JP6085038B2 - 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 - Google Patents

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Description

本発明は、電子部品を気密封止するための電子部品収納用パッケージおよび電子装置に関するものである。
半導体素子あるいは圧電素子等の電子部品を搭載するための電子部品収納用パッケージとして、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミック材料等からなる絶縁基板の上面に電子部品の搭載部を有するものが用いられている。搭載部に電子部品が搭載され、搭載部を塞ぐように金属製の蓋体が絶縁基板の上面に接合されて、絶縁基板と蓋体との間に電子部品が気密封止される。
また、蓋体と絶縁基板との接合は、例えば、絶縁基板の上面の外周部に設けられた金属層と金属製の蓋体とをろう材によって接合することによって行なわれる。ろう材に対する加熱は、例えば、赤外線のような加熱手段によって行なわれる。照射された赤外線は、絶縁基板で吸収されて熱エネルギーに変換され、この熱によってろう材等の接合部分が加熱される。
特開2001−308212号公報
赤外線による加熱を行なう場合には、絶縁基板における赤外線の吸収率を高めることが望ましい。しかし、酸化アルミニウム質焼結体等からなる絶縁基板は、赤外線の吸収率が比較的小さいため、赤外線の吸収率を高めることが難しいという問題点があった。そのため、例えば、上述したような接合方法を行なう場合には、金属層の加熱に時間がかかるので、金属層の上面に配置されたろう材に十分に熱が伝わるまで時間がかかり、加熱接合工程の時間を短縮することが難しくなっていた。また、従来の加熱方法を使用した場合には、ろう材の箇所によっては熱が十分に伝わらず、ろう材に融点まで達しにくい部分が生じていた。従って、ろう材が十分に溶融せず、蓋体が金属層に接合していない箇所が生じやすくなっていたので、絶縁基板と蓋体とで囲まれた電子部品の収納空間の気密性が低下しやすくなるという問題点があった。
本発明の１つの態様の電子部品収納用パッケージは、互いに積層された複数の絶縁層を含んでおり、電子部品の搭載部を含む上面を有している絶縁基板を備える電子部品収納用パッケージであって、前記絶縁基板は、前記複数の絶縁層のそれぞれが前記第１金属酸化物を主成分として含有しており、前記複数の絶縁層のうち最上層の絶縁層の上面に枠状に設けられた第１金属層をさらに備えており、該第１金属層は、前記第１金属酸化物よりも赤外線吸収率が高い第２金属酸化物を含有している。また、この電子部品収納用パッケージは、前記絶縁層と同じ絶縁材料または前記第１金属層と同じ金属材料を含有しているとともに前記絶縁基板の側面または下面に設けられた第１吸収層をさらに有し、該第１吸収層は、前記第２金属酸化物を含有している。
本発明の１つの態様の電子装置は、上記構成の電子部品収納用パッケージと、前記搭載部に搭載されている電子部品と、下面が前記第１金属層に接合されて、前記搭載部の上面を覆うように設けられている蓋体とを備える。
本発明の１つの態様の電子部品収納用パッケージによれば、複数の絶縁層のうち最上層の絶縁層の上面に枠状に設けられた第１金属層が、第１金属酸化物より赤外線吸収率が高い第２金属酸化物を含有している。この構成によれば、例えば、赤外線照射によって蓋体を絶縁基板に接合する際に第１金属層上にろう材を配置する場合に、絶縁基板で発生した熱だけでなく、赤外線吸収率が比較的高い第１金属層で比較的多く発生した熱がろう材に直接に伝わる。そのため、ろう材が融点に達するまでの時間が短くなり、蓋体と絶縁基板との接合工程の時間を短縮することができる。また、ろう材について融点に達しない箇所が生じにくくなり、ろう材が第１金属層および蓋体に良好に接合される。よって、蓋体と絶縁基板とで囲まれる電子部品の収納空間の気密性を向上させることができる。
本発明の１つの態様の電子装置によれば、上記構成の電子部品収納用パッケージと、搭載部に搭載されている電子部品と、下面が第１金属層に接合されて、搭載部の上面を覆うように設けられている蓋体とを有することから、蓋体と絶縁基板とで囲まれる電子部品の収納空間の気密性を向上させることができる。
（ａ）は、本発明の実施形態の電子部品収納用パッケージおよび電子装置（蓋体は除く。）を示す上面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す実施形態のＸ−Ｘ線における断面図である。 （ａ）は、図１に示す電子部品収納用パッケージおよび電子装置の変形例を示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す実施形態の下面図である。 図１に示す電子部品収納用パッケージおよび電子装置の他の変形例を示す断面図である。
本発明の電子部品収納用パッケージおよび電子装置について、添付の図面を参照して説明する。なお、以下の説明における上下の区別は説明のための便宜的なものであり、実際に電子部品収納用パッケージ等が使用される際の上下を特定するものではない。また、以下の説明における赤外線とは、基本的には、特に金属酸化物によって吸収されやすい近赤外領域を主な範囲とする。具体的には波長が0.7〜３μｍ程度の赤外線である。
図１（ａ）は本発明の実施形態の電子部品収納用パッケージ10および電子装置20を示す上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ線における断面図である。なお、図１（ａ）は断面図ではないが、識別しやすくするために、後述する第１金属層にハッチングを施している。本発明の実施形態の電子部品収納用パッケージ10は、上面に凹部１ａを有する絶縁基板１と、絶縁基板１の上面に設けられた第１金属層２を有している。この電子部品収納用パッケージ10の凹部１ａ内に電子部品４が収容され、絶縁基板１の上面に蓋体５が接合されて凹部１ａが塞がれることによって、凹部１ａと蓋体５とからなる容器内に電子部品４が気密封止され、電子装置20が形成されている。この場合、凹部１ａの底部が、電子部品４が搭載される搭載部である。なお、図１（ａ）では、見やすくするために蓋体５を省略している。
絶縁基板１は、互いに積層された複数のセラミック絶縁層11（以下、絶縁層という）を含んでおり、電子部品４の搭載部を含む上面を有している。図１に示す例においては、絶縁基板１は、上面の中央部に電子部品４を収容するための凹部１ａを有している。また、この絶縁基板１の上面視における形状は、例えば四角形状である。また、絶縁基板１は、例えば同様のセラミック材料からなる複数の絶縁層11が同時焼成されて作製されている。
複数の絶縁層11のそれぞれは、第１金属酸化物を主成分として含有している。第１金属酸化物は、例えば、酸化アルミニウム、酸化ケイ素および酸化アルミニウムを含むガラスセラミックス、またはムライト等のセラミック材料である。前述した通り、複数の絶縁層11において、第１金属酸化物は主成分である。よって、例えば絶縁層11が酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、第１金属酸化物は酸化アルミニウムであり、絶縁層11が酸化アルミニウムとケイ酸を含むガラスセラミックスからなる場合であれば、第１金属酸化物は酸化アルミニウムと酸化ケイ素との組成物である。なお、１つの絶縁層11全体の体積に対する第１金属酸化物の体積含有率は、例えば75〜99体積％である。また、絶縁基板１全体の体積に対する第１金属酸化物の体積含有率も同様である。
凹部１ａは、上記のように電子部品４を収容し、気密封止するための容器の一部となる部分である。凹部１ａの底面は、例えば平面視で長方形状等の四角形状であり、四角板状等の電子部品４が効率よく収容できるようになっている。
また、図１に示す例のように、絶縁基板１は、凹部１ａの内側面に段状部１ｂを有している。図１に示す例においては、段状部１ｂの上面に接続電極７が設けられている。この接続電極７は、凹部１ａ内に収容される電子部品４を外部電気回路（図示せず）に電気的に接続する導電路となる。
図１に示す例においては、凹部１ａ内に収容された電子部品４は、ボンディングワイヤ６によって、接続電極７に電気的に接続されている。この接続電極７は、絶縁基板１の内部等に設けられた貫通導体（いわゆるビア導体）等（不図示）を介して絶縁基板１の下面の外部接続端子８と電気的に接続されている。電子部品４は、接続電極７、貫通導体および外部接続端子８等を介して外部の電気回路と電気的に接続される。
電子部品４としては、特に限定されないが、半導体素子あるいは圧電素子等が用いられる。
図１に示す例においては、絶縁基板１の下面に外部接続端子８が設けられている。外部接続端子８は、外部の電気回路等との接続端子となる。外部接続端子８と外部の電気回路との電気的な接続は、例えば、はんだ等のろう材、導電性接着剤またはリード端子等によって行なわれる。
接続電極７および外部接続端子８は、例えばタングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀、パラジウム、金、白金、ニッケルもしくはコバルト等の金属材料、またはこれらの金属材料の合金もしくは混合材によって形成されている。
接続電極７および外部接続端子８は、例えばそれらの配置および電位等が適宜設定されることによって、凹部１ａ内に収容されて封止される電子部品４と外部との電磁的な遮蔽用の導体として機能させることもできる。
図１に示す例においては、第１金属層２は、複数の絶縁層11のうち最上層の絶縁層の上面に枠状に設けられている。この第１金属層２は、第１金属酸化物よりも赤外線吸収率が高い第２金属酸化物を含有している。
この構成によれば、例えば、赤外線照射によって蓋体を絶縁基板に接合する際に第１金属層２上にろう材を配置する場合に、赤外線照射によって絶縁基板１で発生した熱だけでなく、赤外線吸収率が比較的高い第１金属層２で比較的多く発生した熱もまた、ろう材に伝わる。そのため、ろう材の融点に達するまでの時間が短くなり、蓋体５と絶縁基板１との接合工程の時間を短縮することができる。また、ろう材に接している第１金属層２も発熱する。そのため、ろう材について融点に達しない箇所が生じにくくなり、ろう材が第１金属層２に蓋体５を良好に接合することとなる。よって、蓋体５と絶縁基板１とで囲まれる電子部品４の収納空間の気密性を向上させることができる。なお、第１金属層２上に配置されるろう材としては、例えば、金−スズ合金またはスズ−銀系合金等のいわゆる低融点ろう材が挙げられる。
図１に示す例においては、第１金属層２は、金属材料と第２金属酸化物とを含有している。この金属材料は、上述した接続電極７および外部接続端子８と同様の金属材料が用いられる。また、第２金属酸化物としては、第１金属酸化物よりも赤外線吸収率が高ければ特に限定されない。例えば、第１金属酸化物が酸化アルミニウムである場合には、第２金属酸化物は、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化クロム、酸化銅、酸化マンガン、酸化シリコン、酸化ニッケル、酸化タングステンおよび酸化亜鉛から選択される１種または複数種の金属酸化物が使用される。
第１金属層２における第２金属酸化物の体積含有率は、例えば、第１金属層２全体の体積に対して５体積％以上であり50体積％以下であることが好ましい。第２金属酸化物の体積含有率が５体積％以上である場合には、第１金属層２の赤外線吸収量が増加し、熱の発生量を増大させることができる。また、第２金属酸化物の体積含有率が50体積％以下である場合には、第１金属層２に対するろう材の濡れ性をより効果的に向上させることができる。また、後述するめっき層の第１金属層２に対する密着性を高くする上でも有利である。また、後述するように、第１金属層２と絶縁基板１とが同時焼成によって作製される場合、50体積％以下である場合には、両部材の接合力を高めることができる。
第１金属層２における第２金属酸化物の体積含有率の測定には、例えば、蛍光Ｘ線分析法、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）等の方法を用いればよい。例えば蛍光Ｘ線分析法において、第１金属層２にＸ線を照射したときに生じる元素固有の蛍光Ｘ線の波長によって、第１金属層２に含有されている元素を測定（定性分析）することができる。また、第１金属層２の断面における元素分布を測定して、その表面の単位面積当たりに占める対象の元素（第２金属酸化物の金属元素）の占有率から、第１金属層２の単位体積当たりの第２金属酸化物の含有率（体積％）を測定することができる。さらに、第２金属酸化物の含有率が既知の標準試料を作製し、第１金属層２の断面における元素分布を測定して、その表面の単位面積あたりに占める対象元素（第２金属酸化物の金属元素）の占有率と比較することによって、第１金属層２における第２金属酸化物の含有率を測定することができる。
蓋体５は、図１に示す例において、下面が第１金属層２に接合されて、電子部品４の搭載部の上面を覆うように設けられている。図１に示す例のように、凹部１ａが蓋体５で塞がれているので、凹部１ａ内部の電子部品４を収納する空間が気密封止される。
絶縁基板１と蓋体５との接合は、例えばろう付けによって行なわれる。すなわち、枠状の第１金属層２の上面と蓋体５の下面とをろう付けによって互いに接合することによって行なわれる。
なお、ここで述べたようなろう付けによる接合法を用いる場合には、少なくとも蓋体５の下面であって第１金属層２と対応する枠状の領域に、金属材料が設けられている必要がある。その金属材料は、鉄−ニッケル合金もしくは鉄−ニッケル−コバルト合金等の鉄系の合金材料、または銅もしくは銅系の合金材料であればよい。
例えば、蓋体５は、その全体が金属材料から成っていてもよい。また、蓋体５は、シリコン等の半導体材料、または酸化アルミニウム等のセラミック材料から成っていてもよい。この場合には、蓋体５の下面に、第１金属層２と対応するように、前述した金属材料から成る金属層が枠状に設けられていればよい。または、シリコン等の半導体材料または酸化アルミニウム等のセラミック材料から成る蓋体５の下面の全面に、前述した金属材料から成る金属層が設けられていてもよい。
以下に、図１に示す実施形態に係る本発明の電子部品収納用パッケージ10の製造方法の例を示す。
まず、複数の絶縁層11がいずれも酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダおよび溶剤等を添加混合して作製したスラリーを、ドクターブレード法等のシート成形法によってシート状にすることにより、複数枚のセラミックグリーンシートを作製する。なお、図１に示す例のように、絶縁基板１に凹部１ａおよび段状部１ｂを設けるためには、打ち抜き加工によって、得られたセラミックグリーンシートに所定の貫通孔を形成すればよい。
次に、得られた複数のセラミックグリーンシートを積層する前または積層した後に、接続電極７、外部接続端子８および第１金属層２となる金属ペーストを塗布する。接続電極７、外部接続端子８となる金属ペーストは、前述した金属材料の粉末に有機溶剤およびバインダ等を付加して混練したものが使用される。第１金属層２となる金属ペーストは、前述した金属材料の粉末に、前述した第２金属酸化物の材料粉末、有機溶剤およびバインダ等を付加して混練したものが使用される。これらの金属ペーストが塗布されたセラミックグリーンシート積層体を高温で同時焼成することにより、接続電極７、外部接続端子８および第１金属層２を有する絶縁基板１を作製する。
また、第１金属層２の露出表面にろう材の濡れ性を良くするために、さらにニッケル、銅および金等を含むめっき層が設けられていてもよい。
以下に、図１に示す実施形態に係る本発明の電子装置20の製造方法の例を示す。
まず、例えば上記実施形態の電子部品収納用パッケージ10を準備し、絶縁基板１に電子部品４を搭載する。この工程では、電子部品４を絶縁基板１の凹部１ａ内に収容するとともに凹部１ａの底面にろう材等の接合材（図示せず）で接合する。
次に、電子部品４と接続電極７とをボンディングワイヤ６等の接続手段によって互いに電気的に接続する。
次に、絶縁基板１の上面の第１金属層２上に蓋体５を接合する。この接合方法としては、例えばろう付けが用いられる。ろう付けを行なうためには、まず、枠状の第１金属層２上に、第１金属層２の形状に対応する形状を有する枠状のろう材を配置する。その枠状のろう材の上に、凹部２ａを塞ぐようにして蓋体５を配置する。これらの配置後に、所定の温度で加熱することによってろう材を溶融させ、第１金属層２上に蓋体５を接合する。以上の工程によって、本発明の実施形態の電子装置を製造する。
前述の加熱手段としては種々のものが用いられ得るが、例えば電子部品４が収納される凹部１ａ内を真空状態（いわゆる真空封止）にして封止する必要がある場合には、真空環境中で蓋体５と第１金属層２との接合が行なわれるので、加熱手段としては赤外線の照射による加熱（輻射による加熱）が行なわれる。
なお、真空封止の場合に限らず、蓋体５の接合時の作業性および経済性等の都合に応じて、赤外線による加熱が行なわれる場合がある。この場合には、例えば外部に設けた赤外線の発光装置から絶縁基板１および蓋体５（上記のように互いに位置決め配置されたもの）に対して赤外線が照射され、この赤外線が絶縁基板１および第１金属層２で吸収されて熱エネルギーに変換され、この熱エネルギーによってろう材等の接合部分が加熱される。
赤外線の照射は、例えば前述した近赤外領域の波長の赤外線を発光する赤外線ランプヒーター（図示せず）によって行なわれる。この場合は、複数個の絶縁基板１と複数個の蓋体５（図示せず）とをそれぞれ互いに上記のようにまとめて位置決めセットして、一括して赤外線を照射して加熱すれば、複数個の電子装置を同時に製作することができる。また、それぞれが個々の配線基板または蓋体となる複数個の領域を有する、いわゆる多数個取り形態の配線基板と蓋体（図示せず）とを準備して、上記位置決めおよび接合の工程をより容易に行なえるようにしてもよい。
なお、赤外線の吸収率は、例えば前述した近赤外領域の波長においては、分光透過率、反射率等の測定手段を用いて測定することができる。
また、赤外線ランプヒーターには遠赤外領域の波長の赤外線が含まれる場合があり、この遠赤外領域の波長に対する吸収率は、ＦＴ−ＩＲによる分光放射率測定等の測定手段によって測定することができる。
第１金属酸化物の赤外線吸収率は、例えば酸化アルミニウムの場合であれば、近赤外から遠赤外の領域まで含めて約40％程度である。
第２金属酸化物の赤外線吸収率は、例えば酸化銅の場合であれば、近赤外領域の波長の赤外線において約85％であり、遠赤外領域の波長の赤外線においては約80％である。また、酸化クロムの場合であれば、近赤外領域の波長の赤外線において約70％であり、遠赤外領域の波長の赤外線において約85％である。
次に、図２（ａ）および（ｂ）を用いて、本発明の実施形態の他の例に係る電子部品収納用パッケージ10および電子装置20を説明する。なお、図２に示す実施形態において使用される第１金属酸化物および第２金属酸化物は、図１の実施形態の説明で使用したものと同様とする。なお、図２（ｂ）についても、断面図ではないが、識別しやすくするために後述する第１吸収層にハッチングを施している。
図２（ａ）に示す例においては、第１金属酸化物よりも赤外線吸収率が高い第２金属酸化物を含有している第１金属層２が絶縁基板１の上面に枠状に設けられているとともに、第２金属酸化物を含有する第１吸収層９が絶縁基板１の側面および下面に設けられている。
第１吸収層９は、絶縁層11と同じ絶縁材料または第１金属層２と同じ金属材料を含有している。すなわち、第１吸収層９は、例えば絶縁層11と同様の材料を基材として絶縁基板の外表面に設けられた層状の部位であって、第２金属酸化物をさらに含有しているものである。また、第１吸収層９は、例えば第１金属層２と同様の材料を基材として絶縁基板の外表面に設けられた層状の部位であって、第２金属酸化物をさらに含有しているものであってもよい。
この構成によれば、赤外線が照射された際に、絶縁基板１および第１金属層２からだけでなく、赤外線吸収率が比較的高い第１吸収層９からも比較的多くの熱が発生する。そのため、赤外線照射を吸収する領域が増し、絶縁基板１全体がより均一に加熱される。したがって、蓋体５と絶縁基板１との接合部分がより効果的に加熱され得る。
なお、図２（ａ）に示す例では、第１吸収層９が絶縁基板１の側面および下面に設けられているが、第１吸収層９は絶縁基板１の側面または下面のいずれか一方のみに設けられていてもよい。
第１吸収層９における第２金属酸化物の含有率は、例えば、第１吸収層９全体の質量に対して５質量％以上であり20質量％以下であることが好ましい。第２金属酸化物の含有率が５質量％以上である場合には、第１吸収層９の赤外線吸収量が増加し、熱の発生量を増大させることができる。また、第２金属酸化物の含有率が20質量％以下である場合には、第１吸収層９と絶縁層11との接合力を高めることができる。
第１吸収層９における第２金属酸化物の含有率は、例えば第１金属層２の場合と同様に、蛍光Ｘ線分析法等の分析法によって測定することができる。この場合には、前述したように蛍光Ｘ線の波長によって第１吸収層９に含有されている元素を分析することができる。また、このときの蛍光Ｘ線の強度を、分析対象の元素の含有率（質量％）が既知の標準資料の強度と比較することによって、その元素の質量含有率を測定（定量分析）することができる。
第１吸収層９において、第２金属酸化物以外に含有される成分としては、例えば前述した第１金属酸化物等のセラミック材料（絶縁層11と同じ絶縁材料）、または第１金属層２と同様の金属材料が挙げられる。
第１吸収層９が金属材料を含有する場合は、例えば第１金属層２と同一の材料組成とすれば、両部材の金属ペーストを同時に塗布することができる。つまり両部材を同一工程で同時に絶縁基板１（セラミックグリーンシート）に形成できるので好ましい。また、金属材料を含有する第１吸収層９が絶縁基板１の側面および下面に設けられている場合には、例えば、当該第１吸収層９を外部接続端子として外部基板に接続することができる。また、当該第１吸収層９から放熱することができる。なお、以下の説明においては、主に、第１吸収層９が、第２金属酸化物および金属材料を含有する場合を例に挙げて説明する。
図２（ａ）に示す例において、絶縁基板１の側面上の第１吸収層９は、第１金属層２および外部接続端子８とは接しないように、これらから離して設けられている。ただし、複数の外部接続端子８同士が互いにショートしない限りは、絶縁基板１の側面上の第１吸収層９は、第１金属層２または外部接続端子８と接していてもよい。例えば、絶縁基板１の４つの側面上のそれぞれの第１吸収層９の全てが外部接続端子８とは接していない場合には、側面上の第１吸収層全てが第１金属層２と接していてもよい。
図２（ｂ）に示す例において、絶縁基板１の下面上の第１吸収層９は、外部接続端子８とは接しないように、外部接続端子８から離して設けられている。また、下面上の第１吸収層９は、側面上の第１吸収層９に絶縁基板１の角部で接続していてもよい。
第１吸収層９は、例えば、前述した第１金属層２と同様の製造方法によって絶縁基板１に形成される。
次に、図３を用いて、本発明の実施形態の他の例に係る電子部品収納用パッケージおよび電子装置を説明する。なお、図３に示す実施形態において使用される第１金属酸化物および第２金属酸化物は、図１の実施形態の説明で使用したものと同様とする。
図３に示す例においては、第２金属酸化物を含有している第１金属層２が絶縁基板１の上面に枠状に設けられているとともに、複数の絶縁層11同士の層間に、第２金属酸化物を含有する第２吸収層３が設けられている。第２吸収層３は、赤外線の吸収率が比較的高い第２金属酸化物を含有しているので、赤外線が照射された際に、絶縁基板１および第１金属層２からだけでなく、第２吸収層３からも熱が発生する。そのため、赤外線照射を吸収する領域が増し、絶縁基板１全体がより均一に加熱される。したがって、蓋体５と絶縁基板１との接合部分がより効果的に加熱され得る。
なお、図３に示した実施形態においても、図２に示した実施形態と同様に、第１吸収層９が絶縁基板１の側面または下面に設けられていてもよい。
第２吸収層３における第２金属酸化物の含有率は、例えば、第２吸収層３全体の質量に対して５質量％以上であり20質量％以下であることが好ましい。第２金属酸化物の含有率が５質量％以上である場合には、第２吸収層３の赤外線吸収量が増加し、熱の発生量を増大させることができる。また、第２金属酸化物の含有率が20質量％以下である場合には、第２吸収層３と絶縁層11との接合力を高めることができる。
第２吸収層３における第２金属酸化物の含有率も、第１吸収層９における第２金属酸化物の含有率と同様に、蛍光Ｘ線分析法等の方法で分析することができる。
第２吸収層３において第２金属酸化物以外に含有される成分としては、例えば前述した第１金属酸化物等のセラミック材料（絶縁層11と同じ絶縁材料）、または第１金属層２と同様の金属材料が挙げられる。以下の説明においては、主に第２吸収層３が第１金属酸化物および第２金属酸化物を主成分として含有する絶縁層である場合を例に挙げて説明する。
なお、図３に示す例のように、第２吸収層３は、複数の絶縁層11同士の層間に設けられていることにより、絶縁基板１の全体的な加熱を効果的に加熱することができる。絶縁基板１が全体的に加熱されることにより、蓋体５の接合工程において接合部分の温度の維持が容易になる。これにより気密封止の作業性および信頼性等が高められる。したがって、第２吸収層３は、複数の絶縁層11同士の層間に設けられていることが好ましい。
また、平面視における第２吸収層３の面積（以下、単に第２吸収層３の面積ともいう）は、上下の絶縁層11同士の密着性を妨げない範囲であれば、各層間において予定する赤外線の吸収量（発熱量）および第１金属層２の位置等の条件に応じて、適宜設定される。この場合に、第２吸収層３の面積が上下の絶縁層11同士の層間のほぼ全域に及ぶものであると、上下の絶縁層11同士の密着性が低下する可能性がある。特に、絶縁層11の外周部まで層間に第２吸収層３が設けられていると、この外周部における絶縁層11同士の密着性の低下により、層間の密着不良（いわゆるデラミネーション）を生じる可能性が高まる。したがって、第２吸収層３の面積は、平面透視において絶縁層11の層間の面積の80％程度の範囲内であることが好ましい。また、絶縁層11の外周部においては、層間に第２吸収層３が設けられていないことが好ましい。
第２吸収層３は、例えば次のようにして形成される。すなわち、絶縁層11と同様のセラミック材料（第１金属酸化物を主成分とするもの）の粉末に第２金属酸化物の粉末を加えるとともに有機溶剤およびバインダとともに混練してセラミックペーストを作製し、このセラミックペーストを、絶縁層11となるセラミックグリーンシートの表面の所定部位にスクリーン印刷法等の方法で塗布し、その後、これらのセラミックグリーンシートを積層し、焼成することによって、絶縁層11の表面の所定部位に第２吸収層３が設けられた絶縁基板１を製作することができる。
なお、第２吸収層３が第１金属酸化物も含有している場合には、同じく第１金属酸化物を主成分として含有している絶縁層11に対する第２吸収層３の密着性が向上する。そのため、絶縁層11に含有されている第１金属酸化物と、第２吸収層３の含有されている第１金属酸化物とは、互いに同様の材料であることが好ましい。
例えば、絶縁層11が第１金属酸化物として酸化アルミニウムを含有している場合には、第２吸収層に含有されている第１金属酸化物も酸化アルミニウムとすることが好ましい。言い換えれば、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる絶縁層11の層間に、酸化アルミニウム質焼結体に酸化マグネシウム等の第２金属酸化物が加えられた電気絶縁性の第２吸収層３が配置されていればよい。
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内であれば種々の変更は可能である。
例えば、上記の第２金属酸化物は、絶縁層11にも含まれていて構わない。例えば、絶縁層11の着色用の顔料として酸化クロム等が絶縁層11に含まれていても構わない。ただし、この場合は、絶縁層11における第２金属酸化物の含有量が多くなり過ぎると絶縁層11同士の層間の密着性が低下する可能性があるので、第２金属酸化物の含有量は多くなり過ぎないことが好ましい。
１・・・絶縁基板
11・・・セラミック絶縁層（絶縁層）
１ａ・・・凹部
２・・・第１金属層
３・・・第２吸収層
４・・・電子部品
５・・・蓋体
６・・・ボンディングワイヤ
７・・・接続電極
８・・・外部接続端子
９・・・第１吸収層
10・・・電子部品収納用パッケージ
20・・・電子装置

Claims (10)

  1. 互いに積層された複数の絶縁層を含んでおり、電子部品の搭載部を含む上面を有している絶縁基板を備える電子部品収納用パッケージであって、前記絶縁基板は、前記複数の絶縁層のそれぞれが第１金属酸化物を主成分として含有しており、前記複数の絶縁層のうち最上層の絶縁層の上面に枠状に設けられた第１金属層をさらに備えており、該第１金属層は、前記第１金属酸化物よりも赤外線吸収率が高い第２金属酸化物を含有しており、
    前記絶縁層と同じ絶縁材料または前記第１金属層と同じ金属材料を含有しているとともに前記絶縁基板の側面または下面に設けられた第１吸収層をさらに有し、該第１吸収層は、前記第２金属酸化物を含有している電子部品収納用パッケージ。
  2. 前記第１吸収層は、前記第１金属層と同じ金属材料を含有している請求項１記載の電子部品収納用パッケージ。
  3. 前記第１吸収層における前記第２金属酸化物の含有率が５〜２０質量％である請求項１または請求項２記載の電子部品収納用パッケージ。
  4. 前記複数の絶縁層同士の層間に、前記絶縁層と同じ絶縁材料または前記第１金属層と同じ金属材料を含有しているとともに前記第２金属酸化物を含有する第２吸収層が設けられている請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージ。
  5. 互いに積層された複数の絶縁層を含んでおり、電子部品の搭載部を含む上面を有している絶縁基板を備える電子部品収納用パッケージであって、前記絶縁基板は、前記複数の絶縁層のそれぞれが第１金属酸化物を主成分として含有しており、前記複数の絶縁層のうち最上層の絶縁層の上面に枠状に設けられた第１金属層をさらに備えており、該第１金属層は、前記第１金属酸化物よりも赤外線吸収率が高い第２金属酸化物を含有しており、
    前記複数の絶縁層同士の層間に、前記絶縁層と同じ絶縁材料または前記第１金属層と同じ金属材料を含有しているとともに前記第２金属酸化物を含有する第２吸収層が設けられている電子部品収納用パッケージ。
  6. 前記第２吸収層は、前記第１金属酸化物を含有している請求項４または請求項５記載の電子部品収納用パッケージ。
  7. 前記第２吸収層における前記第２金属酸化物の含有率が５〜２０質量％である請求項４乃至請求項６のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージ。
  8. 前記第２金属酸化物が、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化クロム、酸化銅、酸化マンガン、酸化シリコン、酸化ニッケル、酸化タングステンおよび酸化亜鉛から選択される１種または複数種の金属酸化物である請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージ。
  9. 前記第１金属層における前記第２金属酸化物の体積含有率が５〜５０体積％であることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージ。
  10. 請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージと、前記搭載部に搭載されている電子部品と、下面が前記第１金属層に接合されて、前記搭載部の上面を覆うように設けられている蓋体とを備えることを特徴とする電子装置。
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