JP6074149B2 - 発光装置 - Google Patents

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Description

本発明は、有機ＥＬ素子が適用された発光装置、及びその作製方法に関する。
有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子の研究開発が盛んに行われている。有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極の間に発光性の有機化合物を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得ることが出来る。
有機ＥＬ素子は膜状に形成することが可能であるため大面積の素子を容易に形成することができ、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
例えば、特許文献１には、有機ＥＬ素子を用いた照明器具が開示されている。
特開２００９−１３０１３２号公報
有機ＥＬ素子（以降、発光素子とも呼ぶ）を形成する場合、絶縁表面を有する基板上に形成した下部電極上に、発光性の有機化合物を含む層と上部電極を順次積層する方法としては、例えば真空蒸着法がある。真空蒸着法を用いて島状の層を形成する方法としては、金属板に開口部を設けたメタルマスク（シャドーマスクともいう）を用いる方法が知られている。基板に接して蒸着源との間にメタルマスクを設け、当該メタルマスクの開口部を介して基板に蒸着を行うと、開口部の形状に応じた形状の蒸着膜を形成することができる。なお、メタルマスクと基板との距離が短いほど、開口部に応じた明瞭な形状で、言い換えると周辺部のボケの少ない形状で島状の層が形成できる。
また、メタルマスクを基板に接して使用すると不具合が生じる確率が高まる。例えば、メタルマスクの開口部にある開口端が基板表面を傷つけてしまう場合がある。具体的には、メタルマスクを基板に接触する際に、メタルマスクの開口端が基板表面を擦り、基板上に形成済みの他の層を破壊してしまう場合がある。特に発光領域に近い領域にメタルマスクの開口端が重なる場合には、発光素子がショートしてしまう恐れがある。また、メタルマスクに付着したゴミ（パーティクルと呼ばれる小さな異物を含む）をメタルマスクから基板に転写してしまう場合もある。
さらに、メタルマスクを大型の基板に適用しようとすると、メタルマスクに用いる金属板のたわみなどによってパターンがずれてしまう問題がある。この問題を回避するため当該金属板を厚くすると、形成された島状のパターンの外周部にボケが生じてしまう問題や、メタルマスク自体の重量が非常に大きくなり取り扱いが困難になる問題がある。
一方で、発光素子が適用された面状の発光装置を壁面や天井に設ける照明に適用するため、発光装置の大面積化が求められている。発光装置を大型化する際、１つの発光素子で発光装置を構成するのではなく、複数の発光素子をタイル状に配置し、それぞれの発光素子を個別に駆動させることが好ましい。このような構成とすることにより、１つの発光素子にショートなどの不具合が生じた場合でも、他の発光素子を駆動させて発光させることができる。また、複数の発光素子を個別に駆動させることにより、発光装置全体の調光の制御を容易に行うことが出来る。
したがって、複数の発光素子を同一基板上に形成し、それぞれを個別に駆動させる場合、それぞれの発光素子を電気的に分離させる必要がある。例えばその方法としては、島状に複数設けられた下部電極上に、メタルマスクを用いて島状のＥＬ層や上部電極を形成して複数の発光素子を作製する方法が挙げられるが、上述のようなメタルマスクに起因した不具合や、基板の大型化に対する困難性、また低い歩留まりなどの問題があった。
なお、本明細書等において、メタルマスクとは基板上に複数の島状のパターンを形成するための開口部を有するものをいう。したがって、発光素子よりも十分に離れた基板の外周部（例えば封止領域よりも外側の領域など）に非成膜領域を設けることを目的とする遮蔽マスクは、メタルマスクには含まれない。なお、発光素子と電気的に接続する配線を基板上に設ける場合、当該遮蔽マスクは配線と重なる開口端を有している場合もある。
なお、本明細書等において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられ、少なくとも発光性の有機化合物を含む層（発光層とも呼ぶ）、又は発光層を含む積層体を示すものをいう。
本発明の一態様は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって本発明の一態様は、信頼性の高い発光装置を提供することを課題の一とする。特に、メタルマスクを用いずに形成可能で、且つ複数の発光素子を有する発光装置とその作製方法を提供することを課題の一とする。
上記目的を達成するために本発明は、面状の導電膜を形成した後に、これを物理的に分断することに想到した。弾性を有する絶縁層上に形成された導電膜の上方から、少なくとも先端に鋭角形状を有する構造物を、その先端が当該導電膜を貫通して少なくとも当該絶縁層に接するように設け、当該導電膜を物理的に分断することにより、当該導電膜を電気的に分離すればよい。また、このような方法を隣接する発光素子間に適用すればよい。
すなわち、本発明の一態様の発光装置は、第１の下部電極層と、第１の発光性の有機化合物を含む層と、第１の上部電極層とが積層された第１の発光素子と、第２の下部電極層と、第２の発光性の有機化合物を含む層と、第２の上部電極層とが積層された第２の発光素子とを備える。さらに、第１の発光素子と第２の発光素子とは絶縁層を介して並んで設けられ、絶縁層上に、少なくとも先端が鋭角形状を有し絶縁層に接する構造物を有し、第１の上部電極層と第２の上部電極層は同一の層からなり、絶縁層上において少なくとも先端に鋭角形状を有する構造物を境に分断された発光装置である。
このような発光装置の構成とすることにより、メタルマスクを用いずに形成された上部電極層及び発光性の有機化合物を含む層とを物理的に分断し、電気的に分離された複数の発光素子を有する発光装置とすることができる。メタルマスクを用いないため、上述したようなメタルマスクに起因する不具合が抑制され、信頼性の高い発光装置とすることができる。さらにメタルマスクを用いないことから、大型の基板にも容易に適用可能である。さらに、同一基板上に複数の発光装置を作製する際においても、隣接する発光装置の間に少なくとも先端に鋭角形状を有する構造物を適用することにより、メタルマスクを用いることなく電気的に分離された複数の発光装置を同一基板上に形成することもできる。
また、本発明の他の一態様の発光装置は、上記発光装置において、上記第１の発光素子、第２の発光素子、及び絶縁層は、第１の基板上に設けられ、少なくとも先端に鋭角形状を有する構造物は、第２の基板上に設けられ、第２の基板の第１の発光素子及び第２の発光素子と対向する表面に凹部を有し、第２の基板と第１の発光素子及び第２の発光素子とが接しないことを特徴とする。
上記少なくとも先端に鋭角形状を有する構造物は、第２の基板の一表面に設けられ、発光素子が形成される第１の基板と第２の基板とを貼り合わせる工程において、当該少なくとも先端に鋭角形状を有する構造物が絶縁層に接するように形成すればよい。少なくとも先端に鋭角形状を有する構造物をあらかじめ第２の基板側に設けることにより、従来の貼り合わせ工程によって発光素子間を電気的に分離することができるため、工程への導入が容易である。
さらに、少なくとも先端に鋭角形状を有する構造物は、第２の基板の表面よりも突出して形成されるため、その高さを調整することにより、第２の基板の表面と、第１の基板上に形成された発光素子との間に空間が設けられた、いわゆる中空封止構造を有する発光装置を容易に実現することができる。当該中空封止構造を有する発光装置は、例えばその内部に水や酸素などの不純物が低減された不活性ガスで満たす、または減圧状態とすることができ、信頼性の高い発光装置とすることが出来る。さらに、発光素子と第２の基板とが接触しないようにスペーサを別途設ける必要がなく、また当該スペーサを別途設けることによる非発光領域の増大が抑制され、高効率な発光装置とすることが出来る。
また、本発明の一態様の発光装置の作製方法は、第１の基板の一表面上に、第１の下部電極層と、第２の下部電極層と、を並べて形成し、第１の下部電極層と、第２の下部電極層との間に絶縁層を形成し、第１の下部電極層、第２の下部電極層、及び絶縁層を覆う発光性の有機化合物を含む層を形成し、発光性の有機化合物を含む層上に、導電膜を形成する工程と、第２の基板の一表面上に、少なくとも先端に鋭角形状を有する構造物を形成する工程と、少なくとも先端に鋭角形状を有する構造物の先端が、絶縁層上の上記導電膜を第１の上部電極層と第２の上部電極層とに物理的に分断するように、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせる工程と、を有し、上記発光性の有機化合物を含む層と上記導電膜は、メタルマスクを用いずに形成することを特徴とする。
上記作製方法によれば、電気的に分離された複数の発光素子を有する発光装置を、メタルマスクを用いることなく形成することができる。したがって、メタルマスクに起因する不具合が抑制された、信頼性の高い発光装置を実現できる。また、上記作製方法は、メタルマスクを用いる必要が無いため、大面積の基板にも容易に適用可能である。
また、本発明の一態様の発光装置の作製方法は、第１の基板の一表面上に、第１の下部電極層と、第２の下部電極層と、を並べて形成し、第１の下部電極層と、第２の下部電極層との間に絶縁層を形成し、第１の下部電極層、第２の下部電極層、及び絶縁層を覆う発光性の有機化合物を含む層を形成し、発光性の有機化合物を含む層上に、導電膜を形成する工程と、第２の基板の一表面の一部をエッチングして凹部と少なくとも先端に鋭角形状を有する構造物を形成する工程と、少なくとも先端に鋭角形状を有する構造物の先端が、絶縁層上の上記導電膜を第１の上部電極層と第２の上部電極層とに物理的に分断し、且つ第１の下部電極層及び第２の下部電極層と、凹部とが重なるように、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせる工程と、を有し、上記発光性の有機化合物を含む層と上記導電膜は、メタルマスクを用いずに形成することを特徴とする。
このように、少なくとも先端に鋭角形状を有する構造物は、第２の基板の表面の一部をエッチングにより加工して形成できる。このように第２の基板の表面を加工して形成すると、第２の基板の一部の領域に凹部を形成することができる。このような第２の基板と第１の基板とを貼り合わせると発光素子と第２の基板との間に空間を有する、中空封止構造を有する発光装置を容易に作製することができる。したがって、発光素子と第２の基板とが接触しないようにスペーサを設ける必要が無く、当該スペーサを設けることによる工程の煩雑さが排除でき、信頼性の高い発光装置とすることができる。また特に上面発光型の発光装置においては、当該スペーサを設けることによる非発光領域の増大が抑制され、高効率な発光装置とすることができる。
また、本発明の一態様の発光装置の作製方法は、第１の基板の一表面上に、第１の下部電極層と、第２の下部電極層と、を並べて形成し、第１の下部電極層と、第２の下部電極層との間に絶縁層を形成し、第１の下部電極層、第２の下部電極層、及び絶縁層を覆う発光性の有機化合物を含む層を形成し、発光性の有機化合物を含む層上に、導電膜を形成する工程と、鋭角形状の先端部を有する分断器を、当該分断器の先端部が絶縁層上の上記導電膜を第１の上部電極層と第２の上部電極層とに物理的に分断するように、絶縁層の上方から押し付ける工程と、を有し、上記発光性の有機化合物を含む層と上記導電膜は、メタルマスクを用いずに形成することを特徴とする。
上記作製方法によれば、メタルマスクを用いずに形成された隣接する発光素子の上部電極層となる導電膜を、鋭角形状の先端部を有する分断器によってあらかじめ分断することができる。こうすることにより、第２の基板側に先端に鋭角形状を有する構造物を形成する工程を省くことができる。また、第２の基板を設けない、若しくは第２の基板として薄いフィルムなどを用いることができ、軽量且つ薄い発光装置とすることが出来る。
本発明によれば、信頼性の高い発光装置を提供できる。特に、メタルマスクを用いずに形成可能で、且つ複数の発光素子を有する発光装置を提供できる。
本発明の一態様の、発光装置を説明する図。 本発明の一態様の、発光装置の作製方法を説明する図。 本発明の一態様の、発光装置の作製方法を説明する図。 本発明の一態様の、発光装置の作製方法を説明する図。 本発明の一態様の、発光装置を説明する図。 本発明の一態様の、発光装置を説明する図。 本発明の一態様の、発光装置を説明する図。 本発明の一態様の、ＥＬ層を説明する図。 本発明の一態様の、発光装置が適用された照明装置を説明する図。 本発明の一態様の、発光装置の作製方法を説明する図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
（実施の形態１）
本実施の形態では、電気的に分離された複数の発光素子を有する発光装置の構成と、その作製方法について、図１乃至図４を用いて説明する。
＜構成例＞
図１は、本発明の一態様である発光装置１００の断面概略図である。発光装置１００は、基板１０１上に電気的に分離された２つの発光素子（発光素子１１０ａ及び１１０ｂ）と、発光素子の上部電極層及びＥＬ層を物理的に分断する分断部１２０とを有する発光装置である。なお、本構成例では、一例として２つの発光素子を有する発光装置について例示するが、発光素子の数は３以上としてもよい。
発光素子１１０ａは下部電極層１０３ａ、ＥＬ層１０５ａ、及び上部電極層１０７ａを有し、下部電極層１０３ａと上部電極層１０７ａとの間に電圧を印加することにより、ＥＬ層１０５ａからの発光を得ることができる。また、同様に発光素子１１０ｂは、下部電極層１０３ｂ、ＥＬ層１０５ｂ、及び上部電極層１０７ｂを有する。
下部電極層１０３ａ及び１０３ｂの端部の一部は、隔壁１０９によって覆われている。隔壁１０９は、当該端部の段差によってＥＬ層１０５ａ又は１０５ｂが分断され、当該段差部で下部電極層１０３ａ又は１０３ｂと上部電極層１０７ａ又は１０７ｂとがショートすることを抑制するために設けられる。なお、隔壁１０９は、必要でないなら設けなくても良い。
また、下部電極層１０３ａと下部電極層１０３ｂとの間に、絶縁層１１１を有している。絶縁層１１１は、後に説明する鋭角形状を有する構造物１２３の先端が埋設される程度に弾性を有する材料で形成されていることが好ましい。
また本構成例では、絶縁層１１１の一部が隔壁１０９と同様に、下部電極層１０３ａ及び１０３ｂの対向する端部を覆って設けられている。なお、絶縁層１１１は必要でないなら当該端部を覆わない構成としてもよい。また、下部電極層１０３ａ及び１０３ｂの対向する端部を隔壁１０９で覆い、当該端部を覆わない絶縁層１１１を下部電極層１０３ａ及び１０３ｂの間に設けても良い。
対向基板１２１は、その外周部がシール材１２５によって基板１０１と接着されている。また対向基板１２１の基板１０１と対向する面の、絶縁層１１１と重なる領域において、鋭角形状を有する構造物１２３が形成されている。また、外周部及び構造物１２３が形成されていない、少なくとも発光素子１１０ａ及び１１０ｂと重なる領域において、対向基板１２１の表面に凹部が形成されている。
分断部１２０において、鋭角形状を有する構造物１２３が、基板１０１に設けられた絶縁層１１１にその先端が上方から埋設するように設けられている。したがって、分断部１２０において、絶縁層１１１上のＥＬ層及び上部電極層は当該鋭角形状を有する構造物１２３によって物理的に分断されている。すなわち、鋭角形状を有する構造物１２３を介して、ＥＬ層１０５ａとＥＬ層１０５ｂとは物理的に分断され、上部電極層１０７ａと上部電極層１０７ｂとは物理的に分断されることにより、分断部１２０を境界として発光素子１１０ａと発光素子１１０ｂとは、電気的に分離されている。
本実施の形態では、鋭角形状を有する構造物１２３の先端が絶縁層１１１に埋設される構成を示しているが、少なくとも鋭角形状を有する構造物１２３の先端が上部電極層及びＥＬ層を貫通し、絶縁層１１１の表面に接していれば良い。
ここで、鋭角形状を有する構造物１２３は、少なくとも絶縁層１１１を変形させる程度の剛性を有している。また、鋭角形状を有する構造物１２３は、その両側面のなす角が、１度以上６０度以下、好ましくは５度以上３０度以下であることが好ましい。また、その先端部の断面形状が曲面形状を有していてもよく、その場合は先端部の曲率半径が絶縁層１１１の膜厚の半分以下、好ましくは１／１０以下とする。
このような鋭角形状を有する構造物１２３と絶縁層１１１とを有する分断部１２０を発光装置１００に設けることにより、メタルマスクを用いずに形成されたＥＬ層及び上部電極層を確実に物理的に分断することができ、発光装置１００内の２つの発光素子１１０ａ及び１１０ｂは確実に電気的に分離することが出来る。このような発光装置１００は、メタルマスクに起因する不具合が排除され、信頼性の高い発光装置とすることができる。
また、対向基板１２１に設けられた凹部により、発光素子１１０ａ及び１１０ｂと対向基板１２１との間に空間を有する、中空封止構造を有する発光装置１００を容易に形成することができる。したがって、発光素子１１０ａ及び１１０ｂと対向基板１２１とが接触しないようにスペーサを設ける必要が無く、当該スペーサを設けることによる工程の煩雑さが排除でき、信頼性の高い発光装置とすることができる。また特に上面発光型の発光装置においては、当該スペーサを別途設けることによる非発光領域の増大が抑制され、高効率な発光装置とすることができる。
なお、本発明の一態様の発光装置は、発光素子が形成された基板において、発光素子の形成面側に光を射出する上面発光型や、発光素子の形成面とは反対の面側に光を射出する下面発光型、及びその両面側に光を射出する両面発光型のいずれの発光装置にも適用可能である。上面発光型、または下面発光型の場合には、光射出側に用いられる電極層と基板とにＥＬ層の発光に対して透光性を有する材料を用い、光射出側とは反対側に用いられる電極層に上記発光に対して反射性を有する材料を用いればよい。また両面発光型の場合には、両電極層、両基板共に透光性を有する材料を用いればよい。
また、対向基板を備える下面発光型の発光装置とする場合には、発光素子と当該対向基板との間の空間内に乾燥剤や吸着剤を備えていても良い。当該乾燥剤や吸着剤によって封止領域内部の水などの不純物が低減されるため、発光素子の劣化が抑制され、信頼性の高い発光装置とすることができる。
また、上部電極層を形成した後、ＥＬ層及び上部電極層を覆う保護膜を形成してもよい。当該保護膜により、発光素子への水や酸素などの不純物の浸入を抑制し、信頼性の高い発光装置とすることが出来る。保護膜は、例えば有機絶縁膜、無機絶縁膜など水分や酸素を透過しにくい材料を用い、スパッタリング法などの成膜方法や、印刷法、塗布法などを用いることができる。
＜作製工程例＞
続いて、発光装置１００の作製方法の一例について図２乃至図４を用いて以下で説明する。
初めに、基板１０１上に２つの発光素子（発光素子１１０ａ及び１１０ｂ）を形成する（図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）参照）。
まず、基板１０１上に導電膜をスパッタリング法などの成膜方法を用いて形成する。その後、フォトリソグラフィ法などの公知のパターニング技術を用いて当該導電膜の不要な部分を除去し、下部電極層１０３ａ及び１０３ｂを形成する（図２（Ａ）参照）。
なお、上記導電膜を成膜する前に、基板１０１の表面を覆う下地絶縁膜を形成してもよい。下地絶縁膜としては、基板１０１からの水や酸素などの不純物の拡散を防止するパッシベーション膜としての機能や、基板１０１の表面の凹凸を平坦化させる平坦化膜としての機能を有する膜を形成することができる。また、これらの積層膜を下地絶縁膜として用いても良い。下地絶縁膜は、その材料に応じて、スパッタリング法やＣＶＤ法などの堆積法、ディップ法、スピンコート法、インクジェット法などの塗布法、スクリーン印刷法などの印刷法などを適宜用いればよい。
続いて下部電極層１０３ａ及び１０３ｂの端部を覆う隔壁１０９、及び絶縁層１１１を形成する。まず、基板１０１並びに下部電極層１０３ａ及び１０３ｂ上に感光性の有機樹脂膜を形成した後、フォトマスクを介して露光し、現像処理を行うことにより不要な部分が除去され、隔壁１０９及び絶縁層１１１が形成される（図２（Ｂ）参照）。
ここで、絶縁層１１１には後に鋭角形状を有する構造物１２３が埋設されるため、膜厚を厚く形成することが好ましい。絶縁層１１１の膜厚は、少なくとも発光素子を構成するＥＬ層と上部電極層との積層膜や、後に形成するシール材１２５よりも厚く形成するとよい。
本実施の形態では、隔壁１０９と絶縁層１１１とを同一の材料を用いて同一工程で形成する場合を説明したが、上記理由により絶縁層１１１の膜厚を隔壁１０９よりも厚く形成する場合は、工程を分けて別々に形成してもよい。また、露光の際に用いるフォトマスクとして、ハーフトーンマスクやグレートーンマスクなどの多階調マスクを用い、隔壁１０９よりも絶縁層１１１の膜厚を厚く形成してもよい。
次に、ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７を成膜する。ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７は、少なくとも下部電極層１０３ａ及び１０３ｂの露出部と重なる領域上にメタルマスクを用いずに成膜する。ＥＬ層１０５は例えば蒸着法により形成できる。また、上部電極層１０７は、蒸着法やスパッタリング法などの堆積方法により形成できる。
本実施の形態では、ＥＬ層１０５を蒸着法により形成した後、ＥＬ層１０５と重なる領域上に上部電極層１０７をスパッタリング法により形成する（図２（Ｃ）参照）。
この時点で、基板１０１上に発光素子１１０ａ及び１１０ｂが形成される。なお、この時点では２つの発光素子１１０ａ及び１１０ｂは、上部電極層１０７によって電気的に接続された状態となっている。
続いて、対向基板１２１上に鋭角形状を有する構造物１２３を形成する方法について説明する。
まず、対向基板１２１上の鋭角形状を有する構造物１２３を形成する領域上にレジスト１２７ａを、また外周部の領域にレジスト１２７ｂを形成する。レジスト１２７ａ及び１２７ｂは、感光性の有機樹脂を用いて露光、現像処理を行うことにより形成する（図３（Ａ）参照）。
ここで、レジスト１２７ａはその側面が端部に近いほど膜厚が薄い、いわゆるテーパ形状となるように形成する。またこのとき、レジスト１２７ａの頂部の面積が小さいほど、後に形成される鋭角形状を有する構造物１２３の先端が尖った形状となりやすいため好適である。
また、対向基板１２１の外周部に設けるレジスト１２７ｂは、その断面形状が台形または概略長方形となるように、その頂部の面積をレジスト１２７ａに比べて大きく、且つ頂部が平坦になるように形成することが好ましい。レジスト１２７ｂの頂部の面積が大きいほど、加工後の基板１２１の外周部において、シール材１２５によって接着される面積を大きく出来るため、基板１０１と対向基板１２１との接着強度を高めることが出来る。
したがって、レジスト１２７ａとレジスト１２７ｂとが異なる形状となるように露光条件を変えて形成する。または、レジスト１２７ａとレジスト１２７ｂとを異なる材料を用いて異なる形状となるように形成しても良い。なお、異なる材料を用いる場合には、後のエッチング工程の際にエッチングされる速度（エッチング速度）が材料によって異なることを考慮して、各々の膜厚を設定する必要がある。
なお、レジスト１２７ｂの面積が十分大きい場合、レジスト１２７ａと同一工程により、レジスト１２７ａと同様のテーパ形状の側部を有する台形形状のレジスト１２７ｂとしてもよい。レジスト１２７ｂとレジスト１２７ａとを同一工程で形成すると、工程が簡略化されて好ましい。
続いて、レジスト１２７ａ及び１２７ｂが設けられた対向基板１２１の表面に対して垂直方向の異方性のエッチング処理を行い、露出した領域における対向基板１２１の表面をエッチングする。また当該エッチング工程では、レジスト１２７ａ及び１２７ｂも同時にエッチングされる条件でエッチング処理を行う。エッチング方法としては、プラズマを用いたドライエッチングや、イオンや粒子を衝突させてエッチングする物理エッチングなどを適用できる。
ここで、エッチング工程の途中段階における断面概略図を図３（Ｂ）に示す。エッチング処理によって、レジスト１２７ａの膜厚の薄い端部から徐々に消失させることにより、対向基板１２１のレジスト１２７ａの下の領域は、端部から遠いほど膜厚が厚くなるテーパ形状が形成される。一方、対向基板１２１の外周部においては、レジスト１２７ｂの断面形状が概略長方形であるため、レジスト１２７ｂがエッチング処理によって均一に膜厚が減ることにより、レジスト１２７ｂよりも下の領域ではテーパ形状が形成されない。なお、レジスト１２７ｂの形状によっては、当該外周部もテーパ形状となる場合がある。
続いて、少なくともレジスト１２７ａが消失した段階で、エッチング処理を終了する。また、対向基板１２１の外周部のレジスト１２７ｂが残存している場合には、これを除去する。この段階における断面概略図を図３（Ｃ）に示す。
このようにして加工された対向基板１２１には、鋭角形状を有する構造物１２３が形成される。また鋭角形状を有する構造物１２３と外周部を除いた領域では、エッチングにより凹部が形成されている。
なお、図３（Ｃ）にはエッチング後の対向基板１２１の凹部に対する、外周部の高さと、鋭角形状を有する構造物１２３の高さとが一致するように図示しているが、レジスト１２７ａ及び１２７ｂの形状や材質によって、これらの高さは必ずしも一致しない場合がある。
逆に、レジスト１２７ａ及び１２７ｂのそれぞれの形状や材質を制御することにより、エッチング後の鋭角形状を有する構造物１２３及び外周部の形状を制御することができる。例えば、鋭角形状を有する構造物１２３よりも外周部を高く形成したい場合には、レジスト１２７ｂの厚さを厚くするか、レジスト１２７ａよりもエッチング速度の小さい材料を用いて形成すればよい。逆に、外周部を構造物１２３よりも低く形成したい場合には、レジスト１２７ｂの厚さを薄くするか、レジスト１２７ａよりもエッチング速度の大きい材料を用いればよい。
なお、本実施の形態では、鋭角形状を有する構造物１２３は対向基板１２１を直接加工して形成する方法について説明したが、対向基板１２１に厚い絶縁膜を成膜し、当該絶縁膜を上記加工方法により加工して鋭角形状を有する構造物１２３を形成してもよい。例えば対向基板１２１として２０μｍ乃至１００μｍ程度の極めて薄いガラス基板を用いる場合には、加工時の対向基板の破損を抑制できる。また、対向基板１２１として金属や合金などの導電性の基板を用いる場合には、このような作製方法により鋭角形状を有する構造物１２３を形成することができる。
続いて、発光素子１１０ａ及び１１０ｂが形成された基板１０１と、鋭角形状を有する構造物１２３が形成された対向基板１２１との貼り合わせを行う。
まず、対向基板１２１の外周部に設けられた凸部の表面に、シール材１２５を形成する（図４（Ａ）参照）。シール材１２５は、例えばスクリーン印刷などの印刷法や、ディスペンス法などの塗布法を用いて形成する。
次に、基板１０１と対向基板１２１とを熱と圧力をかけながら貼り合わせを行う。貼り合わせ工程は、減圧雰囲気、または不活性雰囲気下で行い、水や酸素などの不純物ができるだけ低減された雰囲気下で行うことが好ましい。このような雰囲気下で貼り合わせを行うことにより、基板１０１と対向基板１２１との間の空間内に含まれる水や酸素などの不純物を低減することができ、信頼性の高い発光装置１００を形成することができる。当該貼り合わせ工程によりシール材１２５が硬化し、基板１０１と対向基板１２１とが当該シール材１２５を介して接着される。
ここで、基板１０１と対向基板１２１とを貼り合わせる際の圧力によって、対向基板１２１に設けられた鋭角形状を有する構造物１２３の先端部が、その直下に設けられた上部電極層１０７及びＥＬ層１０５を貫通して物理的に分断し、さらに当該先端部が絶縁層１１１に少なくとも接触するように貼り合わせを行う（図４（Ｂ）参照）。
このように貼り合わせを行うことで、上部電極層１０７は鋭角形状を有する構造物１２３を境界として上部電極層１０７ａと上部電極層１０７ｂとに物理的に分断され、またＥＬ層１０５は、ＥＬ層１０５ａとＥＬ層１０５ｂとに物理的に分断される。したがって、発光素子１１０ａと発光素子１１０ｂとは、電気的に分離される。
ここで、鋭角形状を有する構造物１２３の高さが、外周部に設けられた凸部と同じ、又はこれよりも低い場合、シール材１２５を極めて薄く形成しても、鋭角形状を有する構造物１２３の先端部が基板１０１表面に接触してしまうことなく貼り合わせを行うことが出来る。シール材１２５を極めて薄く形成すると、シール材１２５自体やシール材１２５と基板１０１または対向基板１２１との接着部を介して封止領域内に混入する不純物を低減できるため好ましい。
また、鋭角形状を有する構造物１２３の高さを、外周部に設けられた凸部よりも高くすることにより、鋭角形状を有する構造物１２３の先端が、絶縁層１１１に埋設する深さをシール材１２５の厚さや封止条件によって制御することができる。したがって、鋭角形状を有する構造物１２３の先端部が絶縁層１１１に到達せずに上部電極層が電気的に分離できていない不具合が、貼り合わせ工程後に発覚したとしても、温度と圧力を調整して再度貼り合わせを行うことでこのような不具合を修復することができる。また、対向基板１２１の外周部に凸部を形成せず、鋭角形状を有する構造物１２３が設けられない領域全域に凹部が形成されていてもよい。その場合、鋭角形状を有する構造物１２３の形状に合わせて対向基板１２１の加工を行えばよいため、対向基板１２１の加工工程を簡略化できる。
なお、図４（Ｂ）には、鋭角形状を有する構造物１２３の先端が絶縁層１１１に埋設するように図示したが、少なくとも鋭角形状を有する構造物１２３の先端が絶縁層１１１に接し、且つ上部電極層１０７を物理的に分断すればよい。なお、鋭角形状を有する構造物１２３の先端の近傍において、上部電極層１０７ａ又は上部電極層１０７ｂとＥＬ層１０５ａ又はＥＬ層１０５ｂとの間、また、ＥＬ層１０５ａ又は１０５ｂと、絶縁層１１１との間に空間が形成されている場合もある。
以上の工程により、メタルマスクを用いずに電気的に分離された複数の発光素子を有する発光装置を作製することができる。また、発光素子と対向基板とが接触しないようにスペーサを設けることなく、中空封止構造を有する発光装置を容易に形成することができるため、作製工程が簡略化され、信頼性の高い発光装置とすることが出来る。
＜変形例＞
以下では、上記作製方法例と一部が異なる発光装置の作製方法について、図１０を用いて例示する。
ここで、基板１０１上に発光素子１１０ａ及び１１０ｂを形成する工程は、上記作製工程例と同様である。
続いて、絶縁層１１１の上方から鋭角形状の先端部を有する分断器１５３を押し付け、絶縁層１１１上の上部電極層１０７及びＥＬ層１０５を物理的に分断する（図１０（Ａ）参照）。
このとき、少なくとも分断器１５３の鋭角形状の先端部が上部電極層１０７及びＥＬ層１０５を貫通し、絶縁層１１１に接するように、分断器１５３を押し付ける。また分断器１５３の先端部が絶縁層１１１に埋設し、絶縁層１１１の表面が変形する程度に押し付けることが好ましい。
分断器１５３は、上記鋭角形状を有する構造物１２３と同様の鋭角形状の先端部を有する。分断器１５３の構成としては、例えばナイフ形状の構造物で基板１０１に押し付けて基板１０１上の膜を分断する構成であっても良いし、回転式の歯を有し、絶縁層１１１に沿って当該分断器１５３と基板１０１とを相対的に走査させて基板１０１上の膜を分断する構成であってもよい。また分断器１５３の先端部は、接触する膜が付着して膜剥がれが生じることを抑制するため、膜が付着しないように、例えばフッ素加工などの表面加工がされていることが好ましい。
分断器１５３を絶縁層１１１の上方から押し付け、上部電極層１０７及びＥＬ層１０５を分断した後の断面概略図を図１０（Ｂ）に示す。分断器１５３によって、上部電極層は上部電極層１０７ａと１０７ｂとに物理的に分断され、またＥＬ層はＥＬ層１０５ａと１０５ｂとに物理的に分断されている。したがって発光素子１１０ａと発光素子１１０ｂとは、電気的に分離された発光素子となる。
その後、基板１０１と対向基板１５１とをシール材１２５を用いて貼り合わせを行う（図１０（Ｃ）参照）。
対向基板１５１は、上記で用いた加工前の対向基板１２１を用いることができる。また、発光素子と重なる領域に凹部を形成した基板を用いても良い。
また図１０（Ｃ）に示すように、基板１０１と対向基板１５１との間に、封止材１５５を充填する構成とすることが好ましい。封止材１５５によって発光素子１１０ａ、１１０ｂを覆うことにより、水や酸素などの不純物の浸入を抑制でき、発光素子の劣化を抑制できる。また、分断器１５３により絶縁層１１１上に形成された凹みを封止材１５５で満たすことにより、分断された上部電極層同士が再び接触してしまうことを抑制することができる。なお、封止材１５５とシール材１２５に同じ材料を用いてもよい。
このような作製方法により、電気的に分離された複数の発光素子を有する発光装置１５０を作製することができる。このような方法によれば、対向基板に少なくとも先端に鋭角形状を有する構造物を形成する工程を省略することができ、工程を簡略化できるため低コストで作製することができる。また、対向基板を設けない、若しくは対向基板としてきわめて薄いフィルムを用いることもできるため、薄く軽量な発光装置とすることができる。
＜材料及び形成方法について＞
ここで本発明の一態様の発光装置の各構成に用いることのできる材料と、その形成方法について説明する。なお、材料や形成方法については以下に限られず、同様の機能や効果を奏する材料や形成方法であれば、適宜用いることができる。
［基板、対向基板］
光射出側に設けられる基板の材料としては、ガラス、石英、有機樹脂などの透光性を有する材料を用いることができる。また光射出とは反対側に設けられる基板の場合は、透光性を有していなくともよく、上記の材料に加え金属、半導体、セラミック、有色の有機樹脂などの材料を用いることができる。導電性の基板を用いる場合、その表面を酸化させる、若しくは表面に絶縁膜を形成することにより絶縁性を持たせることが好ましい。
金属や合金などの導電性の基板の表面を絶縁処理する方法としては、陽極酸化法や電着法などがある。例えば基板としてアルミニウム基板を用いた場合、陽極酸化法により表面に形成される酸化アルミニウムは絶縁性が高いため、酸化アルミニウム層を薄く形成できるため好ましい。また、電着法ではポリアミドイミド樹脂やエポキシ樹脂などの有機樹脂を基板表面に形成することができる。このような有機樹脂は絶縁性が高く、可撓性を有しているため、基板を曲げて使用した場合であっても表面にクラックが発生しにくいため好ましい。また、耐熱性の高い材料を選択して用いると、発光装置を駆動させたときに発生する熱で基板表面が変形してしまうことを抑制できる。
基板として有機樹脂を用いる場合、有機樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはポリ塩化ビニル樹脂などを用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜた基板を使用することもできる。
特に、上面発光型の発光装置の場合、発光素子が形成される光射出とは反対側の基板には金属基板などの熱伝導性の高い基板を用いることが好ましい。発光素子を用いた大型の照明装置の場合、発光素子からの発熱が問題となる場合があるため、このような熱伝導性の高い基板を用いると放熱性が高まる。例えば、ステンレス基板のほかに、アルミニウム酸化物、ジュラルミンなどを用いると、軽量且つ放熱性を高めることができる。また、アルミニウムとアルミニウム酸化物との積層、ジュラルミンとアルミニウム酸化物との積層、ジュラルミンとマグネシウム酸化物との積層などを用いると、基板表面を絶縁性とすることができるため好ましい。
対向基板を直接加工して少なくとも先端に鋭角形状を有する構造物を形成する場合には、対向基板として絶縁性を有し、発光素子が形成される基板に設けられる絶縁層を貼り合わせ時の圧力で変形させる程度の硬度を有する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、有機樹脂などの材料を用いることができる。
また、対向基板上に絶縁膜を形成し、当該絶縁膜を加工して少なくとも先端に鋭角形状を有する構造物を形成する場合には、対向基板として当該少なくとも先端に鋭角形状を有する構造物が発光素子が形成される基板に設けられる絶縁層に埋設するように貼り合わせを行う際に変形しない程度の剛性を有する基板を用いる。
［発光素子］
光射出側の電極層に用いることができる透光性を有する材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（酸化インジウム酸化スズ）、インジウム亜鉛酸化物（酸化インジウム酸化亜鉛）、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、またはグラフェンなどを用いることができる。
また、上記電極層として、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料や、これらの合金を用いることができる。または、それら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等を用いてもよい。なお、金属材料（又はその窒化物）を用いる場合、透光性を有する程度に薄くすればよい。
また、上記材料の積層膜を電極層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金と酸化インジウム酸化スズとの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
光射出側の電極層の膜厚は、例えば５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、好ましくは８０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下、さらに好ましくは１００ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。
ＥＬ層は、少なくとも発光性の有機化合物を含む層を有する。そのほか、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。
なお、本発明の一態様では、上部電極層と下部電極層との間に、複数のＥＬ層が設けられた発光素子（タンデム型発光素子）を適用することができる。好ましくは、２〜４層（特に３層）構造とする。また、これらのＥＬ層の間に電子輸送性の高い材料や正孔輸送性の高い材料などを含む中間層を有していても良い。ＥＬ層の構成例は実施の形態３で詳細に説明する。
光射出とは反対側に設けられる電極層は、反射性を有する材料を用いて形成される。反射性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、ランタン、又はパラジウム等の金属、又はこれらの金属を含む合金を用いることができる。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）や銀と銅の合金、銀とマグネシウムの合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜、又は金属酸化物膜を積層することでアルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、電極層の材料としてアルミニウムを用いることもできるが、その場合には酸化インジウム酸化スズなどと直接接して設けると腐食する恐れがある。よって、電極層を積層構造とし、酸化インジウム酸化スズなどと接しない層にアルミニウムを用いればよい。
なお、発光素子に用いられる導電膜は、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などの成膜方法により形成することができる。また、ＥＬ層は蒸着法などの成膜方法や、インクジェット法などの塗布法により形成できる。
［隔壁］
隔壁を構成する材料としては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等の有機樹脂、無機絶縁材料を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用いて開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。具体的には、隔壁の断面が描いている曲線の曲率半径が、０．２〜２μｍ程度であることが望ましい。隔壁の形成方法は、特に限定されないが、スパッタ法、蒸着法、スクリーン印刷法やオフセット印刷法などの印刷法、インクジェット法やディスペンス法などの液滴吐出法、スリットコート法やスピンコート法などの塗布法などを用いればよい。
［絶縁層］
発光素子が形成される基板に設けられる絶縁層は、貼りあわせの際の圧力で少なくとも先端に鋭角形状を有する構造物が押し付けられた際に変形する程度の弾性を有する材料を用いることができる。例えば有機樹脂で形成する場合、有機樹脂を硬化させるための熱処理や光照射の条件を最適化することにより、弾性を持たせることができる。有機樹脂としては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等を用いることができる。形成方法としては、スクリーン印刷法やオフセット印刷法などの印刷法、インクジェット法やディスペンス法などの液滴吐出法、スリットコート法やスピンコート法などの塗布法などを用いることができる。特に、感光性の有機樹脂を用いて形成することが好ましい。また、隔壁と同一の材料、工程で同時に形成してもよい。
［シール材］
シール材としては公知の材料を用いることができる。例えば、熱硬化型の材料、紫外線硬化型の材料を用いても良い。また二液混合型のエポキシ樹脂などを用いることができる。またシール材はその接着部位によって、無機材料同士、有機材料同士、又は無機材料と有機材料とを接着することができる材料を用いる。またシール材に用いる材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。またシール材には乾燥剤が含まれていても良い。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることができる。その他の乾燥剤として、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記とは異なる構成の、複数の発光素子を有する発光装置の構成例について、図５乃至７を用いて説明する。
＜構成例＞
図５は、本実施の形態で例示する発光装置２００の上面概略図である。発光装置２００は、基板１０１と対向基板１２１とに挟持された３つの発光素子（発光素子２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃ）と、これらの駆動を制御する制御部２３１とを有する。なお、図５には明瞭化のためいくつかの構成要素（例えばＥＬ層、上部電極層等）を省略して図示している。
それぞれの発光素子の間には、上部電極層を電気的に分離するための分断部２２０ａ及び２２０ｂが設けられている。当該分断部２２０ａ及び２２０ｂは、図中に破線で示したＥＬ層及び上部電極層を成膜する成膜領域２１５よりも外側に延在するように設けられている。また当該分断部２２０ａ及び２２０ｂには、実施の形態１で例示した分断部を適用できる。したがって、発光素子２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃの各々の上部電極層は物理的分断され、電気的に分離されている。
それぞれの発光素子には、その上部電極層と電気的に接続する接続電極層（接続電極層２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃ）が設けられている。当該接続電極層の構成の詳細については後に説明する。
発光素子２１０ａの下部電極層１０３ａの一部は対向基板１２１よりも外側に引き出され、配線２３３ａを介して制御部２３１に電気的に接続される。また、発光素子２１０ａの上部電極層１０７ａ（図示しない）は、接続電極層２１３ａとその下部に設けられる接続配線２３７ａ、及び配線２３３ｂを介して、制御部２３１に電気的に接続される。また、発光素子２１０ｂ、２１０ｃも同様に配線２３３ｃ、２３３ｄ、２３３ｅ、２３３ｆ並びに接続配線２３７ｂ、２３７ｃを介して制御部２３１に電気的に接続されている。
制御部２３１は、家庭用電源などの外部電源と電気的に接続する電極２３５ａ、２３５ｂと電気的に接続され、外部電源からの電力が入力される。制御部２３１は入力された電力から、それぞれの発光素子の駆動に適した直流電圧を生成した後、それぞれの発光素子に電圧を印加して発光させる。制御部２３１は、例えば外部電源として家庭用の交流電源を用いる場合には、ＡＣ−ＤＣコンバータなどの変換回路を含む。
また、制御部２３１はそれぞれの発光素子に印加する電圧や流れる電流を制御し、発光のオンオフ制御や、発光輝度の調整機能などを有していても良い。また、リモコン操作機からの入力信号を受信する受信部や、スイッチなどの操作部を有して、上述する機能を操作可能な構成としてもよい。また、各種センサ（熱、音、電磁波など）を有していてもよい。
図６は、図５中の切断線Ａ−Ｂ−Ｃの断面概略図である。切断線Ａ−Ｂは接続電極層２１３ａを、また切断線Ｂ−Ｃは分断部２２０ａを含む領域をそれぞれ横断する切断線である。
対向基板１２１の外周部に設けられた凸部の表面と、接続配線２３７ａ上に設けられた隔壁１０９とが、シール材１２５によって接着されることにより、対向基板１２１と基板１０１とが接着されている。
接続配線２３７ａは、対向基板１２１と重なる領域よりも外側において、制御部２３１と電気的に接続される配線２３３ｂと電気的に接続されている。さらに接続配線２３７ａは、対向基板１２１と重なる領域において、当該接続配線２３７ａ上に形成された接続電極層２１３ａと電気的に接続されている。
接続電極層２１３ａは導電性材料から構成され、その表面には起伏の大きな凹凸形状を有する。ここで、当該接続電極層２１３ａ上に成膜されたＥＬ層の一部は、その表面の起伏を被覆しきれずに分断され、接続電極層２１３ａの表面の一部が露出する。さらに、ＥＬ層上に成膜された上部電極層の一部は、当該露出した接続電極層２１３ａと電気的に接続される。このようにして接続電極層２１３ａは、ＥＬ層と上部電極層との積層膜がその上部に成膜されたとしても確実に上部電極層と電気的に接続することが出来る。
接続電極層２１３ａは、例えばスクリーン印刷法などの印刷法によって形成することができる。印刷法に用いられる導電性ペーストは、導電性粒子と有機樹脂、及び有機溶媒を含み、焼成等の熱処理を行うことにより有機溶媒を蒸発させると共に、有機樹脂の一部が分解され、導電性粒子同士が融着して導電性の構造物が形成される。有機樹脂の材料や導電性粒子の粒径によっては、形成される構造物はポーラス状（多孔質状）となり、その表面に凹凸形状が形成される。また、その他の作製方法としては、スパッタリング法や蒸着法などの成膜方法によって導電膜を形成した後、不要な部分の膜をエッチングして接続電極層２１３ａのパターンを形成する。その後、当該接続電極層２１３ａの表面に、スリット状、格子状、若しくはドット上にレジストを形成し、導電膜を消失しない程度にハーフエッチングすることにより、表面に凹凸形状を形成してもよい。また、表面に対してプラズマ処理や逆スパッタリング処理を施して表面に凹凸形状を形成してもよい。
分断部２２０ａにおいて、下部電極層１０３ａ及び下部電極層１０３ｂの端部を覆う隔壁１０９上には絶縁層２１１が形成されている。当該絶縁層２１１は、実施の形態１で例示した絶縁層１１１と同様のものを用いる。また、対向基板１２１の基板１０１と対向する表面には、鋭角形状を有する構造物１２３が形成され、絶縁層２１１上に形成されたＥＬ層及び上部電極層を貫通して絶縁層２１１に埋設するように設けられている。
したがって、分断部２２０ａを境界として、上部電極層１０７ａと上部電極層１０７ｂとは物理的に分断され、これらが電気的に分離されている。
このような分断部２２０ａを発光素子２１０ａと発光素子２１０ｂとの間に設けることにより、発光素子２１０ａと発光素子２１０ｂとを電気的に分離することが可能である。また、同様に発光素子２１０ｃも発光素子２１０ａ及び発光素子２１０ｂと電気的に分離されている。
上記のような発光装置２００は、メタルマスクを用いずにＥＬ層及び上部電極層を形成しても、複数の発光素子間に設けられた分断部によって確実に電気的に分離されるため、メタルマスクによる不具合が抑制された信頼性の高い発光装置とすることができる。
以上が発光装置２００の構成についての説明である。続いて、上記とは異なる態様の発光装置について例示する。
＜変形例＞
多くの場合、家庭用の交流電圧から発光装置を駆動させるための直流電圧に変換するＡＣ−ＤＣコンバータは、その変換後の電圧値が低いほど、その変換効率が悪化する傾向がある。そこで、複数のＥＬ発光素子を直列に接続して装置全体としての実効的な駆動電圧を高めることにより、ＡＣ−ＤＣコンバータの変換効率を向上させることが可能となる。以下では、複数の発光素子が直列に接続された発光装置の態様について説明する。
図７に示す発光装置２５０は、４つの発光素子（発光素子２６０ａ、２６０ｂ、２６０ｃ、及び２６０ｄ）が直列に接続された発光装置である。なお、図７には明瞭化のため、いくつかの構成要素（例えばＥＬ層、上部電極層等）を省略して図示している。
制御部２３１に電気的に接続される配線２８３ａは、発光素子２６０ａの一端において下部電極層１０３ａと電気的に接続する。また、発光素子２６０ａの上部電極層（図示しない）は、発光素子２６０ａの他端に設けられる接続電極層２６３ａを介して配線２８３ｂと電気的に接続されている。さらに、配線２８３ｂは、発光素子２６０ａと隣接する発光素子２６０ｂの下部電極層１０３ｂと電気的に接続する。このようにして、発光素子２６０ａと発光素子２６０ｂとは直列に接続されている。
同様にして、発光素子２６０ｂと発光素子２６０ｃとは、接続電極層２６３ｂ及び配線２８３ｃを介して直列に接続され、発光素子２６０ｃと発光素子２６０ｄとは接続電極層２６３ｃ及び配線２８３ｄを介して直列に接続される。さらに、発光素子２６０ｄの上部電極層（図示しない）は、接続電極層２６３ｄ及び配線２８３ｅを介して制御部２３１と電気的に接続されている。
このような接続方法により、４つの発光素子（発光素子２６０ａ、２６０ｂ、２６０ｃ、及び２６０ｄ）が直列に接続され、当該発光素子の駆動は制御部２３１によって制御される。
また、隣接する発光素子間には、それぞれ分断部２７０ａ、２７０ｂ、及び２７０ｃが設けられる。これら分断部の構成は、上記で例示した分断部の構成が適用される。したがって、隣接する発光素子は確実に電気的に分離される。
このような構成とすることにより、メタルマスクを用いずに直列接続された発光素子を作製することができる。したがって、発光装置全体の実効的な駆動電圧を高くすることが出来るため、ＡＣ−ＤＣコンバータの変換効率が改善され、低消費電力の発光装置とすることができる。
なお、上記では、４つの発光素子を直列に接続する構成としたがその数は限られず、２以上の複数の発光素子を直列に接続する構成とすればよい。また、接続電極層及び配線の配置を変更することにより、複数の発光素子を並列に接続してもよいし、直列接続と並列接続を組み合わせて接続してもよい。
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様に適用できるＥＬ層の一例について、図８を用いて説明する。
図８（Ａ）に示すＥＬ層１０５は、下部電極層１０３と上部電極層１０７の間に設けられている。下部電極層１０３及び上部電極層１０７は、上記実施の形態で例示した下部電極層または上部電極層と同様の構成を適用することができる。
本実施の形態で例示するＥＬ層１０５を有する発光素子は、上記実施の形態で例示した発光装置に適用可能である。
ＥＬ層１０５は、少なくとも発光性の有機化合物を含む発光層が含まれていればよい。そのほか、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。本実施の形態において、ＥＬ層１０５は、下部電極層１０３側から、正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光性の有機化合物を含む層７０３、電子輸送層７０４、及び電子注入層７０５の順で積層されている。なお、これらを反転させた積層構造としてもよい。
図８（Ａ）に示す発光素子の作製方法について説明する。
正孔注入層７０１は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることができる。また、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。
また、低分子の有機化合物である芳香族アミン化合物等を用いることができる。
さらに、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。また、酸を添加した高分子化合物を用いることができる。
特に、正孔注入層７０１として、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることにより、下部電極層１０３からの正孔注入性を良好にし、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター物質（電子受容体）とを共蒸着することにより形成することができる。該複合材料を用いて正孔注入層７０１を形成することにより、下部電極層１０３からＥＬ層１０５への正孔注入が容易となる。
複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
複合材料に用いることのできる有機化合物としては、芳香族アミン化合物や、カルバゾール誘導体、そのほか正孔移動度の高い芳香族炭化水素化合物を用いることができる。
また、アクセプター物質としては、有機化合物や、遷移金属酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
なお、高分子化合物と、上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層７０１に用いてもよい。
正孔輸送層７０２は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、芳香族アミン化合物を用いることができる。これらは主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
また、正孔輸送層７０２には、カルバゾール誘導体や、アントラセン誘導体や、そのほか正孔輸送性の高い高分子化合物を用いてもよい。
発光性の有機化合物を含む層７０３は、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。
なお、発光性の有機化合物を含む層７０３としては、発光性の有機化合物（ゲスト材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、各種のものを用いることができ、発光性の物質よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高被占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い物質を用いることが好ましい。
また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するために結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー移動をより効率良く行うために、さらに異なる物質を添加してもよい。
ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光性の有機化合物を含む層７０３の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。
また、発光性の有機化合物を含む層７０３として高分子化合物を用いることができる。
また、発光性の有機化合物を含む層を複数設け、それぞれの層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、発光性の有機化合物を含む層を２つ有する発光素子において、第１の発光性の有機化合物を含む層の発光色と第２の発光性の有機化合物を含む層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、発光性の有機化合物を含む層を３つ以上有する発光素子の場合でも同様である。
電子輸送層７０４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質としては、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
電子注入層７０５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層７０５には、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層７０４を構成する物質を用いることもできる。
なお、上述した正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光性の有機化合物を含む層７０３、電子輸送層７０４、電子注入層７０５は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
ＥＬ層は、図８（Ｂ）に示すように、下部電極層１０３と上部電極層１０７との間に複数積層されていてもよい。この場合、積層された第１のＥＬ層８００と第２のＥＬ層８０１との間には、電荷発生層８０３を設けることが好ましい。電荷発生層８０３は上述の複合材料で形成することができる。また、電荷発生層８０３は複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質（ドナー性物質）と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方のＥＬ層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。この構造は上述のＥＬ層の構造と組み合わせて用いることができる。
また、それぞれのＥＬ層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、２つのＥＬ層を有する発光素子において、第１のＥＬ層の発光色と第２のＥＬ層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、３つ以上のＥＬ層を有する発光素子の場合でも同様である。
ＥＬ層１０５は、図８（Ｃ）に示すように、下部電極層１０３と上部電極層１０７との間に、正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光性の有機化合物を含む層７０３、電子輸送層７０４、電子注入バッファー層７０６、電子リレー層７０７、及び上部電極層１０７と接する複合材料層７０８を有していてもよい。
上部電極層１０７と接する複合材料層７０８を設けることで、特にスパッタリング法を用いて上部電極層１０７を形成する際に、ＥＬ層１０５が受けるダメージを低減することができるため、好ましい。複合材料層７０８は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。
さらに、電子注入バッファー層７０６を設けることで、複合材料層７０８と電子輸送層７０４との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層７０８で生じた電子を電子輸送層７０４に容易に注入することができる。
電子注入バッファー層７０６には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。
また、電子注入バッファー層７０６が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層７０４の材料と同様の材料を用いて形成することができる。
さらに、電子注入バッファー層７０６と複合材料層７０８との間に、電子リレー層７０７を形成することが好ましい。電子リレー層７０７は、必ずしも設ける必要は無いが、電子輸送性の高い電子リレー層７０７を設けることで、電子注入バッファー層７０６へ電子を速やかに送ることが可能となる。
複合材料層７０８と電子注入バッファー層７０６との間に電子リレー層７０７が挟まれた構造は、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層７０６に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造である。したがって、駆動電圧の上昇を防ぐことができる。
電子リレー層７０７は、電子輸送性の高い物質を含み、該電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位は、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層７０４に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるように形成する。また、電子リレー層７０７がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準位も複合材料層７０８におけるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層７０４に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるようにする。具体的なエネルギー準位の数値としては、電子リレー層７０７に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位は−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするとよい。
電子リレー層７０７に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料又は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
電子リレー層７０７に含まれる金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としては、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属−酸素の二重結合はアクセプター性（電子を受容しやすい性質）を有するため、電子の移動（授受）がより容易になる。また、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられる。したがって、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光素子を低電圧でより安定に駆動することが可能になる。
金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好ましい。特に、分子構造的に金属−酸素の二重結合が他の分子に対して作用しやすく、アクセプター性が高い材料を用いることが好ましい。
なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい。具体的にはＰｈＯ−ＶＯＰｃのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。
電子リレー層７０７はさらにドナー性物質を含んでいてもよい。ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、又は希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いることができる。電子リレー層７０７にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。
電子リレー層７０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上記した材料の他、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より高いＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては、−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下の範囲にＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定であるため、電子リレー層７０７を形成する為に用いる材料として、好ましい材料である。
なお、電子リレー層７０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質とドナー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層７０７を形成すればよい。
正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光性の有機化合物を含む層７０３、及び電子輸送層７０４は前述の材料を用いてそれぞれ形成すればよい。
以上により、本実施の形態のＥＬ層１０５を作製することができる。
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を用いて完成させた照明装置の一例について、図９を用いて説明する。
本発明の一態様では、発光部が曲面を有する照明装置を実現することができる。
本発明の一態様の発光装置は、自動車の照明にも適用することができ、例えば、ダッシュボードや、天井等に照明を設置することもできる。
図９（Ａ）では、本発明の一態様の発光装置を適用した、室内の照明装置９０１、卓上照明器具９０３、及び面状照明装置９０４を示す。発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、厚みが薄いため、壁に取り付けて使用することができる。その他、ロール型の照明装置９０２として用いることもできる。
図９（Ｂ）に別の照明装置の例を示す。図９（Ｂ）に示す卓上照明装置は、照明部９５０１、支柱９５０３、支持台９５０５等を含む。照明部９５０１は、本発明の一態様の発光装置を含む。このように、本発明の一態様では、曲面を有する照明装置、又はフレキシブルに曲がる照明部を有する照明装置を実現することができる。このように、フレキシブルな発光装置を照明装置として用いることで、照明装置のデザインの自由度が向上するのみでなく、例えば、自動車の天井、ダッシュボード等の曲面を有する場所にも照明装置を設置することが可能となる。
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
１００ 発光装置
１０１ 基板
１０３ 下部電極層
１０３ａ 下部電極層
１０３ｂ 下部電極層
１０５ ＥＬ層
１０５ａ ＥＬ層
１０５ｂ ＥＬ層
１０７ 上部電極層
１０７ａ 上部電極層
１０７ｂ 上部電極層
１０９ 隔壁
１１０ａ 発光素子
１１０ｂ 発光素子
１１１ 絶縁層
１２０ 分断部
１２１ 対向基板
１２３ 構造物
１２５ シール材
１２７ａ レジスト
１２７ｂ レジスト
１５０ 発光装置
１５１ 対向基板
１５３ 分断器
１５５ 封止材
２００ 発光装置
２１０ａ 発光素子
２１０ｂ 発光素子
２１０ｃ 発光素子
２１１ 絶縁層
２１３ａ 接続電極層
２１３ｂ 接続電極層
２１３ｃ 接続電極層
２１５ 成膜領域
２２０ａ 分断部
２２０ｂ 分断部
２３１ 制御部
２３３ａ 配線
２３３ｂ 配線
２３３ｃ 配線
２３３ｄ 配線
２３３ｅ 配線
２３３ｆ 配線
２３５ａ 電極
２３５ｂ 電極
２３７ａ 接続配線
２３７ｂ 接続配線
２３７ｃ 接続配線
２５０ 発光装置
２６０ａ 発光素子
２６０ｂ 発光素子
２６０ｃ 発光素子
２６０ｄ 発光素子
２６３ａ 接続電極層
２６３ｂ 接続電極層
２６３ｃ 接続電極層
２６３ｄ 接続電極層
２７０ａ 分断部
２７０ｂ 分断部
２７０ｃ 分断部
２８３ａ 配線
２８３ｂ 配線
２８３ｃ 配線
２８３ｄ 配線
２８３ｅ 配線
７０１ 正孔注入層
７０２ 正孔輸送層
７０３ 発光性の有機化合物を含む層
７０４ 電子輸送層
７０５ 電子注入層
７０６ 電子注入バッファー層
７０７ 電子リレー層
７０８ 複合材料層
８００ 第１のＥＬ層
８０１ 第２のＥＬ層
８０３ 電荷発生層
９０１ 照明装置
９０２ 照明装置
９０３ 卓上照明器具
９０４ 面状照明装置
９５０１ 照明部
９５０３ 支柱
９５０５ 支持台

Claims (2)

  1. 第１の発光素子と、第２の発光素子と、絶縁層と、構造物と、を有し、
    前記第１の発光素子は、第１の下部電極と、第１の発光性の有機化合物を含む層と、第１の上部電極と、を有し、
    前記第２の発光素子は、第２の下部電極と、第２の発光性の有機化合物を含む層と、第２の上部電極と、を有し、
    前記絶縁層は、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極との間に設けられ、
    前記絶縁層は、前記第１の下部電極の端部を覆う領域と、前記第２の下部電極の端部を覆う領域と、を有し、
    前記構造物は、先端に鋭角形状の領域を有し、
    前記絶縁層上において、前記構造物は、前記第１の上部電極と前記第２の上部電極との間に設けられ、
    前記構造物の先端は、前記絶縁層と接する領域を有することを特徴とする発光装置。
  2. 請求項１において、
    前記鋭角形状の領域は、両側面のなす角度が１度以上６０度以下であることを特徴とする発光装置。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5576296B2 (ja) * 2010-03-01 2014-08-20 パナソニック株式会社 有機ｅｌ装置およびその製造方法
JP6034035B2 (ja) * 2011-03-30 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8809879B2 (en) 2011-04-07 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and a method of manufacturing light-emitting device
TWI594474B (zh) * 2013-03-29 2017-08-01 Dainippon Printing Co Ltd Device manufacturing method and device manufacturing device
WO2017029930A1 (ja) * 2015-08-18 2017-02-23 Ｎｅｃライティング株式会社 有機ｅｌデバイス、有機ｅｌ照明パネル、有機ｅｌ照明装置および有機ｅｌディスプレイ
KR102289220B1 (ko) 2016-03-18 2021-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20210114595A (ko) * 2020-03-10 2021-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TW202224224A (zh) * 2020-11-17 2022-06-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示面板、資訊處理裝置、顯示面板的製造方法
JP2022115080A (ja) 2021-01-27 2022-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US11815689B2 (en) 2021-04-30 2023-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US11699391B2 (en) 2021-05-13 2023-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display apparatus, and electronic device
WO2023004768A1 (zh) * 2021-07-30 2023-02-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4264994B2 (ja) 1998-07-10 2009-05-20 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法
JP4801278B2 (ja) * 2001-04-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US7012585B2 (en) 2004-02-06 2006-03-14 Eastman Kodak Company OLED apparatus having improved fault tolerance
US7285801B2 (en) 2004-04-02 2007-10-23 Lumination, Llc LED with series-connected monolithically integrated mesas
US7342256B2 (en) * 2004-07-16 2008-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device mounted with read function and electric appliance
JP4736642B2 (ja) * 2005-09-05 2011-07-27 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の封止方法、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2007080961A (ja) * 2005-09-12 2007-03-29 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法
KR100685845B1 (ko) * 2005-10-21 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법
WO2008107956A1 (ja) * 2007-03-02 2008-09-12 Pioneer Corporation 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法
JP4340982B2 (ja) * 2007-05-18 2009-10-07 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
JP4893600B2 (ja) 2007-11-22 2012-03-07 パナソニック電工株式会社 面状発光型照明装置
BRPI1005432A2 (pt) * 2009-02-05 2019-09-24 Koninl Philips Electronics Nv dispositivo eletroluminescente, método para a segmentação de um contra-eletrodo de um dispositivo eletroluminescente em uma pluralidade de segmentos do contra-eletrodo eletricamente separados, uso de pelo menos um dispositivo protetor eletricamente não-condutor para proteger um eletrodo do substrato de um dispositivo eletroluminescente, dispositivo protetor e substrato
US8809879B2 (en) * 2011-04-07 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and a method of manufacturing light-emitting device

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