JP6179426B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6179426B2 JP6179426B2 JP2014039717A JP2014039717A JP6179426B2 JP 6179426 B2 JP6179426 B2 JP 6179426B2 JP 2014039717 A JP2014039717 A JP 2014039717A JP 2014039717 A JP2014039717 A JP 2014039717A JP 6179426 B2 JP6179426 B2 JP 6179426B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mosfet
- temperature
- igbt
- cell region
- main cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 64
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
矩形状のメインセル領域に均一に配置される、複数の半導体素子と、
前記メインセル領域の外周の耐圧を保持する周辺耐圧保持領域において前記メインセル領域の辺に沿って一定の間隔で配置され、閾値電圧の温度依存性を利用して前記半導体素子の温度を検知する、複数のMOSFETと、
前記MOSFETのオンオフに基づいて、所定温度を超えて発熱する前記半導体素子の位置を推定する推定手段と、を有する、半導体装置が提供される。
図1は、半導体装置100の構成の一例を示す上面図である。紙面左右方向をX軸、紙面上下方向をY軸と定義する。半導体装置100は、例えば、自動車等の車両に搭載される。このような車両の具体例として、ハイブリッド車、プラグインハイブリッド車、電気自動車、燃料電池自動車等が挙げられる。
Vth=Vg−(Tja×α)
・・・式1
で表される。
図6は、MOSFET10及びIGBT20の構成の一例を示す図1のA−A'線における断面図である。図6に示すように、温度検知用MOSFET10と縦型のトレンチ型IGBT20とが、同一の半導体基板(Si基板)上に設けられる。MOSFET10は、周辺耐圧保持領域1に設けられ、IGBT20は、メインセル領域2に設けられる。
10 MOSFET
20 IGBT(半導体素子)
30 熱源位置推定手段(推定手段)
40 MOSFET(半導体素子)
100 半導体装置
Claims (1)
- 矩形状のメインセル領域に均一に配置される、複数の半導体素子と、
前記メインセル領域の外周の耐圧を保持する周辺耐圧保持領域において前記メインセル領域の辺に沿って一定の間隔で配置され、閾値電圧の温度依存性を利用して前記半導体素子の温度を検知する、複数のMOSFETと、
前記MOSFETのオンオフに基づいて、所定温度を超えて発熱する前記半導体素子の位置を推定する推定手段と、を有する、半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014039717A JP6179426B2 (ja) | 2014-02-28 | 2014-02-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014039717A JP6179426B2 (ja) | 2014-02-28 | 2014-02-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015164159A JP2015164159A (ja) | 2015-09-10 |
JP6179426B2 true JP6179426B2 (ja) | 2017-08-16 |
Family
ID=54186990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014039717A Expired - Fee Related JP6179426B2 (ja) | 2014-02-28 | 2014-02-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6179426B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022172328A1 (ja) * | 2021-02-09 | 2022-08-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3204226B2 (ja) * | 1985-11-29 | 2001-09-04 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP2652961B2 (ja) * | 1989-03-28 | 1997-09-10 | 日本電気株式会社 | 電子部品の保護機構 |
DE19534604C1 (de) * | 1995-09-18 | 1996-10-24 | Siemens Ag | Durch Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement mit mehreren Temperatursensoren zum Schutz vor Überlastung |
JPH09243466A (ja) * | 1996-03-04 | 1997-09-19 | Hitachi Ltd | 半導体温度センサ |
JP2000031290A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
JP2006245395A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
JP5122762B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2013-01-16 | 株式会社東芝 | 電力用半導体素子、その製造方法及びその駆動方法 |
JP2008227343A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Seiko Epson Corp | 温度センサ |
-
2014
- 2014-02-28 JP JP2014039717A patent/JP6179426B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015164159A (ja) | 2015-09-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9742389B2 (en) | Semiconductor device and control method thereof | |
JP2008072848A (ja) | 半導体装置 | |
JP5927082B2 (ja) | 電動機の駆動装置 | |
JP7446389B2 (ja) | 半導体装置および電力変換装置 | |
WO2016121632A1 (ja) | 電力変換装置 | |
JP2011254387A (ja) | 交流スイッチ | |
US9698769B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2009188178A (ja) | 半導体装置 | |
JP2020102923A (ja) | 制御回路、駆動システムおよびインバータの制御方法 | |
JP2016012670A (ja) | 半導体モジュール | |
JP3482948B2 (ja) | 半導体装置 | |
US11043943B2 (en) | Switching of paralleled reverse conducting IGBT and wide bandgap switch | |
JP2012099695A (ja) | 半導体装置 | |
JP6179426B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2006332176A (ja) | 半導体装置 | |
JP2015154001A (ja) | 半導体モジュール | |
US10115700B2 (en) | Power module, electrical power conversion device, and driving device for vehicle | |
KR101904682B1 (ko) | 전류 차단 장치 | |
JP2007266089A (ja) | 半導体装置 | |
CN116137291A (zh) | 半导体装置及电力变换装置 | |
KR102056156B1 (ko) | 전기 차량의 인버터 보호 방법 | |
JP6358067B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP2013105932A (ja) | 半導体装置 | |
JP2017079432A (ja) | 半導体装置 | |
JP7088048B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160516 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170425 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170620 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170703 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6179426 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |