JP6120261B2 - 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置 - Google Patents

Description

本発明は、磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置に関するものである。

磁気記録再生装置の一種であるハードディスク装置（ＨＤＤ）は、現在その記録密度が年率５０％以上増えており、今後も増加傾向が続くと言われている。それに伴って高記録密度化に適した磁気ヘッド及び磁気記録媒体の開発が進められている。

現在、市販されている磁気記録再生装置には、磁気記録媒体として、磁性膜内の磁化容易軸が主に垂直に配向した、いわゆる垂直磁気記録媒体が搭載されている。垂直磁気記録媒体は、高記録密度化した際にも記録ビット間の境界領域における反磁界の影響が小さく、鮮明なビット境界が形成されるものであるため、ノイズの増加が抑えられる。しかも、垂直磁気記録媒体は、高記録密度化に伴う記録ビット体積の減少が少なくて済むため、熱揺らぎ特性に優れている。

また、磁気記録媒体の更なる高記録密度化という要望に応えるべく、垂直磁性層に対する書き込み能力に優れた単磁極ヘッドを用いることが検討されている。具体的には、記録層である垂直磁性層と非磁性基板との間に、裏打ち層と称される軟磁性材料からなる層を設けることにより、単磁極ヘッドと磁気記録媒体との間の磁束の出入りの効率を向上させた磁気記録媒体が提案されている。

また、磁気記録媒体の記録再生特性および熱揺らぎ特性を向上させる技術として、軟磁性下地層と、配向制御層と、柱状構造の磁性粒子を含む下層の磁性層と下層に設けられた磁性層の結晶粒子からエピタキシャル成長している磁性粒子を含む上層の磁性粒子とからなる垂直磁性層とを有する磁気記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
また、軟磁性裏打ち層と記録層の間に、Ｒｕからなる金属粒子が非磁性母材から突出している中間層を設けることにより、磁性層における分離構造が促進され、記録層における結晶粒子が均一に孤立化される技術が知られている（例えば、特許文献２参照）。

また、非磁性基板と下地層と磁性層とが順次積層された垂直磁気記録媒体において、Ｒｕからなる２層の下地層を、初期層部分は低ガス圧で成膜し、表面層は初期層部分よりも高ガス圧で成膜する技術が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
また、特許文献４には、グラニュラ磁性層より上方にＣｏＣｒＰｔＲｕ合金を主成分とする補助記録層を形成して、補助記録層の初期成長段階の結晶の乱れを補い、補助記録層を成膜した基板を加熱することにより、補助記録層の結晶性を改善する技術が記載されている。

また、高記録密度を実現できる次世代記録方式として熱アシスト記録方式を用いる方法が提案されている。例えば、特許文献５には、磁場もしくは光を用いて情報の記録再生を行う情報記録媒体が記載されている。熱アシスト記録方式では、磁気記録媒体を加熱することによって保磁力を大幅に低減できるため、熱安定性を維持したまま磁性粒径の微細化が可能であり、１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ^２級の面密度を達成できる。

特開２００４−３１０９１０号公報 特開２００７−２７２９９０号公報 特開２００４−２２１３８号公報 特開２０１１−２１６１４１号公報 特開平１１−３５３６４８号公報

現在、ＨＤＤには今まで以上の高記録密度化が求められている。そして、ＨＤＤの高記録密度化を実現するために、磁気記録媒体に備えられた垂直磁性層を更に改良することが求められている。具体的には、今まで以上に垂直磁性層の垂直配向性を高めるとともに、垂直磁性層の結晶性を向上させることが求められている。

本発明は、上記事情に鑑みて提案されたものであり、優れた垂直配向性および結晶性を有する垂直磁性層の備えられたＨＤＤの高記録密度化に適した磁気記録媒体およびその製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の磁気記録媒体が備えられ、更なる高記録密度化を実現可能な磁気記録再生装置を提供することを課題とする。

前述のように、ＨＤＤの今まで以上の高記録密度化に適した磁気記録媒体を実現するには、磁気記録媒体を構成する垂直磁性層の更なる改良が必要である。垂直磁性層を改良する方法としては、垂直磁性層の成膜開始直前、成膜中のいずれか一方または両方の時点で基板を所定の温度に加熱する加熱工程を行うことが考えられる。

具体的には例えば、垂直磁性層の成膜開始直前、成膜中のいずれか一方または両方の時点で、基板を所定の温度に加熱する加熱工程を行うことで、優れた結晶性を有する垂直磁性層が得られる。
また、例えば、次世代の記録方式として期待される熱アシスト記録方式の磁気記録媒体において、ＦｅＰｔ系磁性層からなる垂直磁性層を形成する場合には、垂直磁性層の成膜開始直前、成膜中のいずれか一方または両方の時点で、ＦｅＰｔ相の規則化温度（不規則相（ｆｃｃ）から規則相（ｆｃｔ）への相変態温度）以上の温度に基板を加熱する加熱工程を行うことで、ＦｅＰｔ系磁性層を相変態させることができる。

しかしながら、発明者の検討によると、垂直磁性層の垂直配向性を高めるために、垂直磁性層の下層にＲｕまたはＲｕ合金からなる配向制御層を設けた場合、垂直磁性層の成膜開始直前、成膜中のいずれか一方または両方の時点で基板を加熱すると、配向制御層を構成するＲｕまたはＲｕ合金からなる結晶粒子が粗大化されることが分かった。ＲｕまたはＲｕ合金からなる結晶粒子が粗大化されると、配向制御層としての配向制御機能が低下するため、配向制御層の上に形成されている垂直磁性層の磁性粒子の粒径が大きくなってしまう。その結果、垂直磁性層の成膜開始直前、成膜中のいずれか一方または両方の時点で基板を所定の温度に加熱する加熱工程を行っても、垂直磁性層を今まで以上に改良することは困難であることが明らかになった。

このように、垂直磁性層の成膜開始直前、成膜中のいずれか一方または両方の時点で基板を所定の温度に加熱する加熱工程を行う場合には、垂直磁性層の下層にＲｕまたはＲｕ合金からなる配向制御層を設けても、配向制御層を設けたことによる効果を十分に得ることはできなかった。
そこで、本発明者は、既に配向制御層の形成されている基板を上記の時点で加熱しても、配向制御層による垂直磁性層の垂直配向性を改善させる効果が得られるように、ＲｕまたはＲｕ合金からなる配向制御層の耐加熱性を向上させるべく鋭意研究した。

その結果、配向制御層を構成するＲｕ層またはＲｕ合金層の垂直磁性層側の面に、融点が１５００℃以上であって共有結合またはイオン結合された材料からなる拡散防止層を設ければよいことを見出した。
より詳細には、配向制御層を構成するＲｕ層またはＲｕ合金層の垂直磁性層側の面に、拡散防止層を設けることにより、配向制御層に含まれるＲｕ原子が加熱によって拡散されることが防止される。その結果、加熱によるＲｕまたはＲｕ合金からなる結晶粒子の粗大化が抑制され、配向制御層の耐加熱性を向上させることができる。

したがって、配向制御層を構成するＲｕ層またはＲｕ合金層の垂直磁性層側の面に、拡散防止層を設けた場合、拡散防止層の上に形成される垂直磁性層の成膜開始直前、成膜中のいずれか一方または両方の時点で基板を所定の温度に加熱する加熱工程を行っても、加熱によるＲｕまたはＲｕ合金からなる結晶粒子の粗大化が抑制される。よって、例えば、配向制御層を構成するＲｕ層またはＲｕ合金層が、柱状の結晶粒子構造を含むものである場合、上記の加熱工程後においても柱状の結晶粒子構造が維持されたものとなる。

すなわち、配向制御層を構成するＲｕ層またはＲｕ合金層の垂直磁性層側の面に、拡散防止層を備えることで、拡散防止層上に垂直磁性層が形成された磁気記録媒体を製造する際に上記の時点で加熱工程を行って、加熱工程を行うことによる垂直磁性層の改良効果と、配向制御層による垂直磁性層の垂直配向性の制御効果の両方の効果に起因する優れた結晶性および垂直配向性を有する垂直磁性層を形成できる。その結果、ＨＤＤの高記録密度化に好適な磁気記録媒体を実現できる。
すなわち、本発明は、以下の手段を提供する。

（１） 非磁性基板の上に、直上層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が前記非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層とが少なくとも積層された磁気記録媒体であって、前記配向制御層は、ＲｕまたはＲｕ合金を含むＲｕ含有層と、前記Ｒｕ含有層の前記垂直磁性層側に設けられ、融点が１５００℃以上であって共有結合またはイオン結合された材料からなり、前記Ｒｕ含有層のＲｕ原子の熱による拡散を防止する拡散防止層とを備えるものであり、前記垂直磁性層は、前記拡散防止層を介して前記Ｒｕ含有層の結晶粒子の結晶構造を引き継いで、前記結晶粒子とともに厚み方向に連続した柱状結晶を含むものであることを特徴とする磁気記録媒体。

（２） 前記Ｒｕ含有層は、第１Ｒｕ含有層と、前記第１Ｒｕ含有層の前記垂直磁性層側に配置された第２Ｒｕ含有層とを含み、前記第１Ｒｕ含有層が、柱状結晶の核となる結晶を含むものであり、前記第２Ｒｕ含有層が、前記核となる結晶に厚み方向に連続し、頂部にドーム状の凸部が形成された柱状結晶を含むものであることを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体。
（３） 前記Ｒｕ含有層の前記非磁性基板側に、融点が１５００℃以上であって共有結合またはイオン結合された材料からなり、前記Ｒｕ含有層のＲｕ原子の熱による拡散を防止する第２拡散防止層が設けられていることを特徴とする（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４） 前記第１Ｒｕ含有層と前記第２Ｒｕ含有層との間に、融点が１５００℃以上であって共有結合またはイオン結合された材料からなり、前記Ｒｕ含有層のＲｕ原子の熱による拡散を防止する中間拡散防止層が設けられていることを特徴とする（２）に記載の磁気記録媒体。

（５） 前記拡散防止層が、ＡｌＮ、ＳｉＯ_２、ＭｇＯ、Ｔａ_２Ｏ_５，Ｃｒ_２Ｏ_３，ＺｒＯ_２からなる群から選ばれる何れか１つを含むことを特徴とする（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（６） 前記配向制御層の前記非磁性基板側に軟磁性下地層が設けられていることを特徴とする（１）〜（５）のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
（７） 前記垂直磁性層が、Ｌ１_０型結晶構造を有する合金を主成分とするものであることを特徴とする（１）〜（６）のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。

（８） 非磁性基板の上に、直上層の配向性を制御する配向制御層を形成する配向制御層形成工程と、前記配向制御層上に磁化容易軸が前記非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層を成膜する垂直磁性層形成工程とを含み、前記配向制御層形成工程が、ＲｕまたはＲｕ合金を含むＲｕ含有層を形成する工程と、前記Ｒｕ含有層の上に、融点が１５００℃以上であって共有結合またはイオン結合された材料からなり、前記Ｒｕ含有層のＲｕ原子の熱による拡散を防止する拡散防止層を形成する工程とを含み、前記垂直磁性層形成工程が、前記拡散防止層を介して前記Ｒｕ含有層の結晶粒子の結晶構造を引き継いで、前記結晶粒子とともに厚み方向に連続した柱状結晶を含む前記垂直磁性層を形成する工程であって、前記垂直磁性層の成膜開始直前、成膜中のいずれか一方または両方の時点で前記非磁性基板を３００〜７００℃に加熱する加熱工程を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

（９） 前記拡散防止層を形成する工程において、ＡｌＮ、ＳｉＯ_２、ＭｇＯ、Ｔａ_２Ｏ_５，Ｃｒ_２Ｏ_３，ＺｒＯ_２からなる群から選ばれる何れか１つを含む前記拡散防止層を形成することを特徴とする（８）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１０） 前記配向制御層形成工程の前に、前記非磁性基板の上に軟磁性下地層を形成する工程を行うことを特徴とする（８）または（９）に記載の磁気記録媒体の製造方法。

（１１） （１）〜（７）のいずれか一項に記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドからの出力信号の再生とを行う記録再生信号処理系とを備える磁気記録再生装置。
（１２） 前記磁気ヘッドが、前記磁気記録媒体を加熱するレーザー発生部と前記レーザー発生部から発生したレーザー光を先端部へと導く導波路と前記先端部に設けられた近接場発生素子とを有していることを特徴とする（１１）に記載の磁気記録再生装置。

本発明の磁気記録媒体は、ＲｕまたはＲｕ合金を含むＲｕ含有層と、Ｒｕ含有層の垂直磁性層側に設けられ、融点が１５００℃以上であって共有結合またはイオン結合された材料からなり、Ｒｕ含有層のＲｕ原子の熱による拡散を防止する拡散防止層とを備える配向制御層を有するものであるので、配向制御層の耐加熱性が優れているものとなる。
したがって、本発明の磁気記録媒体は、垂直磁性層の成膜開始直前、成膜中のいずれか一方または両方の時点で非磁性基板を３００〜７００℃に加熱する加熱工程を含む方法により製造することで、優れた垂直配向性を有し、かつ結晶粒子の結晶性が高い垂直磁性層が備えられたものになるものである。

また、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、配向制御層形成工程が、融点が１５００℃以上であって共有結合またはイオン結合された材料からなり、Ｒｕ含有層のＲｕ原子の熱による拡散を防止する拡散防止層を形成する工程を含み、垂直磁性層形成工程が、垂直磁性層の成膜開始直前、成膜中のいずれか一方または両方の時点で前記非磁性基板を３００〜７００℃に加熱する加熱工程を含む方法である。したがって、本発明の磁気記録媒体の製造方法では、加熱工程において、配向制御層による垂直磁性層の垂直配向性の制御効果の低下を抑制しつつ、垂直磁性層を改良できる。その結果、本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、容易に優れた垂直配向性および結晶性を有する垂直磁性層が備えられ、ＨＤＤの高記録密度化に好適な磁気記録媒体を製造できる。

図１は、本発明の磁気記録媒体の一例を模式的に示した断面図である。 図２は、図１に示す磁気記録媒体を構成する配向制御層と垂直磁性層との積層構造を説明するための拡大模式図である。 図３は、本発明の磁気記録再生装置の一例を示した斜視図である。 図４は、本発明の磁気記録再生装置の他の例を説明するための図であり、磁気記録再生装置に備えられた磁気ヘッドの構成を模式的に示した断面図である。 図５は、実験１の積層薄膜基板の表面（Ｒｕ薄膜）を、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて観察した写真である。 図６は、実験２の積層薄膜基板の表面（Ｒｕ薄膜）を、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて観察した写真である。 図７は、実験３の積層薄膜基板の表面（ＡｌＮ薄膜）を、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて観察した写真である。 図８は、実験４〜実験７の積層構造体の表面の結晶粒子の平均結晶粒径と、加熱温度との関係を示したグラフである。 図９は、実験８〜実験１２の積層構造体の表面の結晶粒子の平均結晶粒径と、加熱温度との関係を示したグラフである。

以下、本発明の磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴を説明しやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。

（磁気記録媒体）
本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板の上に、直上層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が前記非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層とが少なくとも積層されたものである。
図１は、本発明の磁気記録媒体の一例を模式的に示した断面図である。図１に示す磁気記録媒体５０は、非磁性基板１の上に、軟磁性下地層２と配向制御層９と垂直磁性層４と保護層５と潤滑層６とが順次積層されたものである。
また、図１に示す磁気記録媒体５０は、垂直磁性層４の成膜開始直前、成膜中のいずれか一方または両方の時点で非磁性基板１を３００〜７００℃に加熱する加熱工程を含む方法により製造されたものである。

「非磁性基板」
非磁性基板１としては、アルミニウムやアルミニウム合金などの金属材料からなる金属基板を用いてもよいし、ガラスや、セラミック、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの非金属材料からなる非金属基板を用いてもよい。また、非磁性基板１としては、これら金属基板や非金属基板の表面に、例えばメッキ法やスパッタ法などを用いて、ＮｉＰ層又はＮｉＰ合金層が形成されたものを用いてもよい。

ガラス基板としては、例えば、アモルファスガラスや結晶化ガラスなどを用いることができる。アモルファスガラスとしては、例えば、汎用のソーダライムガラスや、アルミノシリケートガラスなどを用いることができる。また、結晶化ガラスとしては、例えば、リチウム系結晶化ガラスなどを用いることができる。セラミック基板としては、例えば、汎用の酸化アルミニウムや、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体、又はこれらの繊維強化物などを用いることができる。

非磁性基板１は、Ｃｏ又はＦｅが主成分となる軟磁性下地層２と接することで、表面の吸着ガスや、水分の影響、基板成分の拡散などにより、腐食が進行する可能性がある。このため、非磁性基板１と軟磁性下地層２の間には、密着層を設けることが好ましい。密着層を設けることにより、これらを抑制することが可能となる。
密着層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金など適宜選択することが可能である。また、密着層の厚みは２ｎｍ（３０Å）以上であることが好ましい。

「軟磁性下地層」
軟磁性下地層２は、図１に示すように、配向制御層９の非磁性基板１側に接して設けられている。軟磁性下地層２は、磁気ヘッドから発生する磁束の基板面に対する垂直方向成分を大きくするとともに、情報が記録される垂直磁性層４の磁化の方向をより強固に非磁性基板１と垂直な方向に固定するものである。軟磁性下地層２を設けることによる作用は、特に記録再生用の磁気ヘッドとして垂直記録用の単磁極ヘッドを用いる場合に、顕著なものとなる。

軟磁性下地層２としては、例えば、Ｆｅや、Ｎｉ、Ｃｏなどを含む軟磁性材料を用いることができる。軟磁性材料としては、例えば、ＣｏＦｅ系合金（ＣｏＦｅＴａＺｒ、ＣｏＦｅＺｒＮｂなど）、ＦｅＣｏ系合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど）、ＦｅＮｉ系合金（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど）、ＦｅＡｌ系合金（ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど）、ＦｅＣｒ系合金（ＦｅＣｒ、ＦｅＣｒＴｉ、ＦｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ系合金（ＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど）、ＦｅＭｇ系合金（ＦｅＭｇＯなど）、ＦｅＺｒ系合金（ＦｅＺｒＮなど）、ＦｅＣ系合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＰ系合金、ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、ＦｅＢ系合金などを挙げることができる。

軟磁性下地層２は、２層の軟磁性膜から構成されていることが好ましく、２層の磁性膜の間には、Ｒｕ膜が設けられていることが好ましい。Ｒｕ膜の膜厚を０．４〜１．０ｎｍ、又は１．６〜２．６ｎｍの範囲で調整することで、２層の軟磁性膜をＡＦＣ構造とすることができる。軟磁性下地層２が、このようなＡＦＣ構造を採用したものである場合、いわゆるスパイクノイズを抑制できる。
なお、本発明の磁気記録媒体においては、非磁性基板１と配向制御層９との間に軟磁性下地層２が配置されていることが好ましいが、配向制御層９が設けられていなくてもよい。

「配向制御層」
軟磁性下地層２の上には、配向制御層９が形成されている。配向制御層９は、直上層である垂直磁性層４の配向性を制御するものであり、垂直磁性層４の結晶粒を微細化し、垂直配向性を高め、記録再生特性を改善するものである。配向制御層９が配置されていることにより、配向制御層９の上に形成される垂直磁性層４には、配向制御層９を構成する結晶粒子の結晶構造を引き継いで、配向制御層９の結晶粒子と共に厚み方向（基板面に対して垂直）に連続して成長した柱状結晶が形成される。したがって、配向制御層９の結晶粒子が微細な柱状結晶を有するものであれば、垂直磁性層４の結晶粒子も微細な柱状結晶を有するものとなり、垂直配向性が高まり、記録再生特性が改善される。

図２は、図１に示す磁気記録媒体５０を構成する配向制御層９と垂直磁性層４との積層構造を説明するための拡大模式図である。図２に示すように、本実施形態の磁気記録媒体５０では、配向制御層９および垂直磁性層４を構成する各層の柱状結晶は、基板面に対して垂直に連続して成長されている。

図１および図２に示すように、本実施形態の磁気記録媒体５０では、配向制御層９は、ＲｕまたはＲｕ合金を含むＲｕ含有層３と、Ｒｕ含有層３の垂直磁性層４側に設けられ、Ｒｕ含有層３のＲｕ原子の熱による拡散を防止する拡散防止層８とを備えている。
Ｒｕ含有層３に用いるＲｕ合金としては、加熱による配向制御層９内でのＲｕ原子の拡散を防ぐために、Ｒｕに対してＲｅ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｉｒ、Ｎｉから選ばれる何れか１つの元素を含むものを用いることが好ましい。なお、Ｒｕ合金中に含まれるこれらの元素の含有量は、２０〜８０原子％の範囲内であることが好ましい。

また、図１および図２に示すように、Ｒｕ含有層３は、非磁性基板１側に配置された第１Ｒｕ含有層３ａと、第１Ｒｕ含有層３ａの垂直磁性層４側に配置された第２Ｒｕ含有層３ｂとを含むものとされている。本実施形態においては、Ｒｕ含有層３が、１Ｒｕ含有層３ａと第２Ｒｕ含有層３ｂとを含むものであるので、例えば、Ｒｕ含有層３が１層のみからなるものである場合と比較して、垂直磁性層４の配向性をより効果的に制御できる。
なお、第１Ｒｕ含有層３ａと第２Ｒｕ含有層３ｂとは、同じ材料からなるものであってもよいし、異なる材料からなるものであってもよい。

第１Ｒｕ含有層３ａは、配向制御層９の核発生密度を高めるためのものであり、柱状結晶の核となる結晶を含むものである。第１Ｒｕ含有層３ａは、図２に示すように、核となる結晶が成長してなる柱状結晶Ｓ１の頂部に、ドーム状の凸部Ｓ１ａが形成されたものである。
第１Ｒｕ含有層３ａの層厚は、核となる結晶が成長してなる柱状結晶Ｓ１の頂部にドーム状の凸部Ｓ１ａが形成されたものとするために、５ｎｍ以上であることが好ましい。第１Ｒｕ含有層３ａの層厚が上記範囲以上であると、容易に第１Ｒｕ合金層の頂部にドーム状の凸部Ｓ１ａを形成できる。

第２Ｒｕ含有層３ｂは、図２に示すように、頂部にドーム状の凸部Ｓ２ａが形成された柱状結晶Ｓ２を含むものである。第２Ｒｕ含有層３ｂの柱状結晶Ｓ２は、第１Ｒｕ含有層３ａに含まれる柱状結晶Ｓ１の核となる結晶に厚み方向に連続している。本実施形態においては、第２Ｒｕ含有層３ｂの柱状結晶Ｓ２は、第１Ｒｕ含有層３ａに含まれる柱状結晶Ｓ１の凸部Ｓ１ａ上に、第１Ｒｕ含有層３ａを構成する柱状結晶Ｓ１と共に厚み方向に連続して成長されている。

第２Ｒｕ含有層３ｂの層厚は、垂直磁性層４の配向性を効果的に制御できるものとするために、１０ｎｍ以上であることが好ましい。第２Ｒｕ含有層３ｂの層厚が上記範囲以上であると、垂直磁性層４の配向性がより高められ、垂直磁性層４を構成する磁性粒子がより効果的に微細化されるため、より良好なＳ／Ｎ比が得られる。

また、拡散防止層８は、融点が１５００℃以上であって共有結合またはイオン結合された材料からなる。このような材料は、熱によって変化しにくく耐熱性に優れている。したがって、拡散防止層８を、Ｒｕ含有層３の垂直磁性層４側に配置することで、熱に対するＲｕ含有層３のバリア層として機能させることができる。
図１および図２に示すように、拡散防止層８は、配向制御層９の最上層に配置されており、配向制御層９の表面を構成している。したがって、拡散防止層８は、配向制御層９の直上に配置された垂直磁性層４の直下で垂直磁性層４に接して配置されている。

図２に示すように、拡散防止層８は、Ｒｕ含有層３上に形成されることにより、Ｒｕ含有層３の結晶粒子の結晶構造を引き継いで形成されている。したがって、拡散防止層８は、Ｒｕ含有層３の結晶粒子とともに厚み方向に連続した微細な柱状結晶Ｓ８を含むものである。拡散防止層８の柱状結晶Ｓ８の頂部には、ドーム状の凸部Ｓ８ａが形成されており、ドーム状の凸部Ｓ８ａ上に、垂直磁性層４の緻密な磁性粒子が柱状に成長されている。

拡散防止層８に使用される材料は、融点が１５００℃以上であって共有結合またはイオン結合された材料であればよく、特に限定されないが、加熱によるＲｕまたはＲｕ合金からなる結晶粒子の粗大化を効果的に防止するためには、ＡｌＮ（共有結合：融点２２００℃）、ＳｉＯ_２（共有結合：融点１６５０℃）、ＭｇＯ（イオン結合：融点２８００℃）、Ｔａ_２Ｏ_５（イオン結合：融点１８７２℃），Ｃｒ_２Ｏ_３（イオン結合：融点１９９０℃），ＺｒＯ_２（イオン結合：融点２７２９℃）からなる群から選ばれる何れか１つを含むものであることが好ましい。
拡散防止層８に使用される材料としては、上記の中でも特に、Ｒｕ含有層３のＲｕ原子の熱による拡散をより効果的に阻害するために、ＡｌＮ、ＳｉＯ_２、ＭｇＯを用いることが好ましく、ＡｌＮであることが最も好ましい。

なお、垂直磁性層４が、熱アシスト媒体の垂直磁性層である場合、拡散防止層８としてＭｇＯからなるものを設けることが好ましい。ＭｇＯの格子定数は、熱アシスト媒体の垂直磁性層に好適に用いられるＬ１_０型結晶構造を有するＦｅＰｔ合金や、ＣｏＰｔ合金の軸長と近似している。このため、ＭｇＯからなる拡散防止層８の上に、ＦｅＰｔ合金もしくはＣｏＰｔ合金を主成分とする垂直磁性層４を形成することにより、垂直磁性層４により良好な配向をとらせることができる。
また、Ｒｕ含有層３の上にＭｇＯからなる拡散防止層８を形成する場合、ＭｇＯからなる拡散防止層８の配向性をより一層高めるために、Ｒｕ含有層３とＭｇＯからなる拡散防止層８との間に、両層の格子定数を整合させるための層を設けることが好ましい。

本実施形態の磁気記録媒体５０では、配向制御層９が拡散防止層８を備えていることにより、垂直磁性層４の成膜開始直前、成膜中のいずれか一方または両方の時点で非磁性基板を３００〜７００℃に加熱する加熱工程を行っても、配向制御層９のＲｕ含有層３に含まれるＲｕ原子が加熱によって拡散することが防止され、加熱によるＲｕまたはＲｕ合金からなる結晶粒子の粗大化が抑制される。したがって、本実施形態の磁気記録媒体５０は、上記加熱工程を含む方法により製造されたものであるが、図２に示すように、配向制御層９の表面には拡散防止層８からなる微細なドーム状の凸部Ｓ８ａが形成されており、配向制御層９の表面のドーム状の凸部Ｓ８ａ上には、垂直磁性層４の緻密で結晶性の高い磁性粒子が柱状に成長されている。

なお、本実施形態の磁気記録媒体５０では、配向制御層９の垂直磁性層４側にのみ拡散防止層８が設けられているが、配向制御層９の非磁性基板１側にも、融点が１５００℃以上であって共有結合またはイオン結合された材料からなり、Ｒｕ含有層のＲｕ原子の熱による拡散を防止する拡散防止層（第２拡散防止層）が設けられていてもよい。配向制御層９の非磁性基板１側に第２拡散防止層を設けることで、加熱によるＲｕまたはＲｕ合金からなる結晶粒子の粗大化がより効果的に抑制され、Ｒｕ含有層３の結晶粒子構造がより良好に維持される。

また、図１および図２に示すように、Ｒｕ含有層３が、第１Ｒｕ含有層３ａと第２Ｒｕ含有層３ｂとを含むものである場合、第１Ｒｕ含有層３ａの垂直磁性層４側（図１および図２に示す例においては、第１Ｒｕ含有層３ａと第２Ｒｕ含有層３ｂとの間）にも、融点が１５００℃以上であって共有結合またはイオン結合された材料からなり、Ｒｕ含有層のＲｕ原子の熱による拡散を防止する拡散防止層（中間拡散防止層）が設けられていることが好ましい。第１Ｒｕ含有層３ａと第２Ｒｕ含有層３ｂとの間に中間拡散防止層を設けることで、加熱によるＲｕまたはＲｕ合金からなる結晶粒子の粗大化がより効果的に抑制され、Ｒｕ含有層３の結晶粒子構造がより良好に維持される。

なお、第２拡散防止層および中間拡散防止層としては、拡散防止層８と同様の材料からなるもの用いることができ、ＡｌＮ、ＳｉＯ_２、ＭｇＯ、Ｔａ_２Ｏ_５，Ｃｒ_２Ｏ_３，ＺｒＯ_２からなる群から選ばれる何れか１つを含むものであることが好ましく、特に、ＡｌＮからなるものであることが好ましい。

また、本実施形態の磁気記録媒体５０では、Ｒｕ含有層３が、第１Ｒｕ含有層３ａと第２Ｒｕ含有層３ｂの２層からなるものである場合を例に挙げて説明したが、Ｒｕ含有層は１層からなるものであってもよいし、３層以上からなるものであってもよい。Ｒｕ含有層が、複数のＲｕ含有層からなるものである場合、対向するＲｕ含有層間には中間拡散防止層を設けることが好ましい。なお、Ｒｕ含有層が３層以上のＲｕ含有層からなるものである場合、対向するＲｕ含有層間が２以上形成される。Ｒｕ含有層が３層以上のＲｕ含有層からなるものである場合、２以上のＲｕ含有層間の全てに中間拡散防止層が設けられていてもよいし、一部のＲｕ含有層間にのみ中間拡散防止層が設けられていてもよいし、中間拡散防止層が設けられていなくてもよい。

「垂直磁性層」
配向制御層９の上には、磁化容易軸が非磁性基板１に対して主に垂直に配向した垂直磁性層４が形成されている。図１に示す磁気記録媒体５０は、垂直磁性層４の成膜開始直前、成膜中のいずれか一方または両方の時点で非磁性基板１を３００〜７００℃に加熱する加熱工程を含む方法により製造されたものである。したがって、垂直磁性層４は、優れた垂直配向性および結晶性を有している。具体的には、図２に示すように、垂直磁性層４は、拡散防止層８を介してＲｕ含有層３の結晶粒子の結晶構造を引き継いで、結晶粒子とともに厚み方向に連続した柱状結晶Ｓ３を含むものとなっている。

また、本実施形態においては、垂直磁性層４として、ｃ軸配向した多層膜からなる磁性層が用いられている。垂直磁性層４は、図１に示すように、非磁性基板１側から下層の磁性層４ａと、中層の磁性層４ｂと、上層の磁性層４ｃとの３層を含むものとされている。また、図１に示すように、本実施形態の磁気記録媒体５０では、磁性層４ａと磁性層４ｂとの間に下層の非磁性層７ａが配置され、磁性層４ｂと磁性層４ｃとの間に上層の非磁性層７ｂが配置されている。したがって、図１に示す磁気記録媒体５０は、磁性層４ａ〜４ｃと非磁性層７ａ，７ｂとが交互に積層された構造を有している。

図１に示す垂直磁性層４では、磁性層４ａ〜４ｃおよび非磁性層７ａ，７ｂを構成する結晶粒子は、配向制御層９の柱状結晶と連続した柱状結晶を有するものであり、配向制御層９の柱状結晶と連続してエピタキシャル成長されたものとなっている。

磁性層４ａ、４ｂに適した材料としては、例えば、９０（Ｃｏ１４Ｃｒ１８Ｐｔ）−１０（ＳｉＯ_２）｛Ｃｒ含有量１４ａｔ％、Ｐｔ含有量１８ａｔ％、残部Ｃｏからなる磁性粒子を１つの化合物として算出したモル濃度が９０ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２からなる酸化物組成が１０ｍｏｌ％｝、９２（Ｃｏ１０Ｃｒ１６Ｐｔ）−８（ＳｉＯ_２）、９４（Ｃｏ８Ｃｒ１４Ｐｔ４Ｎｂ）−６（Ｃｒ_２Ｏ_３）の他、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｔａ_２Ｏ_５）、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｃｒ_２Ｏ_３）−（ＴｉＯ_２）、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｃｒ_２Ｏ_３）−（ＳｉＯ_２）、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｃｒ_２Ｏ_３）−（ＳｉＯ_２）−（ＴｉＯ_２）、（ＣｏＣｒＰｔＭｏ）−（ＴｉＯ）、（ＣｏＣｒＰｔＷ）−（ＴｉＯ_２）、（ＣｏＣｒＰｔＢ）−（Ａｌ_２Ｏ_３）、（ＣｏＣｒＰｔＴａＮｄ）−（ＭｇＯ）、（ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ）−（Ｙ_２Ｏ_３）、（ＣｏＣｒＰｔＲｕ）−（ＳｉＯ_２）などを挙げることができる。

磁性層４ｃに適した材料としては、例えば、ＣｏＣｒＰｔ系では、Ｃｏ１４〜２４Ｃｒ８〜２２Ｐｔ｛Ｃｒ含有量１４〜２４ａｔ％、Ｐｔ含有量８〜２２ａｔ％、残部Ｃｏ｝、ＣｏＣｒＰｔＢ系では、Ｃｏ１０〜２４Ｃｒ８〜２２Ｐｔ０〜１６Ｂ｛Ｃｒ含有量１０〜２４ａｔ％、Ｐｔ含有量８〜２２ａｔ％、Ｂ含有量０〜１６ａｔ％、残部Ｃｏ｝が好ましい。磁性層４ｃに使用されるその他の材料としては、ＣｏＣｒＰｔＴａ系では、Ｃｏ１０〜２４Ｃｒ８〜２２Ｐｔ１〜５Ｔａ｛Ｃｒ含有量１０〜２４ａｔ％、Ｐｔ含有量８〜２２ａｔ％、Ｔａ含有量１〜５ａｔ％、残部Ｃｏ｝、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ系では、Ｃｏ１０〜２４Ｃｒ８〜２２Ｐｔ１〜５Ｔａ１〜１０Ｂ｛Ｃｒ含有量１０〜２４ａｔ％、Ｐｔ含有量８〜２２ａｔ％、Ｔａ含有量１〜５ａｔ％、Ｂ含有量１〜１０ａｔ％、残部Ｃｏ｝の他、ＣｏＣｒＰｔＢＮｄ系、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｄ系、ＣｏＣｒＰｔＮｂ系、ＣｏＣｒＰｔＢＷ系、ＣｏＣｒＰｔＭｏ系、ＣｏＣｒＰｔＣｕＲｕ系、ＣｏＣｒＰｔＲｅ系などの材料を挙げることができる。

非磁性層７ａ、７ｂとしては、例えば、Ｒｕ又はＲｕ合金からなるものが挙げられる。特に、非磁性層７ａ、７ｂの層厚を０．６ｎｍ以上１．２ｎｍ以下の範囲とすることで、磁性層４ａ，４ｂ，４ｃをＡＦＣ結合（反強磁性交換結合）させることができる。また、本発明においては、各磁性層４ａ，４ｂ，４ｃをＦＣ結合（強磁性交換結合）で静磁結合させても良い。

また、本実施形態における垂直磁性層４が、熱アシスト媒体の垂直磁性層である場合、垂直磁性層として、Ｌ１_０型結晶構造を有する合金を主成分とするものを用いることが好ましい。Ｌ１_０型結晶構造を有する合金としては、Ｌ１_０型結晶構造を有するＦｅＰｔ合金を主成分として含むものであって、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯの中から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の酸化物を含むグラニュラー構造を有する合金を用いることが好ましい。また、Ｌ１_０型結晶構造を有するＦｅＰｔ合金には、規則化温度の低減および／またはキュリー温度の低減を目的として、更に、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉの中から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の元素が含まれていてもよい。

また、熱アシスト媒体の垂直磁性層は、ＨＣＰ構造のＣｏＰｔ合金を主成分として含み、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯの中から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の酸化物を含むグラニュラー構造の合金からなるものであってもよい。
また、熱アシスト媒体の垂直磁性層としては、結晶磁気異方性の高いＬ１_０型結晶構造を有する合金であるＣｏＰｔ合金や、ＳｍＣｏ合金、ＮｄＦｅＢ合金、ＴｂＦｅＣｏ合金等の希土類合金を主成分とするものを用いてもよい。
また、熱アシスト媒体の垂直磁性層として、Ｃｏ膜とＰｄ膜とからなる多層膜や、Ｃｏ膜とＰｔ膜とからなる多層膜を用いてもよい。

「保護層」
図１に示すように、垂直磁性層４上には保護層５が形成されている。保護層５は、垂直磁性層４の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが磁気記録媒体５０に接触したときの媒体表面の損傷を防ぐためのものである。保護層５としては、従来公知の材料を使用することができ、例えばＣ、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２を含むものを使用することが可能である。保護層５の厚みは、１〜１０ｎｍとすることが、磁気ヘッドと磁気記録媒体５０との距離を小さくでき、高記録密度の点から好ましい。

「潤滑層」
保護層５上には潤滑層６が形成されている。潤滑層６としては、例えば、パーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などの潤滑剤を用いることが好ましい。

（磁気記録媒体の製造方法）
次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法について、図１に示す磁気記録媒体５０の製造方法を例に挙げて説明する。
図１に示す磁気記録媒体５０を製造するには、まず、非磁性基板１の上に、スパッタリング法などを用いて密着層を形成し、密着層の上にスパッタリング法などにより軟磁性下地層２を形成する。その後、軟磁性下地層２の上に配向制御層９を形成（配向制御層形成工程）し、配向制御層９上に垂直磁性層４を成膜（垂直磁性層形成工程）し、垂直磁性層４の上に保護層５と潤滑層６とを順に形成する。

本実施形態の配向制御層形成工程においては、スパッタリング法などによりＲｕ含有層３を形成する工程を行う。Ｒｕ含有層３を形成する工程においては、第１Ｒｕ含有層３ａを形成する第１Ｒｕ含有層形成工程と、第１Ｒｕ含有層形成工程後に第２Ｒｕ含有層３ｂを形成する第２Ｒｕ含有層形成工程とを行う。

第１Ｒｕ含有層形成工程においては、スパッタリングガス圧０．５Ｐａ〜５Ｐａの範囲内でスパッタリング法により、第１Ｒｕ含有層３ａを形成することが好ましい。第１Ｒｕ含有層３ａを形成する際のスパッタリングガス圧を上記範囲とすることで、容易に配向制御層９を構成する柱状結晶の核となる結晶を含む第１Ｒｕ含有層３ａが形成される。第１Ｒｕ含有層３ａを形成する際のスパッタリングガス圧が上記範囲未満であると、形成された第１Ｒｕ含有層３ａの配向性が低下して、垂直磁性層４を構成する磁性粒子を微細化する効果が不十分となる場合がある。また、第１Ｒｕ含有層３ａを形成する際のスパッタリングガス圧が上記範囲を超えると、形成された第１Ｒｕ含有層３ａの結晶性が低下して、第１Ｒｕ含有層３ａの硬度が低くなり、磁気記録媒体５０の信頼性が低下する恐れがある。

第２Ｒｕ含有層形成工程においては、スパッタリング法により、スパッタリングガス圧を、第１Ｒｕ含有層３ａを形成する際のスパッタリングガス圧以上の高い圧力であって、かつ５Ｐａ〜１８Ｐａの範囲内として第２Ｒｕ含有層３ｂを形成することが好ましい。第２Ｒｕ含有層３ｂを形成する際のスパッタリングガス圧を上記範囲とすることで、容易に第１Ｒｕ含有層３ａに含まれる柱状結晶Ｓ１の核となる結晶に厚み方向に連続し、頂部にドーム状の凸部Ｓ２ａが形成された柱状結晶Ｓ２を含む第２Ｒｕ含有層３ｂが得られる。

第２Ｒｕ含有層３ｂを形成する際のスパッタリングガス圧が上記範囲未満であると、配向制御層９の上に成長される垂直磁性層４の結晶粒子を分離して、垂直磁性層４の磁性粒子を微細化する効果が十分に得られなくなり、良好なＳ／Ｎ比および熱揺らぎ特性が得られにくくなる。また、第２Ｒｕ含有層３ｂのスパッタリングガス圧が上記範囲を超えると、第２Ｒｕ含有層３ｂの硬度が不十分となる場合がある。

次いで、配向制御層９のＲｕ含有層３上に、スパッタリング法などにより、融点が１５００℃以上であって共有結合またはイオン結合された材料からなる拡散防止層８を形成する工程を行う。このことにより、図１に示す配向制御層９が形成される。
なお、Ｒｕ含有層３が、第１Ｒｕ含有層３ａと第２Ｒｕ含有層３ｂとを含むものであり、第１Ｒｕ含有層３ａと第２Ｒｕ含有層３ｂとの間に中間拡散防止層が設けられている場合、第１Ｒｕ含有層３ａを形成する工程と第２Ｒｕ含有層３ｂを形成する工程との間に、拡散防止層を形成する工程と同様にして第１Ｒｕ含有層３ａ上に中間拡散防止層を形成する。
また、配向制御層９の非磁性基板１側に第２拡散防止層が設けられている場合、Ｒｕ含有層３を形成する工程を行う前に、拡散防止層を形成する工程と同様にして、軟磁性下地層２の形成された非磁性基板１上に第２拡散防止層を形成する。

次に、配向制御層９上に、スパッタリング法などにより垂直磁性層４を成膜する（垂直磁性層形成工程）。本実施形態の垂直磁性層形成工程においては、拡散防止層８を介してＲｕ含有層３の結晶粒子の結晶構造を引き継いで、Ｒｕ含有層３の結晶粒子とともに厚み方向に連続した柱状結晶を含む垂直磁性層４を形成する。また、本実施形態の垂直磁性層形成工程は、垂直磁性層４の成膜開始直前、成膜中のいずれか一方または両方の時点で非磁性基板１を３００〜７００℃に加熱する加熱工程を含んでいる。

加熱工程における非磁性基板１が３００℃〜７００℃の範囲内である場合、加熱工程を行うことによる垂直磁性層４の改良効果が十分に得られる。加熱工程における非磁性基板１の温度が上記範囲未満である場合、垂直磁性層４の改良効果が十分に得られない。また、加熱工程における非磁性基板１の温度が上記範囲を超えると、拡散防止層８によるＲｕ含有層３の結晶粒子構造を維持する効果が不足して、垂直磁性層４の垂直配向性を確保しにくくなる。

加熱工程は、例えば、垂直磁性層４の成膜開始直前のみ行ってもよいし、垂直磁性層４の成膜開始直前から成膜終了まで連続して行ってもよいし、垂直磁性層４の成膜中のみ行ってもよい。また、加熱工程における非磁性基板１の温度は一定であってもよいし、変化させてもよく、加熱工程を行うことの目的に応じて適宜決定できる。
なお、本実施形態においては、加熱工程を垂直磁性層４の成膜後に行った場合にも、拡散防止層８によるＲｕ含有層３の結晶粒子構造を維持する効果が得られる。しかし、垂直磁性層４の成膜後に上記の温度範囲の加熱工程を行うと、垂直磁性層４の結晶粒子が粗大化する恐れがある。したがって、緻密な垂直磁性層４を得るために、垂直磁性層４の成膜後に加熱工程を行わないことが好ましい。

本実施形態においては、配向制御層９が、Ｒｕ含有層３の垂直磁性層４側に、融点が１５００℃以上であって共有結合またはイオン結合された材料からなる拡散防止層８を備えているものであるため、上記温度範囲の加熱工程を行っても、Ｒｕ含有層３の結晶粒子構造が良好に維持されて、配向制御層９による垂直磁性層４の垂直配向性の向上効果が得られる。その結果、図２に示すように、配向制御層９の表面の拡散防止層８からなるドーム形状を良好に維持でき、拡散防止層８のドーム状の凸部Ｓ８ａ上に、微細な柱状結晶を有し、良好な垂直配向性を有する垂直磁性層４が形成される。

このように、本実施形態では、拡散防止層８によるＲｕ含有層３の結晶粒子構造を維持する効果によって垂直磁性層４の垂直配向性を確保しつつ、垂直磁性層４を改良できる。したがって、本実施形態では、垂直磁性層の材料として従来は使用できなかった材料であっても、Ｒｕ含有層３の垂直磁性層４側に拡散防止層８を設けて加熱工程を行うことにより、垂直磁性層４として十分な品質を確保できる材料である場合には使用可能となる。よって、本実施形態の磁気記録媒体５０では、従来の磁気記録媒体５０と比較して、垂直磁性層４に使用可能な材料の選択の幅を広げることができる。

本実施形態において形成される垂直磁性層４は、例えば、図１に示すように、ｃ軸配向した多層膜からなる磁性層であってもよいし、熱アシスト媒体の垂直磁性層として形成されたＬ１_０型結晶構造を有する合金を主成分とする磁性層であってもよい。
本実施形態の垂直磁性層形成工程において成膜される垂直磁性層４が、ｃ軸配向した多層膜からなるものである場合、加熱工程を行うことによって結晶粒子の結晶性が高い垂直磁性層４が得られる。
特に、加熱工程において、垂直磁性層４の成膜開始直前の非磁性基板１を加熱した場合、非磁性基板１が所定の温度に加熱された状態で成膜が開始されるので、成膜開始直後に形成された垂直磁性層４の結晶の乱れが抑制され、より結晶粒子の結晶性が高い垂直磁性層４が得られ、好ましい。

垂直磁性層４が、ｃ軸配向した多層膜からなるものである場合、加熱工程における非磁性基板１の温度は、合金組成にも依存するが、３００〜４００℃であることが好ましい。加熱工程における非磁性基板１の温度が３００〜４００℃の範囲内である場合、垂直磁性層４の垂直配向性を確保しつつ垂直磁性層４の結晶粒子の結晶性をより一層改善できる。
また、垂直磁性層４が、ｃ軸配向した多層膜からなるものである場合、加熱工程における加熱時間は、垂直磁性層４の厚み等に応じて適宜決定でき、特に限定されないが、１秒〜６０秒の範囲であることが好ましい。この場合、垂直磁性層４の垂直配向性を確保しつつ、より一層効果的に垂直磁性層４の改良効果が得られる。

また、垂直磁性層４が、熱アシスト媒体の垂直磁性層として形成されたＬ１_０型結晶構造を有する合金を主成分とする磁性層である場合、加熱工程を行うことによって、垂直磁性層４を構成する合金を規則化させてＬ１_０型結晶構造とすることが好ましい。この場合、加熱工程における非磁性基板１の温度は、垂直磁性層４を構成する合金の規則化温度（不規則相（ｆｃｃ）から規則相（ｆｃｔ）への相変態温度）以上とされる。

加熱工程において垂直磁性層４を構成する合金を規則化させる場合、加熱工程は、垂直磁性層４を構成する合金を規則化できればよく、例えば、垂直磁性層４の成膜開始直前から成膜終了まで連続して行ってもよいし、垂直磁性層４の成膜開始直前から行って成膜開始直後に終了してもよいし、垂直磁性層４の成膜開始直前のみ行ってもよいし、垂直磁性層４の成膜中のみ行ってもよい。なお、垂直磁性層４の成膜中に垂直磁性層４を構成する合金を規則化させる加熱工程を行う場合には、成膜開始から終了まで連続して行ってもよいし、成膜中の一時期のみ行ってもよい。
加熱工程において垂直磁性層４を構成する合金を規則化させる場合においても、垂直磁性層４の成膜開始直前の非磁性基板１を加熱した場合、非磁性基板１が所定の温度に加熱された状態で成膜が開始されるので、成膜開始直後に形成された垂直磁性層４の結晶の乱れが抑制され、より結晶粒子の結晶性が高い垂直磁性層４が得られ、好ましい。

加熱工程を行うことによって垂直磁性層４を構成する合金を規則化させる場合、加熱工程における非磁性基板１の温度は、合金の種類に応じて適宜決定される。例えば、垂直磁性層４を構成する合金がＦｅＰｔである場合、加熱工程における非磁性基板１の温度を３００〜７００℃の範囲内とすることで、垂直磁性層４の垂直配向性を良好に確保しつつ、垂直磁性層４を構成する合金を確実に規則化させることができ、垂直磁性層４の結晶粒子の結晶性をより一層改善できる。

続いて、垂直磁性層４の上に、ＣＶＤ（化学気相成長）法などを用いて保護層５を形成する。
次いで、保護層５上にディッピング法などを用いて潤滑剤を塗布することにより、潤滑層６を形成する。
以上の工程により、図１に示す磁気記録媒体５０が得られる。

（磁気記録再生装置）
次に、本発明の磁気記録再生装置について説明する。
図３は、本発明の磁気記録再生装置の一例を示した斜視図である。図３に示す磁気記録再生装置は、図１に示す磁気記録媒体５０と、磁気記録媒体５０を回転駆動させる媒体駆動部５１と、磁気記録媒体５０に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッド５２と、この磁気ヘッド５２を磁気記録媒体５０に対して相対運動させるヘッド駆動部５３と、記録再生信号処理系５４とを備えている。

記録再生信号処理系５４は、外部から入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド５２に送り、磁気ヘッド５２からの再生信号を処理してデータを外部に送ることが可能なものである。
磁気ヘッド５２としては、図１に示す磁気記録媒体５０が、垂直磁性層４としてｃ軸配向した多層膜からなる磁性層が設けられているものである場合には、例えば、再生素子として巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用したＧＭＲ素子などを有する高記録密度に適した磁気ヘッドを用いることが好ましい。また、磁気ヘッド５２として、垂直記録用の単磁極ヘッドを用いてもよい。

図３に示す磁気記録再生装置は、図１に示す磁気記録媒体５０と、磁気記録媒体５０に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッド５２とを備えるものであるので、高密度記録に適した磁気記録媒体５０を備えたものとなる。

次に、本発明の磁気記録再生装置の他の例について説明する。
本発明の磁気記録再生装置は、磁気記録媒体として熱アシスト媒体を備えるものであってもよい。磁気記録媒体５０が、熱アシスト媒体の垂直磁性層４を備える熱アシスト媒体である場合、図３に示す磁気記録再生装置において、磁気ヘッドとして、例えば、図４に示す磁気ヘッド３０を用いることができる。図４は、本発明の磁気記録再生装置の他の例を説明するための図であり、磁気記録再生装置に備えられた磁気ヘッドの構成を模式的に示した断面図である。

図４に示す磁気ヘッド３０は、記録ヘッド４０８と再生ヘッド４１１とから概略構成されている。記録ヘッド４０８は、主磁極４０１と、補助磁極４０２と、磁界を発生させるためのコイル４０３と、レーザーダイオード（ＬＤ）４０４と、ＬＤ４０４から発生したレーザー光４０５を先端部に設けられた近接場発生素子４０６へと導く導波路４０７とを備えている。再生ヘッド４１１は、一対のシールド４０９で挟み込まれたＴＭＲ素子等の再生素子４１０を備えている。

そして、図４に示す磁気ヘッド３０を備えた磁気記録再生装置では、図４に示す磁気ヘッド３０の近接場発生素子４０６から発生した近接場光を磁気記録媒体５０に照射し、その表面を局所的に加熱して、磁気記録媒体５０の垂直磁性層４の保磁力を一時的にヘッド磁界以下まで低下させて書き込みを行う。

このような磁気記録再生装置は、磁気ヘッドとして図４に示す磁気ヘッド３０を備え、磁気記録媒体として熱アシスト媒体である図１に示す磁気記録媒体５０を備えているので、高密度記録に適したものとなる。

「実験１〜実験３」
非磁性ガラス基板の上に、Ａｒガスを用いたスパッタリング法で、５ｎｍのＴａ薄膜（スパッタガス圧０．６Ｐａ）と、６ｎｍのＰｔ薄膜（スパッタガス圧０．６Ｐａ）と、１０ｎｍのＲｕ薄膜（柱状晶）（スパッタガス圧０．６Ｐａ）と、１０ｎｍのＲｕ薄膜（柱状晶）（スパッタガス圧８Ｐａ）とを順に形成し、実験１の積層薄膜基板を得た。
また、実験１の積層薄膜基板を６６０℃で１０秒間加熱し、実験２の積層薄膜基板を得た。

このようにして得られた実験１および実験２の積層薄膜基板の表面（Ｒｕ薄膜）を、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて観察した。その結果を図６に示す。
図５は、実験１の積層薄膜基板の表面（Ｒｕ薄膜）を、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて観察した写真であり、図６は、実験２の積層薄膜基板の表面（Ｒｕ薄膜）を、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて観察した写真である。

図５および図６に示すように、実験１および実験２の積層薄膜基板のＲｕ薄膜は、頂部にドーム状の凸部が形成された柱状結晶を含むものであった。
また、図５に示す加熱前の実験１の積層薄膜基板と比較して、図６に示す加熱後の実験２の積層薄膜基板では、Ｒｕからなる結晶粒子が粗大化されていることが分かる。

また、実験１の積層薄膜基板の表面に、スパッタリング法で、拡散防止層である０．５ｎｍのＡｌＮ薄膜を形成してから、６６０℃で１０秒間加熱し、実験３の積層薄膜基板を得た。得られた実験３の積層薄膜基板の表面（ＡｌＮ薄膜）を、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて観察した。その結果を図７に示す。
図７は、実験３の積層薄膜基板の表面（ＡｌＮ薄膜）を、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて観察した写真である。

図７に示すように、実験３の積層薄膜基板のＲｕ薄膜は、頂部にドーム状の凸部が形成された柱状結晶を含むものであった。
また、図７に示すＲｕ薄膜上にＡｌＮ薄膜を形成した後に加熱した実験３の積層薄膜基板では、図５に示す実験１の積層薄膜基板と比較して、表面の結晶粒子が粗大化されているものの、図６に示す実験２の積層薄膜基板と比較して、粗大化が僅かとなっていることが分かる。

図５、図６、図７より、Ｒｕ薄膜上にＡｌＮ薄膜を形成することで、表面の結晶粒子の粗大化が抑制されることが確認できた。これは、ＡｌＮ薄膜が、熱に対するＲｕ薄膜のバリア層として作用してＲｕ原子の熱による拡散が防止されたことにより、Ｒｕからなる結晶粒子の粗大化が防止され、Ｒｕ薄膜の頂部にドーム状の凸部が形成された柱状結晶の形状が維持された結果であると推定される。

「実験４〜実験７」
非磁性ガラス基板の上に、Ａｒガスを用いたスパッタリング法で、５ｎｍのＴａ薄膜（スパッタガス圧０．６Ｐａ）と、６ｎｍのＰｔ薄膜（スパッタガス圧０．６Ｐａ）と、０．５ｎｍのＡｌＮ薄膜（１）と、１０ｎｍのＲｕ薄膜（柱状晶）（スパッタガス圧０．６Ｐａ）と、０．５ｎｍのＡｌＮ薄膜（２）と、１０ｎｍのＲｕ薄膜（柱状晶）（スパッタガス圧８Ｐａ）と、０．５ｎｍのＡｌＮ薄膜（３）とを順に形成し、実験４の積層薄膜基板を得た。

その後、実験４の積層構造体の表面（ＡｌＮ薄膜）の結晶粒子の平均結晶粒径を測定した。また、実験４の積層構造体を２００℃、３００℃、６６０℃の温度で１０秒間加熱した後の表面の結晶粒子の平均結晶粒径を測定した。なお、結晶粒子の平均結晶粒径は、ＡＦＭを用いて測定した。その結果を図８に示す。

また、実験４のＡｌＮ薄膜（１）（２）（３）のうち、ＡｌＮ薄膜（１）（３）のみを設けたこと以外は実験４と同様にして、非磁性ガラス基板の上に各薄膜を形成し、実験５の積層薄膜基板を得た。
また、実験４のＡｌＮ薄膜（１）（２）（３）のうち、ＡｌＮ薄膜（３）のみを設けたこと以外は実験４と同様にして、非磁性ガラス基板の上に各薄膜を形成し、実験６の積層薄膜基板を得た。
また、実験４のＡｌＮ薄膜（１）（２）（３）を設けないこと以外は実験４と同様にして、非磁性ガラス基板の上に各薄膜を形成し、実験７の積層薄膜基板を得た。

実験５〜実験７の積層薄膜基板について、実験４の積層構造体と同様にして表面（実験５および実験６ではＡｌＮ薄膜、実験７ではＲｕ薄膜）の結晶粒子の平均結晶粒径を測定した。また、実験５〜実験７の積層構造体について、それぞれ２００℃、３００℃、６６０℃の温度で１０秒間加熱した後の表面の結晶粒子の平均結晶粒径を、実験４の積層構造体と同様にして測定した。その結果を図８に示す。

図８は、実験４〜実験７の積層構造体の表面の結晶粒子の平均結晶粒径と、加熱温度との関係を示したグラフである。
図８に示すように、ＡｌＮ薄膜を設けなかった実験７の積層構造体は、３００℃以上の温度で加熱することにより積層構造体の表面の結晶粒子が大きく粗大化している。

これに対し、図８に示すように、上側のＲｕ薄膜の上にのみＡｌＮ薄膜を設けた実験６では、実験７と比較して、加熱による積層構造体の表面の結晶粒子の粗大化が抑制されている。
また、上側のＲｕ薄膜の上と、下側のＲｕ薄膜の非磁性基板側に、ＡｌＮ薄膜を設けた実験５では、実験６と比較して、加熱による積層構造体の表面の結晶粒子の粗大化がさらに抑制されている。
また、上側のＲｕ薄膜の上と、上側のＲｕ薄膜と下側のＲｕ薄膜との間と、下側のＲｕ薄膜の非磁性基板１側にそれぞれ、ＡｌＮ薄膜を設けた実験４では、実験５と比較して、加熱による積層構造体の表面の結晶粒子の粗大化がさらに抑制されている。

このように、加熱による積層構造体の表面の結晶粒子の粗大化を抑制する効果は、実験６、実験５、実験４の順に高くなっており、ＡｌＮ薄膜の数が多いほど効果的であることが明らかとなった。

「実験８〜実験１２」
実験５のＡｌＮ薄膜（１）（３）を、ＭｇＯ薄膜（１）（３）に代えたこと以外は実験５と同様にして、非磁性ガラス基板の上に各薄膜を形成し、実験８の積層薄膜基板を得た。
実験５のＡｌＮ薄膜（１）（３）を、ＳｉＯ_２薄膜（１）（３）に代えたこと以外は実験５と同様にして、非磁性ガラス基板の上に各薄膜を形成し、実験９の積層薄膜基板を得た。

実験５のＡｌＮ薄膜（１）（３）を、Ｔａ_２Ｏ_５薄膜（１）（３）に代えたこと以外は実験５と同様にして、非磁性ガラス基板の上に各薄膜を形成し、実験１０の積層薄膜基板を得た。
実験５のＡｌＮ薄膜（１）（３）を、Ｃｒ_２Ｏ_３薄膜（１）（３）に代えたこと以外は実験５と同様にして、非磁性ガラス基板の上に各薄膜を形成し、実験１１の積層薄膜基板を得た。
実験５のＡｌＮ薄膜（１）（３）を、Ｚｒ_２Ｏ_３薄膜（１）（３）に代えたこと以外は実験５と同様にして、非磁性ガラス基板の上に各薄膜を形成し、実験１２の積層薄膜基板を得た。

実験８〜実験１２の積層薄膜基板について、実験４の積層構造体と同様にして表面（実験８ではＭｇＯ薄膜、実験９ではＳｉＯ_２薄膜、実験１０ではＴａ_２Ｏ_５薄膜、実験１１ではＣｒ_２Ｏ_３薄膜、実験１２ではＺｒ_２Ｏ_３薄膜）の結晶粒子の平均結晶粒径を測定した。また、実験８〜実験１２の積層構造体について、それぞれ２００℃、３００℃、６６０℃の温度で１０秒間加熱した後の表面の結晶粒子の平均結晶粒径を、実験４の積層構造体と同様にして測定した。その結果を図９に示す。

図９は、実験８〜実験１２の積層構造体の表面の結晶粒子の平均結晶粒径と、加熱温度との関係を示したグラフである。
図９に示すように、ＭｇＯ薄膜を設けた実験８、ＳｉＯ_２薄膜を設けた実験９、Ｔａ_２Ｏ_５薄膜を設けた実験１０、Ｃｒ_２Ｏ_３薄膜を設けた実験１１、Ｚｒ_２Ｏ_３薄膜を設けた実験１２では、いずれもＡｌＮ薄膜を設けなかった図８に示す実験７と比較して、加熱による積層構造体の表面の結晶粒子の粗大化が抑制されている。

また、ＭｇＯ薄膜を設けた実験８およびＳｉＯ_２薄膜を設けた実験９では、実験１０〜実験１２と比較して、加熱による積層構造体の表面の結晶粒子の粗大化がさらに抑制されている。

図８および図９に示すように、加熱による積層構造体の表面の結晶粒子の粗大化を抑制する効果は、実験９、実験８、実験５の順に高くなっており、拡散防止層の材料として、ＡｌＮ、ＭｇＯ、ＳｉＯ_２を用いることが好ましく、ＡｌＮであることが最も好ましいことが明らかとなった。また、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ｚｒ_２Ｏ_３については、図９から６００℃以下の温度の加熱に対して効果が見られた。

（実施例）
以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。

以下に示す方法により、磁気記録媒体を製造した。
まず、洗浄済みのガラス基板（コニカミノルタ社製、外形２．５インチ）を、ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ−３０４０）の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度１×１０^−５Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気した。
その後、ガラス基板の上に、Ｃｒターゲットを用いて層厚１０ｎｍの密着層を成膜した。

次に、密着層の上に、Ｃｏ−２０Ｆｅ−５Ｚｒ−５Ｔａ｛Ｆｅ含有量２０ａｔ％、Ｚｒ含有量５ａｔ％、Ｔａ含有量５ａｔ％、残部Ｃｏ｝からなるターゲットを用いて１００℃以下の基板温度で、層厚２５ｎｍの軟磁性層を形成し、その上に厚み０．７ｎｍのＲｕ膜を形成し、Ｒｕ膜の上に上記の軟磁性層と同様にして、Ｃｏ−２０Ｆｅ−５Ｚｒ−５Ｔａからなる層厚２５ｎｍの軟磁性層を形成し、２層の軟磁性層の間にＲｕ膜が設けられた軟磁性下地層を形成した。

次に、軟磁性下地層の上に配向制御層を形成した（配向制御層形成工程）。すなわち、アルゴンガスを用いたスパッタリング法により、０．５ｎｍのＡｌＮ薄膜（第２拡散防止層）（ガス圧０．６Ｐａ）を形成し、その上に、０．６Ｐａで１０ｎｍのＲｕ薄膜（第１Ｒｕ含有層）を形成し、その上に、０．５ｎｍのＡｌＮ薄膜（中間拡散防止層）を形成し、その上に、８Ｐａで１０ｎｍのＲｕ薄膜（第２Ｒｕ含有層）を形成し、その上に、０．６Ｐａで１０ｎｍのＭｇＯ層（拡散防止層）を形成した。

その後、スパッタリング法により、９０ｍｏｌ％（Ｆｅ−４０ａｔ％、Ｐｔ−８ａｔ％Ｎｉ）−１０ｍｏｌ％（ＴｉＯ_２）からなるものであって、Ｌ１_０型結晶構造を有する合金を主成分とし、酸化物を含むグラニュラー構造を有する厚み８ｎｍの熱アシスト媒体の垂直磁性層を成膜した（垂直磁性層形成工程）。なお、垂直磁性層を成膜する際には、垂直磁性層の成膜開始前の非磁性基板の温度を、垂直磁性層４を構成する合金の規則化温度以上の温度である３８０℃に加熱し、３８０℃に達してから１０秒間３８０℃に保持（加熱工程）し、非磁性基板の温度を３８０℃に保持している間に、垂直磁性層４の成膜を開始した。

次に、ＣＶＤ法によりＣからなる層厚３．０ｎｍの保護層を成膜し、次いで、ディッピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑剤を塗布することにより潤滑層を成膜した。以上の工程により、磁気記録媒体を作製した。

次に、このようにして得られた熱アシスト媒体である磁気記録媒体を、図４に示す磁気ヘッドを備えた図３に示す磁気記録再生装置の磁気記録媒体として用い、磁気ヘッドを用いて、線記録密度１２００ｋＦＣＩの記録パターンを書き込んだ。
その後、この磁気記録媒体の記録パターンを観察したところ、明瞭な記録パターンが確認された。

１…非磁性基板、２…軟磁性下地層、３…Ｒｕ含有層、３ａ…第１Ｒｕ含有層、３ｂ…第２Ｒｕ含有層、４…垂直磁性層、５…保護層、６…潤滑層、８…拡散防止層、９…配向制御層、３０、５２…磁気ヘッド、５０…磁気記録媒体、５１…媒体駆動部、５３…ヘッド駆動部、５４…記録再生信号処理系。

Claims (11)

1. 非磁性基板の上に、直上層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が前記非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層とが少なくとも積層された磁気記録媒体であって、
   前記配向制御層は、ＲｕまたはＲｕ合金を含むＲｕ含有層と、前記Ｒｕ含有層の前記垂直磁性層側に設けられ、融点が１５００℃以上であって共有結合またはイオン結合された材料からなり、前記Ｒｕ含有層のＲｕ原子の熱による拡散を防止する拡散防止層とを備えるものであり、
   前記垂直磁性層は、前記拡散防止層を介して前記Ｒｕ含有層の結晶粒子の結晶構造を引き継いで、前記結晶粒子とともに厚み方向に連続した柱状結晶を含むものであり、
   前記Ｒｕ含有層の前記非磁性基板側に、融点が１５００℃以上であって共有結合またはイオン結合された材料からなり、前記Ｒｕ含有層のＲｕ原子の熱による拡散を防止する第２拡散防止層が設けられていることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 前記Ｒｕ含有層は、第１Ｒｕ含有層と、前記第１Ｒｕ含有層の前記垂直磁性層側に配置された第２Ｒｕ含有層とを含み、
   前記第１Ｒｕ含有層が、柱状結晶の核となる結晶を含むものであり、
   前記第２Ｒｕ含有層が、前記核となる結晶に厚み方向に連続し、頂部にドーム状の凸部が形成された柱状結晶を含むものであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 前記第１Ｒｕ含有層と前記第２Ｒｕ含有層との間に、融点が１５００℃以上であって共有結合またはイオン結合された材料からなり、前記Ｒｕ含有層のＲｕ原子の熱による拡散を防止する中間拡散防止層が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体。
4. 前記拡散防止層が、ＡｌＮ、ＳｉＯ_２、ＭｇＯ、Ｔａ_２Ｏ_５，Ｃｒ_２Ｏ_３，ＺｒＯ_２からなる群から選ばれる何れか１つを含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気記録媒体。
5. 前記第２拡散防止層の前記非磁性基板側に軟磁性下地層が設けられていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
6. 前記垂直磁性層が、Ｌ１_０型結晶構造を有する合金を主成分とするものであることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
7. 非磁性基板の上に、直上層の配向性を制御する配向制御層を形成する配向制御層形成工程と、前記配向制御層上に磁化容易軸が前記非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層を成膜する垂直磁性層形成工程とを含み、
   前記配向制御層形成工程が、ＲｕまたはＲｕ合金を含むＲｕ含有層を形成する工程と、前記Ｒｕ含有層の上に、融点が１５００℃以上であって共有結合またはイオン結合された材料からなり、前記Ｒｕ含有層のＲｕ原子の熱による拡散を防止する拡散防止層を形成する工程とを含み、
   前記垂直磁性層形成工程が、前記拡散防止層を介して前記Ｒｕ含有層の結晶粒子の結晶構造を引き継いで、前記結晶粒子とともに厚み方向に連続した柱状結晶を含む前記垂直磁性層を形成する工程であって、前記垂直磁性層の成膜開始直前、成膜中のいずれか一方または両方の時点で前記非磁性基板を３００〜７００℃に加熱する加熱工程を含み、
   前記Ｒｕ含有層を形成する工程を行う前に、前記非磁性基板の上に、融点が１５００℃以上であって共有結合またはイオン結合された材料からなり、前記Ｒｕ含有層のＲｕ原子の熱による拡散を防止する第２拡散防止層を形成する工程を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
8. 前記拡散防止層を形成する工程において、ＡｌＮ、ＳｉＯ_２、ＭｇＯ、Ｔａ_２Ｏ_５，Ｃｒ_２Ｏ_３，ＺｒＯ_２からなる群から選ばれる何れか１つを含む前記拡散防止層を形成することを特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体の製造方法。
9. 前記配向制御層形成工程および前記第２拡散防止層形成工程の前に、前記非磁性基板の上に軟磁性下地層を形成する工程を行うことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の磁気記録媒体の製造方法。
10. 請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の磁気記録媒体と、
    前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、
    前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、
    前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドからの出力信号の再生とを行う記録再生信号処理系とを備える磁気記録再生装置。
11. 前記磁気ヘッドが、前記磁気記録媒体を加熱するレーザー発生部と前記レーザー発生部から発生したレーザー光を先端部へと導く導波路と前記先端部に設けられた近接場発生素子とを有していることを特徴とする請求項１０に記載の磁気記録再生装置。