JP6214083B2 - ソフトプログラミングを使用する不揮発性メモリ(nvm) - Google Patents
ソフトプログラミングを使用する不揮発性メモリ(nvm)Info
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Description
さらに、本明細書において使用される場合、「1つ」という用語は、1つまたは2つ以上として定義される。さらに、特許請求の範囲における「少なくとも1つの」および「1つ以上の」のような前置きの語句の使用は、「1つの」による別の請求項要素の導入が、このように導入された請求項要素を含む任意の特定の請求項を、たとえ同じ請求項が前置きの語句「1つ以上の」または「少なくとも1つの」および「1つの」を含む場合であっても、1つだけのこのような要素を含む発明に限定することを暗示するように解釈されるべきではない。
Claims (14)
- 半導体メモリデバイスであって、
メモリコントローラと、
前記メモリコントローラと伝達するように接続されるメモリセルのアレイとを備え、
前記メモリコントローラは、
第1のソフトプログラム電圧および第1のソフトプログラム検証レベルを使用して第1のソフトプログラム動作を実行し、
第1の電荷トラッピング閾値に達しているか否かを判定し、
前記第1の電荷トラッピング閾値に達している場合、前記第1のソフトプログラム電圧を該第1のソフトプログラム電圧よりも大きい第2のソフトプログラム電圧に変更するとともに、前記第1のソフトプログラム検証レベルを該第1のソフトプログラム検証レベルよりも小さい第2のソフトプログラム検証レベルに変更し、
前記第2のソフトプログラム電圧および前記第2のソフトプログラム検証レベルを使用して第2のソフトプログラム動作を実行するように構成される、半導体メモリデバイス。 - 最大プログラムパルスカウント、最大ソフトプログラムパルスカウント、消去パルスカウント、およびプログラム/消去サイクルカウントから成る群のうちの少なくとも1つが所定の閾値を超える場合に、前記第1の電荷トラッピング閾値に達する、請求項1に記載の半導体メモリデバイス。
- 前記第1のソフトプログラム電圧および前記第2のソフトプログラム電圧と、前記第1のソフトプログラム検証レベルおよび前記第2のソフトプログラム検証レベルと、前記第1の電荷トラッピング閾値とを含む記憶領域をさらに備える、請求項1に記載の半導体メモリデバイス。
- 前記メモリコントローラは、
第2の電荷トラッピング閾値に達しているか否かを判定し、
前記第2の電荷トラッピング閾値に達している場合、前記第2のソフトプログラム電圧を該第2のソフトプログラム電圧よりも大きい第3のソフトプログラム電圧に変更し、前記第2のソフトプログラム検証レベルを該第2のソフトプログラム検証レベルよりも小さい第3のソフトプログラム検証レベルに変更し、
前記第3のソフトプログラム電圧および前記第3のソフトプログラム検証レベルを使用して第3のソフトプログラム動作を実行するようにさらに構成される、請求項1に記載の半導体メモリデバイス。 - 複数の前記第1のソフトプログラム電圧のうちの1つが前記メモリセルの各々のゲートに印加され、前記複数の第1のソフトプログラム電圧のもう1つが前記メモリセルの各々のドレインに印加される、請求項1に記載の半導体メモリデバイス。
- 方法であって、
一セットの不揮発性メモリセルに対して首尾よく消去動作を実行するステップと、
電荷トラッピング閾値に達しているか否かを判定するステップと、
前記電荷トラッピング閾値に達している場合、ソフトプログラム電圧を大きくなるように調整し、ソフトプログラム検証レベルを小さくなるように調整し、調整されたソフトプログラム電圧および調整されたソフトプログラム検証レベルを使用して前記メモリセルに対してソフトプログラム動作を実行するステップとを含む、方法。 - 最大プログラムパルスカウント、最大ソフトプログラムパルスカウント、消去パルスカウント、およびプログラム/消去サイクルカウントから成る群のうちの少なくとも1つが所定の閾値を超える場合に、前記電荷トラッピング閾値に達する、請求項6に記載の方法。
- 前記ソフトプログラム電圧および前記調整されたソフトプログラム電圧は、前記メモリセルの各々のゲートに印加される、請求項6に記載の方法。
- 前記ソフトプログラム電圧および前記調整されたソフトプログラム電圧は、前記メモリセルの各々のドレインに印加される、請求項6に記載の方法。
- 前記ソフトプログラム電圧および前記調整されたソフトプログラム電圧は前記メモリセルの各々のドレインに印加され、第2のソフトプログラム電圧および第2の調整されたソフトプログラム電圧が前記メモリセルの各々のゲートに印加される、請求項6に記載の方法。
- 方法であって、
メモリセルの複数のブロックを含むメモリセルのアレイに対して消去サイクルが実行されている間に、
前記メモリセルのブロックに対して実行された消去動作が成功していることを検証するステップと、
電荷トラッピング調整がイネーブルされているか否かを判定するステップと、
前記電荷トラッピング調整がイネーブルされている場合、電荷トラッピング閾値に達しているか否かを判定するステップと、
前記電荷トラッピング閾値に達している場合、少なくとも1つのソフトプログラム電圧を大きくなるように調整するとともに、ソフトプログラム検証レベルを小さくなるように調整し、調整されたソフトプログラム電圧および調整されたソフトプログラム検証レベルを使用して前記メモリセルのブロックに対してソフトプログラム動作を実行するステップとを含む、方法。 - 前記少なくとも1つのソフトプログラム電圧は、前記メモリセルのドレインおよび前記メモリセルのゲートから成る群のうちの1つに印加される、請求項11に記載の方法。
- 前記電荷トラッピング閾値に達している場合、
第2のソフトプログラム電圧を調整するステップと、
前記少なくとも1つのソフトプログラム電圧を前記メモリセルのドレインに印加するステップと、
前記第2のソフトプログラム電圧を前記メモリセルのゲートに印加するステップとをさらに含む、請求項11に記載の方法。 - 最大プログラムパルスカウント、最大ソフトプログラムパルスカウント、消去パルスカウント、およびプログラム/消去サイクルカウントから成る群のうちの少なくとも1つが所定の閾値を超える場合に、前記電荷トラッピング閾値に達する、請求項11に記載の方法。
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