JP7088048B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
12:第1半導体素子
12a、12b:主電極
12c:信号電極
12d:第1温度センスダイオード
12e:IGBT構造
12f:ダイオード構造
12g:第1アノード信号電極
12h:第1カソード信号電極
14:第2半導体素子
14a、14b:主電極
14c:信号電極
14d:第2温度センスダイオード
14e:IGBT構造
14f:ダイオード構造
14g:第2アノード信号電極
14h:第2カソード信号電極
16:第1導体板
18:第2導体板
20:封止体
22:第2電力端子
24:第1電力端子
26、28:信号端子
26a:第1温度センス信号端子
26g:第1ゲート信号端子
28g:第2ゲート信号端子
28k:第2温度センス信号端子
30:コントローラ
32:ゲート制御部
34:温度モニタ部
36:定電流源
38:過熱検知部
50:温度センサ
52:冷却装置
52a:供給口
52b:排出口
P:冷媒
T:半導体素子の温度
T1:温度モニタ部による平均温度
T2:温度センサによる平均温度
TR:過熱検知基準値
Vf:順方向電圧
ΔTr:乖離温度基準値
Claims (1)
- 各々が温度センスダイオードを内蔵する第1半導体素子及び第2半導体素子と、
前記第1半導体素子及び前記第2半導体素子を一体に封止する封止体と、
前記封止体の内外に亘って延びている第1温度センス端子及び第2温度センス端子と、を備え、
前記第1半導体素子及び前記第2半導体素子は、第1方向に沿って配置されているとともに、前記第1半導体素子及び前記第2半導体素子の各々には、前記第1方向に沿って複数の信号電極が設けられており、
前記複数の信号電極は、前記第1方向に沿った配列の一端に位置するとともに前記温度センスダイオードのアノードに接続されたアノード信号電極と、当該配列の他端に位置するとともに前記温度センスダイオードのカソードに接続されたカソード信号電極とを有し、
前記第1半導体素子の前記カソード信号電極と、前記第2半導体素子の前記アノード信号電極は、互いに隣接しているとともに、前記封止体の内部で互いに接続されており、
前記第1温度センス端子は、前記第1半導体素子の前記アノード信号電極に接続されており、
前記第2温度センス端子は、前記第2半導体素子の前記カソード信号電極に接続されている、
半導体装置。
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JP2019014317A JP7088048B2 (ja) | 2019-01-30 | 2019-01-30 | 半導体装置 |
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JP2020123660A JP2020123660A (ja) | 2020-08-13 |
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JP2005166987A (ja) | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2005259753A (ja) | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2012099695A (ja) | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
WO2017169693A1 (ja) | 2016-04-01 | 2017-10-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
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