JP6134612B2 - 磁気抵抗素子の製造方法 - Google Patents
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Description
前記積層体の上に、Ru膜からなるマスクが形成される。
塩素系ガスのプラズマを形成することで、前記マスクを介して前記記憶層がエッチングされる。
前記基板にバイアス電圧を印加し、アルゴンと塩素系ガスとの混合ガスのプラズマを形成することで、前記マスクを介して前記障壁層と前記参照層とがエッチングされる。
前記積層体の上に、Ru膜からなるマスクが形成される。
塩素系ガスのプラズマを形成することで、前記マスクを介して前記記憶層がエッチングされる。
前記基板にバイアス電圧を印加し、アルゴンと塩素系ガスとの混合ガスのプラズマを形成することで、前記マスクを介して前記障壁層と前記参照層とがエッチングされる。
MgOからなる障壁層は、リアクティブにエッチングすることが困難であるため、スパッタ的なエッチングが有効である。また、Ruマスクに対するMgOのエッチング選択比は高くはないが、MgOの膜厚が1nm程度であるため、Ruマスクの消耗量を低く抑えることができる。
エッチングガスに酸素を含まないため、参照層の側壁を酸化させることなく参照層をエッチングすることができる。
塩素系ガスが5[at%]未満では、アルゴンガスによるスパッタイオンエッチングが傾向的に強くなる結果、サブトレンチを誘発し、参照層の高精度なエッチングが困難となる。一方、塩素系ガスが20[at%]を超えると、アルゴンの存在比率が少なくなる結果、貴金属膜を適切にエッチングすることが困難となる。
バイアス電圧が0.5[W/cm2]未満では、アルゴンイオンによるスパッタエッチング作用が低下し、貴金属膜を適切にエッチングすることが困難となる。一方、バイアス電圧が2.6[W/cm2]を超えると、Ruマスクの耐久性が低下するおそれがある。
Ruは酸素を含むガスでエッチングが可能であり、Taは酸素を含むガスではエッチング速度が極端に遅くなるため、Taに対する選択比を大きくしてRuを加工することができ、これによりRuマスクを高精度に形成することが可能になる。なおTaは、塩素系ガスのプラズマを形成することでエッチングすることができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る磁気抵抗素子の概略構成を示す断面図である。本実施形態に係る磁気抵抗素子10は、基板11上に、下部電極12、参照層(ピン層)13、障壁層(非磁性絶縁層)14、記憶層(フリー層)15、上部電極16が順に積層された構成を有している。
なお理解容易のため、各層の構成は誇張して示されており、各層間の厚みの比率は必ずしも実際の厚みに対応するものではない。
図3は、磁気抵抗素子の製造装置を概略的に示す平面図である。図示する製造装置100は、搬送室101と、その周囲に配置されたロード室101、アンロード室102、第1のエッチング室104、第2のエッチング室105およびアッシング室106を有するマルチチャンバ式の真空処理装置で構成される。
次に、本実施形態の磁気抵抗素子10の製造方法について説明する。図5〜図9は、磁気抵抗素子10の製造方法を説明する工程断面図である。
図5に示すように、基板11上に、下部電極12、参照層13、障壁層14、記憶層15、上部電極16及びRu膜17を順に成膜した積層体Lを作製する。各層は、スパッタリング法、CVD法等の薄膜形成方法によって所定厚みにそれぞれ形成される。
続いて、積層体Lをセル単位に加工するためのエッチングマスクが形成される。本実施形態では、マスク材として、Ru膜17と、SiN(窒化珪素)膜18とが上部電極16の上に、順に形成される(図5)。SiN膜18は、Ru膜17を加工するためのSiNマスク18M(図6)を形成するためのものであり、Ru膜17は、積層体Lを加工するためのRuマスク17M(図7)を形成するためのものである。SiNマスク18Mは、SiN膜18に代えて、SiO2膜、又は、SiNとSiO2の積層膜で構成されてもよい。
図8に示すように、第1のエッチング工程では、第1のエッチング室104において、SiNマスク18M(及びRuマスク17M)を介して、上部電極16(Ta膜)及び記憶層15(CoFeB膜)が順にエッチングされる。本実施形態では、塩素ガスのプラズマを形成することで、上部電極16及び記憶層15がリアクティブにエッチングされる。
第2のエッチング工程では、第1のエッチング室104において、図9に示すように、SiNマスク18M(及びRuマスク17M)を介して、障壁層14(MgO)及び参照層13が順にエッチングされる。本実施形態では、基板11にバイアス電力を印加し、かつ、アルゴンと塩素ガスの混合ガスのプラズマを形成することで、障壁層14(MgO)及び参照層13が順にエッチングされる。
11…基板
12…下部電極
13…参照層
14…障壁層
15…記憶層
16…上部電極
17M…Ruマスク
18M…SiNマスク
Claims (6)
- 基板上に、第1の強磁性膜を含む参照層と、第2の強磁性膜を含む記憶層と、前記第1の強磁性膜と前記第2の強磁性膜との間に配置されたMgOからなる障壁層と、を有する積層体を形成し、
前記積層体の上に、Ru膜からなるマスクを形成し、
塩素系ガスのプラズマを形成することで、前記マスクを介して前記記憶層をエッチングし、
前記基板にバイアス電圧を印加し、アルゴンと塩素系ガスとの混合ガスのプラズマを形成することで、前記マスクを介して前記障壁層と前記参照層とをエッチングする
磁気抵抗素子の製造方法。 - 請求項1に記載の磁気抵抗素子の製造方法であって、
前記障壁層をエッチングする工程は、アルゴンイオンによるスパッタイオンエッチングで前記障壁層をエッチングする
磁気抵抗素子の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の磁気抵抗素子の製造方法であって、
前記参照層は、前記第1の強磁性膜と貴金属膜とを少なくとも含み、
前記参照層をエッチングする工程は、
塩素系ガスによる反応性イオンエッチングで前記第1の強磁性膜をエッチングする工程と、
アルゴンイオンによるスパッタイオンエッチングで前記貴金属膜をエッチングする工程とを含む
磁気抵抗素子の製造方法。 - 請求項1〜3のいずれか1つに記載の磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
前記混合ガスは、前記塩素系ガスを5[at%]以上20[at%]以下含む
磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれか1つに記載の磁気抵抗素子の製造方法であって、
前記バイアス電圧は、0.5[W/cm2]以上2.6[W/cm2]以下である
磁気抵抗素子の製造方法。 - 請求項1〜5のいずれか1つに記載の磁気抵抗素子の製造方法であって、さらに、
前記積層体の上に、Taからなる電極層を形成し、
前記マスクを形成する工程は、
前記電極層の上にRu膜を形成し、
前記Ru膜の上にSiNマスクを形成し、
酸素系ガスのプラズマを形成することで、前記SiNマスクを介して前記Ru膜をエッチングする
磁気抵抗素子の製造方法。
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