JP6116488B2 - 塊状端子を備える半導体パッケージ - Google Patents
塊状端子を備える半導体パッケージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6116488B2 JP6116488B2 JP2013555572A JP2013555572A JP6116488B2 JP 6116488 B2 JP6116488 B2 JP 6116488B2 JP 2013555572 A JP2013555572 A JP 2013555572A JP 2013555572 A JP2013555572 A JP 2013555572A JP 6116488 B2 JP6116488 B2 JP 6116488B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- layer
- pad
- bondable
- sintered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 43
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 114
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 113
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 94
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 54
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 39
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 39
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 25
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 24
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 18
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 13
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 10
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 9
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 claims description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims 1
- 238000009958 sewing Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 54
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000212941 Glehnia Species 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002991 molded plastic Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
- H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48639—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
- H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48738—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48739—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
- H01L2224/488—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48838—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48839—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
- H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
- H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/85439—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01327—Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Description
本願は、一般に半導体デバイス及びプロセスに関し、より具体的には、はんだ付け及びボンディングによって信頼できる接触を可能にする、半導体パッケージの塊状（agglomerate）端子を接触させるための構造及び製造方法に関する。
半導体デバイスは、半導体チップ内のトランジスタなどの構成要素間、及び半導体チップと印刷回路基板（ＰＣＢ）などの外部実装との間の伝達のために、主に金属を使用する。半導体チップ内で、金属線及び相互接続が、銅、アルミニウム、チタン、及びタングステンなどの、スパッタリング、蒸着、及びめっきがなされた金属フィルムを堆積することによって、並びに、フォトリソグラフィ、エッチング、及び化学機械研磨（ＣＭＰ）手法を用いることを含む、堆積された金属を所望の電気要素にパターニングすることによって、形成され得る。
半導体チップとＰＣＢとの間で、伝達は、一般にリードフレームリードと呼ばれる別の金属構造を通じて行われる。リードフレームは、その上に半導体チップが取り付けられるチップパッドにスタンプ又はエッチングされた銅、アルミニウム、及び鉄ニッケル合金などの金属シートから、所望のリード構成に形成される。銅又は金のワイヤが、チップ端子をリードフレームリードに電気的に接続する。
前述の金属構成要素は様々な金属要素でつくられ得るが、それらの共通の特徴は、様々なサイズ及びクリアな粒界によって分けられた配向の金属粒子によって特徴付けられる、それらの多結晶構造である。粒子状構造は、金属トレース、ライン、プラグ、リード、及びチップパッドにわたって延在する。粒子間にボイドは存在しない。
アセンブルされた半導体チップ及びボンドワイヤを環境障害及び処理障害から保護するために、通常、チップ及びボンドワイヤはリードフレームの一部と共にプラスチックパッケージ内に封入される。リードフレームリードの或る部分が、はんだ接合によってＰＣＢに接続されることになるプラスチックハウジングから露出される。はんだ材料は、通常、金属合金であり、印刷又は電解めっきによってＰＣＢのパッケージにつけられ得る。
はんだ印刷は、液体内に浮遊するはんだ粒子のペーストを作業表面上に塗布するために、ステンシル及びスクイージーを使用することを含む。続いて、はんだ粒子を液状に溶かすために、ペーストをはんだ粒子の融点より高い温度でリフローする。冷却すると、はんだは固体となり、半導体デバイスパッケージを物理的及び電気的にＰＣＢに接続する。はんだは、たとえ固体であっても、特に複数のリフロープロセス後は、多結晶形の金属間化合物と構成金属の均一混合物で構成される。はんだ本体は、適切な温度及び環境条件下で処理される場合、通常、ボイドをまったく含まないか又はほとんど含まない。
リードフレームを用いる半導体デバイスパッケージは、一般に、誘電基板を用いるパッケージに比べて費用効果が高い。それでも尚、リードフレームのコストはそのパッケージの材料総費用の大きな要因である。近年、比較的費用のかかるリードフレームをなくし、それをより費用効果が高い代用品で置き換える、半導体パッケージに関する製造プロセスが提案されている。
このプロセスは、短いリード状のストライプを形成するために、金属粒子及び液体のペーストをキャリアボード上に塗布するステップを含む。このステップに続き、金属粒子の融点温度より低い温度で、各ストライプ内に金属粒子を焼結する。粒子は、たとえその固体状態を維持していても、まとまって連続的な固体領域となり、従来のリードフレームに置き換えるために、及び金又は銅を用いるサーモソニックワイヤボンディングのプロセスのために適した金属構造を形成する。例として、２５０℃〜４００℃の温度での制御された雰囲気中で燃焼させて、高収率ワイヤボンディングに適した表面を作成するために、有機浮遊媒体中の銀粉が使用されてきた。燃焼の間、浮遊媒体材料は燃え尽きて灰を残さず、銀は高密度金属塊に焼結する。キャリアボードはステンレス鋼であってよく、これは、モールディング後容易に剥がされ、クリーン且つはんだ付けが可能な表面が残る。
従来のリードフレームの置換として焼結された金属端子を備える、モールディングされた半導体パッケージが、クアドフラットパック・ノーリード（ＱＦＮ）デバイス又はスモールアウトライン・ノーリード（ＳＯＮ）デバイスなどのリードレスデバイスとして用いられる場合、これらの端子は、パッケージ内部にワイヤをボンディングするため、及びパッケージ外部にはんだを取り付けるために、適していなければならない。出願人は、金属粉の焼結によって形成されるはんだ接合を金属構造に取り付けるための様々なプロセスを調査し、初期に多数の問題に遭遇した。金属構造が銀でつくられた場合、従来のはんだ又は鉛フリー合金のいずれかを含むはんだバンプは、バンプがしばしばモールディングされたプラスチックに接する程多くの銀を溶解させる傾向が強かった。この接触は機械的に失われ、強度及び信頼性の試験に不合格であった。金属構造が銅でつくられた場合、銅表面は、キャリアボードから剥がした後あまりに急速に酸化するため、はんだバンプが銅構造を適切に湿潤させられず、結果として生じるはんだ接合は脆弱であり信頼性がなかった。
出願人は、ボンディング可能及びはんだ付け可能な金属の焼結されたナノメートルサイズ粒子の最上層と最下層の間に挟まれた、ミクロンサイズ及びナノメートルサイズの金属粒子の焼結された塊状金属層を含む金属多層構造を見いだしたとき、従来のリードフレームを置換するための半導体パッケージ端子として用いられる焼結された金属構造上に信頼できるボンディング及びはんだコンタクトを形成する問題を解決した。塊状金属に好ましい選択肢は銅を含み、ボンディング可能及びはんだ付け可能な金属に好ましい選択肢は銀を含む。低コスト及び自己パターニングの金属堆積手法の好ましい選択肢は、インクジェット、スクリーン印刷、及びステンシル印刷を含む。
例示の実施形態において、約３０μｍ〜４０μｍの厚みの塊状層が銅のマイクロ粒子及びナノ粒子で焼結され、約１μｍ〜６μｍ厚みの最上層及び最下層が銀のナノ粒子で焼結される。銀の最上層は、アセンブルされた半導体チップに銅ワイヤを接続するために信頼できるボンディングを容易にし、銀の最下層は、塊状銅層に対する信頼できるはんだ接合を形成するために、最下層上に堆積されたはんだ被覆がリフローされるときに溶解される。
別の実施形態は、従来のリードフレームを置換し、プラスチック半導体パッケージの焼結端子を製造するための、高収率低コスト方法である。ステンレス鋼又はＡｌｌｏｙ４２でつくられた箔などの再使用可能なキャリアボードを選択した後、銀のナノ粒子を含むペーストのパッドの第１のセット及びパッドの第２のセットが箔上にインクジェットされる。この堆積に続き、ナノ粒子を約２５０℃〜４００℃の温度で、約１μｍ〜６μｍの厚みの固体銀層に焼結する。次のプロセスステップにおいて、マスクが、焼結された銀のナノ粒子のパッドと整合される。銀パッドの頂部で、銅のマイクロ粒子及びナノ粒子の混合物を含むペーストが、パッドの第１のセット及びパッドの第２のセット上にスクリーン印刷される。この堆積に続き、マイクロ粒子及びナノ粒子を約２５０〜４００℃の温度で、約３０μｍ〜４０μｍの厚みの塊状銅層に焼結する。パッドの第１のセットの塊状銅層の頂部で、銀のナノ粒子の第２の層がインクジェット及び焼結されて（層厚みは約１μｍ〜６μｍ）、パッケージとなるべき端子の多層スタックが完了する。
次に接着性ポリマーを用いて、半導体チップはパッドの第２のセットの塊状銅上に接続される。半導体チップは、銅ボンディングワイヤを用いて、パッドの第１のセットのそれぞれの第２の銀層に電気的に接続される。チップ、ワイヤボンド、及び金属層スタックはポリマー化合物内に封入され、ポリマー化合物は、重合されて、アセンブルされたチップの硬化されたボードを作成する。キャリア箔は（ピーリング、プッシング、又はツイスティングによって）アセンブル構造から分離され、再使用され得る。
露出された銀端子上にはんだ合金が被覆され、リフローされるとき、パッドの第１及び第２のセットの焼結層の銀は完全にはんだに溶かされ、銀のマイグレーションのいかなるリスクもなくなる。したがってはんだは、凝集銅層の完璧な湿潤を確立し、パッケージ端子に対する信頼できるはんだ接合を作成することができる。
最後に、硬化されたボードをソーイングして、外部ＰＣＢ上にはんだ付けする準備の整った、単体化された半導体デバイスパッケージを形成することができる。
図１は、本発明の例示の実施形態として全般的に１００で示す、パッケージされた半導体デバイスを図示する。プラスチックパッケージ１３０が、接着層１０２を用いて（高分子力によって）金属ストライプ１１０ａに取り付けられる半導体チップ１０１を収容する。ストライプ１１０ａの構造は塊状構造であるが、代替として、ストライプ１１０ａは主に粒子状構造を有していてもよい。チップ１０１は、端子（ボンドパッド）１０１ａを有し、ボンディング可能及びはんだ付け可能な金属ストライプ１２０に電気的に接続される。ストライプ１２０は好ましくは粒子状構造を有するが、代替として、ストライプ１２０は塊状構造を有していてもよい。
本明細書で用いられるように、ストライプは、周辺領域の材料とは異なる材料の細長い帯であり、その外形は線形又は不規則であってよく、その厚みは、その横寸法にわたってほぼ一定であってもよく、又は先細の部分を含んでよく、その特徴において、ストライプは層と同等である。
例示のデバイス１００のパッケージは、プラスチック化合物１３０によって形成される場合、このましくは平坦な表面を有する直方体の外形を有する。プラスチック化合物１３０によって形成されるパッケージの厚み１３１は、約０．５ｍｍから１．０ｍｍまでの範囲であってよい。デバイス端子を含む直方体の平坦な表面は、図１では１３２と示されている。例示の実施形態において、複数の第１の端子１５０が第２の端子１５１を囲む。第１の端子１５０の長さは好ましくは約０．１ｍｍから０．３ｍｍまでの範囲であり、第２の端子１５１の長さは好ましくは約０．５ｍｍから２．０ｍｍまでの範囲であるが、これらよりも長くても又は短くてもよい。第１の端子１５０は、第２の端子１５１からギャップ１５２によって間隔が空けられている。
本明細書で用いられるように、塊状構造は、焼結ステップによって達成された様々なサイズの粒子のクラスタ化された組成物を示す。ストライプ１１０ａは、好ましくは同じ金属のナノメートルサイズ粒子で焼結されたミクロンサイズの金属粒子の固体層である。塊状構造の焼結されたストライプの例示が、図２の断面図内に６２５倍の倍率で再現されている。例として、金属は、銅、銀、亜鉛、ニッケル、インジウム、カドミウム、コバルト、ロジウム、高温はんだ、及び金属充填接着剤を含むグループから選択され得、好ましい選択は銅である。ストライプ１１０ｂは、ストライプ１１０ａと同じステップで製造されるため（以下を参照のこと）、ストライプ１１０ａと同じ金属及び同じ塊状構造を含む。
更に本明細書で用いられるように、粒子状構造は、焼結ステップによって達成された小さい分離粒子の組成物を示す。ボンディング可能及びはんだ付け可能な金属ストライプ１２０は、焼結されたナノメートルサイズ粒子の固体層である。例として、ボンディング可能及びはんだ付け可能な金属は、銀、金、ニッケル、及びパラジウムを含むグループから選択され得、好ましい選択は銀である。
他の実施形態において、層１２０は、より厚くてよく、ナノメートルサイズの金属粒子を用いてミクロンサイズの金属粒子を焼結することによってつくられる塊状構造を有してよい。
図１は、粒子状構造のボンディング可能及びはんだ付け可能な金属ストライプ１２０が、塊状構造の１１０ｂで示す第１の金属ストライプに接し、そのため、金属ストライプ１２０が塊状の金属ストライプ１１０ｂの頂部にあり、ストライプ１２０及び１１０ｂが金属層の垂直スタックを形成するようになっていることを示す。したがって、第１の端子１５０は垂直の多層金属スタックを含む。
図１は、それぞれ、チップ１０１及び金属ストライプ１２０に、相対するストライプ表面でストライプ１１０ａ及び１１０ｂに溶接されるはんだの被覆１４０を示す。はんだ被覆の外部表面は、はんだをストライプ１１０ａ及び１１０ｂに溶接するためのリフロープロセス中の液体はんだ合金の表面張力によって決定されるような、凸状の輪郭を示す。はんだの開始金属合金に加えて、被覆１４０は、それらのマトリクス内にはんだ付け可能な金属を含む。はんだ合金の開始組成物が何であろうと、取り付けプロセスフローにおいて液相に入った後、はんだ合金は、塊状構造のストライプの基礎として当初堆積され及び焼結されたはんだ付け可能な金属ストライプを部分的又は完全に溶解させる。このプロセスによって、はんだ合金は、塊状構造のストライプに対する密接な溶接されたコンタクトを確実に形成する。
溶解されたはんだ付け可能な金属ストライプの残りとして、平坦な表面１３２は、元のはんだ付け可能な金属ストライプの寸法及び深さを有するインデントを示す。図１の各端子はインデントを有する。例として図１は、インデント長さとしての１４１で示し、インデント深さとして１４２で示す、第１の端子１５０のインデントを図示する（詳細は以下のプロセスの説明を参照）。
図１のデバイス１００は、ワイヤボンド１６０によって第１の端子に電気的に接続されるチップ１０１を有する。好ましいボンディングワイヤは銅又は銅合金でつくられるが、代替として、金又はアルミニウム、或いはそれらの合金でつくられてもよい。ボールボンディング技術が用いられる場合、ボールボンド１６１は好ましくはチップに接続され、第２の金属ストライプ１２０（例えば銀）へのスティッチボンド１６２は第１の端子１５０と接する（図２を参照のこと）。代替として、ウェッジボンディングが用いられ得る。別の代替相互接続方法は、ストライプ１２０に強力に接続される金属でつくられた金属バンプ又はスタッドを用いる、フリップチップボンディングを含み、バンプの金属の例ははんだ及び銅を含む。前述のように、ストライプ１２０は好ましくは粒子状又は塊状の構造の銀層に焼結され、銀は著しくボンディング可能であるものと知られている。
デバイス１００の封入化合物１３０は、チップ１０１、ボンディングワイヤ１６０、第１の金属ストライプ１１０ａ及び１１０ｂ、並びに第２の金属ストライプ１２０を保護し、第１の端子１５０と第２の端子１５１との間のギャップ１５２を充填し、端子を備えるパッケージ側に平坦な表面１３２を形成する。好ましい材料は、無機充填剤を備えたエポキシベース化合物など、トランスファーモールディングに適した熱硬化モールディング化合物である。
図２は、スティッチボンド１６２の取り付け後であるが、はんだ被覆の取り付け前である、例示の第１の端子１５０を高倍率（６２５倍）で見た断面である。塊状金属ストライプ１１０ｂは焼結された銅でつくられ、その横方向伸張部のほとんどが約４０μｍの厚み１１１を有し、塊状構造を明確に示している。他の実施形態において、厚み１１１は約２０μｍ〜２００μｍであってよい。図２は、焼結プロセス（２５０℃〜４００℃で３０分〜６０分間、プロセスフローは以下を参照のこと）においてナノメートルサイズの銅粒子によって共にクラスタ化される、約２μｍ〜７μｍの直径を有しその大部分が直径約５μｍである、複数の銅粒子を示す。ミクロンサイズの粒子とナノメートルサイズの粒子の混合のため、結果として生じる金属構造はハイブリッド構造と呼ばれることがある。本明細書に示された以外の粒子サイズ分布でも、金属ストライプ１１０ｂを形成することができる。塊状構造又はハイブリッド構造にわたって分散された様々な直径の小さなボイドが時折観察される場合があるが、これらのボイドは、例えば厚み１１１を通して伸びる開口の連続的な連鎖を形成することはない。銅ストライプ１１０ｂの上面及び下面は、粒子状構造の銀ストライプ１２０及び４０１である（偶発ボイドを含む）。ストライプは約５μｍの厚み１４２を有するが、他の実施形態において、この厚み１４２は約１μｍ〜７μｍであってよい。粒子状構造の銀ストライプは、約２５０℃〜４００℃で３０分〜６０分間のプロセス（以下のプロセスフローを参照のこと）において、共に焼結されるナノメートルサイズの銀粒子から形成される。
図３〜図１０は、従来のリードフレームなしで半導体デバイスを製造するための例示方法におけるプロセスステップを示す。この方法の例示の実装のプロセスステップが示されている。図３に示されるプロセスの第１のステップは、厚み３１０の適切なキャリア３０１を確保することを含む。キャリア３０１は、高温（４００℃〜５００℃）処理及びモールディングに対して安定したプラットフォームを提供するが、同時に、用いられる金属及びポリマー化合物に対して非粘着性である、再利用可能な基板材料でつくられるものとする。キャリア材料は、製品の金属及びポリマー化合物に対して低い分子間力しか有さないものとし、キャリア材料は、多孔質でなく、破壊され得る一時的なボンドのみを提供するものとする。キャリア材料は、最終製品の取り外しを容易にするために、離型剤で被覆してもよい。結果として、最終製品のリフトオフが可能であり、キャリアは再利用可能である。好ましい材料は、テフロン、ポリイミド、ステンレス鋼、銅、クロムめっきされた銅、ニッケルめっきされた銅、及びＡｌｌｏｙ４２ＴＭなどの鉄ニッケル合金を含むが、これらに限定されない。厚み３１０は選択される材料に依存し、例として、Ａｌｌｏｙ４２の場合の厚み３１０は０．２５ｍｍであってよく、この場合、キャリア３０１は箔に類似する。しかしながら、他の実施形態において、キャリア３０１はより厚くてよいため、ボードに類似する。
プロセスフローの次のステップにおいて、パッケージの露出リードとして動作する導電パターンがキャリア上に堆積される。図４に示されるプロセスステップにおいて、厚み１４２の第１のパターニングされた金属層が、選択されたキャリア３０１上に堆積され、パターンは導電ストライプ４０１及び４０２を含む。好ましい堆積される材料は、液体中で混合されるナノメートルサイズの金属粒子のペーストであり、こうした粒子は本明細書ではナノ粒子と呼ぶ。代替として、ペーストはミクロンサイズの粒子とナノメートルサイズの粒子の混合物であってよく、時にはハイブリッド混合物と呼ばれる（結果として主に塊状構造が生じる）。金属はボンディング可能及びはんだ付け可能である必要があり、銀、金、ニッケル、及びパラジウムを含むグループから選択され、好ましい金属は銀である。堆積の方法は、インクジェット、ステンシル印刷、スクリーン印刷、及びニードルディスペンシングを含むグループから選択され、このステップに好ましい方法は、それが粗さが３μｍ未満のより平坦なストライプを生成できることため、インクジェットである。選択された手法により、堆積されたペーストを第１のパッド４０１及び第２のパッド４０２にパターニングして、第１のパッド４０１のセットが各第２のパッド４０２を囲むようにすることができる。ペーストは、主に平坦な表面を有するパッドを生じさせるべきであるため、ペーストの液体は低い内部粘着性を有することが好ましい。第１のパッド４０１は、第２のパッド４０２からギャップ１５２によって間隔が空けられる。図４に示す例示の実施形態において、第２のパッド４０２は第１のパッド４０１より大きな横寸法を有するが、他の実施形態においては、この寸法は等しくてもよく、又はパッド４０２がパッド４０１より小さくてよい。
代替として、ペーストはミクロンサイ粒子並びにナノメートルサイズ粒子を含み得、結果として生じる層が塊状構造の特徴を有するようにし得る。
堆積後、例えば銀のナノ粒子などの金属ナノ粒子は、金属要素の融点温度よりも低い温度、好ましくは約２５０〜４００℃で、約３０分〜６０分間焼結される。焼結によって、金属粒子は互いに固着し、固体金属体にまとまる。結果として生じる焼結されたパッド、例えば固体銀は、その粒子状構造を保持し得る。パッド４０１及び４０２は偶発ボイドを含み得る。パッド厚み１４２の範囲は１μｍ〜７μｍである。
図５に示される次のプロセスステップにおいて、マスク５０１が、ボンディング可能及びはんだ付け可能な金属（前述のように、銀が好ましい）の焼結されたナノ粒子の第１のパッド４０１及び第２のパッド４０２と整合される。堆積手法としてスクリーン印刷又はステンシル印刷が用いられる場合、この手法はマスクを伴う。次に、焼結されたナノ粒子のパッド４０１及び４０２上にペーストが堆積され、このペーストはミクロンサイズの金属粒子（いわゆるマイクロ粒子）及びナノメートルサイズの金属粒子（いわゆるナノ粒子）の混合物を含む。サイズが大きく異なるこれらの金属粒子の混合物は、ハイブリッド混合物と呼ばれることがある。この金属は、良好な導電性を有する必要があり、銅、銀、亜鉛、ニッケル、インジウム、カドミウム、コバルト、ロジウム、高温はんだ、及び金属充填接着剤を含むグループから選択され、好ましい選択は銅である。堆積された層の厚み１１１は２０μｍ〜２００μｍであり、好ましくは約４０μｍ〜６０μｍである。これまでの符号を用いて、パッド４０１上のハイブリッド層は１１０ｂと示され、パッド４０２上のハイブリッド層は１１０ａと示される。堆積後、マスクは除去される。堆積の方法は、ステンシル印刷、スクリーン印刷、及びインクジェットを含むグループから選択され、このステップに好ましい方法はスクリーン印刷である。
マスクの除去後、例えば銅ハイブリッド粒子などの金属ハイブリッド粒子が、用いられる金属の融点温度より低い温度、好ましくは約２５０℃〜４００℃の温度で、約３０分〜６０分間焼結される。結果として生じる焼結されたパッドは、例えば固体銅などの固体金属であり、塊状構造を有する。パッド４０１及び４０２は偶発ボイドを含み得る。一般に、焼結温度が高いほど、ボイドは少なくなる。ボイドは連続的な経路を形成しないため、モールディング化合物（以下を参照のこと）が銀層４０２とのインターフェースに到達し得ない。
図６は、次のプロセスステップを示す。第３のパターニングされた金属ストライプ１２０が、厚み１４２で塊状層１１０ｂ上に堆積される。層１２０の横方向伸張部は、パッド１１０ｂの頂部をほぼ覆っている。好ましい堆積される材料は、液体中で混合される金属ナノ粒子のペーストである。この金属は、ボンディング可能及びはんだ付け可能である必要があり、銀、金、ニッケル、及びパラジウムを含むグループから選択され、好ましい金属は銀である。堆積の方法は、インクジェット、ステンシル印刷、及びスクリーン印刷を含むグループから選択され、このステップに好ましい方法はインクジェットである。
堆積後、例えば銀ナノ粒子などの金属ナノ粒子は、約２５０℃〜４００℃の温度で約３０分〜６０分間焼結される。結果として生じる焼結されたパッドは、例えば銀固体などの固体金属であり、その粒子状構造を保持し得る。パッド１２０は、小さな偶発ボイドを含み得る。パッド厚み１４２の範囲は、好ましくは１μｍ〜７μｍである。図６が示すように、結果として生じる垂直スタック６５０は、ボンディング可能及びはんだ付け可能な金属（例えば銀）の２つのより薄い粒子状ストライプ１２０及び４０１の間に挟まれたような、塊状ストライプ１１０ｂ（例えば銅）を有する。
図７に示される次のプロセスステップにおいて、ウェハソーイングステップからチップを更に接合する未硬化エポキシ又は接着フィルムの層１０２を用いることによって、端子（ボンドパッド）１０１ａを備えた半導体チップ１０１が塊状金属層１１０ａに接着して取り付けられる。代替として、チップ取付け層は、はんだなど、導電性及び熱伝導性を備えるように選択され得る。その後、チップ取付け化合物１０２は、約１５０℃〜２５０℃の温度で硬化（重合）され得る。
図８は次のプロセスステップを示す。ボンディングワイヤ１６０が、チップ端子１０１ａから、第１のパッドのスタック６５０の最上層として配置されるボンディング可能及びはんだ付け可能な金属の第２の層１２０までわたる。好ましいボンディングワイヤは銅でつくられるが、代替の選択肢は金及びアルミニウムを含む。ワイヤ１６０は、第１のパッド４０１と第２のパッド４０２の間のギャップ１５２にわたってかかる。ボールボンディング手法が用いられる場合、ボール１６１が好ましくはチップ端子１０１ａに取り付けられ、スティッチ１６２が層１２０に取り付けられる。代替のボンディングプロセスが、チップ端子１０１ａ上及び層１２０上の両方にボールを形成し、チップ端子１０１ａ上又は層１２０上のいずれかにワイヤスティッチを伴う。ウェッジボンディング手法が用いられる場合も、層１２０はスティッチボンドを有する。典型的なボンディング温度は約１００℃〜２５０℃である。代替として、フリップチップボンディングが用いられる場合、粒子状構造又は塊状構造を有する層に対する強力な接続を容易にするように金属バンプ（例えばはんだ）が選択される。
図９に示される次のプロセスステップにおいて、チップ１０１及びボンディングワイヤ１６０がポリマー化合物１３０内に封入される。同時に、このプロセスステップは、第１のパッド４０１及び第２のパッド４０２の間のギャップ１５２を埋め、キャリア３０１上に化合物の表面１３２をつくる。封入ステップは、再利用可能キャリアの個々のストリップ上で、又はアセンブリがリールツーリール（reel-to-reel）処理用にセットアップされている場合はリールツーリール形式で、実行可能である。好ましい封入技術は、約１７０℃〜１８０℃の温度を伴うトランスファーモールディング手法である。好ましい熱硬化化合物は、１５０℃〜２００℃での数時間の重合（硬化）を必要とする。代替として、モールディング化合物は、エポキシ又は熱可塑性のいずれかの即時硬化化合物であってよい。化合物の硬化後、デバイスパッケージはその直方体の外形を維持する。
封入化合物１３０が硬化された後、アセンブリは図１０に示されるプロセスステップを実現し、それぞれ、第１の層（パッド）４０１及び４０２の表面４０１ａ及び４０２ａから、並びに、パッド間のギャップ１５２における硬化された化合物１３０から、キャリア３０１を分離する。このキャリア除去ステップは、封入されたアセンブリに対しキャリア３０１をピーリング、プッシング、又はツイスティングする手法によって実行され得る。例として、図１０はキャリア３０１のピーリング手法を示す。キャリア３０１は、リフトオフの後、その後の再利用に備え得る。キャリア除去のプロセスステップは、焼結された固体金属ストライプ４０１及び４０２の金属表面４０１ａ及び４０２ａを露出させる。分離後、再利用可能なキャリアは、プロセスフローを始めるためにリサイクルされる前に、離型化合物のクリーニング又は塗布などのコンディショニングステップを必要とする場合がある。
表面４０１ａ及び４０２ａは、リードレスパッケージにしばしば好ましいように、外部部品への圧接によって電気的に接続され得るか、又は、ボールグリッドアレイタイプのパッケージに適用可能なように、次のはんだ処理ステップを施すことが可能である。ニッケル、パラジウム、及び金に実施されるような、電解はんだめっき手法又は無電解プロセスを用いて、はんだの被覆がつけられる。代替として、はんだペーストをパッド上にスクリーニングすることができる。次にはんだ被覆は、選択されるはんだ合金に応じて、好ましくは約２００℃〜２６０℃のはんだリフロー温度まで加熱される。はんだは、液体のとき、層４０１及び４０２のはんだ付け可能な金属を溶解し、この金属が銀の場合、はんだ合金によって完全に溶解されて、銀と混合された合金は、パッド１１０ａ及び１１０ｂの塊状金属を確実に湿潤させ、それらと連結することが可能となる。銀の溶解により、銀のマイグレーションのいかなるリスクもなくなる。パッド１１０ａ及び１１０ｂが塊状銅でつくられる場合、少量の銅もはんだ内で溶解され得、はんだに対するパッド１１０ａ及び１１０ｂの信頼性の高いコンタクトが強化される。このようにして、凝集金属構造を有するパッケージ端子に対する信頼性の高いはんだ接合が確立される。
経済効率性の理由から、図３〜図１０で概説した製造プロセスフローは、複数のチップが同時に処理可能なように、ストリップ形式のキャリアを選択することによって実行されることが好ましい。この場合、硬化されたポリマー封入を伴うストリップは、キャリア除去後にこの特徴を保持する硬いボードに類似する。この場合、プロセスフローの最終ステップは、第２のパッド１５１上にアセンブルされ、第１のパッド１５０のそのそれぞれのセットによって囲まれた各チップを、封入された半導体デバイス１００として単体化するために、この硬化されたボードをソーイングするステップを含む。単体化の好ましい方法はソーイングである。これは、従来の半導体デバイスとは異なり、デバイス１００が金属性リードフレームを含まないため、ソーイングステップにおいて、ブレードが、硬化されたプラスチック材料のみを通過し得ることを意味し得る。
マルチチップ又はスタックされたチップを備える製品、並びに単一チップでパッケージされた製品に、前述の同じ原理が適用され得る。第１及び第２の端子がどちらも塊状構造を有するように粒子を有するペーストから焼結されるパッケージに対して、並びに、第１及び第２の端子がどちらも粒子状構造を有するように粒子を伴うペーストから焼結されるパッケージに対しても、この原理が適用される。それらは、半導体チップがフリップチップ手法によって、ボンディング可能及びはんだ付け可能な金属の焼結されたストライプに取り付けられるパッケージにも適用される。
当業者であれば、本発明の特許請求の範囲内で、説明された実施形態に対する改変が可能であること、及び、多くの他の実施形態が可能であることを理解されよう。
Claims (19)
- 半導体デバイスであって、
直方体のプラスチックパッケージであって、前記パッケージの１つの側が第２の端子を囲む第１の端子を有し、前記第１の端子が第２の端子からギャップによって間隔を空けられている、前記直方体のプラスチックパッケージ、
を含み、
前記第１の端子が、塊状構造を有する固体銅ストライプと、銀と混合されたはんだの被覆に溶接される外部表面と、粒子状構造を有する銀の層に接する内部表面とを含み、
前記第２の端子が、塊状構造を有する銅の層と、銀と混合されたはんだの被覆に溶接される外部表面と、半導体チップが接着される内部表面とを含む、半導体デバイス。 - 請求項１に記載のデバイスであって、
前記半導体チップを前記第１の端子の焼結された銀ナノ粒子の層にボンディングするワイヤと、
チップとワイヤとを封入し、前記第１の端子と第２の端子との間のギャップを充填するポリマー化合物と、
を更に含む、デバイス。 - 半導体デバイスを製造するための方法であって、
焼結されたボンディング可能及びはんだ付け可能な金属の第１の層をキャリアストリップ上に形成することであって、前記第１の層が第１のパッドと第２のパッドとにパターニングされ、第１のパッドのセットが各第２のパッドを囲み、前記第１のパッドが第２のパッドからギャップによって間隔を空けられる、前記形成することと、
前記第１のパッドと前記第２のパッドとの焼結されたボンディング可能及びはんだ付け可能な金属の前記第１の層上に垂直に、塊状金属のパターニングされた層を形成することと、
前記第１のパッドの前記塊状金属の層上に垂直に、焼結されたボンディング可能及びはんだ付け可能な金属の第２の層を形成することと、
各第２のパッドの前記塊状金属層上に端子を有する半導体チップを接着して取り付けることと、
を含む、方法。 - 請求項３に記載の方法であって、
各チップの前記端子から前記第１のパッドのそれぞれのセットのボンディング可能及びはんだ付け可能な金属の前記第２の層までの前記ギャップにわたってボンディングワイヤをわたすことと、
チップとワイヤとをポリマー化合物内に封入し、同時に前記化合物によって前記ギャップを充填し、その後前記化合物を硬化させることと、
前記第１及び第２のパッドの前記第１の層と、前記第１及び第２のパッドの間の前記ギャップ内の前記硬化された化合物とから前記キャリアストリップを分離することであって、それにより、アセンブルされたチップの硬化されたボードの表面を露出させる、前記分離することと、
を更に含む、方法。 - 請求項４に記載の方法であって、
前記分離することの後、前記第１及び第２のパッドの前記露出された第１の層をはんだ合金で被覆して、その後前記はんだ合金をリフローし、それにより、前記第１の層の前記はんだ付け可能な金属を前記はんだ合金に溶かし、前記合金を塊状金属の前記層と連結すること、を更に含む、方法。 - 請求項５に記載の方法であって、
囲んでいる第１のパッドのそれぞれのセットを伴う各第２のパッドを封入された半導体デバイスとして単体化するために、前記硬化されたボードをソーイングすることを更に含む、方法。 - 請求項３に記載の方法であって、
前記ボンディング可能及びはんだ付け可能な金属が、銀、金、ニッケル及びパラジウムを含むグループから選択される、方法。 - 請求項３に記載の方法であって、
前記塊状金属が、銅、銀、亜鉛、ニッケル、インジウム、カドミウム、コバルト、ロジウム、高温はんだ及び金属充填接着剤を含むグループから選択される、方法。 - 請求項３に記載の方法であって、
焼結されたボンディング可能及びはんだ付け可能な金属の第１の層を形成することが、
キャリアのストリップ上にボンディング可能及びはんだ付け可能な金属のナノ粒子を含むペーストを堆積することであって、前記堆積されたペーストが第１及び第２のパッドにパターニングされ、第１のパッドのセットが各第２のパッドを囲み、前記第１のパッドが前記第２のパッドからギャップによって間隔を空けられる、前記堆積することと、
ボンディング可能及びはんだ付け可能な金属の固体層のパッドを作成するために、前記ナノ粒子を焼結することと、
を含む、方法。 - 請求項９に記載の方法であって、
堆積することが、インクジェット、ステンシル印刷、スクリーン印刷及びニードルディスペンスを含むグループから選択される、方法。 - 請求項９に記載の方法であって、
焼結することが、２５０℃から４００℃の範囲内の温度を含む、方法。 - 請求項３に記載の方法であって、
塊状金属の層を形成することが、
ボンディング可能及びはんだ付け可能な金属の焼結されたナノ粒子の前記パッドにマスクを整合することと、
前記第１及び第２のパッドの焼結されたナノ粒子の前記パッド上に金属マイクロ粒子と金属ナノ粒子との混合物を含むペーストを堆積することと、
前記マスクを除去することと、
ボンディング可能及びはんだ付け可能な金属の焼結された粒子の前記パッド上にスタックされた塊状構造の固体層をつくるために、前記金属マイクロ粒子及びナノ粒子を焼結することと、
を含む、方法。 - 請求項１２に記載の方法であって、
堆積することが、ステンシル印刷、スクリーン印刷、インクジェット及びニードルディスペンスを含むグループから選択される、方法。 - 請求項１２に記載の方法であって、
焼結することが、２５０℃から４００℃の範囲内の温度を含む、方法。 - 請求項３に記載の方法であって、
焼結されたボンディング可能及びはんだ付け可能な金属の第２の層を形成することが、
前記第１のパッドの塊状金属の前記パッド上にボンディング可能及びはんだ付け可能な金属のナノ粒子を含むペーストを堆積することと、
塊状金属の前記層上にスタックされたボンディング可能及びはんだ付け可能な金属の固体層を作成するために、前記ナノ粒子を焼結することと、
を含む、方法。 - 請求項１５に記載の方法であって、
堆積することが、インクジェット、ステンシル印刷、スクリーン印刷及びニードルディスペンスを含むグループから選択される、方法。 - 請求項１５に記載の方法であって、
焼結することが、２５０℃から４００℃の範囲内の温度を含む、方法。 - 請求項３に記載の方法であって、
前記キャリアストリップが、小孔のない、乾燥した、非酸化性の材料で作られる、方法。 - 請求項１８に記載の方法であって、
前記キャリアストリップが、テフロン（登録商標）、ポリマー材料、ポリマー被覆された金属、ステンレス鋼、セラミック、銅、クロムめっきされた銅、ニッケルめっきされた銅及びＡｌｌｏｙ４２ＴＭのような鉄ニッケル合金のグループから選択される、方法。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201161445630P | 2011-02-23 | 2011-02-23 | |
| US61/445,630 | 2011-02-23 | ||
| US13/351,579 US8643165B2 (en) | 2011-02-23 | 2012-01-17 | Semiconductor device having agglomerate terminals |
| US13/351,579 | 2012-01-17 | ||
| PCT/US2012/026378 WO2012116218A2 (en) | 2011-02-23 | 2012-02-23 | Semiconductor packages with agglomerate terminals |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014509455A JP2014509455A (ja) | 2014-04-17 |
| JP2014509455A5 JP2014509455A5 (ja) | 2015-04-16 |
| JP6116488B2 true JP6116488B2 (ja) | 2017-04-19 |
Family
ID=46652081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013555572A Active JP6116488B2 (ja) | 2011-02-23 | 2012-02-23 | 塊状端子を備える半導体パッケージ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8643165B2 (ja) |
| JP (1) | JP6116488B2 (ja) |
| CN (1) | CN103403864B (ja) |
| WO (1) | WO2012116218A2 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014522130A (ja) * | 2011-08-11 | 2014-08-28 | エオプレックス リミテッド | 複数材料の印刷により形成されたパッケージ構成要素を伴うリードキャリア |
| US8586480B1 (en) * | 2012-07-31 | 2013-11-19 | Ixys Corporation | Power MOSFET having selectively silvered pads for clip and bond wire attach |
| KR101988890B1 (ko) * | 2012-10-30 | 2019-10-01 | 한국전자통신연구원 | 솔더 온 패드의 제조방법 및 그를 이용한 플립 칩 본딩 방법 |
| JP6146642B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2017-06-14 | 大日本印刷株式会社 | 半導体装置用基板の製造方法および樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| US8815648B1 (en) | 2013-04-01 | 2014-08-26 | Texas Instruments Incorporated | Multi-step sintering of metal paste for semiconductor device wire bonding |
| US9978667B2 (en) * | 2013-08-07 | 2018-05-22 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor package with lead frame and recessed solder terminals |
| US10847691B2 (en) * | 2014-12-11 | 2020-11-24 | Luminus, Inc. | LED flip chip structures with extended contact pads formed by sintering silver |
| US9640468B2 (en) | 2014-12-24 | 2017-05-02 | Stmicroelectronics S.R.L. | Process for manufacturing a package for a surface-mount semiconductor device and semiconductor device |
| US20180047589A1 (en) * | 2015-05-04 | 2018-02-15 | Eoplex Limited | Lead carrier with print formed package components and conductive path redistribution structures |
| US20180047588A1 (en) * | 2015-05-04 | 2018-02-15 | Eoplex Limited | Lead carrier structure and packages formed therefrom without die attach pads |
| US10727085B2 (en) * | 2015-12-30 | 2020-07-28 | Texas Instruments Incorporated | Printed adhesion deposition to mitigate integrated circuit package delamination |
| US9896330B2 (en) * | 2016-01-13 | 2018-02-20 | Texas Instruments Incorporated | Structure and method for packaging stress-sensitive micro-electro-mechanical system stacked onto electronic circuit chip |
| CN110546746A (zh) * | 2017-04-21 | 2019-12-06 | 三井化学株式会社 | 半导体衬底的制造方法、半导体器件及其制造方法 |
| US10405417B2 (en) * | 2017-05-01 | 2019-09-03 | Nxp Usa, Inc. | Packaged microelectronic component mounting using sinter attachment |
| FR3083920A1 (fr) * | 2018-07-13 | 2020-01-17 | Linxens Holding | Procede de fabrication de boitiers de composant electronique et boitier de composant electronique obtenu par ce procede |
| CN110391143A (zh) * | 2019-07-02 | 2019-10-29 | 东莞链芯半导体科技有限公司 | 半导体封装结构及其封装方法 |
| US11562947B2 (en) * | 2020-07-06 | 2023-01-24 | Panjit International Inc. | Semiconductor package having a conductive pad with an anchor flange |
| CN113814597A (zh) * | 2021-10-28 | 2021-12-21 | 株洲中车时代半导体有限公司 | 电子器件的焊接方法 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5318651A (en) * | 1991-11-27 | 1994-06-07 | Nec Corporation | Method of bonding circuit boards |
| JP2001250884A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置の製造方法 |
| ATE525730T1 (de) | 2000-10-25 | 2011-10-15 | Harima Chemicals Inc | Elektroleitfähige metallpaste und verfahren zu ihrer herstellung |
| DE10206818A1 (de) | 2002-02-18 | 2003-08-28 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit Klebstoffschicht und Verfahren zur Herstellung derselben |
| US20040245648A1 (en) | 2002-09-18 | 2004-12-09 | Hiroshi Nagasawa | Bonding material and bonding method |
| DE10245451B4 (de) * | 2002-09-27 | 2005-07-28 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip, der flexible Chipkontakte aufweist, und Verfahren zur Herstellung desselben, sowie Halbleiterwafer |
| CN100409423C (zh) * | 2003-02-05 | 2008-08-06 | 千住金属工业株式会社 | 端子间的连接方法及半导体装置的安装方法 |
| WO2004103043A1 (ja) | 2003-05-16 | 2004-11-25 | Harima Chemicals, Inc. | 銅微粒子焼結体型の微細形状導電体の形成方法、該方法を応用した銅微細配線ならびに銅薄膜の形成方法 |
| WO2005025787A1 (ja) | 2003-09-12 | 2005-03-24 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 微細な液滴の形状で噴射し、積層塗布可能な金属ナノ粒子分散液 |
| US8053171B2 (en) * | 2004-01-16 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Substrate having film pattern and manufacturing method of the same, manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal television, and EL television |
| EP1780732B1 (en) | 2004-06-23 | 2009-04-01 | Harima Chemicals, Inc. | Conductive metal paste |
| KR101091896B1 (ko) * | 2004-09-04 | 2011-12-08 | 삼성테크윈 주식회사 | 플립칩 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
| US7550319B2 (en) * | 2005-09-01 | 2009-06-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low temperature co-fired ceramic (LTCC) tape compositions, light emitting diode (LED) modules, lighting devices and method of forming thereof |
| US7982307B2 (en) * | 2006-11-22 | 2011-07-19 | Agere Systems Inc. | Integrated circuit chip assembly having array of thermally conductive features arranged in aperture of circuit substrate |
| JP2008153470A (ja) | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Renesas Technology Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US7955901B2 (en) * | 2007-10-04 | 2011-06-07 | Infineon Technologies Ag | Method for producing a power semiconductor module comprising surface-mountable flat external contacts |
| US7836586B2 (en) | 2008-08-21 | 2010-11-23 | National Semiconductor Corporation | Thin foil semiconductor package |
| US7754533B2 (en) | 2008-08-28 | 2010-07-13 | Infineon Technologies Ag | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US9041228B2 (en) * | 2008-12-23 | 2015-05-26 | Micron Technology, Inc. | Molding compound including a carbon nano-tube dispersion |
| JP5617210B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2014-11-05 | デクセリアルズ株式会社 | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 |
| JP5532419B2 (ja) * | 2010-06-17 | 2014-06-25 | 富士電機株式会社 | 絶縁材、金属ベース基板および半導体モジュール並びにこれらの製造方法 |
-
2012
- 2012-01-17 US US13/351,579 patent/US8643165B2/en active Active
- 2012-02-23 CN CN201280010020.6A patent/CN103403864B/zh active Active
- 2012-02-23 JP JP2013555572A patent/JP6116488B2/ja active Active
- 2012-02-23 WO PCT/US2012/026378 patent/WO2012116218A2/en active Application Filing
-
2013
- 2013-09-27 US US14/040,089 patent/US8716068B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140038358A1 (en) | 2014-02-06 |
| CN103403864B (zh) | 2016-07-06 |
| US20120211889A1 (en) | 2012-08-23 |
| CN103403864A (zh) | 2013-11-20 |
| WO2012116218A2 (en) | 2012-08-30 |
| US8643165B2 (en) | 2014-02-04 |
| JP2014509455A (ja) | 2014-04-17 |
| US8716068B2 (en) | 2014-05-06 |
| WO2012116218A3 (en) | 2012-11-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6116488B2 (ja) | 塊状端子を備える半導体パッケージ | |
| US8643185B2 (en) | Semiconductor apparatus, manufacturing method of semiconductor apparatus, and joint material | |
| US9013037B2 (en) | Semiconductor package with improved pillar bump process and structure | |
| US20210005537A1 (en) | Sintered Metal Flip Chip Joints | |
| KR101380712B1 (ko) | 퓨즈형 ｉ／ｏ 상호연결 시스템 및 기판 장착 스터드범프를포함하는 플립칩 패키징 방법 | |
| JP6050308B2 (ja) | スタッドバンプとそのパッケージ構造、および、その製造方法 | |
| JP2014509455A5 (ja) | ||
| TW201201289A (en) | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method | |
| US20100309641A1 (en) | Interposer substrate, lsi chip and information terminal device using the interposer substrate, manufacturing method of interposer substrate, and manufacturing method of lsi chip | |
| US7427558B2 (en) | Method of forming solder ball, and fabricating method and structure of semiconductor package using the same | |
| WO2014027418A1 (ja) | 電子部品および電子部品の製造方法 | |
| JP2007059485A (ja) | 半導体装置、基板及び半導体装置の製造方法 | |
| JP4115306B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2010157693A (ja) | 金属バンプを備えた半導体パッケージ基板 | |
| KR101211724B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP2005340448A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| KR101054294B1 (ko) | 접착제로 국부적으로 둘러싸인 범프/패드 접속부를 갖는플립칩 패키지와 그 제조방법 | |
| US20090026633A1 (en) | Flip chip package structure and method for manufacturing the same | |
| US7538021B2 (en) | Removing dry film resist residues using hydrolyzable membranes | |
| TWI498982B (zh) | 在以焊料遮罩補綴的回焊期間局限導電凸塊材料的半導體裝置和方法 | |
| JP4591715B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| Lu et al. | Electrically conductive adhesives–a lead-free alternative | |
| TWI236756B (en) | Flip-chip bonding process and package process | |
| JP2005340451A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP2010141112A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150221 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150221 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160405 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160705 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160905 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161005 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170228 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170321 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6116488 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |