JP6115762B2 - 回路装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、回路装置の製造方法、半導体部品の実装構造および回路装置に関する。

半導体部品を基板に実装する方法として、半導体部品の下面にはんだを成分として形成されたバンプを基板の電極にはんだ接合して導通させる方法が広く用いられている。

バンプと電極とのはんだ接合のみでは、半導体部品を基板に保持させる保持力が不十分である場合が多いため、通常は半導体部品と基板とをエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂によって樹脂補強することが行われる。

従来、この樹脂補強についてはアンダーフィルやサイドフィルなどの方法も広く用いられているが（特許文献１参照）、はんだ粒子およびフラックス成分を含有する熱硬化性樹脂組成物による樹脂強化型はんだペーストを用いた技術が提案されている（特許文献２参照）。

従来の樹脂強化型はんだペーストを用いた表面実装では、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体部品１を保持した部品保持ツール４０によって、はんだ粒子およびフラックス成分を含有する熱硬化性樹脂組成物５ａがメタルマスク印刷によって供給された基板６の電極７に対して半導体部品１のバンプ４を位置合わせし、部品保持ツール４０が下降することにより、図６（ｂ）に示すように、バンプ４を熱硬化性樹脂組成物５ａを介して電極７に着地させる。そして図６（ｃ）に示すように、半導体部品１を搭載した基板６を所定の加熱プロファイルにしたがって加熱することにより、バンプ４を溶融固化し、かつはんだ粒子を溶融一体化させ、電極７と半導体部品１とを接続するはんだ接合部８を形成し、かつ熱硬化性樹脂組成物５ａを硬化させてはんだ接合部８を周囲から補強する樹脂補強部５ｂを形成する。

国際公開ＷＯ２０１２／０４２８０９号パンフレット 特開２０１１−１７６０５０号公報

しかしながら、この従来の方法では、電極７に供給される熱硬化性樹脂組成物５ａの量に制限があるため、図７に示すように、樹脂補強部１０５ｂの高さｈ２は、はんだ接合部８の高さｈ１の３０％程度までであり、十分な樹脂補強が得られていない。

チップ部品の場合は、チップ底面と基板との距離が短いことから部品の底面まで樹脂が回り込むため、高い接続信頼性が得られているが、ＢＧＡ（Ball Grid Array）等のパッケージの場合、部品底面と基板との距離は概ねバンプのはんだボールの距離となりチップ部品に比べて長く、図７に示すようにはんだ接合部８の一部しか補強樹脂が行き渡らないため、十分な接続信頼性が得られていない。

なお、特許文献１は、はんだ粒子を含有しない熱硬化性樹脂組成物を樹脂補強に用いており、主にサイドフィルによって補強する技術である。そして半導体部品のバンプと基板の電極との両方共に熱硬化性樹脂組成物を供給する方法は開示されていない。

本発明は、以上の通りの事情に鑑みてなされたものであり、はんだ接合部の周囲の樹脂補強部の樹脂量を多くすることによって接続信頼性を高めることができる回路装置の製造方法、半導体部品の実装構造および回路装置を提供することを課題としている。

上記の課題を解決するために、本発明の回路装置の製造方法は、下面にはんだを成分とするバンプが形成されたバンプ付きの半導体部品を、基板に形成された電極に前記バンプをはんだ接合することにより実装する回路装置の製造方法において、前記基板の少なくとも前記電極を含む表面に、印刷または塗布によってはんだペーストを供給する工程と、前記半導体部品のバンプに、はんだ粒子およびフラックス成分を含有する熱硬化性樹脂組成物を転写によって付着させて前記バンプに供給する工程と、前記熱硬化性樹脂組成物を前記バンプに供給した前記半導体部品を、前記はんだペーストを前記電極に供給した前記基板に搭載する工程と、前記半導体部品を搭載した前記基板を所定の加熱プロファイルにしたがって加熱することにより、前記バンプを溶融固化し、かつ前記はんだ粒子を溶融一体化させ、前記電極と前記半導体部品とを接続するはんだ接合部を形成し、かつ前記熱硬化性樹脂組成物を硬化させて前記はんだ接合部を周囲から補強する樹脂補強部を形成する工程とを含むことを特徴とする。

この回路装置の製造方法において、前記はんだペーストが、はんだ粒子およびフラックス成分を含有する熱硬化性樹脂組成物であることが好ましい。

本発明の半導体部品の実装構造は、下面にはんだを成分とするバンプが形成されたバンプ付きの半導体部品を、基板に形成された電極に前記バンプをはんだ接合することにより実装した半導体部品の実装構造において、前記基板の電極と前記半導体部品とを接続するはんだ接合部と、前記はんだ接合部を周囲から補強する、熱硬化性樹脂の硬化物である樹脂補強部とを備え、前記樹脂補強部は、前記基板の上面から、前記はんだ接合部の高さの５０％以上の高さまで、前記はんだ接合部の周囲に存在していることを特徴とする。

この半導体部品の実装構造において、前記はんだ接合部は、はんだ粒子を含有する熱硬化性樹脂組成物をバンプの周囲に位置させ、前記半導体部品を搭載した前記基板を所定の加熱プロファイルにしたがって加熱することにより、前記バンプを溶融固化し、かつ前記はんだ粒子を溶融一体化させて形成したものであることが好ましい。

本発明の回路装置は、前記の半導体部品の実装構造を備えることを特徴とする。

本発明の回路装置の製造方法、半導体部品の実装構造および回路装置によれば、はんだ接合部の周囲の樹脂補強部の樹脂量を多くすることによって接続信頼性を高めることができる。

本発明の回路装置の製造方法の実施形態における一工程を概略的に示す断面図である。 本発明の回路装置の製造方法の実施形態における別の工程を概略的に示す断面図である。 本発明の回路装置の製造方法の実施形態における別の工程を概略的に示す断面図である。 本発明の半導体部品の実装構造の実施形態を概略的に示す断面図である。 本発明の回路装置の製造方法の別の実施形態を概略的に示す断面図である。 従来の回路装置の製造方法を概略的に示す断面図である。 従来の半導体部品の実装構造を概略的に示す断面図である。

以下に、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。

図１〜３は、本発明の回路装置の製造方法の実施形態における各工程を概略的に示す断面図、図４は、本発明の半導体部品の実装構造の実施形態を概略的に示す断面図である。

この実施形態の回路装置の製造方法では、まず最初の工程として、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、基板６の少なくとも電極７を含む表面に、印刷または塗布によってはんだペースト５を供給する。印刷としては、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、メタルマスク５０とスキージ５２を用いた方法などが挙げられ、塗布としては、シリンジやディスペンサを用いた方法などが挙げられる。

この実施形態では、はんだペースト５として、はんだ粒子およびフラックス成分を含有する後述の熱硬化性樹脂組成物５ａを用いている。樹脂による補強などの点を考慮するとはんだペースト５として熱硬化性樹脂組成物５ａを用いることが好ましいが、その他、はんだペースト５としては、例えば、クリームはんだなどを用いることができる。クリームはんだは、はんだ粒子、フラックス成分、および溶剤を含む組成物である。

基板６としては、例えば、ガラスエポキシ積層板などに導体パターンを設けて形成されたリジッドプリント配線板や、ポリイミドフィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルムなどに導体パターンを設けて形成されたフレキシブルプリント配線板を用いることができる。

そして、この実施形態におけるはんだペースト５の印刷は、図１（ａ）に示すように電極７と同じ位置に貫通孔５１を設けたメタルマスク５０を基板６に重ねた後、メタルマスク５０の表面に供給したはんだペースト５をスキージ５２で貫通孔５１に充填することによって行うことができる。

その後、図１（ｂ）に示すように、メタルマスク５０を基板６から離すと、電極７ごとにはんだペースト５（熱硬化性樹脂組成物５ａ）が塗布された基板７を得ることができる。

さらに別途の工程として、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体部品１のバンプ４に、はんだ粒子およびフラックス成分を含有する熱硬化性樹脂組成物５ａを転写によって付着させてバンプ４に供給する。

ここで、半導体部品１としては、有機基板のインターポーザ３の下面にバンプ４としてはんだボールを設け、上面に半導体チップが搭載され、封止樹脂２により封止されたＢＧＡ、ＣＳＰ（Chip Scale Package）などを用いることができる。

下面にはんだを成分とするバンプ４を形成した半導体部品１は、部品保持ツール４０によって吸着保持して部品供給部（図示省略）から取り出される。その後、部品保持ツール４０は、図２（ａ）に示すように転写テーブル３０上へ移動してバンプ４への熱硬化性樹脂組成物５ａの供給を行う。転写テーブル３０は平滑な転写面を有する箱状容器であり、転写面には熱硬化性樹脂組成物５ａの塗膜が所定厚みで形成されている。

半導体部品１を保持した部品保持ツール４０は、図２（ａ）に示すように転写テーブル３０に対して下降して半導体部品１の下面のバンプ４が熱硬化性樹脂組成物５ａに接触した後、図２（ｂ）に示すように上昇する。これにより、バンプ４の下端部を含む周囲には所定量の熱硬化性樹脂組成物５ａが転写により供給される。

熱硬化性樹脂組成物５ａは、はんだ粒子、熱硬化性樹脂バインダー、およびフラックス成分を含有する。

はんだ粒子としては、融点２４０℃以下のはんだ粒子を用いることができる。はんだ粒子の融点の下限は特に限定されるものではないが、１３０℃以上であることが好ましい。

はんだ粒子としては、特に限定されないが、例えば、Ｓｎをベースとした合金などを用いることができる。具体的は、例えば、ＳｎとＡｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｉｎなどの金属との合金などを用いることができる。

熱硬化性樹脂組成物５ａ中のはんだ粒子の含有量は、４０〜９５質量％の範囲が好ましく、７０〜９５質量％の範囲がより好ましい。この範囲内にすると、熱硬化性樹脂組成物５ａの硬化物による半導体部品１の電気的接合性や熱硬化性樹脂バインダーによる補強効果を十分に発揮させることができ、高粘度化による塗布作業性の低下も抑制することができる。

熱硬化性樹脂バインダーは、エポキシ樹脂および硬化剤を主成分として含有するものが好ましく用いられる。エポキシ樹脂は比較的低温で硬化すると共に接着性が高いため、従来のはんだリフロー処理より低い温度でも十分な硬化性を発揮して部品実装を可能とすると共に十分な補強効果を発揮することができる。

エポキシ樹脂としては、常温で液状のエポキシ樹脂を用いることが好ましい。常温で液状のエポキシ樹脂を用いた場合、はんだ粒子などの他の成分を容易に分散することができる。なお、本明細書において「常温で液状」とは、大気圧下での５〜２８℃の温度範囲、特に室温１８℃前後において流動性を持つことを意味する。

常温で液状のエポキシ樹脂としては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するものであれば、その分子量、分子構造は特に限定されず各種のものを用いることができる。具体的には、例えば、グリシジルエーテル型、グリシジルアミン型、グリシジルエステル型、オレフィン酸化型（脂環式）などの各種の液状のエポキシ樹脂を用いることができる。

さらに具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂などの水添ビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレートなどを用いることができる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

これらの中でも、熱硬化性樹脂組成物５ａの低粘度化と硬化物の物性向上を考慮すると、常温で液状のエポキシ樹脂としてビスフェノール型エポキシ樹脂、水添ビスフェノール型エポキシ樹脂が好ましい。

また、常温で固形のエポキシ樹脂を併用することもできる。常温で固形のエポキシ樹脂としては、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリアジン骨格エポキシ樹脂などを用いることができる。

硬化剤としては、酸無水物、フェノールノボラック、各種チオール化合物、各種アミン類、ジシアンジアミド、イミダゾール類、金属錯体およびそれらのアダクト化合物、例えば、ポリアミンのアダクト変性物などを用いることができる。

硬化剤の使用量は適宜設定されるが、例えば、エポキシ樹脂全量に対して３〜２０ｐｈｒ、更には５〜１５ｐｈｒの範囲内であり、あるいは、例えばエポキシ樹脂のエポキシ当量に対する硬化剤の化学量論上の当量比が０．８〜１．２となる範囲内である。

熱硬化性樹脂バインダーは、エポキシ樹脂および硬化剤の他に、さらに必要に応じて、他の成分を配合することができる。例えば、硬化促進剤を配合することができる。

硬化促進剤としては、イミダゾール類、３級アミン類、１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７や１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノネン−５などの環状アミン類およびそれらのテトラフェニルボレート塩、トリブチルホスフィンなどのトリアルキルホスフィン類、トリフェニルホスフィンなどのトリアリールホスフィン類、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートやテトラ（ｎ−ブチル）ホスホニウムテトラフェニルボレートなどの４級ホスホニウム塩、Ｆｅアセチルアセトナートなどの金属錯体およびそれらのアダクト化合物などを用いることができる。

これらの硬化促進剤の配合量はゲル化時間や保存安定性を考慮して適宜設定される。

熱硬化性樹脂組成物５ａに配合されるフラックス成分としては、特に限定されるものではなく、アビエチン酸に代表されるロジン成分材料、各種アミンおよびその塩、セバシン塩、アジピン酸、グルタル酸などの有機酸などを用いることができる。これらのフラックス成分は、一種類の成分であってもよく、二種類以上の成分を混合してもよい。

フラックス成分の含有量は、フラックス成分と熱硬化性樹脂バインダーとの合計量に対して１〜５０質量％であることが好ましい。この場合、フラックス成分が優れたフラックス作用を発揮すると共に、熱硬化性樹脂組成物５ａの硬化物による機械的接合性と電気的接合性を更に向上することができる。

なお、熱硬化性樹脂組成物５ａには、上記必須成分のほか、通常用いられる改質剤、添加剤などが含有されていてもよい。また、熱硬化性樹脂組成物の粘度を低減し、流動性を付与する目的で、低沸点の溶剤や可塑剤を加えることもできる。さらに、印刷形状を保持するためのチクソ性付与剤として、硬化ヒマシ油やステアリン酸アミドなどを添加してもよい。

熱硬化性樹脂組成物５ａの調製方法は、特に限定されないが、例えば、次の方法で調製することができる。まず、はんだ粒子、エポキシ樹脂の一部または全部、およびフラックス成分を混合する。そしてその混合物に、先にエポキシ樹脂の一部を用いた場合にはその残余と、硬化剤とを添加して混合する。

この実施形態の回路装置の製造方法では、次の工程として、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、熱硬化性樹脂組成物５ａをバンプ４に供給した半導体部品１を、はんだペースト５を電極７に供給した基板６に搭載する。

バンプ４への熱硬化性樹脂組成物５ａの供給が行われた後、図３（ａ）に示すように、半導体部品１を保持した部品保持ツール４０は、はんだペースト５が供給された後の、基板保持部に保持された基板６の上方へ移動する。そして、部品保持ツール４０は、基板６の電極７に対してバンプ４を位置合わせする。

次に、部品保持ツール４０が下降する。これにより、図３（ｂ）に示すように、バンプ４は熱硬化性樹脂組成物５ａを介して電極７に着地する。

そして基板６はこのような状態のままリフロー装置に送られる。

次の工程として、図３（ｃ）に示すように、半導体部品１を搭載した基板６を所定の加熱プロファイルにしたがって加熱することにより、バンプ４を溶融固化し、かつはんだ粒子を溶融一体化させ、電極７と半導体部品１とを接続するはんだ接合部８を形成し、かつ熱硬化性樹脂組成物５ａを硬化させてはんだ接合部８を周囲から補強する樹脂補強部５ｂを形成する。

リフロー装置にて、所定の加熱プロファイルにしたがって、熱硬化性樹脂組成物５ａ中のはんだ粒子と、半導体部品１のバンプ４を形成しているはんだボールとが溶融する温度まで加熱され、はんだで形成されたバンプ４が溶融固化して電極７にはんだ接合され、さらに加熱溶融したはんだ粒子とバンプ４が一体化してはんだ接合部８が形成される。このとき、熱硬化性樹脂組成物５ａに含有されるフラックス成分（活性剤）の作用によりバンプ４や電極７の表面に生成された酸化膜が除去される。そのため、溶融したはんだは電極７上を拡がり易く良好なはんだ接合性が確保される。そして熱硬化性樹脂組成物５ａ中のエポキシ樹脂が熱硬化することにより、はんだ接合部８を周囲から補強する樹脂補強部５ｂが形成される。

この実施形態の回路装置の製造方法によれば、半導体部品１のバンプ４への熱硬化性樹脂組成物５ａの供給量を転写により多くすることができるので、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂の硬化物で補強される部分が多くなり、接続信頼性を高めることができる。

このようにして得られる半導体部品１の実装構造は、図４に示すように、基板６の電極７と半導体部品１とを接続するはんだ接合部８と、はんだ接合部８を周囲から補強する、熱硬化性樹脂の硬化物である樹脂補強部５ｂとを備え、樹脂補強部５ｂは、基板６の上面から、はんだ接合部８の高さｈ１の５０％以上の高さｈ２まで、はんだ接合部８の周囲に存在している。樹脂補強部５ｂの高さｈ２は、好ましくははんだ接合部８の高さｈ１の５５％以上、より好ましくは６０％以上、さらに好ましくは６５％以上である。半導体部品１がＢＧＡである場合、バンプ４であるはんだボールの径によっては、チップ部品のようにＢＧＡチップの底面と基板６とを樹脂補強部５ｂで接着することも可能になる。

この実施形態の半導体部品１の実装構造において、はんだ接合部８は、前記のように、はんだ粒子を含有する熱硬化性樹脂組成物５ａをバンプ４の周囲に位置させ、半導体部品１を搭載した基板６を所定の加熱プロファイルにしたがって加熱することにより、バンプ４を溶融固化し、かつはんだ粒子を溶融一体化させて形成したものである。

この実施形態の半導体部品１の実装構造によれば、半導体部品１のバンプ４への熱硬化性樹脂組成物５ａの供給量を転写により多くすることができるので、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂の硬化物で補強される部分が多くなり、接続信頼性を高めることができる。

この半導体部品１や、その他の部品を基板６に実装することにより、回路装置を製造することができる。

図５は、本発明の回路装置の製造方法の別の実施形態を概略的に示す断面図である。この実施形態では、半導体部品１を前記の実施形態と同様の方法で実装すると共に、チップ部品６０を実装する。

図５（ａ）に示すように、転写によってバンプ４への熱硬化性樹脂組成物５ａの供給が行われた後、半導体部品１を保持した部品保持ツール４０は、はんだペースト５（熱硬化性樹脂組成物５ａ）が電極７に供給された基板６の上方へ移動し、基板６の電極７に対してバンプ４を位置合わせする。次に、部品保持ツール４０が下降し、これにより、バンプ４は熱硬化性樹脂組成物５ａを介して電極７に着地する。

一方、バンプ６１を有するチップ部品６０を保持した部品保持ツール４０は、はんだペースト５が電極６２に供給された基板６の上方へ移動し、基板６の電極６２に対してバンプ６１を位置合わせする。次に、部品保持ツール４０が下降し、これにより、バンプ６１ははんだペースト５を介して電極６２に着地する。

そして基板６はこのような状態のままリフロー装置に送られる。その後、半導体部品１とチップ部品６０を搭載した基板６を所定の加熱プロファイルにしたがって加熱することにより、半導体部品１は、バンプ４を溶融固化し、かつはんだ粒子を溶融一体化させ、電極７と半導体部品１とを接続するはんだ接合部８を形成し、かつ熱硬化性樹脂組成物５ａを硬化させてはんだ接合部８を周囲から補強する樹脂補強部５ｂを形成する。

一方、チップ部品６０は、チップ部品６０の下面と基板６との間を充填するように樹脂補強部５ｂが形成され、バンプ６１と電極６２とが導電接続される。

以下に、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。

はんだペーストとして次のものを用いた。
（はんだペーストＡ）
はんだ粒子（三井金属鉱業社製、Ｓｎ４２Ｂｉ５８）８０．０質量部、熱硬化性樹脂バインダー（エポキシ樹脂（新日鐵化学社製「ＹＤ１２８」）１６．４質量部および硬化剤（明和化成社製「ＭＥＨ−８０００Ｈ」）０．９質量部）、フラックス成分（アビエチン酸）２．７質量部を配合し、ディスパーを用いて均一に混合・混練することによって、ペースト状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
（はんだペーストＢ）
クリームはんだ（千住金属工業社製「Ｍ７０５−ＧＲＮ３６０Ｋ２Ｖ」）を使用した。
＜実施例１〜３＞
図１〜３に示す手順で半導体部品を基板に実装した。

基板（ＦＲ−４、基板サイズ：厚み：０．８ｍｍ、ランド径：０．４ｍｍ）の電極に、印刷用メタルマスク（メタルマスク開口径：０．４ｍｍ）によってはんだペーストＡを供給した。

半導体部品であるＢＧＡ（パッケージサイズ：１４×１４ｍｍ、ボール径：０．４５ｍｍ、ピッチ：０．８ｍｍ）のバンプに、はんだペーストＡを転写によって付着させてバンプに供給した。転写は、図２に示す方法に準じて、はんだペーストＡの平滑な転写面を有する転写テーブルにＢＧＡ下面を接触させることによって行った。

はんだペーストＡをバンプに供給したＢＧＡを、はんだペーストＡを電極に供給した基板に搭載した。その後、ＢＧＡを搭載した基板を所定の加熱プロファイルにしたがって加熱することにより、バンプを溶融固化し、かつはんだ粒子を溶融一体化させ、電極と半導体部品とを接続するはんだ接合部を形成し、かつはんだペーストＡを硬化させてはんだ接合部を周囲から補強する樹脂補強部を形成した。
＜比較例１＞
ＢＧＡのバンプにはんだペーストＡを供給せず、メタルマスク印刷にははんだペーストＢを使用し、基板の電極にはんだペーストＢを印刷した。それ以外は実施例１と同様にしてＢＧＡを基板に実装した。
＜比較例２＞
ＢＧＡのバンプにはんだペーストＡを供給せず、それ以外は実施例１と同様にしてＢＧＡを基板に実装した。

実施例１〜３では、表１に示すように、樹脂補強部は基板の上面からはんだ接合部の高さの５０％以上の高さまで、はんだ接合部の周囲に存在していた。

なお、参考として、はんだペーストＡのバンプへの転写付着量を実施例１よりも少なくしてＢＧＡを基板に実装した（参考例１）。この参考例１では、はんだ接合部の高さははんだ接合部の高さの４５％であった。

このＢＧＡを実装した回路装置について次の評価を行った。
[温度サイクル試験]
回路装置の電気的動作を行い、良品であったものについて、−４０℃で５分、８０℃で５分を１サイクルとする液相のヒートサイクル試験を行った。１０００サイクルまで試験を行った。
[落下試験]
衝撃加速度１５００Ｇ／０．５ｍｓの条件で、回路装置に瞬断が発生するまでの落下回数を評価した。１０００回まで試験を行った。

上記の測定および評価の結果を表１に示す。

表１より、実施例１〜３では、基板の電極にはんだペーストＡを印刷し、かつＢＧＡのバンプにはんだペーストＡを転写によって付着させて実装した。これにより、はんだ接合部の周囲の樹脂補強部の樹脂量を多くすることができ、樹脂補強部は、はんだ接合部の高さの５０％以上の高さまで、はんだ接合部の周囲に存在させることができ、比較例１、２や参考例１に比べて接続信頼性（温度サイクル、落下衝撃性）を大きく高めることができた。

１ 半導体部品
４ バンプ
５ はんだペースト
５ａ 熱硬化性樹脂組成物
５ｂ 樹脂補強部
６ 基板
７ 電極
８ はんだ接合部
ｈ１ はんだ接合部の高さ
ｈ２ 樹脂補強部の高さ

Claims (1)

1. 下面にはんだを成分とするバンプが形成されたバンプ付きの半導体部品を、基板に形成された電極に前記バンプをはんだ接合することにより実装する回路装置の製造方法において、
   前記基板の少なくとも前記電極を含む表面に、印刷または塗布によってはんだ粒子およびフラックス成分を含有する熱硬化性樹脂組成物（Ａ）を供給する工程と、
   前記半導体部品のバンプに、はんだ粒子およびフラックス成分を含有する熱硬化性樹脂組成物（Ｂ）を転写によって付着させて前記バンプに供給する工程と、
   前記熱硬化性樹脂組成物（Ｂ）を前記バンプに供給した前記半導体部品を、前記熱硬化性樹脂組成物（Ａ）を前記電極に供給した前記基板に搭載する工程と、
   前記半導体部品を搭載した前記基板を所定の加熱プロファイルにしたがって加熱することにより、前記バンプを溶融固化し、かつ前記はんだ粒子を溶融一体化させ、前記電極と前記半導体部品とを接続するはんだ接合部を形成し、かつ前記熱硬化性樹脂組成物（Ａ）、（Ｂ）を硬化させて前記はんだ接合部を周囲から補強する樹脂補強部を形成する工程とを含み、
   前記熱硬化性樹脂組成物（Ａ）、（Ｂ）中のはんだ粒子の含有量は、４０〜９５質量％の範囲であり、
   前記樹脂補強部を、前記基板の上面から前記はんだ接合部の高さの５０％以上の高さまで前記はんだ接合部の周囲に存在するように、かつ前記はんだ接合部の全体を覆わずに形成することを特徴とする回路装置の製造方法。

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