JP2014216403A - 電子デバイス、パッケージ、電子機器および電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】低融点ガラスの使用量が少なくても内部の気密性を確保することができる電子デバイスを提供する。【解決手段】第１孔２ａと第１孔２ａより大きな第２孔２ｂとが設置されたベース基板２と、ベース基板２に第１の低融点ガラス４により接合され第１孔２ａを塞ぐ第１蓋体３と、ベース基板２に第２の低融点ガラス６により接合され第２孔２ｂを塞ぐ第２蓋体５と、を備え、第１の低融点ガラス４により接合された場所の面積を第１面積とし、第２の低融点ガラス６により接合された場所の面積を第２面積とするとき、第１面積は第２面積より広く、第１の低融点ガラス４の厚さを第１厚さ４ａとし、第２の低融点ガラス６の厚さを第２厚さ６ａとするとき、第１厚さ４ａは第２厚さ６ａより薄くする。【選択図】図２

Description

本発明は、電子デバイス、パッケージ、電子機器および電子デバイスの製造方法に関するものである。

光スイッチ素子、撮像素子、圧電振動子、加速度センサーや波長可変干渉フィルター等の電子素子や半導体素子は安定して動作させるためにパッケージ内に気密封止して用いられる。例えば、半導体素子がパッケージ内に気密封止された電子部品が特許文献１に開示されている。それによると、シリコンパッケージに半導体素子が設置されている。シリコンパッケージの側壁にはセラミックパッケージが蓋をするように設置されている。そして、セラミックパッケージには透明ガラスが設置されている。

シリコンパッケージとセラミックパッケージとは低融点ガラスを用いて接着されている。さらに、セラミックパッケージと透明ガラスとは低融点ガラスを用いて接着されている。低融点ガラスを用いた封止は気密性、耐水性、耐湿性等の信頼性が高いので各種のパッケージに用いられている。

低融点ガラスは３３０℃〜４１０℃で溶融するガラスである。接着するときには粉末状のガラスとバインダーと溶剤とが混成されたペースト状の接着剤を用いる。そして、ベース基板または、蓋体に接着剤を塗布する。次にバインダーと溶剤を除去するための仮焼成を施し、ベース基板と蓋体を合わせる。次に、加熱しながら圧力を加えてガラスを溶融して冷却する。

特開２００７−２８７９６７号公報

特許文献１に開示された電子部品では、シリコンパッケージ、セラミックパッケージ、透明ガラスの材質が異なっているので熱膨張係数が異なっている。そして、シリコンパッケージとセラミックパッケージとを接着する場所の最大幅はセラミックパッケージと透明ガラスとを接着する場所の長さより長くなっている。従って、接着する場所を同時に加熱して冷却するときに各部材が伸長して収縮する長さが異なっている。その結果、接着した場所では低融点ガラスにクラックが入り易くなる。クラックが入るとパッケージの気密が保たれなくなる。

低融点ガラスの厚みを厚くするとクラックが入ることを防止することができる。低融点ガラスは製造し難い材料であり、低融点ガラスを多量に使用すると製造し難い電子デバイスとなる。そこで、低融点ガラスの使用量が少なくても内部の気密性を確保することができる電子デバイスが望まれていた。

本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］
本適用例にかかる電子デバイスであって、第１孔と前記第１孔より大きな第２孔とが設置されたベース基板と、前記ベース基板に第１の低融点ガラスにより接合され前記第１孔を塞ぐ第１蓋体と、前記ベース基板に第２の低融点ガラスにより接合され前記第２孔を塞ぐ第２蓋体と、を備え、前記第１の低融点ガラスにより接合された場所の面積を第１面積とし、前記第２の低融点ガラスにより接合された場所の面積を第２面積とするとき、前記第１面積は前記第２面積より広く、前記第１の低融点ガラスの厚さを第１厚さとし、前記第２の低融点ガラスの厚さを第２厚さとするとき、前記第１厚さは前記第２厚さより薄いことを特徴とする。

本適用例によれば、ベース基板には第１孔と第２孔とが設置されている。第２孔は第１孔より大きな孔である。第１孔には第１蓋体がベース基板に第１の低融点ガラスにより接合され、第１蓋体が第１孔を塞いでいる。第１の低融点ガラスの厚みは第１厚さで面積は第１面積となっている。第２孔には第２蓋体がベース基板に第２の低融点ガラスにより接合され、第２蓋体が第２孔を塞いでいる。第２の低融点ガラスの厚みは第２厚さで面積は第２面積となっている。第１面積は第２面積より広くなっており、第１厚さは第２厚さより薄くなっている。

第１蓋体をベース基板に接合するときに第１蓋体及びベース基板が加熱される。第１孔は第２孔より小さいので、第１蓋体とベース基板との熱膨張の差による位置ずれは第２孔より小さい。さらに、第１面積は第２面積より広いため、第１厚さが第２厚さより薄くても第１の低融点ガラスを貫通するクラックができ難い。従って、電子デバイスは内部の気密性を確保することができる。そして、第１厚さが第２厚さと同じ厚さにするときに比べて第１の低融点ガラスの使用量を少なくすることができる。

第２蓋体をベース基板に接合するときに第２蓋体及びベース基板が加熱される。第２孔は第１孔より大きいので、第２蓋体とベース基板と熱膨張の差による位置ずれは第１孔より大きい。第２厚さは第１厚さより厚いので、冷却時に収縮する速度に追従して変形することができる。この為、第２の低融点ガラスにはクラックが入り難い。そして、第２面積を第１面積と同じ広さにするときに比べて第２の低融点ガラスを少なくすることができる。従って、電子デバイスは第１の低融点ガラス及び第２の低融点ガラスの使用量を少なくして内部の気密性を確保することができる。

［適用例２］
本適用例にかかる電子デバイスであって、第１孔と前記第１孔より大きな第２孔とが設置されたベース基板と、前記ベース基板に第１の低融点ガラスにより接合され前記第１孔を塞ぐ第１蓋体と、前記ベース基板に第２の低融点ガラスにより接合され前記第２孔を塞ぐ第２蓋体と、を備え、前記第１の低融点ガラスは前記第１孔の外周に沿って配置され、前記第２の低融点ガラスは前記第２孔の外周に沿って配置され、前記第１の低融点ガラスの厚さを第１厚さとし、前記第２の低融点ガラスの厚さを第２厚さとするとき、前記第１厚さは前記第２厚さより薄く、前記第１の低融点ガラスの幅を第１ガラス幅とし、前記第２の低融点ガラスの幅を第２ガラス幅とするとき、前記第１ガラス幅は前記第２ガラス幅より広いことを特徴とする。

本適用例によれば、ベース基板には第１孔と第２孔とが設置されている。第２孔は第１孔より大きな孔である。第１孔では第１蓋体がベース基板に第１の低融点ガラスにより接合され、第１蓋体が第１孔を塞いでいる。第１の低融点ガラスの厚みは第１厚さで幅は第１ガラス幅となっている。第２孔では第２蓋体がベース基板に第２の低融点ガラスにより接合され、第２蓋体が第２孔を塞いでいる。第２の低融点ガラスの厚みは第２厚さで幅は第２ガラス幅となっている。第１ガラス幅は第２ガラス幅より広くなっている。尚、第１ガラス幅が一定でないとき、この第１ガラス幅は最も狭い場所における幅を示す。そして、第２ガラス幅が一定でないとき、この第２ガラス幅は最も広い場所における幅を示す。第１厚さは第２厚さより薄くなっている。

第１蓋体をベース基板に接合するときに加熱される。第１孔は第２孔より小さいので、第１蓋体とベース基板と熱膨張の差による位置ずれは第２孔より小さい。さらに、第１ガラス幅は第２ガラス幅より広いため、第１厚さが第２厚さより薄くても第１の低融点ガラスを貫通するクラックができ難い。従って、電子デバイスは内部の気密性を確保することができる。そして、第１厚さが第２厚さと同じ厚さにするときに比べて第１の低融点ガラスの使用量を少なくすることができる。

第２蓋体をベース基板に接合するときに加熱される。第２孔は第１孔より大きいので、第２蓋体とベース基板と熱膨張の差による位置ずれは第１孔より大きい。第２厚さは第１厚さより厚いので、冷却時に収縮する速度に追従して変形することができる。この為、第２の低融点ガラスにはクラックが入り難い。そして、第２ガラス幅を第１ガラス幅と同じ広さにするときに比べて第２の低融点ガラスの使用量を少なくすることができる。従って、第１の低融点ガラス及び第２の低融点ガラスの使用量を少なくして内部の気密性を確保することができる。

［適用例３］
上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記第１の低融点ガラスは第１粒子を含み、前記第２の低融点ガラスは第２粒子を含み、前記第１粒子の直径は前記第２粒子の直径より小さいことを特徴とする。

本適用例によれば、第１の低融点ガラスは第１粒子を含むので、第１粒子はベース基板と第１蓋体とに挟まれる。従って、第１粒子は第１の低融点ガラスの第１厚さを規制することができる。同じく、第２の低融点ガラスは第２粒子を含むので、第２粒子はベース基板と第２蓋体とに挟まれる。従って、第２粒子は第２の低融点ガラスの第２厚さを規制することができる。そして、第１粒子の直径は第２粒子の直径より小さくなっている。従って、第１厚さが第２厚さより薄くなるように制御することができる。

［適用例４］
本適用例にかかるパッケージは、光学素子を収納するパッケージであって、前記光学素子が設置され第１孔と前記第１孔より大きな第２孔とが設置されたベース基板と、前記ベース基板に第１の低融点ガラスにより接合され前記第１孔を塞ぐ第１蓋体と、前記ベース基板に第２の低融点ガラスにより接合され前記第２孔を塞ぐ第２蓋体と、を備え、前記第１の低融点ガラスにより接合された場所の面積を第１面積とし、前記第２の低融点ガラスにより接合された場所の面積を第２面積とするとき、前記第１面積は前記第２面積より広く、前記第１の低融点ガラスの厚さを第１厚さとし、前記第２の低融点ガラスの厚さを第２厚さとするとき、前記第１厚さは前記第２厚さより薄いことを特徴とする。

本適用例によれば、ベース基板には第１孔と第２孔とが設置されている。第２孔は第１孔より大きな孔である。第１孔の周囲では第１蓋体がベース基板に第１の低融点ガラスにより接合され第１孔を塞いでいる。第１の低融点ガラスの厚みは第１厚さで面積は第１面積となっている。第２孔の周囲では第２蓋体がベース基板に第２の低融点ガラスにより接合され第２孔を塞いでいる。第２の低融点ガラスの厚みは第２厚さで面積は第２面積となっている。第１面積は第２面積より広くなっている。第１厚さは第２厚さより薄くなっている。

第１蓋体をベース基板に接合するときに加熱された後で冷却される。第１孔は第２孔より小さいので、第１蓋体とベース基板との熱膨張の差による位置ずれは第２孔より小さい。さらに、第１面積は第２面積より広いため、第１厚さが第２厚さより薄くても貫通するクラックができ難い。そして、第１厚さが第２厚さと同じ厚さにするときに比べて第１の低融点ガラスの使用量を少なくすることができる。

第２蓋体をベース基板に接合するときに加熱された後で冷却される。第２孔は第１孔より大きいので、第２蓋体とベース基板との熱膨張の差による位置ずれは第１孔より大きい。第２厚さは第１厚さより厚いので、冷却時に収縮する速度に追従して変形することができる。この為、第２の低融点ガラスにはクラックが入り難い。そして、第２面積を第１面積と同じ広さにするときに比べて第２の低融点ガラスの使用量を少なくすることができる。従って、第１の低融点ガラス及び第２の低融点ガラスの使用量を少なくして内部の気密性を確保することができる。

［適用例５］
本適用例にかかる電子機器は、電子デバイスを備える電子機器であって、前記電子デバイスは、第１孔と前記第１孔より大きな第２孔とが設置されたベース基板と、前記ベース基板に第１の低融点ガラスにより接合され前記第１孔を塞ぐ第１蓋体と、前記ベース基板に第２の低融点ガラスにより接合され前記第２孔を塞ぐ第２蓋体と、を備え、前記第１の低融点ガラスにより接合された場所の面積を第１面積とし、前記第２の低融点ガラスにより接合された場所の面積を第２面積とするとき、前記第１面積は前記第２面積より広く、前記第１の低融点ガラスの厚さを第１厚さとし、前記第２の低融点ガラスの厚さを第２厚さとするとき、前記第１厚さは前記第２厚さより薄いことを特徴とする。

本適用例によれば、電子機器は電子デバイスを備えている。電子デバイスのベース基板には第１孔と第２孔とが設置されている。第２孔は第１孔より大きな孔である。第１孔の周囲では第１蓋体がベース基板に第１の低融点ガラスにより接合され第１孔を塞いでいる。第１の低融点ガラスの厚みは第１厚さで面積は第１面積となっている。第２孔の周囲では第２蓋体がベース基板に第２の低融点ガラスにより接合され第２孔を塞いでいる。第２の低融点ガラスの厚みは第２厚さで面積は第２面積となっている。第１面積は第２面積より広くなっている。第１厚さは第２厚さより薄くなっている。

第１蓋体をベース基板に接合するときに加熱された後で冷却される。第１孔は第２孔より小さいので、第１蓋体とベース基板と熱膨張の差による位置ずれは第２孔より小さい。さらに、第１面積は第２面積より広いため、第１厚さが第２厚さより薄くても第１の低融点ガラスを貫通するクラックができ難い。そして、第１厚さが第２厚さと同じ厚さにするときに比べて第１の低融点ガラスの使用量を少なくすることができる。

第２蓋体をベース基板に接合するときに加熱された後で冷却される。第２孔は第１孔より大きいので、第２蓋体とベース基板との熱膨張の差による位置ずれは第１孔より大きい。第２厚さは第１厚さより厚いので、冷却時に収縮する速度に追従して変形することができる。この為、第２の低融点ガラスにはクラックが入り難い。そして、第２面積を第１面積と同じ広さにするときに比べて第２の低融点ガラスを少なくすることができる。従って、第１の低融点ガラス及び第２の低融点ガラスの使用量を少なくして内部の気密性を確保することができる。その結果、電子機器は気密性が確保でき低融点ガラスの使用量が少ない電子デバイスを備えた装置とすることができる。

［適用例６］
本適用例にかかる電子デバイスの製造方法であって、第１孔、前記第１孔より大きな第２孔及び電子素子が設置されたベース基板の前記第１孔を囲んで第１の低融点ガラスの材料を塗布し、前記第１の低融点ガラスの材料を前記ベース基板とで挟むように第１蓋体を設置する工程と、前記ベース基板の第２孔を囲んで第２の低融点ガラスの材料を塗布し、前記第２の低融点ガラスの材料を前記ベース基板とで挟むように第２蓋体を設置する工程と、前記第１蓋体及び前記第２蓋体を前記ベース基板に押圧し、前記第１蓋体及び前記第２蓋体を介して前記第１の低融点ガラス及び前記第２の低融点ガラスを加熱する工程と、前記第１の低融点ガラス及び前記第２の低融点ガラスを冷却して固化する工程と、を有し、前記第１の低融点ガラスは第１粒子を含み、前記第２の低融点ガラスは第２粒子を含み、前記第１粒子の直径は前記第２粒子の直径より小さく、前記第１の低融点ガラスにより接合された場所の面積を第１面積とし、前記第２の低融点ガラスにより接合された場所の面積を第２面積とするとき、前記第１面積は前記第２面積より広いことを特徴とする。

本適用例によれば、ベース基板には第１孔、第２孔及び電子素子が設置されている。第２孔は第１孔より大きな孔である。第１孔の周囲ではベース基板に第１の低融点ガラスの材料が塗布される。そして、ベース基板と第１蓋体とで第１の低融点ガラスの材料を挟む。第２孔の周囲ではベース基板に第２の低融点ガラスの材料が塗布される。そして、ベース基板と第２蓋体とで第２の低融点ガラスの材料を挟む。

第１蓋体及び第２蓋体がベース基板に押圧され加熱される。これにより、第１の低融点ガラス及び第２の低融点ガラスが加熱され溶融する。次に、第１の低融点ガラス及び第２の低融点ガラスが冷却され固化する。このとき、ベース基板と第１蓋体とが接合され、ベース基板と第２蓋体とが接合される。

第１の低融点ガラスに含まれる第１粒子の直径は第２の低融点ガラスに含まれる第２粒子の直径より小さい。従って、第１の低融点ガラスの厚さを第１厚さとし第２の低融点ガラスの厚さを第２厚さとするとき第１厚さは第２厚さより薄くなる。第１面積は第２面積より広くなっている。

第１蓋体及びベース基板は加熱された後で冷却される。第１孔は第２孔より小さいので、第１蓋体とベース基板との熱膨張の差による位置ずれは第２孔より小さい。さらに、第１面積は第２面積より広いため、第１厚さが第２厚さより薄くても第１の低融点ガラスを貫通するクラックができ難い。そして、第１厚さが第２厚さと同じ厚さにするときに比べて第１の低融点ガラスの使用量を少なくすることができる。

第２蓋体及びベース基板も加熱された後で冷却される。第２孔は第１孔より大きいので、第２蓋体とベース基板との熱膨張の差による位置ずれは第１孔より大きくなる。第２厚さは第１厚さより厚いので、冷却時に収縮する速度に追従して変形することができる。この為、第２の低融点ガラスにはクラックが入り難い。そして、第２面積を第１面積と同じ広さにするときに比べて第２の低融点ガラスの使用量を少なくすることができる。従って、第１の低融点ガラス及び第２の低融点ガラスの使用量を少なくして内部の気密性を確保することができる。

［適用例７］
本適用例にかかる電子デバイスの製造方法であって、第１孔、前記第１孔より大きな第２孔及び電子素子が設置されたベース基板の前記第１孔を囲んで第１の低融点ガラスの材料を塗布し、前記第１の低融点ガラスの材料を前記ベース基板とで挟むように第１蓋体を設置する工程と、前記ベース基板の第２孔を囲んで第２の低融点ガラスの材料を塗布し、前記第２の低融点ガラスの材料を前記ベース基板とで挟むように第２蓋体を設置する工程と、前記第１蓋体及び前記第２蓋体を前記ベース基板に押圧し、前記第１蓋体及び前記第２蓋体を介して前記第１の低融点ガラス及び前記第２の低融点ガラスを加熱する工程と、前記第１の低融点ガラス及び前記第２の低融点ガラスを冷却して固化する工程と、を有し、前記第１の低融点ガラスは第１粒子を含み、前記第２の低融点ガラスは第２粒子を含み、前記第１粒子の直径は前記第２粒子の直径より小さく、前記第１の低融点ガラスの幅を第１ガラス幅とし、前記第２の低融点ガラスの幅を第２ガラス幅とするとき、前記第１ガラス幅は前記第２ガラス幅より広いことを特徴とする。

本適用例によれば、第１の低融点ガラスに含まれる第１粒子の直径は第２の低融点ガラスに含まれる第２粒子の直径より小さい。従って、第１の低融点ガラスの厚さを第１厚さとし第２の低融点ガラスの厚さを第２厚さとするとき第１厚さは第２厚さより薄くなる。第１ガラス幅は第２ガラス幅より長くなっている。尚、第１ガラス幅が一定でないとき、この第１ガラス幅は最も狭い場所における幅を示す。そして、第２ガラス幅が一定でないとき、この第２ガラス幅は最も広い場所における幅を示す。

第１蓋体及びベース基板は加熱された後で冷却される。第１孔は第２孔より小さいので、第１蓋体とベース基板と熱膨張の差による位置ずれは第２孔より小さい。さらに、第１ガラス幅は第２ガラス幅より広いため、第１厚さが第２厚さより薄くても第１の低融点ガラスには貫通するクラックができ難い。そして、第１厚さが第２厚さと同じ厚さにするときに比べて第１の低融点ガラスの使用量を少なくすることができる。

第２蓋体及びベース基板も加熱された後で冷却される。第２孔は第１孔より大きいので、第２蓋体とベース基板と熱膨張の差による位置ずれは第１孔より大きくなる。第２厚さは第１厚さより厚いので、冷却時に収縮する速度に追従して変形することができる。この為、第２の低融点ガラスにはクラックが入り難い。そして、第２ガラス幅を第１ガラス幅と同じ長さにするときに比べて第２の低融点ガラスの使用量を少なくすることができる。従って、第１の低融点ガラス及び第２の低融点ガラスの使用量を少なくして内部の気密性を確保することができる。

第１の実施形態にかかわり、（ａ）及び（ｂ）は電子デバイスの構造を示す概略斜視図、（ｃ）は電子デバイスの構造を示す模式側断面図。 （ａ）は、電子デバイスの構造を示す模式底面図、（ｂ）は、電子デバイスの構造を示す模式上面図、（ｃ）は電子デバイスの構造を示す模式側断面図。 （ａ）は第１の低融点ガラスの構造を示す要部模式断面図、（ｂ）は第２の低融点ガラスの構造を示す要部模式断面図。 電子デバイスの製造方法のフローチャート。 電子デバイスの製造方法を説明するための模式図。 電子デバイスの製造方法を説明するための模式図。 第２の実施形態にかかわり、（ａ）は、電子デバイスの構造を示す模式底面図、（ｂ）は、電子デバイスの構造を示す模式上面図、（ｃ）は電子デバイスの構造を示す模式側断面図。 第３の実施形態にかかわり、測色装置の構成を示すブロック図。

（第１の実施形態）
本実施形態では、特徴的な構造を有する電子デバイスと、この電子デバイスの製造方法の実施形態について図面に従って説明する。尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。第１の実施形態にかかわる電子デバイスについて図１〜図６に従って説明する。図１（ａ）及び図１（ｂ）は電子デバイスの構造を示す概略斜視図である。図１（ａ）は電子デバイスの第１蓋体側から見た図であり、図１（ｂ）は電子デバイスの第２蓋体側から見た図である。図１（ｃ）は電子デバイスの構造を示す模式側断面図である。図１（ａ）に示すように、電子デバイス１は略直方体の形状となっている。電子デバイス１の図中下方向をＺ方向とし、Ｚ方向と直交する２方向をＸ方向及びＹ方向とする。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向はそれぞれ電子デバイス１の辺に沿う方向であり、直交する方向となっている。

電子デバイス１は枠状のベース基板２を備え、ベース基板２の−Ｚ方向には円形の第１孔２ａが形成されている。そして、第１孔２ａを塞ぐように第１蓋体３が設置されている。ベース基板２と第１蓋体３とは第１の低融点ガラス４により接合されている。

図１（ｂ）に示すように、ベース基板２のＺ方向には四角形の第２孔２ｂが形成されている。第２孔２ｂは第１孔２ａより大きな孔となっている。そして、第２孔２ｂを塞ぐように第２蓋体５が設置されている。ベース基板２と第２蓋体５とは第２の低融点ガラス６により接合されている。

図１（ｃ）に示すように、ベース基板２、第１蓋体３及び第２蓋体５に囲まれた内部は空洞になっており、空洞には電子素子としての波長可変干渉フィルター７が設置されている。電子デバイス１のうち波長可変干渉フィルター７を除いた部分をパッケージ１ａと称す。パッケージ１ａは主にベース基板２、第１蓋体３及び第２蓋体５により構成されている。パッケージ１ａ内の空洞は波長可変干渉フィルター７を収納するための収納部８である。波長可変干渉フィルター７はエタロンフィルターとも称され、通過する光の波長を電気信号にて制御する光学フィルターである。第２蓋体５から進入した光は波長可変干渉フィルター７を照射する。そして、所定の波長の光のみ波長可変干渉フィルター７を通過し第１蓋体３から射出される。

ベース基板２の材質は耐熱性、耐湿性、剛性のある材質であればよく、本実施形態では例えば積層セラミックが用いられている。第１蓋体３及び第２蓋体５の材質は、光透過性、耐熱性、耐湿性、剛性のある材質であればよく例えば、ガラス基板、水晶板、シリコン板、ゲルマニウム板等の中から透過させる光の波長に合わせて選定することができる。本実施形態では第１蓋体３及び第２蓋体５の材質に例えば耐熱ガラス板を用いている。

図２（ａ）は、電子デバイスの構造を示す模式底面図である。図２（ａ）に示すように、−Ｚ方向から見たとき第１孔２ａは円形であり、第１蓋体３は四角形となっている。そして、第１孔２ａと第１蓋体３の外周との間の範囲に第１の低融点ガラス４が配置されている。第１の低融点ガラス４が配置されている場所は図中ハッチングが記載されている場所である。第１の低融点ガラス４はベース基板２と第１蓋体３とが対向する総ての範囲に配置されている。そして、第１の低融点ガラス４が設置された場所の面積が広くなるように第１蓋体３は第１孔２ａに比べて大きな面積を占めるように設定されている。

図２（ｂ）は、電子デバイスの構造を示す模式上面図である。図２（ｂ）に示すように、Ｚ方向から見たとき第２孔２ｂは四角形であり、第２蓋体５も四角形となっている。そして、第２孔２ｂと第２蓋体５との間の範囲に第２の低融点ガラス６が配置されている。第２の低融点ガラス６が配置されている場所は図中ハッチングが記載されている場所である。第１の低融点ガラス４に比べて第２の低融点ガラス６はＸＹ方向の幅が狭い枠状に配置されている。Ｚ方向から見たときの第１の低融点ガラス４の面積を第１面積とし、第２の低融点ガラス６の面積を第２面積とする。第１面積は第２面積よりも広くなっている。従って、第１の低融点ガラス４にクラックが入っても第１孔２ａと第１蓋体３の外周との間でクラックが貫通し難くなっている。この為、収納部８を負圧にしても収納部８内の圧力は変動し難くなっている。

図２（ｃ）は電子デバイスの構造を示す模式側断面図である。図２（ｃ）に示すように、第１の低融点ガラス４の厚さを第１厚さ４ａとし第２の低融点ガラス６の厚さを第２厚さ６ａとする。第１厚さ４ａは第２厚さ６ａより薄い厚さとなっている。これにより、第１の低融点ガラス４の使用量が少なくなっている。

図３（ａ）は第１の低融点ガラスの構造を示す要部模式断面図であり、図３（ｂ）は第２の低融点ガラスの構造を示す要部模式断面図である。図３（ａ）にしめすように、第１の低融点ガラス４には第１粒子９が含まれている。第１粒子９の直径を第１直径９ａとするとき第１直径９ａは第１厚さ４ａと略同じ長さとなっている。電子デバイス１の製造工程中でベース基板２と第１蓋体３とは互いに押し付け合うような圧力が加えられる。そのときベース基板２と第１蓋体３とは第１粒子９を押圧する。第１粒子９は剛性の高い材料から形成されているので変形し難くなっている。従って、第１厚さ４ａは第１直径９ａと略同じ長さとなる。

同様に、図３（ｂ）にしめすように、第２の低融点ガラス６には第２粒子１１が含まれている。第２粒子１１の直径を第２直径１１ａとする。第２直径１１ａは第２厚さ６ａと略同じ長さとなっている。電子デバイス１の製造工程中でベース基板２と第２蓋体５とは互いに押し付け合うように圧力が加えられる。そのときベース基板２と第２蓋体５とは第２粒子１１を押圧する。第２粒子１１は剛性の高い材料から形成されているので変形し難くなっている。従って、第２厚さ６ａは第２直径１１ａと略同じ長さとなる。第１直径９ａは第２直径１１ａより小さい長さとなっている。従って、第１厚さ４ａは第２厚さ６ａより薄くなっている。

次に上述した電子デバイス１の製造方法について図４〜図６にて説明する。図４は、電子デバイスの製造方法のフローチャートであり、図５および図６は電子デバイスの製造方法を説明するための模式図である。図４のフローチャートにおいて、ステップＳ１は接着剤調合工程に相当し、第１の低融点ガラス４及び第２の低融点ガラス６の材料を調合する工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は、接着剤塗布工程に相当する。第１蓋体３に第１の低融点ガラス４を塗布し、第２蓋体５に第２の低融点ガラス６を塗布する工程である。次にステップＳ３に移行する。ステップＳ３は、仮焼成工程に相当する。この工程は、電子デバイス１を乾燥して接着剤のバインダー成分を除去する工程である。次にステップＳ４に移行する。ステップＳ４は、組立工程に相当する。この工程は、ベース基板２に第１蓋体３及び第２蓋体５を組み立てる工程である。次にステップＳ５に移行する。ステップＳ５は、圧着封止工程に相当する。この工程は、第１の低融点ガラス４及び第２の低融点ガラス６を溶融した後冷やして固化する工程である。ステップＳ６は、封止工程に相当する。この工程は、パッケージ１ａの内部を減圧して気体の出入口を遮蔽する工程である。以上の工程により電子デバイス１が完成する。

次に、図５及び図６を用いて、図４に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。ステップＳ１の接着剤調合工程では、低融点ガラスペーストを用意する。低融点ガラスペーストの種類は特に限定されない。酸化鉛含有ガラス、鉛フッ素系超低融点ガラス、リン酸塩系ガラス、ビスマス酸塩系ガラス、ホウ珪酸塩系ガラス等を用いることができる。尚、バナジウム系の低融点ガラスペーストが好ましい。有害な鉛を含まないので人体の健康を阻害し難い。また、希少金属であるビスマスを含まないので入手し易くなっている。低融点ガラスペーストは低融点ガラスを粉末にしたガラスフリットに有機バインダー、有機溶剤を調合したものである。有機バインダーにはエチルセルロースを用いることができる。有機溶剤は粘度を調整するための溶剤であり、例えば、ブチルカルビトールアセテートやターピネオールを用いることができる。さらに、低融点ガラスペーストにその他（セラミック・シリカ・金属）の粉末を加えても良い。その他の粉末量を調整することにより低融点ガラスペーストの熱膨張係数を調整することができる。

次に、第１粒子９及び第２粒子１１を用意する。第１粒子９及び第２粒子１１は耐熱性ガラスを原料とするガラスビーズである。第１直径９ａは第２直径１１ａより短く設定されている。その長さは特に限定されないが、第１直径９ａは分布の中心が５μｍ〜１５μｍであるのが好ましく、１５μｍであるのがさらに好ましい。第２直径１１ａは分布の中心が１０μｍ〜３０μｍであるのが好ましく、３０μｍであるのがさらに好ましい。

低融点ガラスペーストに第１粒子９を調合し混合させて第１接着剤を製造する。同様に、低融点ガラスペーストに第２粒子１１を調合し混合させて第２接着剤を製造する。調合量としては、熱膨張係数に影響を与えない程度の量を考慮するとともに、封止時の圧力に耐えることも考慮し、量的には０．１ｗ％〜５ｗ％が好ましく、１ｗ％〜３％がより好ましい。

図５（ａ）及び図５（ｂ）はステップＳ２の接着剤塗布工程及びステップＳ３の仮焼成工程に対応する図である。ステップＳ２の接着剤塗布工程において図５（ａ）に示すように第１蓋体３に第１接着剤１２を塗布する。第１接着剤１２には第１粒子９が含まれている。同様に、図５（ｂ）に示すように、第２蓋体５に第２接着剤１３を塗布する。第１接着剤１２及び第２接着剤１３の塗布方法は特に限定されない。スクリーン印刷法、凸版印刷法、オフセット印刷法、ディスペンサーや筆を用いた塗布方法を用いることができる。本実施形態では、例えば、スクリーン印刷法を用いて第１接着剤１２及び第２接着剤１３を塗布した。

ステップＳ３の仮焼成工程では、第１接着剤１２及び第２接着剤１３から有機バインダー及び有機溶剤が除去される。加熱条件は特に限定されないが、本実施形態では例えば、３３０℃〜３６０℃の雰囲気に５分〜３０分程度放置した。雰囲気は大気中で焼成することが好ましいが、接着剤中に発生する気泡を取り除くため、減圧下での脱泡焼成がより好ましい。その結果、第１接着剤１２が第１脱バイ後接着剤１４となり、第２接着剤１３が第２脱バイ後接着剤１５となる。

図５（ｃ）はステップＳ４の組立工程に対応する図である。図５（ｃ）に示すように、ステップＳ４においてベース基板２を用意する。ベース基板２には予め波長可変干渉フィルター７が設置されている。波長可変干渉フィルター７の製造方法は公知であり、説明を省略する。ベース基板２の第１孔２ａを塞ぐように第１蓋体３をベース基板２に接触させる。そして、第２孔２ｂを塞ぐように第２蓋体５をベース基板２に接触させる。

図６（ａ）及び図６（ｂ）はステップＳ５の圧着封止工程に対応する図である。図６（ａ）に示すように、ステップＳ５において、加熱加圧装置１６を用意する。加熱加圧装置１６は下加圧板１７を備えている。下加圧板１７の内部には下ヒーター１７ａが設置されている。下加圧板１７の上には２つの油圧シリンダー１８が平行に並んで立設されている。油圧シリンダー１８の上には支持部１９を介して上加圧板２１が設置されている。上加圧板２１は支持部１９に固定されている。油圧シリンダー１８は支持部１９を介して上加圧板２１を昇降させることができる。上加圧板２１の内部には上ヒーター２１ａが設置されている。尚、油圧シリンダー１８には図示しない冷却装置が設置されおり下ヒーター１７ａ及び上ヒーター２１ａが加熱しても熱の影響を受けずに上加圧板２１を昇降させることができる。

操作者は加熱加圧装置１６を操作して上加圧板２１を上昇させる。そして、操作者は下加圧板１７と上加圧板２１との間に電子デバイス１を配置する。このときの電子デバイス１はベース基板２と第１蓋体３との間に第１脱バイ後接着剤１４が位置し、ベース基板２と第２蓋体５との間に第２脱バイ後接着剤１５が位置している。

次に、操作者は上加圧板２１を下降させる。そして、下加圧板１７と上加圧板２１とで電子デバイス１を挟んで加圧する。次に、操作者は下ヒーター１７ａと上ヒーター２１ａとを加熱する。加熱温度は接着剤の特性に合わせて設定すれば良く特に限定されない。本実施形態では例えば加熱温度は３３０℃〜３６０℃となっている。

第１脱バイ後接着剤１４及び第２脱バイ後接着剤１５が溶融した後で下ヒーター１７ａと上ヒーター２１ａとの加熱を停止する。そして、電子デバイス１を徐冷する。急速に冷却すると第１脱バイ後接着剤１４及び第２脱バイ後接着剤１５にクラックが入りやすくなるので徐々に冷却するのが好ましい。

第２孔２ｂは第１孔２ａより大きい。よって、第２脱バイ後接着剤１５は第１脱バイ後接着剤１４よりベース基板２と第２蓋体５との熱膨張の差の影響をうけ易くなっている。一方、第２脱バイ後接着剤１５の厚さとなる第２厚さ６ａは第１脱バイ後接着剤１４の厚さとなる第１厚さ４ａより厚くなっている。従って、電子デバイス１が冷却するときベース基板２と第２蓋体５との収縮に応じて第２脱バイ後接着剤１５が変形することができる。その結果、第２脱バイ後接着剤１５はクラックを発生させずに第２の低融点ガラス６に移行することができる。

第１脱バイ後接着剤１４は第２脱バイ後接着剤１５よりベース基板２と第１蓋体３との熱膨張の差の影響をうけ難くなっている。第１脱バイ後接着剤１４の厚さとなる第１厚さ４ａは第２脱バイ後接着剤１５の厚さとなる第２厚さ６ａはより薄くなっている。従って、第１接着剤１２の使用量を減らすことができる。電子デバイス１が常温まで冷却された結果、図６（ｂ）に示すようにパッケージ１ａが完成する。

次に、ステップＳ６の封止工程が行われる。ベース基板２には図示しない貫通孔が形成されている。そして、貫通孔に球状の封止部材が載置される。封止部材の材質には例えば有機樹脂、金属や無機ガラス材等を用いることができる。封止部材の材質に金属を用いるときには例えば金ゲルマニウム合金を用いることができる。パッケージ１ａはチャンバー内に設置され、チャンバー内が減圧される。次に、封止部材が加熱されて溶融した後、封止部材は冷却されて貫通孔を遮蔽する。チャンバー内の気圧が大気圧に戻されて、パッケージ１ａがチャンバーから取り出される。貫通孔が遮蔽されているのでパッケージ１ａ内は減圧した状態を維持している。以上の工程により電子デバイス１が完成し電子デバイス１を製造する工程を終了する。

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、第１蓋体３をベース基板２に接合するときに加熱される。第１孔２ａは第２孔２ｂより小さいので、第１蓋体３とベース基板２と熱膨張の差による位置ずれは第２孔２ｂより小さい。さらに、第１の低融点ガラス４が占める面積である第１面積は第２の低融点ガラス６が占める面積である第２面積より広い。このため、第１厚さ４ａが第２厚さ６ａより薄くてもパッケージ１ａ内とパッケージ１ａ外とで貫通するクラックができ難い。そして、第１厚さ４ａが第２厚さ６ａと同じ厚さにするときに比べて第１の低融点ガラス４の使用量を少なくすることができる。従って、第１の低融点ガラス４の使用量を少なくして貫通するクラックができることを抑制することができる。

（２）本実施形態によれば、第２蓋体５をベース基板２に接合するときに加熱される。第２孔２ｂは第１孔２ａより大きいので、第２蓋体５とベース基板２と熱膨張の差による位置ずれは第１孔２ａより大きい。第２厚さ６ａは第１厚さ４ａより厚いので、冷却時に収縮する速度に追従して変形することができる。この為、第２の低融点ガラス６にクラックを入り難くすることができる。そして、第２面積を第１面積と同じ広さにするときに比べて第２の低融点ガラス６を少なくすることができる。従って、第２の低融点ガラス６の使用量を少なくしてクラックが入ることを抑制することができる。

（第２の実施形態）
次に、電子デバイスの一実施形態について図７を用いて説明する。図７（ａ）は、電子デバイスの構造を示す模式底面図であり、図７（ｂ）は、電子デバイスの構造を示す模式上面図である。図７（ｃ）は電子デバイスの構造を示す模式側断面図である。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、第１の低融点ガラス４の平面形状が異なる点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。

すなわち、本実施形態では、図７（ａ）に示すように、電子デバイス２２には第１孔２ａの外側と第１蓋体３の外周との間の範囲に第１の低融点ガラス２３が配置されている。図中第１の低融点ガラス２３が配置されている場所はハッチングが記載されている場所である。第１の低融点ガラス２３はベース基板２と第１蓋体３との間で円環状に配置されている。そして、第１の低融点ガラス２３において内周と外周との間の幅を第１ガラス幅２３ｂとする。尚、第１の低融点ガラス２３において内周と外周との間に幅の広い場所と狭い場所があるときには、狭い場所を第１ガラス幅２３ｂとする。ステップＳ２の接着剤塗布工程において第１蓋体３に第１接着剤１２が塗布される。このとき、第１接着剤１２は図中の第１の低融点ガラス２３のように円環状に塗布される。その他の製造方法は第１の実施形態と同じであり、説明を省略する。

図７（ｂ）に示すように、Ｚ方向から見たときの第２の低融点ガラス６の幅を第２ガラス幅６ｂとする。尚、第２の低融点ガラス６の幅が広い場所と狭い場所があるときには、広い場所を第２ガラス幅６ｂとする。第１ガラス幅２３ｂに比べて第２ガラス幅６ｂは狭くなっている。第１ガラス幅２３ｂは広い為、第１の低融点ガラス２３にクラックが入っても電子デバイス２２の外側と収納部８との間でクラックが貫通しないようになっている。この為、収納部８を負圧にしても第１の低融点ガラス２３を気体が通過できないので収納部８内の圧力は変動し難くなっている。

図７（ｃ）に示すように、第１の低融点ガラス２３の厚さを第１厚さ２３ａとする。第１厚さ２３ａは第２厚さ６ａより薄い厚さとなっている。従って、第１の低融点ガラス２３の使用量を少なくすることができる。電子デバイス２２のうち波長可変干渉フィルター７を除いた部分がパッケージ２２ａである。パッケージ２２ａは主にベース基板２、第１蓋体３及び第２蓋体５から構成されている。

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、第１ガラス幅２３ｂは第２ガラス幅６ｂより広くなっている。第１厚さ２３ａは第２厚さ６ａより薄くなっている。第１蓋体をベース基板に接合するときに加熱される。第１ガラス幅２３ｂは第２ガラス幅６ｂより広いため、第１厚さ２３ａが第２厚さ６ａより薄くても第１の低融点ガラス２３を貫通するクラックができ難い。そして、第１厚さ２３ａが第２厚さ６ａと同じ厚さにするときに比べて第１の低融点ガラス２３を少なくすることができる。従って、第１の低融点ガラス２３の使用量を少なくして第１の低融点ガラス２３に貫通するクラックができることを抑制することができる。

（２）本実施形態によれば、第２厚さ６ａは第１厚さ２３ａより厚くなっている。第２蓋体５をベース基板２に接合するときに加熱される。第２孔２ｂは第１孔２ａより大きいので、第２蓋体５とベース基板２と熱膨張の差による位置ずれは第１孔２ａより大きい。第２厚さ６ａは第１厚さ２３ａより厚いので、冷却時に収縮する速度に追従して変形することができる。この為、第２の低融点ガラス６にはクラックが入り難い。そして、第２ガラス幅６ｂを第１ガラス幅２３ｂと同じ広さにするときに比べて第２の低融点ガラス６の体積を小さくすることができる。従って、第２の低融点ガラス６の使用量を少なくして第２の低融点ガラス６にクラックが入ることを抑制することができる。

（第３の実施形態）
次に、電子デバイスが設置された測色装置について説明する。尚、上述した実施形態と同じ点についての説明は省略する。

図８は、測色装置の構成を示すブロック図である。図８に示すように、電子機器としての測色装置２６は検査対象２７に光を射出する光源装置２８と、測色センサー２９と、測色装置２６の全体動作を制御する制御装置３０とを備える。光源装置２８は光を検査対象２７に照射する。照射された光は検査対象２７にて反射する。反射された光を測色センサー２９が受光し制御装置３０に検出信号を出力する。検出信号に基づいて制御装置３０は検査対象２７に反射した光の色度を分析する。

光源装置２８は、光源３１及び投射レンズ３２を備えている。光源装置２８は検査対象２７に白色光を射出する。また、投射レンズ３２は複数のレンズからなり、投射レンズ３２にはコリメーターレンズが含まれてもよい。このとき、光源装置２８は光源３１から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、投射レンズ３２から検査対象２７に向かって射出する。尚、本実施形態では、光源装置２８を備える測色装置２６を例示するが、例えば検査対象２７が液晶パネル等の発光部材である場合、光源装置２８を含まない構成としてもよい。

測色センサー２９は、光学フィルターデバイス３３を備えている。この測色センサー２９は、光学フィルターデバイス３３、検出部３４及び電圧制御部３５を備える。検査対象２７にて反射した光は光学フィルターデバイス３３を通過して検出部３４を照射する。検査対象２７にて反射した光を検査対象光と称す。電圧制御部３５は光学フィルターデバイス３３で透過させる光の波長を可変する。そして、光学フィルターデバイス３３に第１の実施形態における電子デバイス１または第２の実施形態における電子デバイス２２が用いられている。

測色センサー２９は、光学フィルターデバイス３３と検査対象２７との間に入射光学レンズ３６を備えている。入射光学レンズ３６は検査対象光を光学フィルターデバイス３３に導光する。そして、光学フィルターデバイス３３は検査対象光のうち所定波長の光を分光し、検出部３４は分光した光を受光する。光学フィルターデバイス３３と入射光学レンズ３６との間には遮光板３７が配置されている。遮光板３７は光学フィルターデバイス３３に対する迷光の入射を防いでいる。測色センサー２９の筐体の構造や入射光学レンズ３６が工夫され迷光の入射が抑制されているときには遮光板３７を省略してもよい。

検出部３４は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。検出部３４は生成した電気信号を受光信号として制御装置３０に出力する。検出部３４及び光学フィルターデバイス３３は回路基板３８に設置され、検出部３４及び光学フィルターデバイス３３は回路基板３８を介して電圧制御部３５に接続されている。そして、電圧制御部３５は、制御装置３０からの入力される制御信号に基づいて、光学フィルターデバイス３３に所定の電圧を印加することで、分光する所定の波長を設定することが可能となっている。

制御装置３０は測色装置２６の全体動作を制御する。制御装置３０としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや携帯情報端及び測色専用コンピューター等を用いることができる。制御装置３０は、光源制御部４１、測色センサー制御部４２、及び測色処理部４３等により構成されている。光源制御部４１は光源装置２８に接続されており、例えば利用者の設定入力に基づいて光源装置２８に所定の制御信号を出力し、光源装置２８から所定の明るさの白色光を射出させる。

測色センサー制御部４２は測色センサー２９に接続されており、例えば、操作者の設定入力に基づいて測色センサー２９にて受光させる光の波長を設定する。そして、制御装置３０は設定した波長の光の受光量を検出する指示を示す制御信号を測色センサー２９に出力する。制御信号に基づいて測色センサー２９の電圧制御部３５は光学フィルターデバイス３３への印加電圧を設定する。この印加電圧は、操作者が設定入力した波長の光のみを光学フィルターデバイス３３が透過させる電圧となっている。測色処理部４３は、検出部３４により検出された受光量のデータを用いて検査対象２７の色度を分析する。

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、測色装置２６は光学フィルターデバイス３３に第１の実施形態における電子デバイス１または第２の実施形態における電子デバイス２２が用いられている。電子デバイス１は第１の低融点ガラス４及び第２の低融点ガラス６の使用量を少なくして内部の気密性を確保することができる。同様に、電子デバイス２２は第１の低融点ガラス２３及び第２の低融点ガラス６の使用量を少なくして内部の気密性を確保することができる。その結果、測色装置２６は気密性が確保でき低融点ガラスの使用量が少ない電子デバイス１または電子デバイス２２を備えた装置を提供することができる。

尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。

（変形例１）
上記第１の実施形態では、第１粒子９を用いて第１厚さ４ａを制御し、第２粒子１１を用いて第２厚さ６ａを制御した。低融点ガラスの厚さを制御する方法はこれに限らない。例えば、ベース基板２や第１蓋体３に低融点ガラスの厚さに相当する凸部を形成しても良い。凸部はフォトリソグラフィ法を用いて形成しても良く、各種の印刷法を用いて形成しても良い。

（変形例２）
上記第１の実施形態では、ベース基板２、第１蓋体３及び第２蓋体５の平面形状が四角形であったが他の形状でもよい。ベース基板２、第１蓋体３及び第２蓋体５の平面形状は丸、楕円、多角形にすることができる。このときにも、第１の低融点ガラス４の面積を第２の低融点ガラス６の面積より広くし、第１厚さ４ａを第２厚さ６ａより薄くする。これにより、パッケージ１ａ内の気密性を確保して第１の低融点ガラス４の使用量を少なくすることができる。

（変形例３）
上記第１の実施形態では、パッケージ１ａの内部に波長可変干渉フィルター７が設置されたが、他の素子が設置されても良い。パッケージ１ａの内部には、光スイッチ素子、撮像素子、圧電振動子、加速度センサー等の電子素子や半導体素子を設置することができる。パッケージ１ａ内は気密性が高いので品質良く電子素子や半導体素子を駆動させることができる。

（変形例４）
上記第１の実施形態では、第１蓋体３及び第２蓋体５はガラスであったが、低融点ガラスにより接着可能な素材であればよい。また、パッケージ１ａ内に設置する電子素子が光学素子でないときには、光透過性でなくでも良い。例えば、各種金属や鉱物等を用いることができる。素材の性能を生かすことにより耐熱性、耐湿性、光透過性を向上させることができる。

（変形例５）
上記第１の実施形態では、ステップＳ６の封止工程でパッケージ１ａ内を減圧させるために貫通孔を設けた。減圧する圧力が低くないときには、貫通孔を設けなくても良い。第１脱バイ後接着剤１４及び第２脱バイ後接着剤１５を通して気体を流動させてパッケージ１ａ内を減圧させても良い。貫通孔を設けないので生産性良く電子デバイス１を製造することができる。

（変形例６）
上記第２の実施形態では、Ｚ方向から見たときに第１の低融点ガラス２３が円環状に設置された。第１の低融点ガラス２３の平面形状は四角形の枠形状でも良く、多角形の枠形状でも良い。他にも楕円形の枠形状でも良い。第１孔２ａの形状に合わせて形状を変えても良い。このときにも第１ガラス幅２３ｂを第２ガラス幅６ｂより広くすることにより、第１の低融点ガラス２３を貫通するクラックをでき難くすることができる。

１ａ…パッケージ、１…電子デバイス、２…ベース基板、２ａ…第１孔、２ｂ…第２孔、３…第１蓋体、４，２３…第１の低融点ガラス、４ａ…第１厚さ、５…第２蓋体、６…第２の低融点ガラス、６ａ…第２厚さ、６ｂ…第２ガラス幅、９…第１粒子、１１…第２粒子、２３ｂ…第１ガラス幅、２６…電子機器としての測色装置。

Claims (7)

1. 第１孔と前記第１孔より大きな第２孔とが設置されたベース基板と、
   前記ベース基板に第１の低融点ガラスにより接合され前記第１孔を塞ぐ第１蓋体と、
   前記ベース基板に第２の低融点ガラスにより接合され前記第２孔を塞ぐ第２蓋体と、を備え、
   前記第１の低融点ガラスにより接合された場所の面積を第１面積とし、前記第２の低融点ガラスにより接合された場所の面積を第２面積とするとき、前記第１面積は前記第２面積より広く、
   前記第１の低融点ガラスの厚さを第１厚さとし、前記第２の低融点ガラスの厚さを第２厚さとするとき、前記第１厚さは前記第２厚さより薄いことを特徴とする電子デバイス。
2. 第１孔と前記第１孔より大きな第２孔とが設置されたベース基板と、
   前記ベース基板に第１の低融点ガラスにより接合され前記第１孔を塞ぐ第１蓋体と、
   前記ベース基板に第２の低融点ガラスにより接合され前記第２孔を塞ぐ第２蓋体と、を備え、
   前記第１の低融点ガラスは前記第１孔の外周に沿って配置され、前記第２の低融点ガラスは前記第２孔の外周に沿って配置され、
   前記第１の低融点ガラスの厚さを第１厚さとし、前記第２の低融点ガラスの厚さを第２厚さとするとき、前記第１厚さは前記第２厚さより薄く、
   前記第１の低融点ガラスの幅を第１ガラス幅とし、前記第２の低融点ガラスの幅を第２ガラス幅とするとき、前記第１ガラス幅は前記第２ガラス幅より広いことを特徴とする電子デバイス。
3. 請求項１または２に記載の電子デバイスであって、
   前記第１の低融点ガラスは第１粒子を含み、前記第２の低融点ガラスは第２粒子を含み、
   前記第１粒子の直径は前記第２粒子の直径より小さいことを特徴とする電子デバイス。
4. 光学素子を収納するパッケージであって、
   前記光学素子が設置され第１孔と前記第１孔より大きな第２孔とが設置されたベース基板と、
   前記ベース基板に第１の低融点ガラスにより接合され前記第１孔を塞ぐ第１蓋体と、
   前記ベース基板に第２の低融点ガラスにより接合され前記第２孔を塞ぐ第２蓋体と、を備え、
   前記第１の低融点ガラスにより接合された場所の面積を第１面積とし、前記第２の低融点ガラスにより接合された場所の面積を第２面積とするとき、前記第１面積は前記第２面積より広く、
   前記第１の低融点ガラスの厚さを第１厚さとし、前記第２の低融点ガラスの厚さを第２厚さとするとき、前記第１厚さは前記第２厚さより薄いことを特徴とするパッケージ。
5. 電子デバイスを備える電子機器であって、
   前記電子デバイスは、第１孔と前記第１孔より大きな第２孔とが設置されたベース基板と、
   前記ベース基板に第１の低融点ガラスにより接合され前記第１孔を塞ぐ第１蓋体と、
   前記ベース基板に第２の低融点ガラスにより接合され前記第２孔を塞ぐ第２蓋体と、を備え、
   前記第１の低融点ガラスにより接合された場所の面積を第１面積とし、前記第２の低融点ガラスにより接合された場所の面積を第２面積とするとき、前記第１面積は前記第２面積より広く、
   前記第１の低融点ガラスの厚さを第１厚さとし、前記第２の低融点ガラスの厚さを第２厚さとするとき、前記第１厚さは前記第２厚さより薄いことを特徴とする電子機器。
6. 第１孔、前記第１孔より大きな第２孔及び電子素子が設置されたベース基板の前記第１孔を囲んで第１の低融点ガラスの材料を塗布し、前記第１の低融点ガラスの材料を前記ベース基板とで挟むように第１蓋体を設置する工程と、
   前記ベース基板の第２孔を囲んで第２の低融点ガラスの材料を塗布し、前記第２の低融点ガラスの材料を前記ベース基板とで挟むように第２蓋体を設置する工程と、
   前記第１蓋体及び前記第２蓋体を前記ベース基板に押圧し、前記第１蓋体及び前記第２蓋体を介して前記第１の低融点ガラス及び前記第２の低融点ガラスを加熱する工程と、
   前記第１の低融点ガラス及び前記第２の低融点ガラスを冷却して固化する工程と、を有し、
   前記第１の低融点ガラスは第１粒子を含み、前記第２の低融点ガラスは第２粒子を含み、前記第１粒子の直径は前記第２粒子の直径より小さく、
   前記第１の低融点ガラスにより接合された場所の面積を第１面積とし、前記第２の低融点ガラスにより接合された場所の面積を第２面積とするとき、前記第１面積は前記第２面積より広いことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
7. 第１孔、前記第１孔より大きな第２孔及び電子素子が設置されたベース基板の前記第１孔を囲んで第１の低融点ガラスの材料を塗布し、前記第１の低融点ガラスの材料を前記ベース基板とで挟むように第１蓋体を設置する工程と、
   前記ベース基板の第２孔を囲んで第２の低融点ガラスの材料を塗布し、前記第２の低融点ガラスの材料を前記ベース基板とで挟むように第２蓋体を設置する工程と、
   前記第１蓋体及び前記第２蓋体を前記ベース基板に押圧し、前記第１蓋体及び前記第２蓋体を介して前記第１の低融点ガラス及び前記第２の低融点ガラスを加熱する工程と、
   前記第１の低融点ガラス及び前記第２の低融点ガラスを冷却して固化する工程と、を有し、
   前記第１の低融点ガラスは第１粒子を含み、前記第２の低融点ガラスは第２粒子を含み、前記第１粒子の直径は前記第２粒子の直径より小さく、
   前記第１の低融点ガラスの幅を第１ガラス幅とし、前記第２の低融点ガラスの幅を第２ガラス幅とするとき、前記第１ガラス幅は前記第２ガラス幅より広いことを特徴とする電子デバイスの製造方法。

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