JP6097398B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
[第1の実施形態]
図1は、第1の実施形態の半導体装置の構成を表わす図である。
メモリアレイ101は、複数個のツインセル104を含む。ツインセル104は、閾値電圧Vthの相違によって2値データ(ツインセルデータ)を保持し、それぞれが電気的に書換え可能な第1記憶素子102と第2記憶素子103とからなる。
次に、制御回路105は、第1記憶素子102と第2記憶素子103の閾値電圧Vthが所定の書込みベリファイレベルとなるまで、第1記憶素子102と第2記憶素子103の両方または一方の閾値電圧を増加させる第1段階処理の実行を制御する(ステップS102)。
本実施の形態の半導体装置は、マイクロコンピュータである。
(マイクロコンピュータ)
図3は、第2の実施形態のマイクロコンピュータ1の構成を表わす図である。
図4は、フラッシュメモリモジュール6の構成を表わす図である。
図7(a)に示すように、ツインセルデータ“0”の消去を実行する場合に、プレライトによって、両方のセルが共にセルデータ“1”を保持するイニシャライズ状態となるが、消去前はポジティブセルMC1の閾値電圧Vthの方がネガティブセルMC2の閾値電圧Vthよりも大きいため、消去後でもこの関係が維持される可能性が想定される。この関係が維持された状態で読み出しを実施すると、イニシャライズ状態にも関わらずポジティブセルMC1とネガティブセルMC2の閾値電圧Vthに差があるために、不定値ではなく実質的に直前のツインセルデータ“0”と等しいデータ“0”を読み出してしまう可能性がある。
図7(b)に示すように、ツインセルデータ“1”の消去を実行する場合に、プレライトによって、両方のセルが共にセルデータ“1”を保持するイニシャライズ状態となるが、消去前はネガティブセルMC2の閾値電圧Vthの方がポジティブセルMC1の閾値電圧Vthよりも大きいため、消去後でもこの関係が維持される可能性が想定される。この直前のツインセルデータ状態で読み出しを実施すると、イニシャライズ状態にも関わらず、ポジティブセルMC1とネガティブセルMC2の閾値電圧Vthに差があるために、不定値ではなく実施的に直前のツインセルデータ“1”と等しいデータ“1”を読み出してしまう可能性がある。
図8は、第2の実施形態のツインセルデータの読出し系、書込み系、消去系の詳細な回路構成を表わす図である。書込み系の主ビット線としてWMBL_0P〜WMBL_3P、WMBL_0N〜WMBL_3Nの8本が例示され、そこに接続するメモリマットとして1個のメモリマットが例示される。特に制限されないが、副ビット線としてSBL_0P〜SBL_7P、SBL_0N〜SBL_7Nが配置され、1本の書込み系主ビット線WMBLに対して2本の副ビット線SBLが割り当てられる。
ポジティブセルMC1に割り当てられる主ビット線WMBL_iP(i=0〜3)に対応する書込みラッチ回路54Piには、データバスPBUS_Dから非反転信号線PSLに供給された書込みデータが書換え列セレクタ28で選択されて供給される。
図10は、第2の実施形態の書込みラッチ回路54Pi(i=0〜3)の構成を表わす図である。図10に示すように、書込みラッチ回路54Piは、セット部281と、データ入力部82と、データ保持部83と、設定部84と、インバータIV4とを備える。
インバータIV2の入力およびインバータIV3の出力がノードNDP1に接続され、インバータIV2の出力およびインバータIV3の入力がノードNDP2に接続される。
設定部84は、電源電圧VDDのラインと接地電圧Vssのラインとの間に設けられたPチャネルMOSトランジスタP2,P3と、NチャネルMOSトランジスタN2,N3,N4と、インバータIV5とを含む。インバータIV5は、プログラムパルス有効信号PPEを受ける。PチャネルMOSトランジスタP2のゲートは、インバータIV5の出力と接続される。PチャネルMOSトランジスタP3のゲートおよびNチャネルMOSトランジスタN2のゲートは、ノードNDP2に接続される。NチャネルMOSトランジスタN3のゲートは、プログラムパルス有効信号PPEを受ける。NチャネルMOSトランジスタN4のゲートは、書込みパルスWPLSを受ける。PチャネルMOSトランジスタP3とNチャネルMOSトランジスタN2との間のノードNDP3が主ビット線WMBL_iPに接続される。
設定部94は、電源電圧VDDのラインと接地電圧Vssのラインとの間に設けられたPチャネルMOSトランジスタP35,P6と、NチャネルMOSトランジスタN6,N7,N8と、インバータIV10を含む。インバータIV10は、プログラムパルス有効信号PPEを受ける。PチャネルMOSトランジスタP5のゲートは、インバータIV10の出力と接続される。PチャネルMOSトランジスタP6のゲートおよびNチャネルMOSトランジスタN6のゲートは、ノードNDN2に接続される。NチャネルMOSトランジスタN7のゲートは、プログラムパルス有効信号PPEを受ける。NチャネルMOSトランジスタN8のゲートは、書込みパルスWPLSを受ける。PチャネルMOSトランジスタP6とNチャネルMOSトランジスタN6との間のノードNDN3が主ビット線WMBL_iNに接続される。
図12は、第2の実施形態のツインセルデータの消去処理の手順を表わすフローチャートである。
次に、フラッシュシーケンサ7が、ステップS102〜S106のベリファイあり両セル(ポジティブセルMC1とネガティブセルMC2)の書込みを制御する。
次に、フラッシュシーケンサ7が、消去対象領域のすべての両セルに書込み用の電圧を印加する。すなわち、フラッシュシーケンサ7は、メモリゲートMGの電圧を10V、ソース線SLの電圧を6V、コントロールゲートCGの電圧を1.5Vに設定する。
フラッシュシーケンサ7が、消去モードに設定する(ステップS801)。
第1段階のベリファイあり両セルへの書込みによって、ポジティブセルMC1およびネガティブセルMC2の閾値電圧Vthが増加する。ネガティブセルMC2の閾値電圧Vthは、飽和レベルに達するため増加量は、少量である。
第1段階のベリファイあり両セルへの書込みによって、ポジティブセルMC1およびネガティブセルMC2の閾値電圧Vthが増加する。ポジティブセルMC1の閾値電圧Vthは、飽和レベルに達するため増加量は、少量である。ここで、書込みベリファイが行なわれるため、ネガティブセルMC2の閾値電圧Vthが書込みベリファイレベルWREVよりも大きくなり、ポジティブセルMC1の閾値電圧Vthとの差が微小となる。そのため、第2段階の消去処理後のブランク消去状態では、ポジティブセルMC1とネガティブセルMC2の閾値電圧Vthに差が微小となる。その結果、ツインセルデータ消去前に、ツインセルが保持しているデータ“0”が読み出されるのを防止することができる。
図15は、第3の実施形態のツインセルデータの消去処理の手順を表わすフローチャートである。
次に、フラッシュシーケンサ7は、ステップS202〜S205のベリファイなし両セル書込みを制御する。
次に、フラッシュシーケンサ7が、消去対象領域のすべての両セルに書込み用の電圧を印加する。すなわち、フラッシュシーケンサ7は、メモリゲートMGの電圧を10V、ソース線SLの電圧を6V、コントロールゲートCGの電圧を1.5Vに設定する。ここで、上記説明したプレライトと同様に、印加する電圧を通常の書込み用の電圧よりも小さくしたり、書込みパルスWPLSを与える期間を短くすることによって、通常の書込み時よりも弱い書込みを行なうものとしてもよい。プレライトでは、閾値電圧が小さい方のメモリセルの閾値電圧の増加量が、通常の書込み時の閾値電圧Vthの増加量よりも小さくなる。
次に、フラッシュシーケンサ7が、消去対象領域のすべての両セルに書込み用の電圧を印加する。すなわち、フラッシュシーケンサ7は、メモリゲートMGの電圧を10V、ソース線SLの電圧を6V、コントロールゲートCGの電圧を1.5Vに設定する。ここで、上記説明したプレライトと同様に、印加する電圧を通常の書込み用の電圧よりも小さくしたり、書込みパルスWPLSを与える期間を短くすることによって、通常の書込み時よりも弱い書込みを行なうものとしてもよい。
第1段階の前半のベリファイなし両セルへの書込みによって、ポジティブセルMC1およびネガティブセルMC2の閾値電圧Vthが増加する。さらに、第1段階の後半のベリファイなしネガティブセルMC2への書込みによって、ネガティブセルMC2の閾値電圧Vthがさらに増加するが、これによってポジティブセルMC1の閾値電圧VthとネガティブセルMC2の閾値電圧Vthとの差が広がる。そのため、消去処理後のブランク消去状態では、ポジティブセルMC1とネガティブセルMC2の閾値電圧Vthの差が検出可能となる。その結果、ツインセルデータ消去前に、ツインセルが保持しているデータ“1”が読み出される可能性がある。しかし、これは後述するように問題とならない。
第1段階の前半のベリファイなし両セルへの書込みによって、ポジティブセルMC1およびネガティブセルMC2の閾値電圧Vthが増加する。さらに、第1段階の後半のベリファイなしネガティブセルMC2への書込みによって、ネガティブセルMC2の閾値電圧Vthがさらに増加し、その結果、ポジティブセルMC1の閾値電圧VthとネガティブセルMC2の閾値電圧Vthとの差が縮小する。そのため、消去処理後のブランク消去状態では、ポジティブセルMC1とネガティブセルMC2の閾値電圧Vthの差が微小となり、読み出されるデータは“0”または“1”がランダムに変動する値となる。その結果、ツインセルデータ消去前に、ツインセルが保持しているデータ“0”が読み出されるのを防止できる。
[第3の実施形態の変形例]
図17は、第3の実施形態の変形例のツインセルデータの消去処理の手順を表わすフローチャートである。
次に、フラッシュシーケンサ7が、消去対象領域のすべての両セルに書込み用の電圧を印加する。すなわち、フラッシュシーケンサ7は、メモリゲートMGの電圧を10V、ソース線SLの電圧を6V、コントロールゲートCGの電圧を1.5Vに設定する。ここでは、プレライトのように、印加する電圧を通常の書込み用の電圧よりも小さくしたり、書込みパルスWPLSを与える期間を短くすることは行なわれない。
図18は、第4の実施形態のツインセルデータの消去処理の手順を表わすフローチャートである。
次に、フラッシュシーケンサ7が、消去対象領域のツインセルデータの読み出しを制御する。フラッシュシーケンサ7が、消去対象領域のすべての両セル(ポジティブセルMC1とネガティブセルMC2)に読出し用の電圧を印加する。すなわち、フラッシュシーケンサ7は、メモリゲートMGの電圧を0V、ソース線SLの電圧を0V、コントロールゲートCGの電圧を1.5Vに設定する。ツインセルデータが“0”の場合に、階層センスアンプSAからフラッシュシーケンサ7へ送られるデータは“0”となり、ツインセルデータが“1”の場合に、階層センスアンプSAからフラッシュシーケンサ7へ送られるデータは“1”となる(ステップ302)。
次に、フラッシュシーケンサ7が、ステップS303〜S307のベリファイあり選択セルの書込みを制御する。
次に、フラッシュシーケンサ7が、消去対象領域のすべての両セルに書込み用の電圧を印加する。すなわち、フラッシュシーケンサ7は、メモリゲートMGの電圧を10V、ソース線SLの電圧を6V、コントロールゲートCGの電圧を1.5Vに設定する。
第1段階の前半のツインセルデータの読出しによって、ツインセルデータが“1”であり、ネガティブセルMC2の方がポジティブセルMC1よりも閾値電圧Vthが大きいことがわかる。第1段階の後半のベリファイあり選択セルへの書込みによって、ポジティブセルMC1の閾値電圧Vthが増加する。その結果、ポジティブセルMC1の閾値電圧VthとネガティブセルMC2の閾値電圧Vthとの差が縮小する。そのため、消去処理後のブランク消去状態では、ポジティブセルMC1とネガティブセルMC2の閾値電圧Vthの差が微小となり、読み出されるデータは“0”または“1”がランダムに変動する値となる。その結果、ツインセルデータ消去前に、ツインセルが保持しているデータ“1”が読み出されるのを防止できる。また、第1段階において、ネガティブセルMC2の閾値電圧Vthを増加させないので、閾値電圧を増加させるためにかかるストレスが低減できる。
第1段階の前半のツインセルデータの読出しによって、ツインセルデータが“0”であり、ポジティブセルMC1の方がネガティブセルMC2よりも閾値電圧Vthが大きいことがわかる。第1段階の後半のベリファイあり選択セルへの書込みによって、ネガティブセルMC2の閾値電圧Vthが増加する。その結果、ポジティブセルMC1の閾値電圧VthとネガティブセルMC2の閾値電圧Vthとの差が縮小する。そのため、消去処理後のブランク消去状態では、ポジティブセルMC1とネガティブセルMC2の閾値電圧Vthの差が微小となり、読み出されるデータは“0”または“1”がランダムに変動する値となる。その結果、ツインセルデータ消去前に、ツインセルが保持しているデータ“0”が読み出されるのを防止できる。また、第1段階において、ポジティブセルMC1の閾値電圧Vthを増加させないので、閾値電圧を増加させるためにかかるストレスが低減できる。
図20は、第5の実施形態のツインセルデータの消去処理の手順を表わすフローチャートである。
次に、フラッシュシーケンサ7は、ステップS402〜S405のベリファイなし両セル書込みを制御する。ステップS402〜S405の処理は、図15のステップS202〜S205の処理と同様なので、説明を繰り返さない。
図21は、第5の実施形態における、ツインセルデータの消去によるポジティブセルMC1とネガティブセルMC2の閾値電圧Vthの変化の例を表わす図である。
第1段階の1番目のステップのベリファイなし両セルへの書込みによって、ポジティブセルMC1およびネガティブセルMC2の閾値電圧Vthが増加する。第1段階の2番目のステップのツインセルデータの読出しによって、ツインセルデータが“1”であり、ネガティブセルMC2の方がポジティブセルMC1よりも閾値電圧Vthが大きいことがわかる。第1段階の3番目のステップのベリファイあり選択セルへの書込みによって、ポジティブセルMC1の閾値電圧Vthがさらに増加する。その結果、ポジティブセルMC1の閾値電圧VthとネガティブセルMC2の閾値電圧Vthとの差が縮小する。そのため、消去処理後のブランク消去状態では、ポジティブセルMC1とネガティブセルMC2の閾値電圧Vthの差が微小となり、読み出されるデータは“0”または“1”がランダムに変動する値となる。その結果、ツインセルデータ消去前に、ツインセルが保持しているデータ“1”が読み出されるのを防止できる。また、第1段階において、ネガティブセルMC2の閾値電圧Vthを増加させないので、閾値電圧を増加させるためにかかるストレスが低減できる。
第1段階の1番目のステップのベリファイなし両セルへの書込みによって、ポジティブセルMC1およびネガティブセルMC2の閾値電圧Vthが増加する。第1段階の2番目のステップのツインセルデータの読出しによって、ツインセルデータが“0”であり、ポジティブセルMC1の方がネガティブセルMC2よりも閾値電圧Vthが大きいことがわかる。第1段階の3番目のステップのベリファイあり選択セルへの書込みによって、ネガティブセルMC2の閾値電圧Vthがさらに増加する。その結果、ポジティブセルMC1の閾値電圧VthとネガティブセルMC2の閾値電圧Vthとの差が縮小する。そのため、消去処理後のブランク消去状態では、ポジティブセルMC1とネガティブセルMC2の閾値電圧Vthの差が微小となり、読み出されるデータは“0”または“1”がランダムに変動する値となる。その結果、ツインセルデータ消去前に、ツインセルが保持しているデータ“0”が読み出されるのを防止できる。また、第1段階において、ポジティブセルMC1の閾値電圧Vthを増加させないので、閾値電圧を増加させるためにかかるストレスが低減できる。
本発明の実施の形態では、ツインセルデータの消去要求を受けたときに、第1記憶素子102と第2記憶素子103の閾値電圧が所定の書込みベリファイレベルとなるまで、第1記憶素子102と第2記憶素子103の両方または一方の閾値電圧を増加させる第1段階処理の実行を制御するものとしたが、本発明は、上記第1段階の処理に限定されるものではない。
Claims (3)
- 閾値電圧の相違によって2値データを保持し、それぞれが電気的に書換え可能な第1記憶素子と第2記憶素子とからなるツインセルを複数個含むメモリアレイと、
ベリファイ用センスアンプと、
ツインセルデータの消去要求を受けたときに、前記第1記憶素子の閾値電圧と前記第2記憶素子の閾値電圧をともに増加させる処理が所定回数実行されるように制御し、その後、前記第1記憶素子と前記第2記憶素子のうちの予め定められた一方の記憶素子の閾値電圧を増加させるとともに、前記ベリファイ用センスアンプに前記一方の記憶素子の閾値電圧と前記書込みベリファイレベルとを比較させる第1段階処理の実行を制御し、
前記第1段階処理の実行後に、前記第1記憶素子の閾値電圧と前記第2記憶素子の閾値電圧が所定の消去ベリファイレベルとなるまで、前記第1記憶素子の閾値電圧と前記第2記憶素子の閾値電圧をともに減少させる第2段階処理の実行を制御する制御部とを備えた、半導体装置。 - 閾値電圧の相違によって2値データを保持し、それぞれが電気的に書換え可能な第1記憶素子と第2記憶素子とからなるツインセルを複数個含むメモリアレイと、
ツインセルデータの消去要求を受けたときに、第1段階処理と、その後の第2段階処理の実行を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記第1段階処理において、前記第1記憶素子の閾値電圧と前記第2記憶素子の閾値電圧をともに増加させる処理が所定回数実行されるように制御し、その後、前記第1記憶素子と前記第2記憶素子のうちの予め定められた一方の記憶素子の閾値電圧を増加させる処理が所定回数実行されるように制御し、
前記第2段階処理において、前記第1記憶素子の閾値電圧と前記第2記憶素子の閾値電圧が所定の消去ベリファイレベルとなるまで、前記第1記憶素子の閾値電圧と前記第2記憶素子の閾値電圧をともに減少させる第2段階処理の実行を制御する、半導体装置。 - 前記制御部は、前記所定回数実行される前記第1記憶素子の閾値電圧と前記第2記憶素子の閾値電圧をともに増加させる処理において、閾値電圧が小さい方の記憶素子の閾値電圧の増加量が通常の書き込み時よりも小さくなるように前記第1記憶素子と前記第2記憶素子に与える電圧を制御する、請求項1または2記載の半導体装置。
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