一方が前記第１スリット及び前記第２スリットよりも大きい、表示装置が提供される。

図１は、本実施形態の表示装置を構成する液晶表示パネルＬＰＮの構成及び等価回路を概略的に示す図である。 図２は、本実施形態の表示装置に適用可能なアレイ基板ＡＲの一画素ＰＸの構成例を概略的に示す平面図である。 図３は、本実施形態の表示装置に適用可能な対向基板ＣＴの一画素ＰＸの構成例を概略的に示す平面図である。 図４は、図２に示したスイッチング素子ＳＷを含むアクティブエリアにおける液晶表示パネルＬＰＮの断面構造を概略的に示す図である。 図５は、本実施形態における各画素とカラーフィルタとのレイアウトの一例を概略的に示す平面図である。 図６は、図５に示したカラーフィルタが適用されるアレイ基板ＡＲの構成例を概略的に示す平面図である。 図７は、図６に示したアレイ基板ＡＲに対向する対向基板ＣＴに配置される第２共通電極ＣＥ２の構成例を概略的に示す平面図である。 図８は、第２共通電極ＣＥ２の他の構成例を概略的に示す平面図である。 図９は、本実施形態における各画素とカラーフィルタとのレイアウトの他の構成例を概略的に示す平面図である。 図１０は、図９に示したカラーフィルタが適用されるアレイ基板ＡＲの構成例を概略的に示す平面図である。 図１１は、図１０に示したアレイ基板ＡＲに対向配置される第２共通電極ＣＥ２の構成例を概略的に示す平面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、本実施形態の表示装置を構成する液晶表示パネルＬＰＮの構成及び等価回路を概略的に示す図である。

すなわち、表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルＬＰＮを備えている。液晶表示パネルＬＰＮは、第１基板であるアレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向配置された第２基板である対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備えて構成されている。液晶表示パネルＬＰＮは、画像を表示するアクティブエリアＡＣＴを備えている。アクティブエリアＡＣＴは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に液晶層ＬＱが保持された領域に相当し、例えば、四角形状であり、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。

アレイ基板ＡＲは、アクティブエリアＡＣＴにおいて、第１方向Ｘに沿って延出した複数のゲート配線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに沿って延出した複数のソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、各画素ＰＸにおいてゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓと電気的に接続されたスイッチング素子ＳＷ、各画素ＰＸにおいてスイッチング素子ＳＷに電気的に接続された画素電極ＰＥ、画素電極ＰＥと向かい合う第１共通電極ＣＥ１などを備えている。蓄積容量ＣＳは、例えば、第１共通電極ＣＥ１と画素電極ＰＥとの間に形成される。

一方、対向基板ＣＴは、液晶層ＬＱを介して画素電極ＰＥと対向する第２共通電極ＣＥ２などを備えている。

各ゲート配線Ｇは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、第１駆動回路ＧＤに接続されている。各ソース配線Ｓは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、第２駆動回路ＳＤに接続されている。第１駆動回路ＧＤ及び第２駆動回路ＳＤは、例えばその少なくとも一部がアレイ基板ＡＲに形成され、駆動ＩＣチップ２と接続されている。駆動ＩＣチップ２は、第１駆動回路ＧＤ及び第２駆動回路ＳＤを制御するコントローラを内蔵し、液晶表示パネルＬＰＮを駆動するのに必要な信号を供給する信号供給源として機能する。図示した例では、駆動ＩＣチップ２は、液晶表示パネルＬＰＮのアクティブエリアＡＣＴの外側において、アレイ基板ＡＲに実装されている。

第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２は同電位であり、いずれもアクティブエリアＡＣＴの全域に亘って延在しており、複数の画素ＰＸに亘って共通に形成されている。第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２は、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、給電部Ｖｃｏｍに接続されている。給電部Ｖｃｏｍは、例えばアクティブエリアＡＣＴの外側においてアレイ基板ＡＲに形成され、第１共通電極ＣＥ１と電気的に接続されるとともに、図示しない導電部材を介して第２共通電極ＣＥ２と電気的に接続されている。給電部Ｖｃｏｍでは、第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２に対して、例えばコモン電位が供給される。

図２は、本実施形態の表示装置に適用可能なアレイ基板ＡＲの一画素ＰＸの構成例を概略的に示す平面図である。

アレイ基板ＡＲは、ゲート配線Ｇ１、ソース配線Ｓ１、ソース配線Ｓ２、スイッチング素子ＳＷ、第１共通電極ＣＥ１、画素電極ＰＥなどを備えている。図示した例では、画素ＰＸは、図中の破線で示したように、第１方向Ｘに平行な一対の短辺を有するとともに、第２方向Ｙに平行な一対の長辺を有する長方形状である。

ゲート配線Ｇ１は、第１方向Ｘに沿って直線状に延出している。ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２は、第１方向Ｘに沿って間隔をおいて配置され、それぞれ第２方向Ｙに沿って直線状に延出している。画素ＰＸの第１方向Ｘに沿った長さは、隣接するソース配線の第１方向Ｘに沿ったピッチと略同等である。画素ＰＸの第２方向Ｙに沿った長さは、隣接するゲート配線の第２方向Ｙに沿ったピッチと略同等である。

図示した画素ＰＸにおいて、ソース配線Ｓ１は左側端部に位置し当該画素ＰＸとその左側に隣接する画素との境界に跨って配置され、ソース配線Ｓ２は右側端部に位置し当該画素ＰＸとその右側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。ゲート配線Ｇ１は、画素ＰＸの中央部を横切るように配置されている。図示したように、本実施形態においては、蓄積容量ＣＳを形成するために画素ＰＸを横切る補助容量線は存在しない。

スイッチング素子ＳＷは、例えば、ｎチャネル薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成されている。詳細な図示を省略するが、スイッチング素子ＳＷは、例えば、ポリシリコンなどの半導体層と、ゲート配線Ｇ１に接続されたゲート電極と、ソース配線Ｓ１に接続され半導体層にコンタクトしたソース電極と、半導体層にコンタクトしたドレイン電極ＷＤと、を備えている。

第１共通電極ＣＥ１は、例えば、図中に右下がりの斜線で示したように、当該画素ＰＸの略全面に配置され、さらに、当該画素ＰＸから、ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２を跨いで第１方向Ｘに延在するとともに、第２方向Ｙにも延在している。つまり、第１共通電極ＣＥ１は、ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２に対向するとともに、当該画素ＰＸに対して第１方向Ｘに隣接する各画素に亘って連続的に形成されている。また、第１共通電極ＣＥ１は、当該画素ＰＸに対して第２方向Ｙに隣接する各画素に亘って連続的に形成されている。さらに言えば、詳述しないが、第１共通電極ＣＥ１は、画像を表示するアクティブエリアの略全面に配置され、その一部がアクティブエリアの外側に引き出され、上記の通り、給電部と電気的に接続されている。但し、第１共通電極ＣＥ１には、ドレイン電極ＷＤを露出する開口部ＯＰが形成されている。

尚、第１共通電極ＣＥ１は、当該画素ＰＸの略全面に配置される一方でゲート配線Ｇ１と重なる領域で途切れ、当該画素ＰＸからソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２を跨いで第１方向Ｘに延在し、ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２に対向するとともに、当該画素ＰＸに対して第１方向Ｘに隣接する各画素に亘って帯状に連続的に形成されても良い。この場合も第１共通電極ＣＥ１は、画像を表示するアクティブエリアの外側に引き出され、上記の通り、給電部と電気的に接続されている。

画素電極ＰＥは、図中に右上がりの斜線で示したように、画素ＰＸにおいて島状に形成され、第１共通電極ＣＥ１と対向している。なお、図示した例では、当該画素ＰＸに配置された画素電極ＰＥのみを図示しているが、当該画素ＰＸの第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに隣接する他の画素にも画素電極が配置されている。画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨを介してスイッチング素子ＳＷのドレイン電極ＷＤに電気的に接続されている。図示した画素電極ＰＥの形状は、例えば、画素ＰＸの形状に対応して、第１方向Ｘに沿った長さが第２方向Ｙに沿った長さよりも短い長方形状である。コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥの略中央に位置している。なお、画素電極ＰＥの一部は、ソース配線Ｓ１やソース配線Ｓ２と重なる位置まで延在していても良い。

本実施形態において、アクティブエリアの各画素の構成は、上記した構成例と同一である。但し、アクティブエリアは、画素サイズつまり第１方向Ｘに沿った長さ及び第２方向Ｙに沿った長さの異なる画素を含んでいてもよい。

図３は、本実施形態の表示装置に適用可能な対向基板ＣＴの一画素ＰＸの構成例を概略的に示す平面図である。なお、ここでは、説明に必要な構成のみを図示し、また、アレイ基板の主要部であるソース配線Ｓ１、ソース配線Ｓ２、ゲート配線Ｇ１、及び、画素電極ＰＥを破線で示し、第１共通電極の図示を省略している。

対向基板ＣＴは、第２共通電極ＣＥ２を備えている。第２共通電極ＣＥ２は、当該画素ＰＸに配置され、画素電極ＰＥと対向している。また、第２共通電極ＣＥ２は、当該画素ＰＸから第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに亘って延在し、ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２の上方にも位置している。つまり、第２共通電極ＣＥ２は、詳述しないが、当該画素ＰＸの第１方向Ｘに沿った右側及び左側に隣接する画素や、当該画素ＰＸの第２方向Ｙに沿った上側及び下側に隣接する画素に亘って連続的に形成されている。さらに言えば、詳述しないが、第２共通電極ＣＥ２は、アクティブエリアの略全面に亘って配置されている。

第２共通電極ＣＥ２には、画素電極ＰＥと対向する位置にスリットＳＬが形成されている。図示した例では、スリットＳＬは、第１方向Ｘに沿って延出した横スリットＳＬＸ及び第２方向Ｙに沿って延出した縦スリットＳＬＹを有する十字状に形成され、画素ＰＸの略中央に位置している。縦スリットＳＬＹから画素電極ＰＥの一対の短辺までの第２方向Ｙに沿った距離は同等である。このようなスリットＳＬは、主として液晶分子の配向を制御する配向制御部に相当する。なお、スリットＳＬの形状については、図示した例に限らず、第２方向Ｙのみに延出した縦長形状などであっても良い。また、横スリットＸＬＸは、ゲート配線Ｇ１と重なるように配置することにより開口率の低下を抑制できる。

図４は、図２に示したスイッチング素子ＳＷを含むアクティブエリアにおける液晶表示パネルＬＰＮの断面構造を概略的に示す図である。

アレイ基板ＡＲは、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。アレイ基板ＡＲは、第１絶縁基板１０の対向基板ＣＴに対向する側に、スイッチング素子ＳＷ、第１共通電極ＣＥ１、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第４絶縁膜１４、第１垂直配向膜ＡＬ１などを備えている。

図示した例では、スイッチング素子ＳＷは、トップゲート型の薄膜トランジスタである。スイッチング素子ＳＷは、第１絶縁基板１０の上に配置された半導体層ＳＣを備えている。なお、第１絶縁基板１０と半導体層ＳＣとの間に絶縁膜であるアンダーコート層が介在していても良い。半導体層ＳＣは、第１絶縁膜１１によって覆われている。また、第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０の上にも配置されている。このような第１絶縁膜１１は、例えば、シリコン窒化物などの無機系材料によって形成されている。

スイッチング素子ＳＷのゲート電極ＷＧは、第１絶縁膜１１の上に形成され、半導体層ＳＣの直上に位置している。ゲート電極ＷＧは、ゲート配線Ｇ１に電気的に接続され（あるいは、ゲート配線Ｇ１と一体的に形成され）、第２絶縁膜１２によって覆われている。また、第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上にも配置されている。このような第２絶縁膜１２は、例えば、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）などの無機系材料によって形成されている。

スイッチング素子ＳＷのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第２絶縁膜１２の上に形成されている。また、ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２も同様に第２絶縁膜１２の上に形成されている。図示したソース電極ＷＳは、ソース配線Ｓ１に電気的に接続されている（あるいは、ソース配線Ｓ１と一体的に形成されている）。ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、それぞれ第１絶縁膜１１及び第２絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールを通して半導体層ＳＣにコンタクトしている。このような構成のスイッチング素子ＳＷは、ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２とともに第３絶縁膜１３によって覆われている。第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上にも配置されている。このような第３絶縁膜１３は、例えば、透明な樹脂材料によって形成されている。

第１共通電極ＣＥ１は、第３絶縁膜１３の上に延在している。図示したように、第１共通電極ＣＥ１は、ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２の上方をカバーし、隣接する画素に向かって延在している。このような第１共通電極ＣＥ１は、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。第１共通電極ＣＥ１の上には、第４絶縁膜１４が配置されている。第３絶縁膜１３及び第４絶縁膜１４には、ドレイン電極ＷＤまで貫通したコンタクトホールＣＨが形成されている。第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３と比較して薄い膜厚に形成され、例えば、シリコン窒化物などの無機系材料によって形成されている。この第４絶縁膜１４は、第１共通電極ＣＥ１を覆う層間絶縁膜に相当する。

画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１４の上において島状に形成され、第１共通電極ＣＥ１と対向している。画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨを介してスイッチング素子ＳＷのドレイン電極ＷＤに電気的に接続されている。このような画素電極ＰＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥは、第１垂直配向膜ＡＬ１によって覆われている。

一方、対向基板ＣＴは、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第２絶縁基板３０を用いて形成されている。対向基板ＣＴは、第２絶縁基板３０のアレイ基板ＡＲに対向する側に、遮光層３１、カラーフィルタ３２、オーバーコート層３３、第２共通電極ＣＥ２、第２垂直配向膜ＡＬ２などを備えている。

遮光層３１は、アクティブエリアＡＣＴにおいて各画素ＰＸを区画し、開口部ＡＰを形成する。遮光層３１は、色画素の境界あるいはアレイ基板ＡＲに設けられたソース配線と対向する位置などに設けられている。遮光層３１は、遮光性の金属材料や黒色の樹脂材料によって形成されている。

カラーフィルタ３２は、開口部ＡＰに形成され、その一部が遮光層３１と重なっている。カラーフィルタ３２は、例えば、赤色に着色された樹脂材料からなる赤色カラーフィルタ、緑色に着色された樹脂材料からなる緑色カラーフィルタ、青色に着色された樹脂材料からなる青色カラーフィルタなどを含んでいる。赤色カラーフィルタは赤色を表示する赤色画素に配置され、緑色カラーフィルタは緑色を表示する緑色画素に配置され、青色カラーフィルタは青色を表示する青色画素に配置されている。また、白色を表示する白色画素には、白色（あるいは透明）カラーフィルタが配置されている。なお、白色画素にはカラーフィルタを配置しなくても良い。また、白色カラーフィルタは、厳密に無彩色のカラーフィルタでなくても良く、淡く色付いた（例えば薄黄色に色付いた）カラーフィルタであってもよい。異なる色のカラーフィルタ３２間の境界は、ソース配線Ｓの上方の遮光層３１と重なる位置にある。

オーバーコート層３３は、カラーフィルタ３２を覆っている。オーバーコート層３３は、遮光層３１やカラーフィルタ３２の凹凸を平坦化する。オーバーコート層３３は、透明な樹脂材料によって形成されている。このオーバーコート層３３は、第２共通電極ＣＥ２の下地となる。

第２共通電極ＣＥ２は、オーバーコート層３３のアレイ基板ＡＲと対向する側に形成されている。図示したように、第２共通電極ＣＥ２は、ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２の上方を通り、隣接する画素に向かって延在している。このような第２共通電極ＣＥ２は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。第２共通電極ＣＥ２は、第２垂直配向膜ＡＬ２によって覆われている。

第１垂直配向膜ＡＬ１及び第２垂直配向膜ＡＬ２は、垂直配向性を示す材料によって形成され、ラビングなどの配向処理を必要とせずに液晶分子を基板の法線方向に配向させる配向規制力を有している。

上述したようなアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、第１垂直配向膜ＡＬ１及び第２垂直配向膜ＡＬ２が向かい合うように配置されている。このとき、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間には、一方の基板に形成された柱状スペーサにより、所定のセルギャップが形成される。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、セルギャップが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。液晶層ＬＱは、第１垂直配向膜ＡＬ１と第２垂直配向膜ＡＬ２との間のセルギャップに封入されている。この液晶層ＬＱは、例えば、誘電率異方性が負（ネガ型）の液晶材料によって構成されている。

このような構成の液晶表示パネルＬＰＮに対して、その背面側には、バックライトＢＬが配置されている。バックライトＢＬとしては、種々の形態が適用可能であるが、ここでは詳細な構造についての説明は省略する。

第１絶縁基板１０の外面１０Ｂには、第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１が配置されている。第２絶縁基板３０の外面３０Ｂには、第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２が配置されている。第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２は、例えば、それぞれの偏光軸が直交するクロスニコルの位置関係となるように配置される。

図５は、本実施形態における各画素とカラーフィルタとのレイアウトの一例を概略的に示す平面図である。なお、ここでは第１方向Ｘと第２方向Ｙとは互いに直交している。

カラー表示を実現するための単位画素は、複数の異なる色画素によって構成されている。単位画素とは、アクティブエリアに表示されるカラー画像を構成する最小単位である。ここでは、第１方向Ｘに並んだ１つの単位画素ＵＰが図示されている。単位画素ＵＰは、３個の色画素によって構成されている。

すなわち、単位画素ＵＰは、色画素（第１色画素）ＰＸ１１、色画素（第２色画素）ＰＸ１２、及び、色画素（第３色画素）ＰＸ１３によって構成されている。図中においては、各色画素は、第１方向Ｘに一対の短辺を有するとともに第２方向Ｙに一対の長辺を有する長方形状であり、それぞれ一点鎖線で示している。色画素ＰＸ１２は、色画素ＰＸ１１とは異なる色の画素であって、色画素ＰＸ１１の第１方向Ｘに隣接している。色画素ＰＸ１３は、色画素ＰＸ１１及び色画素ＰＸ１２とは異なる色の画素であって、色画素ＰＸ１２の第１方向Ｘに隣接している。ここでは、色画素ＰＸ１１は赤色画素（Ｒ）であって、色画素ＰＸ１２は緑色画素（Ｇ）であって、色画素ＰＸ１３は青色画素（Ｂ）である。

色画素ＰＸ１１、色画素ＰＸ１２、及び、色画素ＰＸ１３は、いずれも第２方向Ｙに沿って同一の長辺長Ｌ１を有している。また、色画素ＰＸ１１、色画素ＰＸ１２、及び、色画素ＰＸ１３は、いずれも第１方向Ｘに沿って同一の短辺長Ｓ１を有している。このような構成において、色画素ＰＸ１１、色画素ＰＸ１２、及び、色画素ＰＸ１３のそれぞれの面積は略同等である。

各色画素の境界には、遮光層３１が配置されている。各遮光層３１は、第２方向Ｙに沿って直線状に延出している。

カラーフィルタ（第１カラーフィルタ）３２Ｒは、第２方向Ｙに沿って延出した帯状に形成され、色画素ＰＸ１１に対応して配置されている。カラーフィルタ（第２カラーフィルタ）３２Ｇは、カラーフィルタ３２Ｒの第１方向Ｘに隣接し、第２方向Ｙに沿って延出した帯状に形成され、色画素ＰＸ１２に対応して配置されている。カラーフィルタ（第３カラーフィルタ）３２Ｂは、カラーフィルタ３２Ｇの第１方向Ｘに隣接し、第２方向Ｙに沿って延出した帯状に形成され、色画素ＰＸ１３に対応して配置されている。これらのカラーフィルタ３２Ｒ、カラーフィルタ３２Ｇ、及び、カラーフィルタ３２Ｂは、いずれも第１方向Ｘに沿って同等の幅を有している。

カラーフィルタ３２Ｒは、赤色（Ｒ）カラーフィルタである。カラーフィルタ３２Ｇは、緑色（Ｇ）カラーフィルタである。カラーフィルタ３２Ｂは、青色（Ｂ）のカラーフィルタである。カラーフィルタ３２Ｒ、カラーフィルタ３２Ｇ、及び、カラーフィルタ３２Ｂは、それぞれの互いに隣接する端部が遮光層３１に重なっている。

図６は、図５に示したカラーフィルタが適用されるアレイ基板ＡＲの構成例を概略的に示す平面図である。なお、ここでは、説明に必要なアレイ基板ＡＲの構成のみを図示しており、第１共通電極などの図示を省略している。

ゲート配線Ｇ１は、第１方向Ｘに沿って延出し、色画素ＰＸ１１、色画素ＰＸ１２、及び、色画素ＰＸ１３の中央部を横切っている。画素電極（第１画素電極）ＰＥ１１は、色画素ＰＸ１１に対応して配置され、ゲート配線Ｇ１に接続されたスイッチング素子を介してソース配線Ｓ１と接続されている。画素電極（第２画素電極）ＰＥ１２は、色画素ＰＸ１２に対応して配置され、画素電極ＰＥ１１の第１方向Ｘに隣接している。画素電極ＰＥ１２は、ゲート配線Ｇ１に接続されたスイッチング素子を介してソース配線Ｓ２と接続されている。画素電極（第３画素電極）ＰＥ１３は、色画素ＰＸ１３に対応して配置され、画素電極ＰＥ１２の第１方向Ｘに隣接している。画素電極ＰＥ１３は、ゲート配線Ｇ１に接続されたスイッチング素子を介してソース配線Ｓ３と接続されている。

画素電極ＰＥ１１、画素電極ＰＥ１２、及び、画素電極ＰＥ１３は、いずれも第２方向Ｙに沿って同一の長辺長Ｌ１１を有している。また、画素電極ＰＥ１１、画素電極ＰＥ１２、及び、画素電極ＰＥ１３は、いずれも第１方向Ｘに沿って同一の短辺長Ｓ１１を有している。つまり、画素電極ＰＥ１１、画素電極ＰＥ１２、及び、画素電極ＰＥ１３のそれぞれのサイズ（面積）は同一である。

画素電極ＰＥ１１は、図５に示したカラーフィルタ３２Ｒと対向する。画素電極ＰＥ１２は、図５に示したカラーフィルタ３２Ｇと対向する。画素電極ＰＥ１３は、図５に示したカラーフィルタ３２Ｂと対向する。

図７は、図６に示したアレイ基板ＡＲに対向する対向基板ＣＴに配置される第２共通電極ＣＥ２の構成例を概略的に示す平面図である。

第２共通電極ＣＥ２は、画素電極ＰＥ１１、画素電極ＰＥ１２、及び、画素電極ＰＥ１３と対向する。この第２共通電極ＣＥ２には、画素電極ＰＥ１１に対向するスリット（第１スリット）ＳＬ１、画素電極ＰＥ１２に対向するスリット（第２スリット）ＳＬ２、及び、画素電極ＰＥ１３に対向するスリット（第３スリット）ＳＬ３が形成されている。

ここで、スリットＳＬ３の面積は、スリットＳＬ１の面積及びスリットＳＬ２の面積よりも大きい。図示した例では、スリットＳＬ１、スリットＳＬ２、及び、スリットＳＬ３は、いずれも略同等の幅に形成されている一方で、スリットＳＬ３の縦スリットＳＬＹ３は、スリットＳＬ１の縦スリットＳＬＹ１及びスリットＳＬ２の縦スリットＳＬＹ２よりも長い。つまり、縦スリットＳＬＹ３から画素電極ＰＥ１３の短辺までの距離は、縦スリットＳＬＹ１から画素電極ＰＥ１１の短辺までの距離、及び、縦スリットＳＬＹ２から画素電極ＰＥ１２の短辺までの距離よりも短い。なお、スリットＳＬ３の面積がスリットＳＬ１の面積及びスリットＳＬ２の面積よりも大きい場合には、全てのスリットの横スリットの長さ及び縦スリットの長さが等しく、且つ、スリットＳＬ３の幅がスリットＳＬ１の幅及びスリットＳＬ２の幅よりも広い場合も含まれる。この場合、スリットＳＬ３の縦スリットのみが幅広に形成されても良いし、スリットＳＬ３の横スリットのみが幅広に形成されても良いし、縦スリット及び横スリットの双方が幅広に形成されても良い。

換言すると、画素電極の面積に対するスリットの面積の占める割合をスリットの面積率とした場合、図示した例では、画素電極ＰＥ１１、画素電極ＰＥ１２、及び、画素電極ＰＥ１３のそれぞれの面積は同一であり、スリットＳＬ３の面積がスリットＳＬ１の面積及びスリットＳＬ２の面積よりも大きいため、スリットＳＬ３の面積率がスリットＳＬ１の面積率及びスリットＳＬ２の面積率よりも大きい。

次に、本実施形態における表示装置の動作について説明する。

画素電極ＰＥと第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２との間に電位差が形成されていないＯＦＦ状態（つまり、液晶層ＬＱに電圧が印加されていない状態）では、画素電極ＰＥと第２共通電極ＣＥ２との間に電界が形成されていないため、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子ＬＭは、図４に示したように、第１垂直配向膜ＡＬ１と第２垂直配向膜ＡＬ２との間において、基板主面（Ｘ−Ｙ平面）に対して略垂直に初期配向する。このとき、バックライトＢＬからのバックライト光のうち、一部の直線偏光は、第１偏光板ＰＬ１を透過し、液晶表示パネルＬＰＮに入射する。液晶表示パネルＬＰＮに入射した直線偏光の偏光状態は、液晶層ＬＱを通過した際にほとんど変化しないため、液晶表示パネルＬＰＮを透過した直線偏光は、第１偏光板ＰＬ１に対してクロスニコルの位置関係にある第２偏光板ＰＬ２によって吸収される（黒表示）。

画素電極ＰＥと第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２との間に電位差が形成されたＯＮ状態（つまり、液晶層ＬＱに電圧が印加された状態）では、画素電極ＰＥと第２共通電極ＣＥ２との間に縦電界あるいはスリットＳＬを避ける傾斜電界が形成される。このため、液晶分子ＬＭは、縦電界あるいは傾斜電界の作用によって初期配向方向とは異なる方位に配向する。すなわち、ネガ型の液晶分子ＬＭは、その長軸が電界に対して交差するように配向するため、ＯＮ状態では、基板主面に対して斜め方向あるいは水平方向に配向する。

このようなＯＮ状態では、液晶表示パネルＬＰＮに入射した直線偏光の偏光状態は、液晶層ＬＱを通過する際に液晶分子ＬＭの配向状態（あるいは、液晶層のリタデーション）に応じて変化する。このため、ＯＮ状態においては、液晶層ＬＱを通過した少なくとも一部の光は、第２偏光板ＰＬ２を透過する（白表示）。

また、ＯＮ状態では、第４絶縁膜１４を介して対向する画素電極ＰＥと第１共通電極ＣＥ１とで蓄積容量ＣＳを形成し、画像を表示するのに必要な容量を保持する。つまり、スイッチング素子ＳＷを介して各画素に書き込まれた画素電位が上記の蓄積容量ＣＳによって一定期間保持される。

ところで、ＯＮ状態では、液晶層ＬＱのリタデーションΔｎ・ｄ（但し、Δｎは液晶層ＬＱの屈折率異方性であり、ｄは液晶層ＬＱの厚さあるいはセルギャップに相当する）が２分の１波長（λ／２）の場合に最大の変調率あるいは透過率が得られる。しかしながら、液晶層ＬＱに所定の駆動電圧を印加したＯＮ状態において、液晶層ＬＱは、短波長側のリタデーションが長波長側のリタデーションよりも大きい波長分散特性を有している。つまり、青色画素においてピーク透過率が得られる場合であっても、緑色画素や赤色画素においては２分の１波長のリタデーションが得られず、ピーク透過率が得られない。逆に、緑色画素や赤色画素においてピーク透過率が得られる場合であっても、青色画素においては２分の１波長のリタデーションが得られない。このように、同一の駆動電圧を印加したＯＮ状態の青色画素、緑色画素、赤色画素において所望のリタデーションが得られるとは限らず、それぞれの色画素でのＶ−Ｔ特性にずれが生じる原因となる。

そこで、本実施形態では、ＯＮ状態の青色画素において、液晶分子ＬＭに電界が作用しにくくすることで、青色画素内で配向する液晶分子ＬＭの平均的な傾きを他の色画素よりも小さくしている。

本実施形態によれば、青色画素のスリットＳＬ３の面積が赤色画素のスリットＳＬ１の面積及び緑色画素のスリットＳＬ２の面積よりも大きい構成を適用することにより、青色画素での液晶分子ＬＭの平均的な傾きを赤色画素及び緑色画素での液晶分子ＬＭの平均的な傾きよりも小さくしている。すなわち、スリットＳＬ３と重なる領域の液晶分子ＬＭは、ＯＮ状態においても略初期配向状態を維持し、基板主面に対して略垂直に配向している。スリットＳＬ３のエッジ近傍あるいは画素電極ＰＥ３のエッジ近傍と重なる領域の液晶分子ＬＭは、ＯＮ状態において傾斜した電界の作用により基板主面に対して斜めに傾くように配向する。青色画素において、スリットＳＬ３の面積あるいはスリットＳＬ３の面積率が増大することにより、初期配向状態の液晶分子ＬＭあるいは傾きの小さい液晶分子ＬＭの割合が増加する一方で、電界に応じて斜めに傾いた液晶分子ＬＭの割合が低下し、平均的な液晶分子ＬＭの傾きが小さくなる。

このため、同一の駆動電圧を印加したＯＮ状態であっても、青色画素での実質的なリタデーションは、赤色画素でのリタデーション及び緑色画素でのリタデーションよりも小さくなる。これにより、液晶層ＬＱの波長分散特性を補償することが可能となり、それぞれの色画素でのＶ−Ｔ特性のずれを緩和することが可能となる。したがって、各色画素でピーク透過率に応じた電圧値を大幅に変更することなく、良好なホワイトバランスを維持することが可能となり、表示品位を向上することが可能となる。

また、本実施形態によれば、各画素において画像を表示するのに必要な容量は、第４絶縁膜１４を介して対向する画素電極ＰＥと第１共通電極ＣＥ１とで形成することが可能である。このため、容量を形成するに際して、画素を横切る遮光性の配線材料からなる配線や電極が不要となる。また、第４絶縁膜１４は、樹脂材料等で形成された第３絶縁膜と比較して薄い膜厚を有するように形成されている。このため、第４絶縁膜１４を介した画素電極ＰＥ及び第１共通電極ＣＥ１により、比較的大きな容量を容易に形成することが可能となる。

また、画素電極ＰＥ及び第１共通電極ＣＥ１は、いずれも透明な導電材料によって形成されているため、画素電極ＰＥ及び第１共通電極ＣＥ１と重なる領域が表示に寄与する。このため、画素を横切る補助容量線を配置した比較例と比べて、表示に寄与する一画素あたりの開口率、透過率、あるいは、輝度を向上することが可能となる。したがって、表示に必要な容量を確保しつつ、表示品位を改善することが可能となる。

また、第１共通電極ＣＥ１は、ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２の上方に延在している。このため、ＯＮ状態において、第１共通電極ＣＥ１により、ソース配線から液晶層ＬＱに向かう不所望な漏れ電界をシールドすることが可能となる。つまり、ソース配線と画素電極ＰＥあるいは第２共通電極ＣＥ２との間の不所望な電界の形成あるいは不所望な容量の形成を抑制することができ、ソース配線と重なる領域の液晶分子ＬＭの配向乱れを抑制することが可能となる。

しかも、ソース配線と重なる領域の液晶分子ＬＭは、ＯＮ状態においても第１共通電極ＣＥ１と第２共通電極ＣＥ２とが同電位で維持されており、初期配向状態を維持している。したがって、第１方向Ｘに隣接する画素電極ＰＥを加工限界まで接近させることが可能となり、一画素あたり表示に寄与する面積をさらに拡大することが可能である。

また、ソース配線を挟んで隣接する一方の画素がＯＮ状態であり、他方の画素がＯＦＦ状態であったとしても、第１共通電極ＣＥ１と第２共通電極ＣＥ２によって、ＯＮ状態の画素とＯＦＦ状態の画素との間のソース配線上の液晶層は電位差が無くなるので、ソース配線と重なる領域の液晶分子ＬＭが初期配向状態に維持されている。このため、液晶表示パネルＬＰＮを斜め方向から観察した場合であっても、混色による表示品位の劣化を抑制することが可能となる。また、混色防止のために遮光層３１の幅を拡大する必要がなくなるため、一画素あたりの表示に寄与する面積をさらに拡大することが可能となる。

次に、変形例について説明する。

図８は、第２共通電極ＣＥ２の他の構成例を概略的に示す平面図である。

図８に示した構成例は、図７の構成例と比較して、画素電極ＰＥ１３のサイズが画素電極ＰＥ１１及び画素電極ＰＥ１２よりも大きく、スリットＳＬ３がスリットＳＬ１及びスリットＳＬ２よりも大きい点で相違している。

すなわち、画素電極ＰＥ１１、画素電極ＰＥ１２、及び、画素電極ＰＥ１３は、いずれも第２方向Ｙに沿って同一の長辺長Ｌ１１を有している。また、画素電極ＰＥ１１及び画素電極ＰＥ１２は、いずれも第１方向Ｘに沿って同一の短辺長Ｓ１１を有し、画素電極ＰＥ１３は、第１方向Ｘに沿って短辺長Ｓ１１より長い短辺長Ｓ１２を有している。つまり、画素電極ＰＥ１１及び画素電極ＰＥ１２のそれぞれのサイズ（面積）は同一である一方で、画素電極ＰＥ１３のサイズは画素電極ＰＥ１１及び画素電極ＰＥ１２のそれぞれのサイズよりも大きい。

画素電極ＰＥ１１はカラーフィルタ３２Ｒと対向し、画素電極ＰＥ１２はカラーフィルタ３２Ｇと対向し、画素電極ＰＥ１３はカラーフィルタ３２Ｂと対向する。

第２共通電極ＣＥ２には、画素電極ＰＥ１１に対向するスリット（第１スリット）ＳＬ１、画素電極ＰＥ１２に対向するスリット（第２スリット）ＳＬ２、及び、画素電極ＰＥ１３に対向するスリット（第３スリット）ＳＬ３が形成されている。スリットＳＬ３の面積は、スリットＳＬ１の面積及びスリットＳＬ２の面積よりも大きい。図示した例では、スリットＳＬ１、スリットＳＬ２、及び、スリットＳＬ３は、いずれも略同等の幅に形成されている一方で、スリットＳＬ３の縦スリットＳＬＹ３は、スリットＳＬ１の縦スリットＳＬＹ１及びスリットＳＬ２の縦スリットＳＬＹ２よりも長く、しかも、スリットＳＬ３の横スリットＳＬＸ３は、スリットＳＬ１の横スリットＳＬＸ１及びスリットＳＬ２の横スリットＳＬＸ２よりも長い。また、縦スリットＳＬＹ３から画素電極ＰＥ１３の短辺までの距離は、縦スリットＳＬＹ１から画素電極ＰＥ１１の短辺までの距離、及び、縦スリットＳＬＹ２から画素電極ＰＥ１２の短辺までの距離よりも短い。

このような構成例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。

図９は、本実施形態における各画素とカラーフィルタとのレイアウトの他の構成例を概略的に示す平面図である。

図９に示した構成例は、図５に示した構成例と比較して、単位画素ＵＰが赤色画素、緑色画素、青色画素に加えて白色画素を備えた点で相違している。

図示した例の単位画素ＵＰは、６個の色画素によって構成されている。すなわち、単位画素ＵＰは、色画素（第１色画素）ＰＸ１１、色画素（第２色画素）ＰＸ１２、色画素（第３色画素）ＰＸ１３、色画素（第４色画素）ＰＸ１４、色画素（第５色画素）ＰＸ１５、及び、色画素（第６色画素）ＰＸ１６によって構成されている。図中においては、各色画素は、第１方向Ｘに一対の短辺を有するとともに第２方向Ｙに一対の長辺を有する長方形状であり、それぞれ一点鎖線で示している。色画素ＰＸ１１は、赤色画素である。色画素ＰＸ１２は、緑色画素であり、色画素ＰＸ１１の第１方向Ｘに隣接している。色画素ＰＸ１３は、青色画素であり、色画素ＰＸ１２の第１方向Ｘに隣接している。色画素ＰＸ１４は、赤色画素であり、色画素ＰＸ１１の第２方向Ｙに隣接している。色画素ＰＸ１５は、緑色画素であり、色画素ＰＸ１２の第２方向Ｙに隣接している。色画素ＰＸ１６は、白色画素であり、色画素ＰＸ１３の第２方向Ｙに隣接している。

色画素ＰＸ１１、色画素ＰＸ１２、色画素ＰＸ１４、及び、色画素ＰＸ１５は、第２方向Ｙに沿って長辺長Ｌ１を有している。色画素ＰＸ１３は、第２方向Ｙに沿って長辺長Ｌ１より長い長辺長Ｌ２を有している。色画素ＰＸ１６は、第２方向Ｙに沿って長辺長Ｌ１より短い長辺長Ｌ３を有している。色画素ＰＸ１１、色画素ＰＸ１２、色画素ＰＸ１４、及び、色画素ＰＸ１５は、第１方向Ｘに沿って短辺長Ｓ１を有し、色画素ＰＸ１３及び色画素ＰＸ１６は、第１方向Ｘに沿って短辺長Ｓ１より長い第２短辺長Ｓ２を有している。

このような構成において、色画素ＰＸ１１、色画素ＰＸ１２、色画素ＰＸ１４、及び、色画素ＰＸ１５のそれぞれの面積は略同等である。色画素ＰＸ１３の面積は、色画素ＰＸ１１などの面積よりも大きく、単位画素ＵＰ１において最大面積となっている。色画素ＰＸ１６の面積は、色画素ＰＸ１１などの面積よりも小さく、単位画素ＵＰ１において最小面積となっている。

各色画素の境界には、遮光層３１が配置されている。各遮光層３１は、第２方向Ｙに沿って直線状に延出している。なお、遮光層３１は、同一色の色画素の境界には配置されていない。つまり、色画素ＰＸ１１と色画素ＰＸ１４との境界、及び、色画素ＰＸ１２と色画素ＰＸ１５との境界には遮光層３１は配置されていない。遮光層３１は、異なる色の色画素の境界には配置されている。つまり、色画素ＰＸ１３と色画素ＰＸ１６との境界には、第１方向Ｘに沿って直線状に延出した遮光層３１が配置されている。このため、色画素ＰＸ１３及び色画素ＰＸ１６は、それぞれ遮光層３１によって囲まれている。

カラーフィルタ（第１カラーフィルタ）３２Ｒは、第２方向Ｙに沿って延出した帯状に形成され、色画素ＰＸ１１及び色画素ＰＸ１４に対応して配置されている。カラーフィルタ（第２カラーフィルタ）３２Ｇは、カラーフィルタ３２Ｒの第１方向Ｘに隣接し、第２方向Ｙに沿って延出した帯状に形成され、色画素ＰＸ１２及び色画素ＰＸ１５に対応して配置されている。カラーフィルタ（第３カラーフィルタ）３２Ｂは、カラーフィルタ３２Ｇの第１方向Ｘに隣接し、島状に形成され、色画素ＰＸ１３に対応して配置されている。カラーフィルタ（第４カラーフィルタ）３２Ｗは、カラーフィルタ３２Ｂの第２方向Ｙに隣接し、また、カラーフィルタ３２Ｇの第１方向Ｘに隣接し、島状に形成され、色画素ＰＸ１６に対応して配置されている。カラーフィルタ３２Ｂとカラーフィルタ３２Ｗとは、第２方向Ｙに沿って交互に繰り返し配置されている。

カラーフィルタ３２Ｒ及びカラーフィルタ３２Ｇは、第１方向Ｘに沿って同等の幅を有している。カラーフィルタ３２Ｂ及びカラーフィルタ３２Ｗは、第１方向Ｘに沿って同等の幅を有し、しかも、カラーフィルタ３２Ｒなどよりも幅広である。

カラーフィルタ３２Ｒは、赤色（Ｒ）カラーフィルタである。カラーフィルタ３２Ｇは、緑色（Ｇ）カラーフィルタである。カラーフィルタ３２Ｂは、青色（Ｂ）のカラーフィルタである。カラーフィルタ３２Ｗは、白色（Ｗ）カラーフィルタである。第１乃至第４カラーフィルタは、それぞれの互いに隣接する端部が遮光層３１に重なっている。

図１０は、図９に示したカラーフィルタが適用されるアレイ基板ＡＲの構成例を概略的に示す平面図である。なお、ここでは、説明に必要なアレイ基板ＡＲの構成のみを図示しており、第１共通電極などの図示を省略している。

ゲート配線Ｇ１は、第１方向Ｘに沿って延出し、色画素ＰＸ１１、色画素ＰＸ１２、及び、色画素ＰＸ１３の中央部を横切っている。ゲート配線Ｇ２は、第１方向Ｘに沿って延出し、色画素ＰＸ１４、色画素ＰＸ１５、及び、色画素ＰＸ１６の中央部を横切っている。

画素電極（第１画素電極）ＰＥ１１は、色画素ＰＸ１１に対応して配置され、ゲート配線Ｇ１に接続されたスイッチング素子を介してソース配線Ｓ１と接続されている。画素電極（第２画素電極）ＰＥ１２は、色画素ＰＸ１２に対応して配置され、画素電極ＰＥ１１の第１方向Ｘに隣接している。画素電極ＰＥ１２は、ゲート配線Ｇ１に接続されたスイッチング素子を介してソース配線Ｓ２と接続されている。画素電極（第３画素電極）ＰＥ１３は、色画素ＰＸ１３に対応して配置され、画素電極ＰＥ１２の第１方向Ｘに隣接している。画素電極ＰＥ１３は、ゲート配線Ｇ１に接続されたスイッチング素子を介してソース配線Ｓ３と接続されている。画素電極（第４画素電極）ＰＥ１４は、色画素ＰＸ１４に対応して配置され、画素電極ＰＥ１１の第２方向Ｙに隣接している。画素電極ＰＥ１４は、ゲート配線Ｇ２に接続されたスイッチング素子を介してソース配線Ｓ４と接続されている。画素電極（第５画素電極）ＰＥ１５は、色画素ＰＸ１５に対応して配置され、画素電極ＰＥ１２の第２方向Ｙに隣接している。画素電極ＰＥ１５は、ゲート配線Ｇ２に接続されたスイッチング素子を介してソース配線Ｓ５と接続されている。画素電極（第６画素電極）ＰＥ１６は、色画素ＰＸ１６に対応して配置され、画素電極ＰＥ１３の第２方向Ｙに隣接している。画素電極ＰＥ１６は、ゲート配線Ｇ２に接続されたスイッチング素子を介してソース配線Ｓ６と接続されている。

画素電極ＰＥ１１、画素電極ＰＥ１２、画素電極ＰＥ１４、及び、画素電極ＰＥ１５は、第２方向Ｙに沿って長辺長Ｌ１１を有している。画素電極ＰＥ１３は、第２方向Ｙに沿って長辺長Ｌ１１より長い長辺長Ｌ１２を有している。画素電極ＰＥ１６は、第２方向Ｙに沿って長辺長Ｌ１１より短い長辺長Ｌ１３を有している。画素電極ＰＥ１１、画素電極ＰＥ１２、画素電極ＰＥ１４、及び、画素電極ＰＥ１５は、第１方向Ｘに沿って短辺長Ｓ１１を有し、画素電極ＰＥ１３及び画素電極ＰＥ１６は、第１方向Ｘに沿って短辺長Ｓ１１より長い短辺長Ｓ１２を有している。

第２方向Ｙに並んだ画素電極ＰＥ１１及び画素電極ＰＥ１４は、図９に示したカラーフィルタ３２Ｒと対向する。第２方向Ｙに並んだ画素電極ＰＥ１２及び画素電極ＰＥ１５は、図９に示したカラーフィルタ３２Ｇと対向する。画素電極ＰＥ１３は、図９に示したカラーフィルタ３２Ｂと対向する。画素電極ＰＥ１６は、図９に示したカラーフィルタ３２Ｗと対向する。

図１１は、図１０に示したアレイ基板ＡＲに対向配置される第２共通電極ＣＥ２の構成例を概略的に示す平面図である。

第２共通電極ＣＥ２は、画素電極ＰＥ１１乃至ＰＥ１６と対向する。この第２共通電極ＣＥ２には、画素電極ＰＥ１１に対向するスリットＳＬ１、画素電極ＰＥ１２に対向するスリットＳＬ２、画素電極ＰＥ１３に対向するスリットＳＬ３、画素電極ＰＥ１４に対向するスリットＳＬ４、画素電極ＰＥ１５に対向するスリットＳＬ５、画素電極ＰＥ１６に対向するスリットＳＬ６が形成されている。

スリットＳＬ１、スリットＳＬ２、スリットＳＬ４、及び、スリットＳＬ５のそれぞれの面積は略同等である。スリットＳＬ３の面積は、スリットＳＬ１などの面積よりも大きい。スリットＳＬ６の面積は、スリットＳＬ１などの面積よりも小さい。

図示した例では、スリットＳＬ１の縦スリットＳＬＹ１、スリットＳＬ２の縦スリットＳＬＹ２、スリットＳＬ４の縦スリットＳＬＹ４、及び、スリットＳＬ５の縦スリットＳＬＹ５のそれぞれの長さは略同等である。スリットＳＬ３の縦スリットＳＬＹ３は、スリットＳＬ１の縦スリットＳＬＹ１などよりも長い。スリットＳＬ６の縦スリットＳＬＹ６は、スリットＳＬ４の縦スリットＳＬＹ４などよりも短い。

また、スリットＳＬ１、スリットＳＬ２、スリットＳＬ３の第１方向Ｘに沿って延出するスリット（横スリット）はゲート配線Ｇ１と重なるように配置され、スリットＳＬ４、スリットＳＬ５、スリットＳＬ６の第１方向Ｘに沿って延出するスリット（横スリット）はゲート配線Ｇ２と重なるように配置されている。

このような構成例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。

また、この構成例によれば、２行×３列の６個の色画素で単位画素を構成し、６個の色画素の内の４個の色画素は同等の画素サイズとする一方で、残りの２個の色画素の内の一方は最大の画素サイズとし、他方は最小の画素サイズとしている。これらの６個の色画素は、赤色画素、緑色画素、青色画素、及び、白色画素のいずれかに割り当てられている。赤色画素としては同列の２個の色画素が割り当てられ、緑色画素としては同列の２個の色画素が割り当てられ、青色画素としては最大の画素サイズの色画素が割り当てられ、白色画素としては最小の画素サイズの色画素が割り当てられている。青色画素は、白色画素と同列に位置している。

このため、第１方向に赤色画素、緑色画素、青色画素、及び、白色画素の４個の色画素を並べた単位画素構成では４列の色画素を駆動する必要があったが、本実施形態の単位画素構成では３列の色画素を駆動すればよく、消費電力の増加を抑制することが可能となる。

また、第１方向に並べる色画素の数が３個であるため、第１方向に並べる色画素の数が４個の場合と比較して、単位画素を構成する各色画素の第１方向のピッチの制限を緩和することが可能となる。このため、高精細化の要求に伴って単位画素の第１方向の長さが短縮した場合であっても、各色画素の第１方向の長さを加工限界よりも余裕を持って設定することが可能となる。

また、青色画素の画素サイズは、第１方向に沿った短辺長及び第２方向に沿った長辺長によって自由に設定することが可能となるため、赤色画素及び緑色画素のそれぞれの画素サイズあるいは透過率に応じて適切に設定することが可能となる。したがって、最適な色再現性を実現することが可能となる。

また、白色画素の画素サイズについても、第１方向に沿った短辺長及び第２方向に沿った長辺長によって自由に設定することが可能となる。このため、白色画素の表示輝度は、赤色画素、緑色画素、青色画素での合算輝度よりも低い範囲で自由に設定することが可能となり、色再現性を悪化させることなく、高輝度化が可能となる。さらに、赤色画素、緑色画素、青色画素での合算輝度を白色画素での表示輝度に置換することで、単位画素での表示輝度が上昇するため、その分、バックライトの輝度を低下させることができ、低消費電力化が可能となる。また、単位画素の高輝度により、外光下においても表示画像の視認性を向上することが可能となる。さらに、白色画素の画素サイズが過度に拡大しないため、白色画素で表示輝度が高い画像を表示した場合であっても、白色画素そのものが視認されにくくなる。したがって、表示品位を向上することが可能となる。

以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位を向上することが可能な表示装置を提供することができる。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＬＰＮ…液晶表示パネル ＡＲ…アレイ基板 ＣＴ…対向基板 ＬＱ…液晶層
ＰＥ…画素電極 ＣＥ１…第１共通電極 ＣＥ２…第２共通電極
ＳＬ…スリット ＳＬＸ…横スリット ＳＬＹ…縦スリット
ＡＬ１…第１垂直配向膜 ＡＬ２…第２垂直配向膜

Claims (4)

1. 赤色画素に配置された第１画素電極と、緑色画素に配置された第２画素電極と、青色画素に配置された第３画素電極と、を備えた第１基板と、
   前記第１画素電極に対向する第１スリット、前記第２画素電極に対向する第２スリット、及び、前記第３画素電極に対向する第３スリットを備えた共通電極と、を備えた第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備え、
   前記第３スリットの面積及び面積率の少なくとも一方が前記第１スリット及び前記第２スリットよりも大きく、
   前記第１乃至第３画素電極のそれぞれのサイズは同一である、表示装置。
2. 前記第１乃至第３スリットのそれぞれは、第１方向に延出した横スリット及び第２方向に延出した縦スリットを有する十字状に形成され、
   前記第３スリットの前記縦スリットは前記第１スリット及び前記第２スリットよりも長い、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１基板は、さらに、白色画素に配置された第４画素電極を備えた、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１基板は、さらに、前記第１画素電極、前記第２画素電極、前記第３画素電極、及び、前記第４画素電極に対向する透明な導電材料によって形成された容量電極と、前記第１乃至前記第４画素電極を覆う第１垂直配向膜と、を備え、
   前記第２基板は、さらに、前記共通電極を覆う第２垂直配向膜を備え、
   前記第１垂直配向膜と前記第２垂直配向膜との間に挟持されたネガ型の液晶材料によって構成された液晶層と、を備えた、請求項３に記載の表示装置。
   
   

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