JP6209035B2 - 感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
[1]
フェノール樹脂(A)、
光酸発生剤(B)、
架橋剤(C)、
下記一般式(1):
で表される炭素数3〜30の溶媒(D)、及び
前記溶媒(D)とは異なる溶媒(E)
を含み、かつ前記溶媒(D)の含有質量が前記溶媒(E)の含有質量未満である、感光性樹脂組成物。
[2]
前記一般式(1)中のR1及びR2は、連結して環構造を形成しており、かつ該環構造の環員数が、5以上である、[1]に記載の感光性樹脂組成物。
[3]
前記一般式(1)中のR1は、炭素数6〜20の芳香族基、不飽和結合を含んでもよい炭素数3〜20の脂環式基、又は不飽和結合を含んでもよい炭素数2〜20の鎖状脂肪族基である、[1]又は[2]に記載の感光性樹脂組成物。
[4]
前記R1は、不飽和結合を含まない炭素数3〜20の脂環式基、又は不飽和結合を含まない炭素数2〜20の鎖状脂肪族基である、[3]に記載の感光性樹脂組成物。
[5]
前記一般式(1)中のR2は、水素原子、炭素数6〜20の芳香族基、不飽和結合を含んでもよい炭素数3〜20の脂環式基、又は不飽和結合を含んでもよい炭素数1〜20の鎖状脂肪族基である、[1]〜[4]のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
[6]
前記R2は、不飽和結合を含まない炭素数3〜20の脂環式基、又は不飽和結合を含まない炭素数1〜20の鎖状脂肪族基である、[5]に記載の感光性樹脂組成物。
[7]
前記フェノール樹脂(A)100質量部に対して、前記溶媒(D)を10質量部〜500質量部含む、[1]〜[7]のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
[8]
前記溶媒(E)100質量部に対して、前記溶媒(D)を1質量部以上100質量部未満含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
[9]
前記光酸発生剤(B)は、ナフトキノンジアジド構造を有する化合物である、[1]〜[8]のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
[10]
前記フェノール樹脂(A)は、下記一般式(3):
で表される繰り返し単位を有するフェノール樹脂である、[1]〜[9]のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
[11]
前記一般式(3)中のXは、下記一般式(5):
[12]
前記一般式(3)中のXは、下記一般式(8):
[13]
前記一般式(3)中のXは、下記一般式(9):
[14]
前記フェノール樹脂(A)は、下記一般式(10):
[15]
前記フェノール樹脂(A)は、ノボラック又はポリヒドロキシスチレンである、[1]〜[9]のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
[16]
以下の工程:
(1)[1]〜[15]のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層を基板上に形成する工程、
(2)該感光性樹脂層を露光する工程、
(3)現像液により露光部又は未露光部を除去して、レリーフパターンを得る工程、及び
(4)該レリーフパターンを加熱する工程、
を含む、硬化レリーフパターンの製造方法。
[17]
[16]に記載の方法により製造された硬化レリーフパターン。
[18]
半導体素子と、該半導体素子の上部に設けられた硬化膜とを備える半導体装置であって、該硬化膜は、[17]に記載の硬化レリーフパターンである、半導体装置。
[19]
表示体素子と、該表示体素子の上部に設けられた硬化膜とを備える表示体装置であって、該硬化膜は、[17]に記載の硬化レリーフパターンである、表示体装置。
本実施形態では、フェノール樹脂(A)は、主鎖中にフェノール構造を有する高分子であれば特に限定されるものではないが、ノボラック、ポリヒドロキシスチレン、及び/又は下記一般式(3):
で表される繰り返し単位を有する樹脂であることが好ましい。
上記一般式(3)で表される繰り返し単位を有するフェノール樹脂(A)は、例えば従来使用されてきたポリイミド樹脂及びポリベンゾオキサゾール樹脂と比べて低温での硬化が可能であり、かつ良好な伸度を有する硬化膜の形成を可能にする。
本実施形態では、ノボラックとは、フェノール類とホルムアルデヒドとを触媒の存在下で縮合させることにより得られるポリマー全般を意味する。一般に、ノボラックは、フェノール類1モルに対し、ホルムアルデヒド1モル未満を縮合させて得ることができる。
本実施形態で、ポリヒドロキシスチレンとは、ヒドロキシスチレンを重合単位として含有するポリマー全般を意味する。ポリヒドロキシスチレンの好ましい例としては、ポリパラビニルフェノールが挙げられる。ポリパラビニルフェノールは、パラビニルフェノールを重合単位として含有するポリマー全般を意味する。従って、本発明の目的に反しない限りは、ポリヒドロキシスチレン(例えばポリパラビニルフェノール)を構成するために、ヒドロキシスチレン(例えばパラビニルフェノール)以外の重合単位を使用することができる。
本実施形態では、感光性樹脂組成物は、紫外線、電子線、X線等に代表される活性光線(すなわち放射線)に感応して樹脂パターンを形成できる組成物である。
トリス(2,4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−フェニル−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(3−クロロフェニル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(2−クロロフェニル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(3−メトキシフェニル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(2−メトキシフェニル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メチルチオフェニル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(3−メチルチオフェニル)ビス(4,6−トリクロロメチル−s−トリアジン、2−(2−メチルチオフェニル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシナフチル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(3−メトキシナフチル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(2−メトキシナフチル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(3,4,5−トリメトキシ−β−スチリル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メチルチオ−β―スチリル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(3−メチルチオ−β―スチリル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(2−メチルチオ−β−スチリル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン等;
ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム−p−トルエンスルホナート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスホナート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウム−p−トルエンスルホナート、ビス(4−ter−ブチルフェニル)ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(4−ter−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス(4−ter−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス(4−ter−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス(4−ter−ブチルフェニル)ヨードニウム−p−トルエンスルホナート等;及び
トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウムメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム−p−トルエンスルホナート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムメタンスルホナート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム−p−トルエンスルホナート、4−フェニルチオフェニルジフェニルテトラフルオロボレート、4−フェニルチオフェニルジフェニルヘキサフルオロホスホネート、4−フェニルチオフェニルジフェニルヘキサフルオロアルセネート、4−フェニルチオフェニルジフェニルトリフルオロメタンスルホナート、4−フェニルチオフェニルジフェニルトリフルオロアセテート、4−フェニルチオフェニルジフェニルーp−トルエンスルホナート等。
ジアゾケトン化合物として、例えば、1,3−ジケト−2−ジアゾ化合物、ジアゾベンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物等を挙げることができ、具体例としてはフェノール類の1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル化合物を挙げることができる。
スルホン化合物として、例えば、β−ケトスルホン化合物、β−スルホニルスルホン化合物及びこれらの化合物のα−ジアゾ化合物を挙げることができ、具体例として、4−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス(フェナシルスルホニル)メタン等を挙げることができる。
スルホン酸化合物として、例えば、アルキルスルホン酸エステル類、ハロアルキルスルホン酸エステル類、アリールスルホン酸エステル類、イミノスルホネート類等を挙げることができる。好ましい具体例としては、ベンゾイントシレート、ピロガロールトリストリフルオロメタンスルホネート、o−ニトロベンジルトリフルオロメタンスルホネート、o−ニトロベンジル−p−トルエンスルホネート等を挙げることができる。
スルホンイミド化合物として、例えば、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルイミド等を挙げることができる。
オキシムエステル化合物として、具体的には、2−[2−(4−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ)]−2,3−ジヒドロチオフェン−3−イリデン]−2−(2−メチルフェニル)アセトニトリル(チバスペシャルティケミカルズ社商品名「イルガキュアPAG121」)、[2−(プロピルスルホニルオキシイミノ)−2,3−ジヒドロチオフェン−3−イリデン]−2−(2−メチルフェニル)アセトニトリル(チバスペシャルティケミカルズ社商品名「イルガキュアPAG103」)、[2−(n−オクタンスルホニルオキシイミノ)−2,3−ジヒドロチオフェン−3−イリデン]−2−(2−メチルフェニル)アセトニトリル(チバスペシャルティケミカルズ社商品名「イルガキュアPAG108」)、α−(n−オクタンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシベンジルシアニド(チバスペシャルティケミカルズ社商品名「CGI725」)等を挙げることができる。
ジアゾメタン化合物として、具体的には、ビス(トリフルオロメチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン等を挙げることができる。
架橋剤(C)としては、例えば、メチロール基及び/又はアルコキシメチル基を含有する化合物である、サイメル(登録商標)300、301、303、370、325、327、701、266、267、238、1141、272、202、1156、1158、1123、1170、1174、UFR65、300、マイコート102、105(以上、三井サイテック社製)、ニカラック(登録商標)MX−270、−280、−290、ニカラックMS―11、ニカラックMW―30、−100、−300、−390、−750(以上、三和ケミカル社製)、DML−OCHP、DML−MBPC、DML−BPC、DML−PEP、DML−34X、DML−PSBP、DML−PTBP、DML−PCHP、DML−POP、DML−PFP、DML−MBOC、BisCMP−F、DML−BisOC−Z、DML−BisOCHP−Z、DML−BisOC−P、DMOM−PTBT、TMOM−BP、TMOM−BPA、TML−BPAF−MF(以上、本州化学工業社製)、ベンゼンジメタノール、ビス(ヒドロキシメチル)クレゾール、ビス(ヒドロキシメチル)ジメトキシベンゼン、ビス(ヒドロキシメチル)ジフェニルエーテル、ビス(ヒドロキシメチル)ベンゾフェノン、ヒドロキシメチル安息香酸ヒドロキシメチルフェニル、ビス(ヒドロキシメチル)ビフェニル、ジメチルビス(ヒドロキシメチル)ビフェニル、ビス(メトキシメチル)ベンゼン、ビス(メトキシメチル)クレゾール、ビス(メトキシメチル)ジメトキシベンゼン、ビス(メトキシメチル)ジフェニルエーテル、ビス(メトキシメチル)ベンゾフェノン、メトキシメチル安息香酸メトキシメチルフェニル、ビス(メトキシメチル)ビフェニル、ジメチルビス(メトキシメチル)ビフェニル等が挙げられる。
本実施形態では、溶媒(D)は、下記一般式(1):
で表され、かつ3〜30の炭素数を有する。上記一般式(1)で表される溶媒(D)は、感光性樹脂組成物の高伸度、高感度および良好な保存安定性を並立する。
溶媒(D)とは異なる溶媒(E)としては、例えば、アミド類、スルホキシド類、ウレア類、ケトン類、エステル類、ラクトン類、エーテル類、ハロゲン化炭化水素類、炭化水素類等が挙げられ、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、シュウ酸ジエチル、乳酸エチル、乳酸メチル、乳酸ブチル、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ベンジルアルコール、フェニルグリコール、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、モルフォリン、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン、1,4−ジクロロブタン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、アニソール、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等を使用することができる。中でも、樹脂の溶解性、樹脂組成物の安定性、及び基板への接着性の観点から、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、酢酸ブチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ベンジルアルコール及びフェニルグリコールが好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物には、必要に応じて、熱酸発生剤、シランカップリング剤、染料、溶解促進剤等を含有させることが可能である。
本実施形態の別の態様は、(1)上述した本発明の感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層を基板上に形成する工程、(2)該感光性樹脂層を露光する工程、(3)該露光の後の感光性樹脂層を現像してレリーフパターンを得る工程、及び(4)該レリーフパターンを加熱処理する工程を含む、硬化レリーフパターンの製造方法を提供する。この方法の一例を以下に説明する。
実施例及び比較例で得られた感光性樹脂組成物をシリコンウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上において該シリコンウエハー及びスピンコート膜を130℃で180秒間ホットプレートにてプリベークを行い、9μmの膜厚の塗膜を形成した。この塗膜に、テストパターン付きレチクルを通して、i線(365nm)の露光波長を有するステッパNSR2205i11D(ニコン社製)を用いて150〜450mJ/cm2の露光量にて25mJ/cm2ステップでi線を照射することにより露光した。露光後、後述する実施例17については、120℃で180秒間ホットプレートにて再加熱した。現像機(D−SPIN)にて23℃で2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液AZ−300MIF(AZエレクトロニックマテリアルズ社製)を用いて、90秒間現像し、純水でリンスした。
伸度測定用サンプルを以下の方法で作製した。最表面にアルミ蒸着層を設けた6インチシリコンウエハー基板に、実施例及び比較例で得られた感光性樹脂組成物を、硬化後の膜厚が約10μmとなるように回転塗布し、130℃で180秒間ホットプレートにてプリベークを行い、塗膜を形成した。膜厚は大日本スクリーン製造社製膜厚測定装置(ラムダエース)にて測定した。この塗膜を窒素雰囲気下220℃で1時間加熱し、膜厚7μmの膜を得た。得られた樹脂硬化膜を、ダイシングソーで3mm幅にカットした後に、希塩酸水溶液によりウエハーから剥離し、得られる20本の試料を温度23℃、相対湿度50%の雰囲気に24時間以上静置した後、引っ張り試験機(テンシロン)にて測定を行い、20本の平均値を伸度とした。引っ張り試験機の測定条件は以下の通りであった:
温度:23℃
相対湿度:50%
初期試料長さ:50mm
試験速度:40mm/min.
ロードセル定格:2kgf
実施例及び比較例で得られた感光性樹脂組成物が入ったポリプロピレン容器を、極低温恒温槽で−60℃に冷却して放置し、フェノール樹脂又は添加剤の析出の有無を調べた。具体的には、所定の期間が経過した後に、感光性樹脂組成物を室温まで解凍し、上記感度評価又は上記引っ張り伸度評価と同様に、この感光性樹脂組成物をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、現像後の塗膜の外観を観察し、結晶物の有無を調べた。
プリベーク後の膜厚(初期膜厚)と膜硬化後の膜厚を測定し、{(膜硬化後の膜厚/初期膜厚)×100}という式から算出される値(%)を残膜率とした。
<フェノール樹脂(A−1)の合成>
容量0.5リットルのディーン・スターク装置付きセパラブルフラスラスコ中で、フロログルシノール100.9g(0.8mol)、4,4’−ビス(メトキシメチル)ビフェニル(以下「BMMB」ともいう。)121.2g(0.5mol)、ジエチル硫酸3.9g(0.025mol)、及びジエチレングリコールジメチルエーテル140gを70℃で混合攪拌し、固形物を溶解させた。
<フェノール樹脂(A−2)の合成>
合成例1のフロログルシノールの代わりに、3,5−ジヒドロキシ安息香酸メチル128.3g(0.76mol)を用いて、合成例1と同様に合成を行い、3,5−ジヒドロキシ安息香酸メチル/BMMBから成る共重合体(フェノール樹脂(A−2))を収率65%で得た。
<フェノール樹脂(A−3)の合成>
容量1.0Lのディーン・スターク装置付きセパラブルフラスコを窒素置換し、その後、該セパラブルフラスコ中で、レゾルシノール81.3g(0.738mol)、BMMB84.8g(0.35mol)、p−トルエンスルホン酸3.81g(0.02mol)、及びプロピレングリコールモノメチルエーテル(以下、PGMEとも言う)116gを50℃で混合攪拌し、固形物を溶解させた。
下記表1に示す通り、フェノール樹脂(A−1)100質量部、光酸発生剤(B−1)12質量部及び架橋剤(C−1)7.5質量部を溶媒(D−1)60質量部およびγ―ブチロラクトン140質量部に溶解させ、0.1μmのフィルターで濾過してポジ型感光性樹脂組成物を調製した。この組成物及びその硬化膜の特性を前記の評価方法に従って測定した。得られた結果を下記表3に示す。
下記表1に示した成分およびγ―ブチロラクトン140質量部から成る組成物を実施例1と同様に調製し、組成物及びその硬化膜の特性を実施例1と同様に測定した。得られた結果を下記表3に示す。
樹脂(A−1)100質量部、光酸発生剤(B−2)5質量部及び架橋剤(C−1)15質量部を、γ―ブチロラクトン114質量部に溶解し、0.1μmのフィルターで濾過してネガ型感光性樹脂組成物を調製し、この組成物及びその硬化膜の特性を前記の評価方法に従って測定した。評価結果を表2に示す。
下記表2に示した成分から成る組成物を実施例1と同様に調製し、組成物及びその硬化膜の特性を実施例1と同様に測定した。得られた結果を下記表3に示す。
<フェノール樹脂(A)>
A−1:フロログルシノール/BMMBから成る共重合体、ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)=15,000
A−2:3,5−ジヒドロキシ安息香酸メチル/BMMBから成る共重合体、ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)=21,000
A−3:レゾルシノール/BMMB/2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾールから成る共重合体、ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)=9,900
A−4:クレゾールノボラック樹脂(m/p―クレゾール比=60/40)、ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)=10,600(旭有機材社製、製品名EP−4020G)
A−5:ポリヒドロキシスチレン樹脂、ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)=10,600(丸善石油化学製、マルカリンカーM)
<光酸発生剤(B)>
B−1:下記式で表される光酸発生剤:
B−2:イルガキュア PAG―121(商品名、BASFジャパン社製)
<架橋剤(C)>
C−1:2,2’, 6,6’―テトラキス(ヒドロキシメチル)―4,4’ −ビフェノール(本州化学製、商品名:TML−BP)
C−2:1,3,4,6−テトラキス(メトキシメチル)グリコールウリル(三和ケミカル製、商品名;ニカラックMX−270)
C−3:2,6−ビス(ヒドロキシメチル)クレゾール(本州化学製、商品名:DML−PC)
<溶媒(D)>
D−1:テトラヒドロフルフリルアルコール
D−2:プロピレングリコール
D−3:1,3−プロパンジオール
D−4:1,2−ブタンジオール
D−5:1,3−ブタンジオール
D−6:1,5−ペンタンジオール
D−7:グリシドール
D−8:プロピレングリコールモノメチルエーテル
D−9:エチルセロソルブ
Claims (20)
- フェノール樹脂(A)、
光酸発生剤(B)、
架橋剤(C)、
下記一般式(1):
で表される炭素数3〜30の溶媒(D)、及び
前記溶媒(D)とは異なる溶媒(E)
を含み、かつ前記溶媒(D)の含有質量が前記溶媒(E)の含有質量未満であり、前記溶媒(E)100質量部に対して、前記溶媒(D)を1質量部以上含み、かつ前記溶媒(D)が、1,3−プロパンジオール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、1,3−ペンタンジオール、1,4−ペンタンジオール、2−メチル−1,3−プロパンジオール、3−メチル−1,5−ペンタンジオール、2−エチル−1,3−ヘキサンジオール、プロピレングリコール、1,2−ブタンジオール、1,2−ペンタンジオール、1,2−ヘキサンジオール、1,2−ヘプタンジオール、1,2−オクタンジオール、1,2−ドデカンジオール、1−フェニル−1,2−エタンジオール、1−(4−メチルフェニル)−1,2−エタンジオール、3−フェニル−1,2−プロパンジオール、3−(4−メトキシフェニル)−1,2−プロパンジオール、3−クロロ−1,2−プロパンジオール、3−エトキシ−1,2−プロパンジオール、3−ベンジルオキシ−1,2−プロパンジオール、2−メチル−1,2−プロパンジオール、2−メチル−1,2−ペンタンジオール、2,4,4−トリメチル−1,2−ペンタンジオール、2−エチル−1,2−ブタンジオール、2−フェニル−1,2−プロパンジオール、1,1−ジフェニル−1,2−エタンジオール、1−(ヒドロキシメチル)シクロブタノール、1−(ヒドロキシメチル)シクロペンタノール、1−(ヒドロキシメチル)シクロヘキサノール、ビシクロ[4.1.1]−2−ヒドロキシメチル−6,6−ジメチルヘプタン−2−オール、2−メトキシ−2−メチルエタノール、2−エトキシ−2−メチルエタノール、2−プロポキシ−2−メチルエタノール、2−イソプロポキシ−2−メチルエタノール、2−ブトキシ−2−メチルエタノール、2−ベンジルオキシ−2−メチルエタノール、2−メトキシ−2−エチルエタノール、2−エトキシ−2−プロピルエタノール、2−プロポキシ−1−オクタノール、2−メトキシ−1−ドデカノール、1−ヒドロキシ−2−フェニル−2−エトキシエタン、1−ヒドロキシ−2−(4−メチルフェニル)−2−エトキシエタン、1−ヒドロキシ−2−メトキシ−3−フェニルプロパン、1−ヒドロキシ−2−エトキシ−3−(4−メトキシフェニル)プロパン、1−ヒドロキシ−2−プロポキシ−3−クロロプロパン、1−ヒドロキシ−2−メトキシ−3−エトキシプロパン、2−メトキシ−2−メチル−1−プロパノール、2,4,4−トリメチル−2−メトキシ−1−ペンタノール、2−エチル−2−エトキシ−1−ブタノール、2−メチル−2−プロポキシ−1−ペンタノール、2−メトキシ−2−フェニル−1−プロパノール、2,2−ジフェニル−2−ブトキシエタノール、1−メトキシ−1−(ヒドロキシメチル)シクロブタン、1−エトキシ−1−(ヒドロキシメチル)シクロペンタン、1−メトキシ−1−(ヒドロキシメチル)シクロヘキサン、ビシクロ[3.1.1]−2−エトキシ−2−(ヒドロキシメチル)−6,6−ジメチルヘプタン、テトラヒドロフルフリルアルコール、テトラヒドロピラン−2−メタノール、(1,4−ジオキサン−2−イル)メタノール、2−(ヒドロキシメチル)−18−クラウン6−エーテル、1,2−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン−4−メタノール、3,4−ジヒドロ−2H−ピラン−2−メタノール、フルフリルアルコール、及びグリシドールから成る群から選ばれる少なくとも一つの溶剤である、感光性樹脂組成物。 - 前記一般式(1)中のR1及びR2は、連結して環構造を形成しており、かつ該環構造の環員数が、5以上である、請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記一般式(1)中のR1は、炭素数6〜20の芳香族基、不飽和結合を含んでもよい炭素数3〜20の脂環式基、又は不飽和結合を含んでもよい炭素数2〜20の鎖状脂肪族基である、請求項1又は2に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記R1は、不飽和結合を含まない炭素数3〜20の脂環式基、又は不飽和結合を含まない炭素数2〜20の鎖状脂肪族基である、請求項3に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記一般式(1)中のR2は、水素原子、炭素数6〜20の芳香族基、不飽和結合を含んでもよい炭素数3〜20の脂環式基、又は不飽和結合を含んでもよい炭素数1〜20の鎖状脂肪族基である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記R2は、不飽和結合を含まない炭素数3〜20の脂環式基、又は不飽和結合を含まない炭素数1〜20の鎖状脂肪族基である、請求項5に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記フェノール樹脂(A)100質量部に対して、前記溶媒(D)を10質量部〜500質量部含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記溶媒(E)100質量部に対して、前記溶媒(D)を1質量部以上100質量部未満含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記光酸発生剤(B)は、ナフトキノンジアジド構造を有する化合物である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記フェノール樹脂(A)は、下記一般式(3):
で表される繰り返し単位を有するフェノール樹脂である、請求項1〜9のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。 - 前記一般式(3)中のXは、下記一般式(5):
- 前記フェノール樹脂(A)は、下記一般式(10):
- 前記フェノール樹脂(A)は、ノボラック又はポリヒドロキシスチレンである、請求項1〜9のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記溶媒(E)100質量部に対して、前記溶媒(D)を10質量部以上含むことを特徴とする請求項1〜15のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記溶媒(E)100質量部に対して、前記溶媒(D)を50質量部以下含むことを特徴とする請求項1〜16のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
- 以下の工程:
(1)請求項1〜17のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層を基板上に形成する工程、
(2)該感光性樹脂層を露光する工程、
(3)現像液により露光部又は未露光部を除去して、レリーフパターンを得る工程、及び
(4)該レリーフパターンを加熱する工程、
を含む、硬化レリーフパターンの製造方法。 - 半導体素子と、該半導体素子の上部に設けられた硬化膜とを備える半導体装置の製造方法であって、該硬化膜は、請求項18に記載の方法により製造された硬化レリーフパターンである、半導体装置の製造方法。
- 表示体素子と、該表示体素子の上部に設けられた硬化膜とを備える表示体装置の製造方法であって、該硬化膜は、請求項18に記載の方法により製造された硬化レリーフパターンである、表示体装置の製造方法。
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