JP6219898B2 - 電力増幅器の負荷調整による圧縮制御 - Google Patents
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Description
本願は、2014年12月30日出願の「電力増幅器の負荷調整による圧縮制御」との名称の米国仮出願第62/097,877号、2014年12月30日出願の「無線周波数入力信号の振幅調整による圧縮制御」との名称の米国仮出願第62/097,899号、2014年12月30日出願の「電力増幅器の電圧調整による圧縮制御」との名称の米国仮出願第62/097,941号の優先権を主張する。これらの開示はそれぞれの全体が、ここに明示的に参照として組み入れられる。
Claims (22)
- 電力増幅器モジュールであって、
第1トランジスタ及び第2トランジスタを含むカスコードトランジスタ対を含む電力増幅器と、
前記第1トランジスタの第1ベース電流と前記第2トランジスタの第2ベース電流とを比較して比較値を得るべく構成された電流比較器を含む電力増幅器バイアス制御器と、
前記比較値に基づいて基準信号をインピーダンス整合ネットワークへと供給するべく構成された飽和制御器と
を含み、
前記インピーダンス整合ネットワークは、前記電力増幅器と電気的に通信する接続線の負荷インピーダンスを、少なくとも部分的には前記基準信号に基づいて修正するべく構成される電力増幅器モジュール。 - 前記第1トランジスタは共通ベーストランジスタであり、
前記第2トランジスタは共通エミッタトランジスタである請求項1の電力増幅器モジュール。 - 前記接続線はアンテナと電気的に通信し、
前記接続線は電気的に前記電力増幅器と前記アンテナとの間に配置される請求項1の電力増幅器モジュール。 - 前記インピーダンス整合ネットワークは動的インピーダンス整合ネットワークである請求項1の電力増幅器モジュール。
- 前記飽和制御器はさらに、前記接続線の負荷インピーダンスを修正することにより前記電力増幅器の圧縮を低減するべく構成される請求項1の電力増幅器モジュール。
- 前記飽和制御器はさらにデジタル/アナログ変換器及びランプ波発生器を含み、
前記ランプ波発生器は、カウント値を前記デジタル/アナログ変換器へと供給するべく構成され、
前記デジタル/アナログ変換器は、少なくとも部分的には前記カウント値に基づいて前記基準信号を発生させるべく構成される請求項1の電力増幅器モジュール。 - 前記飽和制御器は、
前記電力増幅器バイアス制御器と電気的に通信するプルダウン抵抗器と、
電圧入力/出力ピンと、
ランプクロック発生器と
を含み、
前記ランプクロック発生器は、前記プルダウン抵抗器の両端間の電圧であって少なくとも部分的には前記比較値に基づく電圧に基づいて、前記第1トランジスタが飽和領域で動作しているか否かを検出するべく構成され、
前記ランプクロック発生器は、前記第1トランジスタが前記飽和領域で動作しているとの検出に応答して前記ランプ波発生器に前記カウント値を修正させるべく構成される請求項6の電力増幅器モジュール。 - 前記デジタル/アナログ変換器はさらに、少なくとも部分的には平均電力追跡値に基づいて前記基準信号を発生させるべく構成され、
前記平均電力追跡値は、基地局から受信した目標電力信号に基づいて決定される請求項6の電力増幅器モジュール。 - 前記飽和制御器はさらに、デフォルトデータ値を飽和データピンから受信するべく構成されたRFフロントエンドを含み、
前記カウント値は初期的には前記デフォルトデータ値に対応する請求項6の電力増幅器モジュール。 - 前記デフォルトデータ値は複数のデフォルトデータ値の一つであり、
前記デフォルトデータ値は目標電圧に基づいて選択される請求項9の電力増幅器モジュール。 - 前記目標電圧は、基地局から受信した目標電力信号に少なくとも部分的に基づいて決定される請求項10の電力増幅器モジュール。
- 前記電力増幅器へと与えられる供給電圧を調節するべく構成されたブースト変換器をさらに含む請求項1の電力増幅器モジュール。
- 前記飽和制御器はさらに、
第2基準信号を前記ブースト変換器へと与えて前記供給電圧を増加させることと、
前記基準信号を前記インピーダンス整合ネットワークへと供給することにより前記接続線の負荷インピーダンスを修正することと
の組み合わせによって前記電力増幅器の圧縮を低減するべく構成される請求項12の電力増幅器モジュール。 - 送受信器であって、
電力増幅器及びアンテナと電気的に通信する接続線の負荷インピーダンスを、基準信号に基づいて修正するべく構成されたインピーダンス整合ネットワークと、
前記電力増幅器、電力増幅器バイアス制御器及び飽和制御器を含む電力増幅器モジュールと
を含み、
前記電力増幅器はカスコードトランジスタ対を含み、
前記カスコードトランジスタ対は第1トランジスタ及び第2トランジスタを含み、
前記電力増幅器バイアス制御器は、前記第1トランジスタのベース電流と前記第2トランジスタのベース電流とを比較して比較値を得るべく構成された電流比較器を含み、
前記飽和制御器は、少なくとも部分的には前記比較値に基づいて前記基準信号を発生させるべく、かつ、前記基準信号を前記インピーダンス整合ネットワークへと与えるべく構成される送受信器。 - 前記インピーダンス整合ネットワークは動的インピーダンス整合ネットワークである請求項14の送受信器。
- 前記飽和制御器はさらにデジタル/アナログ変換器及びランプ波発生器を含み、
前記ランプ波発生器は、カウント値を前記デジタル/アナログ変換器へと供給するべく構成され、
前記デジタル/アナログ変換器は、少なくとも部分的には前記カウント値に基づいて前記基準信号を発生させるべく構成される請求項14の送受信器。 - 前記飽和制御器は、
前記電力増幅器バイアス制御器と電気的に通信するプルダウン抵抗器と、
電圧入力/出力ピンと、
ランプクロック発生器と
を含み、
前記ランプクロック発生器は、前記プルダウン抵抗器の両端間の電圧であって少なくとも部分的には前記比較値に基づく電圧に基づいて、前記第1トランジスタが飽和領域で動作しているか否かを検出するべく構成され、
前記ランプクロック発生器は、前記第1トランジスタが前記飽和領域で動作しているとの検出に応答して前記ランプ波発生器に前記カウント値を修正させるべく構成される請求項16の送受信器。 - 前記電力増幅器へと与えられる供給電圧を調節するべく構成されたブースト変換器をさらに含む請求項14の送受信器。
- 前記飽和制御器はさらに、
第2基準信号を前記ブースト変換器へと与えて前記供給電圧を増加させることと、
前記基準信号を前記インピーダンス整合ネットワークへと供給することにより前記接続線の負荷インピーダンスを修正することと
の組み合わせによって前記電力増幅器の圧縮を低減するべく構成される請求項18の送受信器。 - 無線デバイスであって、
送受信器からの信号を少なくとも送信するべく構成されたアンテナと、
インピーダンス整合ネットワーク及び電力増幅器モジュールを含む送受信器と
を含み、
前記信号は、前記送受信器の電力増幅器へと供給された無線周波数入力信号に少なくとも部分的に基づき、
前記インピーダンス整合ネットワークは、前記電力増幅器及び前記アンテナと電気的に通信する接続線の負荷インピーダンスを、基準信号に基づいて修正するべく構成され、
前記電力増幅器モジュールは、前記電力増幅器、電力増幅器バイアス制御器及び飽和制御器を含み、
前記電力増幅器はカスコードトランジスタ対を含み、
前記カスコードトランジスタ対は第1トランジスタ及び第2トランジスタを含み、
前記電力増幅器バイアス制御器は、前記第1トランジスタのベース電流と前記第2トランジスタのベース電流とを比較して比較値を得るべく構成された電流比較器を含み、
前記飽和制御器は、少なくとも部分的には前記比較値に基づいて前記基準信号を発生させるべく、かつ、前記基準信号を前記インピーダンス整合ネットワークへと与えるべく構成される無線デバイス。 - 前記共通ベーストランジスタのベースと電気的に通信するキャパシタをさらに含む請求項2の電力増幅器モジュール。
- 前記共通エミッタトランジスタを飽和から防止するべく前記共通ベーストランジスタのベースに適用される電圧と前記キャパシタの容量とが選択される請求項21の電力増幅器モジュール。
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---|---|---|---|---|
US8742843B2 (en) * | 2011-12-19 | 2014-06-03 | Intel Corporation | Power management in transceivers |
US10770802B2 (en) | 2014-11-10 | 2020-09-08 | Qorvo Us, Inc. | Antenna on a device assembly |
US9722547B2 (en) | 2014-12-30 | 2017-08-01 | Skyworks Solutions, Inc. | Compression control through amplitude adjustment of a radio frequency input signal |
US9923529B2 (en) * | 2016-02-03 | 2018-03-20 | Samsung Electronics Co., Ltd | Customizable ramp-up and ramp-down amplitude profiles for a digital power amplifier (DPA) based transmitter |
US9887673B2 (en) * | 2016-03-11 | 2018-02-06 | Intel Corporation | Ultra compact multi-band transmitter with robust AM-PM distortion self-suppression techniques |
US10374556B2 (en) * | 2016-08-22 | 2019-08-06 | Skyworks Solutions, Inc. | Amplifier biasing circuits and method |
CN109906550B (zh) * | 2016-11-08 | 2023-07-18 | 辛纳普蒂克斯公司 | 适合于毫微功率电路设计的高速电流比较器 |
US11258406B2 (en) | 2016-11-25 | 2022-02-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power amplifier circuit |
US10389307B2 (en) * | 2016-11-25 | 2019-08-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power amplifier circuit |
JP2018085689A (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅回路 |
US10461705B2 (en) | 2017-03-27 | 2019-10-29 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for oscillation suppression of cascode power amplifiers |
US10666200B2 (en) | 2017-04-04 | 2020-05-26 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for bias switching of power amplifiers |
US10693422B2 (en) | 2017-11-27 | 2020-06-23 | Skyworks Solutions, Inc. | Wideband power combiner and splitter |
US10554177B2 (en) | 2017-11-27 | 2020-02-04 | Skyworks Solutions, Inc. | Quadrature combined doherty amplifiers |
US10187019B1 (en) | 2018-03-26 | 2019-01-22 | Qorvo Us, Inc. | Phased array antenna system |
US11018628B2 (en) * | 2018-03-31 | 2021-05-25 | Skyworks Solutions, Inc. | Antenna impedance prediction via power amplifier parameter |
JP2020010143A (ja) * | 2018-07-05 | 2020-01-16 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅回路 |
JP2020065224A (ja) | 2018-10-19 | 2020-04-23 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅回路 |
US11082021B2 (en) | 2019-03-06 | 2021-08-03 | Skyworks Solutions, Inc. | Advanced gain shaping for envelope tracking power amplifiers |
US11916517B2 (en) | 2019-04-23 | 2024-02-27 | Skyworks Solutions, Inc. | Saturation detection of power amplifiers |
US11664833B2 (en) | 2019-07-23 | 2023-05-30 | Skyworks Solutions, Inc. | Power detectors with enhanced dynamic range |
WO2021061851A1 (en) | 2019-09-27 | 2021-04-01 | Skyworks Solutions, Inc. | Power amplifier bias modulation for low bandwidth envelope tracking |
WO2021067616A1 (en) * | 2019-10-03 | 2021-04-08 | Skyworks Solutions, Inc. | Jump-start power amplifier boost converter |
US10985617B1 (en) | 2019-12-31 | 2021-04-20 | Energous Corporation | System for wirelessly transmitting energy at a near-field distance without using beam-forming control |
US11316550B2 (en) | 2020-01-15 | 2022-04-26 | Skyworks Solutions, Inc. | Biasing of cascode power amplifiers for multiple power supply domains |
CN111293990B (zh) * | 2020-03-24 | 2023-08-15 | 苏州锐诺医疗技术有限公司 | 功率放大器、超声刀 |
CN111669134B (zh) * | 2020-06-02 | 2023-10-20 | 京信网络系统股份有限公司 | Tdd制式下功放功率控制方法、系统、设备及存储介质 |
US11482975B2 (en) | 2020-06-05 | 2022-10-25 | Skyworks Solutions, Inc. | Power amplifiers with adaptive bias for envelope tracking applications |
US11855595B2 (en) | 2020-06-05 | 2023-12-26 | Skyworks Solutions, Inc. | Composite cascode power amplifiers for envelope tracking applications |
TWI737529B (zh) * | 2020-10-30 | 2021-08-21 | 精拓科技股份有限公司 | 數位隔離器 |
US20230318531A1 (en) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | Qorvo Us, Inc. | Closed loop power control |
Family Cites Families (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3008974A (en) | 1956-10-05 | 1961-11-14 | Michigan Chem Corp | Method for the separation of metallic ions by the use on an ion exchange resin |
NL7309767A (nl) | 1973-07-13 | 1975-01-15 | Philips Nv | Versterkerschakeling. |
US4030042A (en) | 1975-06-09 | 1977-06-14 | Rca Corporation | Feedback amplifiers |
JPH07222482A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-08-18 | Rohm Co Ltd | 出力トランジスタの飽和防止回路 |
US5652547A (en) * | 1995-06-20 | 1997-07-29 | Motorola, Inc. | Current comparator automatic output control |
JPH09232874A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-05 | Sony Corp | 増幅回路 |
JP2853763B2 (ja) * | 1996-08-29 | 1999-02-03 | 日本電気株式会社 | 増幅回路 |
KR200211739Y1 (ko) * | 1997-04-12 | 2001-02-01 | 구자홍 | 전력증폭용 에프이티(fet)의 게이트 바이어스 회로 |
JP3112162B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2000-11-27 | 日本電気株式会社 | 送信電力制御装置と送信電力制御方法 |
JP2000323935A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-24 | New Japan Radio Co Ltd | 高耐圧出力回路 |
FR2817980B1 (fr) | 2000-12-07 | 2003-02-28 | St Microelectronics Sa | Paire de sources de courant complementaires a transistors bipolaires avec une compensation des courants base |
US6839549B2 (en) * | 2000-12-14 | 2005-01-04 | Ericsson Inc. | System and method of RF power amplification |
US6528975B2 (en) | 2000-12-15 | 2003-03-04 | Tropian Inc. | Saturation prevention and amplifier distortion reduction |
US7333778B2 (en) * | 2001-03-21 | 2008-02-19 | Ericsson Inc. | System and method for current-mode amplitude modulation |
US6781452B2 (en) * | 2001-08-29 | 2004-08-24 | Tropian, Inc. | Power supply processing for power amplifiers |
JP2005506750A (ja) | 2001-10-16 | 2005-03-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 無線周波数電力増幅器回路 |
US6744322B1 (en) * | 2002-01-23 | 2004-06-01 | Skyworks Solutions, Inc. | High performance BiFET low noise amplifier |
US7304539B2 (en) * | 2003-10-16 | 2007-12-04 | Renesas Technology Corporation | High frequency power amplifier circuit and electronic component for high frequency power amplifier |
US6965270B1 (en) * | 2003-12-18 | 2005-11-15 | Xilinx, Inc. | Regulated cascode amplifier with controlled saturation |
US20050206455A1 (en) * | 2004-03-18 | 2005-09-22 | Ryo Yamazaki | Method to control the supply power being provided to a power amplifier |
JP2006067379A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波電力増幅器 |
US7902925B2 (en) * | 2005-08-02 | 2011-03-08 | Qualcomm, Incorporated | Amplifier with active post-distortion linearization |
US20070080750A1 (en) | 2005-08-31 | 2007-04-12 | Triquint Semiconductor, Inc. | High efficiency amplifiers having multiple amplification paths |
US7443241B2 (en) | 2005-11-28 | 2008-10-28 | Via Technologies Inc. | RF variable gain amplifier |
JP2007189621A (ja) | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Kenwood Corp | 増幅装置および増幅方法 |
EP1855379B1 (en) * | 2006-05-12 | 2011-02-09 | STMicroelectronics Srl | Output power control of an RF amplifier |
JP2008044276A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Seiko Epson Corp | 補正値の設定方法、補正値設定システム、及び、プログラム |
JPWO2008044276A1 (ja) * | 2006-10-06 | 2010-02-04 | パナソニック株式会社 | 電力増幅装置 |
JP5045151B2 (ja) * | 2007-03-06 | 2012-10-10 | 日本電気株式会社 | 送信電力制御回路 |
US7839216B2 (en) * | 2008-05-27 | 2010-11-23 | Rayspan Corporation | RF power amplifiers with linearization |
US8018277B2 (en) * | 2008-09-09 | 2011-09-13 | Quantance, Inc. | RF power amplifier system with impedance modulation |
US8103226B2 (en) | 2008-10-28 | 2012-01-24 | Skyworks Solutions, Inc. | Power amplifier saturation detection |
KR101004851B1 (ko) | 2008-12-23 | 2010-12-28 | 삼성전기주식회사 | 출력 제어 기능을 갖는 전력증폭기 시스템 |
US8410824B2 (en) * | 2009-05-21 | 2013-04-02 | Qualcomm, Incorporated | Buffer with active output impedance matching |
US9325282B2 (en) * | 2009-09-08 | 2016-04-26 | California Institute Of Technology | Self-healing technique for high frequency circuits |
US8258875B1 (en) * | 2009-09-29 | 2012-09-04 | Amalfi Semiconductor, Inc. | DC-DC conversion for a power amplifier using the RF input |
JP2011120057A (ja) | 2009-12-04 | 2011-06-16 | Japan Radio Co Ltd | バッファ回路 |
US8774739B2 (en) * | 2010-02-10 | 2014-07-08 | Skyworks Solutions, Inc. | Multi-mode power supply regulator for power amplifier control |
CN101888212B (zh) | 2010-04-30 | 2012-10-31 | 苏州英诺迅科技有限公司 | 提高功率放大器线性度及功率附加效率的电路结构 |
US8154345B2 (en) * | 2010-06-03 | 2012-04-10 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and method for current sensing using a wire bond |
US8427240B2 (en) * | 2010-08-06 | 2013-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Low-noise amplifier with gain enhancement |
US8749309B2 (en) * | 2010-12-05 | 2014-06-10 | Rf Micro Devices (Cayman Islands), Ltd. | Gate-based output power level control power amplifier |
EP4220950A3 (en) | 2011-05-05 | 2023-12-06 | Qorvo US, Inc. | Power management architecture for modulated and constant supply operation |
US8907726B2 (en) * | 2011-11-04 | 2014-12-09 | Rf Micro Devices, Inc. | Voltage, current, and saturation prevention |
US8786371B2 (en) | 2011-11-18 | 2014-07-22 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for voltage converters |
KR101921686B1 (ko) * | 2012-06-14 | 2018-11-26 | 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 | 와이어 본드 패드 및 관련된 시스템, 장치, 및 방법을 포함하는 전력 증폭기 모듈 |
US9431969B2 (en) * | 2012-12-11 | 2016-08-30 | Rf Micro Devices, Inc. | Doherty power amplifier with tunable impedance load |
US9413298B2 (en) * | 2012-12-28 | 2016-08-09 | Peregrine Semiconductor Corporation | Amplifier dynamic bias adjustment for envelope tracking |
TWI509979B (zh) | 2013-01-04 | 2015-11-21 | Advanced Semiconductor Eng | 電子系統、射頻功率放大器及其偏壓點動態調整方法 |
CA2904816C (en) | 2013-03-15 | 2022-03-15 | Gp Cellulose Gmbh | Surface treated modified cellulose from chemical kraft fiber and methods of making and using the same |
JP2014183463A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Fujitsu Ltd | 電力増幅器の制御装置及び制御方法 |
KR101515930B1 (ko) * | 2013-06-04 | 2015-05-04 | 포항공과대학교 산학협력단 | 스위치 전류의 조절을 이용한 고효율 포락선 증폭기를 위한 장치 및 방법. |
JP6229369B2 (ja) * | 2013-08-21 | 2017-11-15 | 三菱電機株式会社 | 電力増幅器 |
US9246443B2 (en) * | 2013-11-26 | 2016-01-26 | Skyworks Solutions, Inc | Multi-mode power amplifier |
JP2015190662A (ja) | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 荏原冷熱システム株式会社 | ターボ冷凍機 |
JP6247980B2 (ja) | 2014-03-28 | 2017-12-13 | リンナイ株式会社 | ヒートポンプ加熱装置 |
JP6239424B2 (ja) | 2014-03-28 | 2017-11-29 | 三機工業株式会社 | Vav空調システムの制御方法 |
KR101616051B1 (ko) | 2014-05-29 | 2016-04-27 | 주식회사 큐티아이 | 국소 공진 구조를 갖는 음향 차폐재 |
KR20150137458A (ko) | 2014-05-29 | 2015-12-09 | 주식회사 포스코엘이디 | 광 반도체 조명장치 |
US9667200B2 (en) * | 2014-12-23 | 2017-05-30 | Skyworks Solutions, Inc. | Peak detecting cascode for breakdown protection |
US9722547B2 (en) | 2014-12-30 | 2017-08-01 | Skyworks Solutions, Inc. | Compression control through amplitude adjustment of a radio frequency input signal |
US9712125B2 (en) * | 2015-02-15 | 2017-07-18 | Skyworks Solutions, Inc. | Power amplification system with shared common base biasing |
JP2018050200A (ja) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅モジュール |
-
2015
- 2015-09-28 US US14/867,258 patent/US9722547B2/en active Active
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