JP6997595B2 - 半導体記憶装置、及び半導体記憶装置の制御方法 - Google Patents
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Description
まず、関連技術にかかる半導体記憶装置について説明する。
関連技術にかかる半導体記憶装置は、例えばフラッシュメモリである。フラッシュメモリは、各々のメモリセルが備えるフローティングゲートに注入する電荷の量に応じて閾値電圧が変化する。具体的には、フローティングゲートに注入する電荷の量が多いほど閾値電圧が高くなる。関連技術にかかる半導体記憶装置では、フローティングゲートに注入する電荷の量を調整し、1つのメモリセルに複数の閾値電圧を設定することで、1つのメモリセルに多値のデータを格納している。
図4は、実施の形態1にかかる半導体記憶装置におけるデータ定義例を示す図である。本実施の形態にかかる半導体記憶装置は、メモリセルAとメモリセルBとを備えるメモリセル対を1つのメモリユニットとし、この1つのメモリユニット(メモリセル対)に多値のデータを格納している。具体的には、一方のメモリセルAに基準閾値電圧Vth1を設定し、他方のメモリセルBに複数の閾値電圧Vth2~Vth4を設定している。各々のデータは、メモリセルBの各々の閾値電圧Vth2~Vth4とメモリセルAの閾値電圧Vth1との各々の差ΔVth1~ΔVth3を用いて定義される。
また、図8では図面を簡略化するために各々のメモリセルMC1~MC2nが1列に配置されているように図示したが、実際には各々のメモリセルはマトリックス状に配置されている。
次に、実施の形態2について説明する。図13は、実施の形態2にかかる半導体記憶装置におけるデータ定義例を示す表である。実施の形態2にかかる半導体記憶装置は、実施の形態1にかかる半導体記憶装置と比べてデータの定義方法が異なる。これ以外は実施の形態1で説明した半導体記憶装置と同様であるので、重複した説明は省略する。
次に、実施の形態3について説明する。図14は、実施の形態3にかかる半導体記憶装置におけるデータ定義例を示す表である。実施の形態3にかかる半導体記憶装置は、実施の形態1、2にかかる半導体記憶装置と比べてデータの定義方法が異なる。これ以外は実施の形態1、2で説明した半導体記憶装置と同様であるので、重複した説明は省略する。
次に、実施の形態4について説明する。図18は、実施の形態4にかかる半導体記憶装置におけるデータ定義例を示す図である。実施の形態4にかかる半導体記憶装置は、実施の形態1~3にかかる半導体記憶装置と比べて、負の閾値電圧を用いてデータを定義している点が異なる。これ以外は実施の形態1~3で説明した半導体記憶装置と同様であるので、重複した説明は省略する。
次に、実施の形態5について説明する。図20は、実施の形態5にかかる半導体記憶装置が備えるメモリコントローラの構成例を示すブロック図である。図20に示すように、本実施の形態にかかる半導体記憶装置は、メモリコントローラ13aがタイマ28を備える点が実施の形態1~4と異なる。これ以外は実施の形態1~4で説明した半導体記憶装置と同様であるので、重複した説明は省略する。
11 メモリアレイ
12 閾値電圧検出部
13、13a メモリコントローラ
14_1~14_n メモリセル対
21 閾値電圧決定部
22 メモリセル制御部
23 電圧差算出部
24 データ変換部
28 タイマ
Claims (2)
- 複数のメモリセルと、
前記複数のメモリセルを制御するメモリコントローラと、を備え、
前記複数のメモリセルは第1のメモリセルと第2のメモリセルとを備えるメモリセル対を複数有し、
前記第1及び第2のメモリセルは各々、複数の閾値電圧を設定可能に構成されており、
前記メモリコントローラには、前記第1のメモリセルの前記複数の閾値電圧と前記第2のメモリセルの前記複数の閾値電圧とを用いて算出される各々の閾値電圧の差、及び前記第1のメモリセルの前記複数の閾値電圧と前記第2のメモリセルの前記複数の閾値電圧とを用いて算出される各々の閾値電圧の和と、前記メモリセル対に格納される各々のデータと、を対応付け、かつ前記メモリセル対に格納される各々のデータと、データの書き込み時に設定する前記第1のメモリセルの閾値電圧および前記第2のメモリセルの閾値電圧と、を対応付けたテーブルが格納されており、
前記メモリコントローラは、書き込み対象の前記メモリセル対にデータを書き込む際、前記テーブルに基づいて書き込みデータに対応する前記第1のメモリセルの閾値電圧および前記第2のメモリセルの閾値電圧を決定し、当該決定された前記第1のメモリセルの閾値電圧および前記第2のメモリセルの閾値電圧を書き込み対象の前記メモリセル対の前記第1のメモリセルおよび前記第2のメモリセルの各々に設定し、
前記メモリコントローラは、読み出し対象の前記メモリセル対からデータを読み出す際、前記テーブルに基づいて読み出し対象の前記メモリセル対の前記第1のメモリセルおよび前記第2のメモリセルの各々の検出された閾値電圧の差および和に対応するデータを決定し、当該決定されたデータを読み出しデータとする、
半導体記憶装置。 - 複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルを制御するメモリコントローラと、を備える半導体記憶装置においてデータの書き込みおよびデータの読み出しを制御する、半導体記憶装置の制御方法であって、
前記複数のメモリセルは第1のメモリセルと第2のメモリセルとを備えるメモリセル対を複数有し、
前記第1及び第2のメモリセルは各々、複数の閾値電圧を設定可能に構成されており、
前記メモリコントローラには、前記第1のメモリセルの前記複数の閾値電圧と前記第2のメモリセルの前記複数の閾値電圧とを用いて算出される各々の閾値電圧の差、及び前記第1のメモリセルの前記複数の閾値電圧と前記第2のメモリセルの前記複数の閾値電圧とを用いて算出される各々の閾値電圧の和と、前記メモリセル対に格納される各々のデータと、を対応付け、かつ前記メモリセル対に格納される各々のデータと、データの書き込み時に設定する前記第1のメモリセルの閾値電圧および前記第2のメモリセルの閾値電圧と、を対応付けたテーブルが格納されており、
前記メモリコントローラは、書き込み対象の前記メモリセル対にデータを書き込む際、前記テーブルに基づいて書き込みデータに対応する前記第1のメモリセルの閾値電圧および前記第2のメモリセルの閾値電圧を決定し、当該決定された前記第1のメモリセルの閾値電圧および前記第2のメモリセルの閾値電圧を書き込み対象の前記メモリセル対の前記第1のメモリセルおよび前記第2のメモリセルの各々に設定し、
前記メモリコントローラは、読み出し対象の前記メモリセル対からデータを読み出す際、前記テーブルに基づいて読み出し対象の前記メモリセル対の前記第1のメモリセルおよび前記第2のメモリセルの各々の検出された閾値電圧の差および和に対応するデータを決定し、当該決定されたデータを読み出しデータとする、
半導体記憶装置の制御方法。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020118573A1 (en) | 2000-12-29 | 2002-08-29 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method for storing data in a nonvolatile memory |
WO2002067267A1 (fr) | 2001-02-21 | 2002-08-29 | Fujitsu Limited | Stockage remanent a semi-conducteur a valeurs multiples |
US20040080979A1 (en) | 2002-10-25 | 2004-04-29 | Nexflash Technologies, Inc. | Nonvolatile semiconductor memory having three-level memory cells and program and read mapping circuits therefor |
JP2004319007A (ja) | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びこれを用いた電子装置 |
JP2004355726A (ja) | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | メモリ回路およびそのデータ読出方法 |
JP2006127762A (ja) | 2006-02-06 | 2006-05-18 | Toshiba Corp | 記憶装置の制御方法 |
US20060209593A1 (en) | 2005-03-18 | 2006-09-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
JP2010503944A (ja) | 2006-09-13 | 2010-02-04 | モサイド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | フラッシュのマルチレベル閾値分布方式 |
JP2012203957A (ja) | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Toshiba Corp | メモリシステム |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001101879A (ja) | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2004103089A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Sharp Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその再書き込み方法 |
JP4253312B2 (ja) | 2005-04-15 | 2009-04-08 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
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WO2015022741A1 (ja) * | 2013-08-15 | 2015-02-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
WO2015022743A1 (ja) * | 2013-08-15 | 2015-02-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020118573A1 (en) | 2000-12-29 | 2002-08-29 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method for storing data in a nonvolatile memory |
WO2002067267A1 (fr) | 2001-02-21 | 2002-08-29 | Fujitsu Limited | Stockage remanent a semi-conducteur a valeurs multiples |
US20040080979A1 (en) | 2002-10-25 | 2004-04-29 | Nexflash Technologies, Inc. | Nonvolatile semiconductor memory having three-level memory cells and program and read mapping circuits therefor |
JP2004319007A (ja) | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びこれを用いた電子装置 |
JP2004355726A (ja) | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | メモリ回路およびそのデータ読出方法 |
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