JP6163436B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 半導体基板の表裏を貫通し、深さ方向の寸法が前記深さ方向と直交する方向の寸法よりも大きい貫通孔と、
前記貫通孔の内部に、銀、白金、ロジウム、イリジウム、オスミウム、レニウム、モリブデン、ニオブ、ホウ素、ハフニウムのうち、少なくとも1種類の金属を含む材料によって形成され、空洞を内包する金属部と
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板の表裏を貫通し、深さ方向の寸法が前記深さ方向と直交する方向の寸法よりも大きい貫通孔と、
前記貫通孔の内部に形成される銅層と、
前記銅層よりも前記貫通孔の孔芯側に、銀、白金、ロジウム、イリジウム、オスミウム、レニウム、モリブデン、ニオブ、ホウ素、ハフニウムのうち、少なくとも1種類の金属を含む材料によって形成され、空洞を内包する金属部と
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 深さ方向の寸法が前記深さ方向と直交する方向の寸法よりも大きくなるように、半導体基板の表裏を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の内部に、銀、白金、ロジウム、イリジウム、オスミウム、レニウム、モリブデン、ニオブ、ホウ素、ハフニウムのうち少なくとも1種類の金属を含み、空洞を内包する金属部をコンフォーマルめっきにより形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の表裏を貫通し、深さ方向の寸法が前記深さ方向と直交する方向の寸法よりも大きい貫通孔と、
前記貫通孔の内部に、銀および白金のうち、少なくともいずれかの金属を含む材料によって形成され、空洞を内包する金属部と
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記金属部における前記貫通孔側の外周面を被覆する銅層
を備えることを特徴とする請求項1または請求項4に記載の半導体装置。
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