JP6134172B2 - 磁気アニール装置 - Google Patents

Description

本発明は、磁気アニール装置に関する。

近年、次世代の半導体メモリデバイスとして、不揮発性メモリの１つであるＭＲＡＭ（Magnetic Random Access Memory）が注目されている。ＭＲＡＭは、例えば半導体ウエハ（以後、ウエハ）である被処理体上に形成された磁性体膜を強磁場中で熱処理（磁気アニール）し、その磁気特性を発現させることによって製造される。

例えば特許文献１では、磁気アニールするための磁場発生手段として、ソレノイド型の超伝導磁石を使用した設置面積が比較的小さい磁気アニール装置が開示されている。

特開２００４−２６３２０６号公報

ウエハの磁気アニール処理は、ウエハの主表面に対して垂直な方向に磁界を印加する垂直磁化方式と、ウエハの主表面に対して平行な方向に磁界を印加する面内磁化方式と、の２種類の方式が知られている。

現在、２種類の方式の磁気アニール処理は、各々、個別の装置で実施されている。今後、どちらの方式の磁気アニール処理が主流になるかは不明であるが、２種類の方式の磁気アニールを同一の磁気アニール装置で実施することが可能である磁気アニール装置が求められている。

上記課題に対して、垂直磁化方式及び面内磁化方式の両方の方式の磁気アニール処理を実施可能な磁気アニール装置を提供することを目的とする。

磁界発生手段として均磁場領域の長さが被処理体の直径の２倍より大きい横型の超伝導磁石を用いて、被処理体保持具に保持された前記被処理体を磁気アニール処理する磁気アニール装置であって、
磁気アニール処理前の前記被処理体を収納する収納容器と、
前記収納容器に保持された前記被処理体を前記被処理体保持具へと搬送する被処理体搬送機構と、
を有し、
前記被処理体搬送機構は、前記被処理体を水平状態に保持可能であると共に、垂直状態に保持可能であり、
前記被処理体保持具は、磁界の方向に垂直な方向に前記被処理体を複数枚積層した積層体を、前記磁界の方向に平行な方向に複数並列に配置して保持する、
磁気アニール装置。

垂直磁化方式及び面内磁化方式の両方の方式の磁気アニール処理を実施可能な磁気アニール装置を提供できる。

ウエハのキャリアの一例の概略斜視図である。 磁気アニール装置の一例の概略上面図である。 磁気アニール装置のキャリア搬送領域近傍の概略縦断面図である。 磁気アニール装置のウエハ搬送領域近傍の概略平面図である。 ウエハボート内に保持されるウエハの配置例を説明するための概略図である。 ウエハ搬送機構によるウエハ搬送の一例を説明するための概略図である。 ウエハ搬送機構によるウエハ搬送の他の例を説明するための概略図である。

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。

（キャリア）
図１に、ウエハＷのキャリアＣの一例の概略斜視図を示す。なお、本実施形態においては、ウエハＷを収容するキャリアＣとして、密閉型のＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）を使用する場合について説明するが、本発明はこの点において限定されない。

ウエハＷのキャリアＣは、一端部が開口部として形成され、他端部が例えば略半楕円形状に形成されている。

キャリアＣの内壁面には、ウエハＷを多段に配置することができる支持部が形成されている。この支持部に、例えば直径３００ｍｍのウエハＷの周縁部を載置して支持することにより、略等ピッチで多段にウエハＷを収納することができる。一般的に、１つのキャリアＣに対して、２５枚のウエハＷを収納することができる。

キャリアＣの天井部には、キャリアＣを把持する際に掴むことが可能である把手１０が設けられる。

キャリアＣの開口部には、図１に示すように、この開口部に対応する開閉蓋１２が着脱可能に取り付けられており、キャリアＣ内は開閉蓋１２によって実質的に気密状態とされる。一般的に、キャリアの内部の雰囲気は、清浄空気となっている。

開閉蓋１２には、例えば２つのロック機構１４が設けられており、ロック機構１４を施錠又は開錠することにより、開閉蓋１２を開口部から着脱することができる構成となっている。

キャリアＣの底部の下面には、図示しない複数の位置決め凹部が設けられており、後述する載置台に載置する際に、このキャリアを位置決め可能な構成となっている。また、キャリアの底部の下面には、図示しないロック片が設けられており、載置台に載置した際にロックできる構成となっている。

（磁気アニール装置）
次に、本実施形態の磁気アニール装置について説明する。図２に、磁気アニール装置の一例の概略平面図を示す。なお、後述するウエハボート１２８、断熱部１３４、キャップ１３６及び移載機構１３８に関して、実線は、ウエハＷをウエハボート１２８に搬送する際の位置を示し、破線は、ウエハＷを磁気アニール処理する際の位置を示している。

図２において示されるように、磁気アニール装置１００は、筐体１０２に収容されて構成される。筐体１０２は、磁気アニール装置の外装体を構成し、この筐体１０２内に、キャリア搬送領域Ｓ１とウエハ搬送領域Ｓ２とが形成されている。

キャリア搬送領域Ｓ１は、被処理体であるウエハＷを収納したキャリアＣが磁気アニール装置に対して搬入、搬出される領域である。また、ウエハ搬送領域Ｓ２は、キャリアＣ内のウエハＷを搬送して、後述する磁気アニール炉内に搬入するための移載領域である。

キャリア搬送領域Ｓ１とウエハ搬送領域Ｓ２とは、隔壁１０４により仕切られている。

キャリア搬送領域Ｓ１は、大気雰囲気下にある領域であり、キャリアＣに収納したウエハＷを搬送する領域である。各処理装置間の領域がキャリア搬送領域Ｓ１に該当し、本実施形態においては、磁気アニール装置１００の外部のクリーンルーム内の空間が、キャリア搬送領域Ｓ１に該当する。

一方、ウエハ搬送領域Ｓ２の雰囲気としては、特に制限されず、大気雰囲気であっても良いし、不活性ガス雰囲気、例えば窒素（Ｎ_２）ガス雰囲気であっても良い。被処理体の構成によって、より低酸素雰囲気下での処理を要する場合、例えば酸化膜等が形成されることを防ぎたい場合などには、不活性ガス雰囲気としても良い。また、ウエハ搬送領域Ｓ２は、一般的には、キャリア搬送領域Ｓ１よりも清浄度が高く、かつ、低酸素濃度に維持されている。

以後の説明では、図２の左右方向を、磁気アニール装置の前後方向とする。なお、キャリア搬送領域Ｓ１側を前方（図２のＸ方向）とし、ウエハ搬送領域Ｓ２側を後方（図２のＹ軸方向）とする。また、図２のＺ軸方向は、鉛直方向を示す。

［キャリア搬送領域Ｓ１］
キャリア搬送領域Ｓ１について、より詳細に説明する。図３に、磁気アニール装置のキャリア搬送領域近傍の概略縦断面図を示す。

キャリア搬送領域Ｓ１は、第１の搬送領域１０６と、第１の搬送領域１０６の後方側に位置する第２の搬送領域１０８と、を含む。

図２に示すように、第１の搬送領域１０６の左右方向には、キャリアＣを各々載置する２つの第１の載置台１１０ａ、１１０ｂが設けられている。各第１の載置台１１０ａ、１１０ｂの載置面には、キャリアＣの位置決め凹部に対応する、キャリアＣを位置決めするピン１１２が、例えば３箇所に設けられている。

第２の搬送領域１０８には、左右の第１の載置台のいずれか一方（本実施形態では載置台１１０ａ）に対して前後方向に並び、かつ、図３の上下方向に直列に配置された、２つの第２の載置台１１４ａ、１１４ｂが設けられている。各第２の載置台１１４は、前後方向に移動自在に構成されている。

第２の載置台１１４の載置面にも第１の載置台１１０と同様に、キャリアＣを位置決めするピン１１２が、例えば３箇所に設けられている。また、前記載置面には、キャリアＣを固定するための図示しないフックが設けられている。

図３に示すように、第２の搬送領域１０８及び／又は第１の搬送領域１０６の上部側には、キャリアＣを保管する第１のキャリア保管部１１６ａ、１１６ｂが設けられている。キャリア保管部１１６ａ、１１６ｂは、例えば２段以上の棚により構成されており、各棚は左右方向に例えば２つのキャリアＣを載置することができる。

また、図２に示すように、第２の載置台１１４の左右方向に、複数段の棚により構成された第２のキャリア保管部１１６ｃが設けられている。

第１のキャリア保管部１１６ａ、１１６ｂと第２のキャリア保管部１１６ｃが設けられていることにより、キャリア搬送領域Ｓ１内に、十分な数のキャリアＣ（即ち、十分な枚数のウエハＷ）を保持することができる。

第２の搬送領域１０８には、キャリアＣを、第１の載置台１１０、第２の載置台１１４並びに第１及び第２のキャリア保管部１１６との間で搬送するキャリア搬送機構１１８が設けられている。このキャリア搬送機構１１８は、上下方向に昇降自在なガイド部１１８ａと、ガイド部１１８ａにガイドされながら上下に移動する移動部１１８ｂと、この移動部１１８ｂに設けられ、キャリアＣの底部を支持して水平方向に搬送する搬送アーム１１８ｃと、を備えている。

隔壁１０４には、キャリア搬送領域Ｓ１とウエハ搬送領域Ｓ２とを連通させるウエハＷの搬送口１２０が設けられている。搬送口１２０には、この搬送口１２０をウエハ搬送領域Ｓ２側から塞ぐ開閉ドア１２２が設けられている。開閉ドア１２２には、図示しない駆動機構が接続されており、駆動機構により開閉ドア１２２は前後方向及び上下方向に移動自在に構成され、搬送口１２０が開閉される。

＜キャリア搬送領域Ｓ１でのウエハＷの搬送＞
キャリア搬送領域Ｓ１からウエハ搬送領域Ｓ２へのウエハＷの搬送について、説明する。なお、このキャリア搬送領域Ｓ１では、ウエハＷは、キャリアＣ内に収納された状態で搬送される。

先ず、前述の搬送アーム１１８ｃによって、キャリアＣは、第１の載置台１１０、第１のキャリア保管部１１６ａ、１１６ｂ又は第２のキャリア保管部１１６ｃから、第２の載置台１１４へと移載される。キャリアＣは、その位置決め凹部とピン１１２とが係合するように載置される。第２の載置台１１４にキャリアＣが載置されると、第２の載置台１１４が隔壁１０４側に移動され、キャリアＣが隔壁１０４に当接する。キャリアＣの当接状態は、図示しない固定機構により保持される。

その後、隔壁１０４に形成された開閉ドア１２２及びキャリアＣの開閉蓋１２が密閉されている状態で、開閉蓋１２を図示しない開閉機構によって開く。ウエハ搬送領域Ｓ２の雰囲気を不活性ガス雰囲気とする場合は、先ず、キャリアＣの開閉蓋１２が密閉されている状態で、図示しない不活性ガス置換手段により不活性ガス置換を行い、開閉ドア１２２と開閉蓋１２との間の大気を取り除いて不活性ガスを充満させる。次に、キャリアＣ内を不活性ガス置換手段により不活性ガス置換を行う。

そして、キャリアＣの隔壁１０４に形成された開閉ドア１２２を開き、後述するウエハ搬送機構１２４によってキャリアＣ内のウエハＷが搬入、搬出される。

キャリアＣの交換及びウエハＷの搬出時には、上述の逆の動作が実施される。

［ウエハ搬送領域Ｓ２］
図４に、磁気アニール装置１００のウエハ搬送領域Ｓ２近傍の概略平面図を示す。図４に示すように、ウエハ搬送領域Ｓ２には、主として、ウエハ搬送機構１２４、アライナー装置１２６、ウエハボート１２８及び磁界発生手段１３０（図２参照）が設置される。

ウエハ搬送機構１２４は、ウエハ搬送領域Ｓ２でのウエハＷの搬送を担っており、ウエハボート１２８と、隔壁１０４の搬送口１２０と、の間に設けられている。ウエハ搬送機構１２４は、上下に伸びるガイド機構１２４ａに沿って移動すると共に、鉛直軸回りに回動する移動体１２４ｂに、例えば５枚の進退自在なアーム１２４ｃを設けて構成され、ウエハボート１２８と、第２の載置台１１４上のキャリアＣと、アライナー装置１２６と、の間でウエハを搬送する。

また、本実施形態の移動体１２４ｂは、アーム部１２４ｃが伸びる方向を軸として、この軸回りに回転可能に構成されている。これにより、アーム部１２４ｃによってウエハＷが搬送される間に、ウエハＷの主表面の面方向を例えば水平から垂直へと、若しくは、垂直から水平へと、自在に変更することが可能となっている。即ち、本実施形態のウエハ搬送機構１２４は、ウエハＷを水平状態に保持可能であると共に、垂直状態に保持可能である。なお、ウエハ搬送機構１２４は、一般的に、チャック機構によりウエハＷを保持し、保持方法としては、静電チャック方式、バキュームチャック方式、メカチャック方式のいずれの方式であっても良い。

本実施形態のウエハ搬送機構１２４は、上述の構成を有することにより、キャリアＣ、アライナー装置１２６、ウエハボート１２８との間でウエハＷの受け渡しを行うように、前述の前後方向（ＸＹ方向）、左右方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、並びに水平軸回り及び鉛直軸回りに移動自在に構成されている。

アライナー装置１２６は、例えば、ウエハＷのエッジを把持し、センタリングとノッチ等の角度合わせ（位置合わせ）を行うものである。

ウエハボート１２８は、複数のキャリアＣ、例えば４つのキャリアＣ内の多数枚のウエハＷを保持することが可能であり、断熱部１３４を介してキャップ１３６の後方側に載置されている。キャップ１３６は、移載機構１３８の後方側に支持されており、この移載機構１３８によりウエハボート１２８が磁界発生手段１３０に対して搬入又は搬出される。

ウエハボート１２８の後方側には、ウエハＷに磁気アニール処理を施す、磁界発生手段１３０が配置される。磁界発生手段１３０は、右端が炉口である横型のソレノイド型磁石（超伝導磁石）から構成される磁気アニール炉が使用される。ソレノイド型磁石は、その中心線軸方向が実質的に水平となるように配置され、図示しない電源装置に接続される。横型のソレノイド型磁石により発生する磁界の方向は、前述の前後方向となる。

また、磁界発生手段１３０には、その内周に沿って加熱手段１３２が配置されており、ウエハＷを所定の温度に加熱することができる。即ち、磁界発生手段１３０によって、ウエハＷは、均一な磁界の元で加熱処理される。

ソレノイド型磁石を用いて複数枚、例えば１００枚のウエハＷに同様の磁気アニール処理を施す場合、全てのウエハＷに対して均一な処理を施すために、均磁場領域にウエハＷを配置する必要がある。ソレノイド型磁石の均磁場領域は、その軸方向長さの約２０％程度である。そのため、例えば１００枚のφ３００ｍｍのウエハＷを磁気アニール装置によって処理する場合、横型のソレノイド型磁石の設計例としては、内径（ボア径）φ５７０ｍｍ、外径φ１９００ｍｍ、長さ２５００ｍｍ、（その場合の均磁場領域の長さは、約６８０ｍｍ程度）、とすることができる。

また、上記設計の横型のソレノイド型磁石の重量は、略２５トン程度となる。そのため、ソレノイド型磁石の底部には、ソレノイド型磁石を保持するための、図示しない保持台及びこの保持台の底部に図示しない保持板が設けられる。

なお、図２に示すように、この磁気アニール装置１００には、例えばコンピュータからなる制御部１４０が設けられている。制御部１４０はプログラム、メモリ、ＣＰＵからなるデータ処理部などを備えており、プログラムには、制御部から磁気アニール装置の各部に制御信号を送り、各処理工程を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。その制御信号により、キャリアＣの搬送、ウエハＷの搬送、開閉ドアの開閉、蓋体の開閉、各処理が行われる。このプログラムは、コンピュータ記憶媒体、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）及びメモリーカード等の記憶媒体に格納されて制御部にインストールされる。

＜ウエハ搬送領域Ｓ２でのウエハＷの搬送＞
ウエハＷを、第２の載置台１１４ａ、１１４ｂに載置されたキャリアＣからウエハボート１２８を介して磁界発生手段１３０へと搬送するまでの一連のフローについて、説明する。

先ず、ウエハ搬送機構１２４によってウエハボート１２８に搬送されるウエハＷの、ウエハボート１２８内での配置例について、図５を参照して説明する。

図５に、ウエハボート１２８内に保持されるウエハＷの配置例を説明するための概略図を示す。より具体的には、図５（ａ）は、ウエハＷの主表面が垂直となるように配置する場合の配置例であり、図５（ｂ）は、ウエハＷの主表面が水平となるように配置する場合の配置例であり、図５（ｃ）は、ウエハＷの主表面が垂直となるように配置する場合と水平となるように配置する場合を組み合わせた配置例である。なお、図５のＸＹ軸方向及びＺ軸方向は、各々、図２のＸＹ軸方向及びＺ軸方向に対応している。

ウエハＷの磁気アニール処理は、ウエハＷの主表面に対して垂直な方向に磁界を印加する垂直磁化方式と、ウエハＷの主表面に対して平行な方向に磁界を印加する面内磁化方式と、の２種類の方式が知られている。本実施形態のように、磁界発生手段１３０として横型の超伝導磁石を採用する場合、磁石内の磁界（磁力線）の向きは、ＸＹ軸方向となる。そのため、例えば１００枚のウエハＷを垂直磁化方式によって同時に磁気アニール処理する場合、図５（ａ）に示すように、ウエハＷの積載方向が前述のＸＹ軸方向となるようにウエハＷを所定の間隔で棚状に積載した積載体を、ウエハボート１２８に１つ配置する。一方、例えば１００枚のウエハＷを面内磁化方式によって同時に磁気アニール処理する場合、図５（ｂ）に示すように、ウエハＷの積載方向が前述のＺ軸方向となるように５０枚のウエハＷを所定の間隔で棚状に積載した積載体を、ウエハボート１２８内にＸＹ軸方向に２つ並べて配置する。

現在、前述の２種類の方式の磁気アニール処理は、各々、個別の装置で実施されている。しかしながら、本実施形態の磁気アニール装置１００は、ウエハ搬送機構１２４の移動体１２４ｂが、アーム部１２４ｃが伸びる方向を軸として回動可能に構成されている。そのため、垂直磁化方式及び面内磁化方式の２種類の方式の磁気アニール処理を、同一の装置で実施することができる。

また、本実施形態の磁気アニール装置１００を使用することにより、図５（ｃ）に示すように、５０枚のウエハＷを、積載方向がＸＹ軸方向となるように積載し、且つ、残りの５０枚のウエハＷを、積載方向がＺ軸方向となるように、積載するような配置も可能である。そのため、１度の磁気アニール処理で、垂直磁化方式と面内磁化方式の両方の方式の磁気アニール処理を実施することができる。

今後、前述の２種類のどちらの方式の磁気アニール処理が主流になるかは不明であるが、本実施形態の磁気アニール装置１００は、どちらの方式の磁気アニール処理に移行した場合であっても、ウエハボート１２８を交換することによって、両方の方式の磁気アニール処理を実施することができる。

次に、ウエハ搬送領域Ｓ２内での、ウエハＷの搬送について、図６及び図７を参照して更に詳細に説明する。

図６にウエハ搬送機構によるウエハ搬送の一例を説明するための概略図を示し、図７にウエハ搬送機構によるウエハ搬送の他の例を説明するための概略図を示す。より具体的には、図６は、垂直磁化方式でウエハＷを処理する場合のウエハＷの搬送例であり、図７は面内磁化方式の場合のウエハＷの搬送例である。

先ず、図６を参照して、垂直磁化方式でウエハＷを処理する場合のウエハＷの搬送について説明する。なお、図６及び図７では、簡単のため、隔壁１０４及び開閉ドア１２２を省略している。

図６（ａ）に示すように、先ず、キャリアＣに収納されているウエハＷは、ウエハ搬送機構１２４に受け渡される。前述した通り、一般的にキャリアＣには、ウエハＷは水平に収納されており、ウエハ搬送機構１２４はウエハＷを水平に保持して搬送する。次に、図６（ｂ）に示すように、移動体１２４ｂが鉛直軸方向に回動して、ウエハＷは、アライナー装置１２６の前方へと移載され、アライナー装置１２６へと受け渡される（図６（ｃ））。アライナー装置１２６では、図６（ｄ）に示すように、ウエハＷは、センタリングとノッチ等の角度合わせが行われる。次いで、角度合わせが済んだウエハＷは、ウエハ搬送機構１２４に受け渡され（図６（ｅ））、移動体１２４ｂが鉛直軸方向に回動して、ウエハボート１２８側へと移載される図６（ｆ）。次に、移動体１２４ｂは、アーム部１２４ｃが伸びる方向を軸として、この軸周りに９０度回転する。これにより、ウエハＷはアーム部１２４ｃによって垂直に保持される。垂直に保持されたウエハＷは、図６（ｈ）に示すように、ウエハボート１２８に受け渡され、ウエハＷの搬送が完了する（図６（ｉ））。ウエハボート１２８へウエハＷの移載が終わった後、ウエハ搬送機構１２４はキャリアＣへと戻って、前述した同様の方法により、次のウエハＷが移載される。

１つのキャリアＣ内に保持されるウエハＷの枚数は、一般的に、２５枚であり、ウエハ搬送機構１２４によるウエハＷの搬送枚数は、一般的に、５枚である。そのため、１つのキャリアＣに対して、キャリアＣからアライナー装置１２６を経たウエハボート１２８へのウエハＷの移載は、５回行われる。一方の第２の載置台（例えば第２の載置台１１４ａ）に載置されたキャリアＣからのウエハＷの移載が終わった後は、ウエハ搬送機構１２４によって、他方の第２の載置台（例えば第２の載置台１１４ｂ）に載置されたキャリアＣからのウエハＷの移載を行う。その際、第２の載置台１１４ａに載置された空となったキャリアＣは、他方の第２の載置台１１４ｂに載置されたキャリアＣからのウエハＷの移載を行っている間に、キャリア保管部１１６に保管されている他のキャリアＣと取り替えられる。

一方、図７を参照して、面内磁化方式でウエハＷを処理する場合のウエハＷの搬送について説明する。

面内磁化方式でウエハＷを処理する場合においても、図６（ｆ）で示した移動体１２４ｂが鉛直軸方向に回動して、ウエハボート１２８側へと移載されるまでは、同様の方法でウエハＷが搬送される（図７（ａ）〜図７（ｆ））。面内磁化方式では、その後、移動体１２４ｂが回転することなく、水平に保持されたウエハＷを、そのままウエハボート１２８へと受け渡し（図７（ｇ））、ウエハＷの搬送が完了する（図７（ｈ））。

また、本実施形態の磁気アニール装置１００は、５０枚のウエハＷを積載方向がＸＹ軸方向となるように積載し、且つ、残りの５０枚のウエハＷを積載方向がＺ軸方向となるように、積載するような配置も可能である。１００枚のウエハＷを前述した配置で配置する場合、先ず図６で示した方法により、５０枚のウエハＷを搬送し、その後、図７で示した方法により、残り５０枚のウエハＷを搬送する。なお、先に図７で示した方法により５０枚のウエハＷを搬送し、その後図６で示した方法により、残りの５０枚のウエハＷを搬送しても良い。

所定の枚数、例えば１００枚のウエハＷがウエハボート１２８に搬送された後、ウエハボート１２８は、移載機構１３８によって磁界発生手段１３０にロードされる。図２の破線におけるウエハボート１２８の位置は、ロード後の位置である。そして、ウエハＷは、所定の磁気アニール処理が実施される。処理終了後のウエハＷの搬出は、先ず、磁界発生手段１３０からウエハボート１２８をアンロードし、前述の搬入とは逆に、ウエハ搬送機構１２４を用いて、第２の載置台１１４ａ又は１１４ｂに位置する開閉窓からキャリアＣへと移載することにより実行される。ウエハＷがウエハ搬送機構１２４によってキャリアＣへと搬送された後、図示しない開閉機構で開閉蓋をキャリアＣへと取付け、キャリアＣをキャリア搬送機構１１８により搬出し、次工程へと進められる。

以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。

１０ 把手
１２ 開閉蓋
１４ ロック機構
１００ 磁気アニール装置
１０２ 筐体
１０４ 隔壁
１０６ 第１の搬送領域
１０８ 第２の搬送領域
１１０ 第１の載置台
１１２ ピン
１１４ 第２の載置台
１１６ キャリア保管部
１１８ キャリア搬送機構
１２０ 搬送口
１２２ 開閉ドア
１２４ ウエハ搬送機構
１２６ アライナー装置
１２８ ウエハボート
１３０ 磁界発生手段
１３２ 加熱手段
１３４ 断熱部
１３６ キャップ
１３８ 移載機構
１４０ 制御部
Ｓ１ キャリア搬送領域
Ｓ２ ウエハ搬送領域
Ｃ キャリア
Ｗ ウエハ

Claims (10)

1. 磁界発生手段として均磁場領域の長さが被処理体の直径の２倍より大きい横型の超伝導磁石を用いて、被処理体保持具に保持された前記被処理体を磁気アニール処理する磁気アニール装置であって、
   磁気アニール処理前の前記被処理体を収納する収納容器と、
   前記収納容器に保持された前記被処理体を前記被処理体保持具へと搬送する被処理体搬送機構と、
   を有し、
   前記被処理体搬送機構は、前記被処理体を水平状態に保持可能であると共に、垂直状態に保持可能であり、
   前記被処理体保持具は、磁界の方向に垂直な方向に前記被処理体を複数枚積層した積層体を、前記磁界の方向に平行な方向に複数並列に配置して保持する、
   磁気アニール装置。
2. 磁界発生手段として均磁場領域の長さが被処理体の直径の２倍より大きい横型の超伝導磁石を用いて、被処理体保持具に保持された前記被処理体を磁気アニール処理する磁気アニール装置であって、
   磁気アニール処理前の前記被処理体を収納する収納容器と、
   前記収納容器に保持された前記被処理体を前記被処理体保持具へと搬送する被処理体搬送機構と、
   を有し、
   前記被処理体搬送機構は、前記被処理体を水平状態に保持可能であると共に、垂直状態に保持可能であり、
   前記被処理体保持具は、磁界の方向に垂直な方向に前記被処理体を複数枚積層した積層体と、前記磁界の方向に水平な方向に前記被処理体を複数枚積層した積層体とを、前記磁界の方向に平行な方向に複数並列に配置して保持する、
   磁気アニール装置。
3. 前記被処理体搬送機構は、前記被処理体を保持する水平に伸びるアーム部を有し、前記アーム部は、前記アーム部が伸びる方向を軸として回転可能である、
   請求項１又は２に記載の磁気アニール装置。
4. 前記被処理体搬送機構は、チャック機構により前記被処理体を保持する、
   請求項１乃至３のいずれか一項に記載の磁気アニール装置。
5. 前記磁気アニール装置は、前記被処理体の位置合わせを行うアライナーを更に有し、
   前記被処理体搬送機構は、前記収納容器に保持された前記被処理体を前記アライナーへと搬送し、位置合わせが行われた前記被処理体を前記被処理体保持具へと搬送する、
   請求項１乃至４のいずれか一項に記載の磁気アニール装置。
6. 前記被処理体はウエハであり、前記収納容器はＦＯＵＰであり、
   前記ＦＯＵＰは２５枚の前記ウエハを収納可能であり、
   前記被処理体保持具は、１００枚の前記ウエハを保持可能である、
   請求項１乃至５のいずれか一項に記載の磁気アニール装置。
7. 前記被処理体はウエハであり、
   前記被処理体保持具は、前記ウエハの主表面が水平な状態で５０枚の前記ウエハを積載した積載体を、２つ保持可能である、
   請求項１に記載の磁気アニール装置。
8. 前記被処理体はウエハであり、
   前記被処理体保持具は、前記ウエハの主表面が水平な状態で５０枚の前記ウエハを積載した第１の積載体を積載可能であると共に、前記ウエハの主表面が垂直な状態で５０枚の前記ウエハを積載した第２の積載体を積載可能である、
   請求項２に記載の磁気アニール装置。
9. 被処理体を収納した収納容器を搬送する収納容器搬送領域と、前記被処理体を搬送する被処理体搬送領域とが開閉ドアを介して形成された磁気アニール装置であって、
   前記収納容器搬送領域には、
   当該磁気アニール装置に搬入される収納容器を載置する第１の載置台と、
   前記開閉ドアを介して、前記収納容器搬送領域から前記被処理体搬送領域へと気密に前記被処理体を搬送するために、前記収納容器を載置する複数の第２の載置台と、
   複数の前記収納容器を保管する保管部と、
   前記第１の載置台、前記第２の載置台及び前記保管部の間で前記収納容器を搬出入する収納容器搬送機構と、
   が配置され、
   前記被処理体搬送領域には、
   前記被処理体の位置合わせを行うアライナーと、
   前記位置合わせが行われた前記被処理体を保持可能な被処理体保持具と、
   前記第２の載置台に載置された収納容器、前記アライナー及び前記被処理体保持具の間で前記被処理体を搬送する被処理体搬送機構と、
   前記被処理体を加熱する加熱手段と、
   前記被処理体保持具に保持された被処理体に磁界を印加する、均磁場領域の長さが前記被処理体の直径の２倍より大きい横型超伝導磁石を有する磁界発生手段と、
   前記被処理体保持具に保持された前記被処理体を前記磁界発生手段内に移載する移載機構と、
   が配置され、
   前記被処理体搬送機構は、前記被処理体を水平状態に保持可能であると共に、垂直状態に保持可能であり、
   前記被処理体保持具は、前記磁界の方向に垂直な方向に前記被処理体を複数枚積層した積層体を、前記磁界の方向に平行な方向に複数並列に配置して保持する、
   磁気アニール装置。
10. 被処理体を収納した収納容器を搬送する収納容器搬送領域と、前記被処理体を搬送する被処理体搬送領域とが開閉ドアを介して形成された磁気アニール装置であって、
    前記収納容器搬送領域には、
    当該磁気アニール装置に搬入される収納容器を載置する第１の載置台と、
    前記開閉ドアを介して、前記収納容器搬送領域から前記被処理体搬送領域へと気密に前記被処理体を搬送するために、前記収納容器を載置する複数の第２の載置台と、
    複数の前記収納容器を保管する保管部と、
    前記第１の載置台、前記第２の載置台及び前記保管部の間で前記収納容器を搬出入する収納容器搬送機構と、
    が配置され、
    前記被処理体搬送領域には、
    前記被処理体の位置合わせを行うアライナーと、
    前記位置合わせが行われた前記被処理体を保持可能な被処理体保持具と、
    前記第２の載置台に載置された収納容器、前記アライナー及び前記被処理体保持具の間で前記被処理体を搬送する被処理体搬送機構と、
    前記被処理体を加熱する加熱手段と、
    前記被処理体保持具に保持された被処理体に磁界を印加する、均磁場領域の長さが前記被処理体の直径の２倍より大きい横型超伝導磁石を有する磁界発生手段と、
    前記被処理体保持具に保持された前記被処理体を前記磁界発生手段内に移載する移載機構と、
    が配置され、
    前記被処理体搬送機構は、前記被処理体を水平状態に保持可能であると共に、垂直状態に保持可能であり、
    前記被処理体保持具は、前記磁界の方向に垂直な方向に前記被処理体を複数枚積層した積層体と、前記磁界の方向に水平な方向に前記被処理体を複数枚積層した積層体とを、前記磁界の方向に平行な方向に複数並列に配置して保持する、
    磁気アニール装置。

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