JP6072226B2 - 導波管およびエバネッセント場結合フォトニック検出器を提供する方法および装置 - Google Patents
導波管およびエバネッセント場結合フォトニック検出器を提供する方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6072226B2 JP6072226B2 JP2015507046A JP2015507046A JP6072226B2 JP 6072226 B2 JP6072226 B2 JP 6072226B2 JP 2015507046 A JP2015507046 A JP 2015507046A JP 2015507046 A JP2015507046 A JP 2015507046A JP 6072226 B2 JP6072226 B2 JP 6072226B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- optical
- optical connection
- photonic detector
- photonic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 104
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- UJXZVRRCKFUQKG-UHFFFAOYSA-K indium(3+);phosphate Chemical compound [In+3].[O-]P([O-])([O-])=O UJXZVRRCKFUQKG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4287—Optical modules with tapping or launching means through the surface of the waveguide
- G02B6/4291—Optical modules with tapping or launching means through the surface of the waveguide by accessing the evanescent field of the light guide
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4295—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with semiconductor devices activated by light through the light guide, e.g. thyristors, phototransistors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/43—Arrangements comprising a plurality of opto-electronic elements and associated optical interconnections
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
- G02B6/4203—Optical features
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4206—Optical features
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
- G02B6/4208—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback using non-reciprocal elements or birefringent plates, i.e. quasi-isolators
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4287—Optical modules with tapping or launching means through the surface of the waveguide
- G02B6/4289—Optical modules with tapping or launching means through the surface of the waveguide by inducing bending, microbending or macrobending, to the light guide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Description
本明細書で開示された実施形態は、概して、電子デバイス（例えば、半導体デバイス）の分野に関し、より詳細には、電子フォトニックデバイスに関する。
光伝送は、個別の集積回路チップ間での通信（チップ間接続）および同一チップ上のコンポーネント内の通信（チップ内接続）用の手段として使用されることがある。光電子デバイスとしても知られている電子フォトニックデバイスは、光を生成し、制御しおよび／もしくは検出することが可能な電子デバイスの一種である。電子フォトニックデバイスは、電子的機能およびフォトニック機能の双方を含む。より多く要求される通信帯域幅、エネルギー消費、半導体デバイスなどの電子デバイス用の性能規準に対して、電子フォトニック集積回路とよばれる電子フォトニックデバイスの一種を形成するために、フォトニックデバイスは、ますます光／電気回路と一体化される。
例えば、半導体産業においては、フォトニックデバイスは、チップ内の通信、コンピュータボードのチップ間の通信およびコンピュータボード間の通信を含む種々の用途を有する。光相互接続を介するチップトゥチップ（ｃｈｉｐ−ｔｏ−ｃｈｉｐ）通信においては、回路ボード上の各チップは、フォトニック−電子的送受信器回路でインターフェイス接続することができ、二つのチップは、光導波管を介して動作可能に接続される。同様に、光導波管は、一体化された光源およびフォトニック検出器の間など、チップ内のコンポーネントを接続するために使用されてもよい。電子フォトニックデバイスの別の利点は、純粋な光機能、純粋な電気機能および光電子機能を実施する素子が、相補的金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）半導体製造プロセスなどの既存の製造プロセスを利用して、同一もしくは異なる基板上に、同時に形成できることである。
図１は、従来の電子フォトニックデバイス１００の一例のブロック図を示す。電子フォトニックデバイス１００は、シングルチップもしくは基板上の集積回路又は個別の基板上のデバイスなどの素子を動作可能なように接続するために使用されてもよい。
電子フォトニックデバイス１００は、光ビームを生成するように構成された光源１２０を含む。光源１２０は、例えば、レーザ（ハイブリッドシリコンレーザもしくはガリウム砒素レーザなど）、コヒーレント発光ダイオード（ＬＥＤ）、スーパールミネッセントダイオードもしくは本技術分野で既知の他の適切な光源などのコヒーレント光源であってもよい。コヒーレント光源は、典型的には、均質かつ同位相である狭い波長帯域を有する光源である。光源１２０は、約１２００ｎｍから１５５０ｎｍの範囲内の波長を有する光ビームを出力するように構成されてもよい。
光導波管（光導波路）１３０は、光源１２０の光ビームを、ＰＩＮ接合を有する光リング共振器などの変調器１４０へと接続する。変調器１４０は、受信された電子データ１４５で、受信された光ビームを変調し、別の導波管１５０に沿って、変調された光データを出力する。変調器１４０は、光ビームが同一の電子フォトニックシステム内の別の変調器１４０によって既に変調されたときなどは、変調なしで光ビームを通過させることもできる。
フォトニック検出器１６０は、変調された光ビームを受信して集光するように構成された半導体材料１６２（ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、インジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）、インジウムホスフェイト（ＩｎＰ）もしくは他の適切な材料）を含む。電気的応答は、変調された光データの波長のエネルギーの受信に応じて電気応答を生成して、受信された光データ用の外部電気接続を提供する一つ以上の電極１６４に伝送される。
図２Ａおよび図２Ｂは、其々、光導波管１５０ａ、１５０ｂの二つの実施例の断面図を示す。光導波管１５０ａ、１５０ｂの双方は、其々、内部コア１５２ａ、１５２ｂおよび外部クラッド１５４ａ、１５４ｂを含む。
光導波管１５０ａ（図２Ａ）は、楕円形状の光導波管である。光導波管１５０ａは、単一モードもしくは複数モード光ファイバもしくは他のフォトニックデバイス（例えば、光源１２０、フォトニック検出器１６０など）が形成される基板もしくはチップから分離された他の素子などの光ファイバとして形成されうる典型的導波管である。外部コア１５４ａは、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）材料であってもよい。内部コア１５２ａは、例えば、ＧｅＯ２などの不純物がドープされたＳｉＯ２などのシリコン（Ｓｉ）材料であって、外部クラッド１５４ａと比較すると、典型的には非常に小さい寸法を有する。例えば、内部コア１５２ａは、約９μｍの半径を有するが、外部クラッド１５４ａは、約１２５μｍの半径を有することがある。
光導波管１５０ｂ（図２Ｂ）は、長方形の導波管である。光導波管１５０ｂは、シリコン基板、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）基板もしくはリソグラフィー処理を利用するプリント回路基板（ＰＣＢ）などの半導体上に形成されうる典型的集積光導波管である。例えば、外部クラッド１５４ｂとして機能するＳｉＯ２基板上に形成された集積光導波管１５０ｂは、例えば、シリコン（Ｓｉ）材料で形成された長方形の内部コア１５２ｂを有してもよい。内部コア１５２ｂは、約３００ｎｍの直径を有するが、外部クラッド１５４ｂは、光導波管１５０ｂが形成され、約１μｍもしくはことによると更に大きい直径を有しうるより大きい基板のうちの一部である。
導波管１５０ａ、１５０ｂを通る光ビームの導波性は、より高い屈折率の内部コア１５２ａ、１５２ｂとより低い屈折率の外部クラッド１５４ａ、１５４ｂとの間の界面における光ビームの電磁波の内部反射を通して生じる。内部コア１５２ａ、１５２ｂは、外部クラッド１５４ａ、１５４ｂを形成する材料の屈折率よりも大きい屈折率を有する材料で形成される。内部コア１５２ａ、１５２ｂの屈折率は、外部クラッド１５４ａ、１５４ｂの屈折率よりもわずかに（例えば、１％）高いか、または、より大きい内部全反射（ＴＩＲ）を提供するために、顕著に高い（“高コントラスト導波管”と称される）ことがある。例えば、内部コア１５２ａ、１５２ｂは、約３．５の屈折率を有するシリコン（Ｓｉ）材料で形成されるが、外部クラッド１５４ａ、１５４ｂは、約１．５の屈折率を有する二酸化シリコン（ＳｉＯ２）材料で形成されてもよい。
外部クラッド１５４ａ、１５４ｂは、内部コア１５２ａ、１５２ｂの屈折率よりも低い屈折率を有する任意の材料で形成することができることを理解されたい。例えば、約１．０の屈折率を有する大気は、Ｓｉ内部コアを有する光導波管１５０用の外部クラッドとして利用することができ、それによってクラッドは、個別の材料を使用する必要がない。光導波管１３０、１５０（図１）の双方は、図２Ａおよび図２Ｂに関連して上述されたものと類似もしくは異なる特性を有してもよいことを理解されたい。
図３Ａおよび図３Ｂは、光導波管１５０とフォトニック検出器１６０ａ、１６０ｂとの間の光接続の二つの全体図を示す。図３Ａは、フォトニック検出器１６０ａを、このフォトニック検出器１６０ａへと突合せ結合された光導波管１５０と共に示す。フォトニック検出器用の突合せ（ｂｕｔｔ−ｃｏｕｐｌｅｄ）接続は、最小の相互接続長を必要とする。しかしながら、光導波管１５０とフォトニック検出器１６０ａの半導体材料との間の異なる屈折率は、光ビーム由来のエネルギーが光導波管１５０へと反射することを引き起こす可能性がある。例えば、光導波管１５０は、約１．５の屈折率を有するＳｉで構成され、フォトニック検出器１６０ａは、約４．３４の屈折率を有する例えばＧｅで構成されてもよい。この反射は、“リターンロス（反射損失）”として知られ、フォトニック検出器１６０ａによって受信される光信号の強度を減少するのに加えて、光源１２０（図１）の動作と干渉する可能性がある。
図３Ｂは、フォトニック検出器部分１６０ｂ１および１６０ｂ２で構成されるフォトニック検出器１６０ｂにエバネッセント結合された光導波管１５０を有するフォトニック検出器１６０ｂを示す。フォトニック検出器部分１６０ｂ１、１６０ｂ２は、光導波管１５０を包囲するが、其々距離ｄ１、ｄ２によって光導波管１５０から分離される。エバネッセント結合においては、光導波管１５０内の光ビームの伝達によって生成されるエバネッセント場（即ち、図５Ｂの内部コア１５２ｂと外部クラッド１５４ｂの間の境界において形成される近接場定常波（ｎｅａｒ−ｆｉｅｌｄ ｓｔａｎｄｉｎｇ ｗａｖｅ）が完全に減衰する前にフォトニック検出器部分１６０ｂ１、１６０ｂ２に到達するように、光導波管１５０は、フォトニック検出器部分１６０ｂ１、１６０ｂ２に近接して配置される。光導波管１５０からのエバネッセント場の強度がフォトニック検出器部分１６０ｂ１、１６０ｂ２によって検出される前に、完全に減少しないように、距離ｄ１、ｄ２は、十分に小さくなければならない。例えば、距離ｄ１、ｄ２は、約１０μｍ以下であってもよい。光導波管１５０由来のエバネッセント（ｅｖａｎｅｓｃｅｎｔ）場は、フォトニック検出器部分１６０ｂ１、１６０ｂ２上で伝搬波モードを生じさせ、それによって、光導波管１５０からの波をフォトニック検出器部分１６０ｂ１、１６０ｂ２へと接続（もしくは結合）する。
エバネッセント結合されたフォトニック検出器１６０ｂは、突合せ結合されたフォトニック検出器１６０ａ（図３Ａ）よりも低いリターンロスを有するが、典型的には、突合せ結合されたフォトニック検出器１６０ａよりも長い経路長（例えば、約５０μｍ以上）を必要とする。これは、フォトニック検出器１６０ｂ用に必要とされるフットプリントを増加させ、それによって、電子フォトニックデバイス１００（図１）の全体寸法も増加させる。
したがって、低いリターンロスを有し、しかも短い経路長を有する、光導波管とフォトニック検出器の間の光接続を提供することが望ましい。
以下の詳細な説明においては、本発明の種々の実施形態に対して参照がなされる。これらの実施形態は、当業者がそれらを実践することが可能なほど十分詳細に記述される。他の実施形態が使用されてもよく、種々の構造的、論理的および電気的変更がなされてもよいことを理解されたい。さらには、種々のプロセスが記述される場合には、プロセスのステップは、特に記述されない限り、具体的に記述される以外の順序で生じてもよいことを理解されたい。
本明細書で記述された実施形態は、光導波管で生じる曲げ損失として知られる現象を利用する。光ビームが光導波管内を伝送するとき、エバネッセント波と称される近接場定常波が、光導波管の内部コアと外部クラッドの間の境界に形成される。光導波管内に曲げが生じるとき、内部コアと外部クラッドとの間の境界の外に位置するエバネッセント波の一部は、同一の角速度を維持するために、内部コアの内部に位置する波の一部よりも速く伝送しなければならない。“臨界半径”として称される点において、エバネッセント波は、導波管内部の波の一部と同一の角速度を維持するために其々の媒体において十分速く伝送できず、この部分のエネルギーは、曲がった導波管から離れて放射状方向に導波管から外側へと伝搬する。
曲げ損失は、典型的には、光導波管設計における障害と考えられる。しかしながら、以下に記述される実施形態は、光導波管とフォトニック検出器の間の接続を提供するために、この現象をさらに激化させて、利用する。
図４は、光導波管（光導波路）４１０とフォトニック検出器４２０の間の光接続４００の全体図を示す。光接続４００は、例えば、シリコン基板、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）基板、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）基板、もしくはプリント回路基板（ＰＣＢ）などの基板上に形成されてもよい。あるいは、光接続４００の素子は、複数の個別の基板（例えば、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳＯＩもしくは他の適切な基板）上に形成されてもよい。
光導波管４１０は、内部コア４１２および外部クラッド４１４を含み、基板（例えば、フォトニック検出器４２０と共通の基板）へと一体化されてもよいし、または、例えば、単一モードもしくはデュアルモード光ファイバであってもよい。内部コア４１２は、例えば、Ｓｉ材料で形成されてもよいし、約３００ｎｍの幅を有してもよい。外部クラッド４１４は、例えば、ＳｉＯ２で形成されてもよい。内部コア４１２は、既知のプロセスを利用して外部クラッド４１４内にパターン化されてもよい。
フォトニック検出器４２０は、以下に記述されるように、光導波管４１０からの光波の受信によって電気的応答を生成する、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、インジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）、インジウムホスフェイト（ＩｎＰ）もしくは他の適切な材料などの半導体材料で構成される。フォトニック検出器４２０は、少なくとも一つの電極４３０を含み、電極４３０は、例えば、アルミニウム、銅、チタンなどの金属で構成されてもよい。フォトニック検出器４２０は、ウェーハ接着および、相補的金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）半導体製造プロセスなどの他の既存の製造プロセスを利用して作製されてもよい。
光導波管４１０の動作可能なように接続された端は、θ１の角度で曲げられ、対応する曲率半径はｒ１である。光導波管４１０の曲げ部分は、リソグラフィープロセスを利用して形成されてもよい。曲率半径ｒ１は、光導波管４１０の曲げにそって一定であってもよいし、または、角度θ１の関数として変化してもよい。曲率半径ｒ１が十分に小さく（即ち、“臨界半径”以下であり）、それによって、光導波管４１０内の十分に急峻な曲げを生成する場合には、光導波管４１０からのエバネッセント波が光導波管４１０を離れて、フォトニック検出器４２０に向かって放射状に伝搬する。導波管４１０の臨界半径は、内部コア４１２の幅、内部コア４１２および外部クラッド４１４の材料および其々の屈折率に依存する。例えば３００ｎｍ幅のＳｉ内部コア４１２とＳｉＯ２外部クラッドを含む光導波管４１０に対して、半径ｒ１は、１μｍ以下であってもよい。
図５は、光接続４００におけるフォトニック検出器４２０へと光導波管４１０から放射状に伝搬するエバネッセント波の経路の全体図を示す。
フォトニック検出器４２０を形成するために使用される半導体材料は、伝搬されたエバネッセント波を共通点（例えば、電極４３０）へと反射するように形成されてもよい。半導体材料は、例えば、電子ビームリソグラフィーなどのリソグラフィープロセスを利用してもしくはエッチング技術を通して形成されてもよい。フォトニック検出器４２０の反射端（反射エッジ）４２５は、望ましくは、光導波管４１０から 約５−１５μｍの範囲内にあり、小型のフォトニック検出器４２０を可能としながら、伝搬されたエバネッセント波の波長に対して適切な経路長を提供する。
フォトニック検出器４２０によって受信された放射状に伝搬されたエバネッセント波は、端４２５から電極４３０に向かって、実質的に一定の角度θ２で反射することができる。例えば、フォトニック検出器４２０の反射端４２５は、電極４３０に向かって約２０°の角度でエバネッセント波を反射するように形成されてもよい。他の実施形態においては、角度θ２は、光導波管４１０からその距離の関数として変化してもよい。光導波管４１０に比較的近接した（即ち、１０μｍ以内の）電極４３０に対して、共通点を選択することによって、より円滑な反射端４２５を提供する。なぜなら複雑な反射点は必要とされないからである。
光ビームの反射率をより促進するために、フォトニック検出器４２０は、周囲の基板よりも高い屈折率を有する材料で形成されてもよい。例えば、約４．３４の屈折率を有するゲルマニウム（Ｇｅ）フォトニック検出器４２０は、約１．５の屈折率を有するＳｉＯ２の基板内で使用されてもよい。他の材料は、ＩｎＰ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓおよび他の適切な材料などのフォトニック検出器４２０を形成するために使用されてもよい。
図６は、フォトニック検出器５２０の別の実施形態において、光接続５００における光路の全体図を示す。フォトニック検出器５２０は、曲げ損失によって光導波管４１０から放射状に伝搬されたエバネッセント波を反射するために、図４に関連して上述された端（エッジ）４２５に類似する形状の反射端（反射エッジ）５２５を含む。さらには、フォトニック検出器５２０の底部は、内部コア４１４からの残存する光ビームをフォトニック検出器５２０へと結合するために、光導波管４１０の終端４１８へと突合せ結合される。光ビームは、フォトニック検出器５２０の別の反射端（反射エッジ）５２７から反射され、共通点（例えば、電極４３０）に到達する前に数回反射されてもよい。フォトニック検出器５２０は、ウェーハ接着および相補的金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）半導体製造プロセスなどの他の既存の製造プロセスを利用して作製されてもよい。
図４−図６に関連して記述されたように、光導波管４１０および／もしくはフォトニック検出器４２０、５２０を含む光接続は、種々の電子フォトニックデバイスで使用されてもよい。例えば、光接続は、複数のメモリ素子（例えば、一つ以上のコアもしくはＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＲＯＭもしくは他のタイプのソリッドステートもしくはスタティックメモリ素子）を接続するために、少なくとも一つの光源１２０および変調器１４０（図１）を含むチップ間もしくはチップ内システムで使用される可能性がある。
上記の記述および図面は、本明細書で記述された特徴および利点を達成する特定の実施形態の例示としてのみ考えるべきである。特定のプロセス、コンポーネントおよび構造に対する改変および置換を行うことができる。例えば、上記の実施形態に関連して特に記述された以外の適切なタイプの半導体材料およびメモリ素子が使用されてもよいことを理解されたい。したがって、本発明の実施形態は、前述の記述および図面によって限定されるものとして考えられるべきではなく、添付の請求項の範囲によってのみ限定されると考えられるべきである。
Claims (12)
- 光ビームを伝送するように構成された光導波管であって、その一部に曲げ部分を含み当該曲げ部分から放射状に伝播するエバネッセント波を外部に出力する光導波管と、
前記光導波管に動作可能なように接続されたフォトニック検出器であって、前記光導波管の前記曲げ部分から外部に放射状に伝播された前記エバネッセント波を他の光導波管を介することなく受信するフォトニック検出器と、を含み、
前記フォトニック検出器は、前記放射状に伝播された前記エバネッセント波を反射して共通点へ集光するような形状とされた少なくとも一つの反射端を含んで構成されている、
ことを特徴とする光接続。 - 前記共通点は電極の位置である、ことを特徴とする請求項１に記載の光接続。
- 前記光導波管は、第一の屈折率を有する材料で構成される内部コアと、第二の屈折率を有する材料で構成される外部クラッドと、を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の光接続。
- 前記第一の屈折率は前記第二の屈折率よりも大きい、ことを特徴とする請求項３に記載の光接続。
- 前記内部コアは、約３００ｎｍから５００ｎｍの範囲内の幅を有する、ことを特徴とする請求項３に記載の光接続。
- 前記光導波管の前記曲げ部分は、約１μｍの曲率半径を有する、ことを特徴とする請求項５に記載の光接続。
- 前記内部コアはシリコンを含み、前記外部クラッドは二酸化シリコンを含む、ことを特徴とする請求項３に記載の光接続。
- 前記光導波管および前記フォトニック検出器は、共通基板上に集積される、ことを特徴とする請求項１に記載の光接続。
- 前記光導波管は、
前記共通基板上に形成された第一の材料で構成された外部クラッドと、
前記第一の材料内に形成された第二の材料で構成された内部コアと、
を含む、ことを特徴とする請求項８に記載の光接続。 - 前記光導波管は、前記フォトニック検出器の部分へと突合せ結合された終端をさらに含む、ことを特徴とする請求項１に記載の光接続。
- 前記光導波管の前記終端に突合せ結合された前記フォトニック検出器の前記部分は、前記共通点へと前記終端から脱漏した光ビームを反射するように構成された第二の反射端を含む、ことを特徴とする請求項１０に記載の光接続。
- 前記第二の反射端で反射された前記脱漏した光ビームは、前記反射端でさらに反射されて前記共通点に達する、ことを特徴とする請求項１１に記載の光接続。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/452,064 US8995805B2 (en) | 2012-04-20 | 2012-04-20 | Method and apparatus providing a coupled photonic structure |
| US13/452,064 | 2012-04-20 | ||
| PCT/US2013/035789 WO2013158414A1 (en) | 2012-04-20 | 2013-04-09 | Method and apparatus providing a waveguide and an evanescent field coupled photonic detector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015517123A JP2015517123A (ja) | 2015-06-18 |
| JP6072226B2 true JP6072226B2 (ja) | 2017-02-01 |
Family
ID=48140189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015507046A Active JP6072226B2 (ja) | 2012-04-20 | 2013-04-09 | 導波管およびエバネッセント場結合フォトニック検出器を提供する方法および装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8995805B2 (ja) |
| EP (1) | EP2839327B1 (ja) |
| JP (1) | JP6072226B2 (ja) |
| KR (1) | KR101928132B1 (ja) |
| CN (2) | CN109991706B (ja) |
| TW (1) | TWI475269B (ja) |
| WO (1) | WO2013158414A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8995805B2 (en) * | 2012-04-20 | 2015-03-31 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus providing a coupled photonic structure |
| KR101677118B1 (ko) * | 2015-03-11 | 2016-11-18 | 주식회사 폴스랩 | 벤딩 손실을 이용한 광 파워 모니터 장치 |
| KR102599514B1 (ko) | 2018-04-12 | 2023-11-06 | 삼성전자주식회사 | 광 검출기 구조체 |
| CN108447877A (zh) * | 2018-05-16 | 2018-08-24 | 广东省半导体产业技术研究院 | 平面型光敏器件及其制作方法 |
| CN108511468A (zh) * | 2018-05-16 | 2018-09-07 | 广东省半导体产业技术研究院 | 光敏器件及其制作方法 |
| FI130454B (en) | 2019-05-24 | 2023-09-06 | Exfo Oy | Separation of data traffic from optical communication fiber |
| US11067765B2 (en) * | 2019-11-27 | 2021-07-20 | Cisco Technology, Inc. | Evanescent coupling of photodiode with optical waveguide |
| CN112349803B (zh) * | 2020-10-30 | 2022-09-09 | 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 | 一种锗硅光电探测器 |
Family Cites Families (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2290680A1 (fr) * | 1974-11-11 | 1976-06-04 | Western Electric Co | Dispositif de prelevement d'energie dans une fibre optique |
| US3982123A (en) * | 1974-11-11 | 1976-09-21 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Optical fiber power taps |
| US4398794A (en) * | 1980-02-20 | 1983-08-16 | General Dynamics, Pomona Division | Dual directional tap coupler |
| CN85106205A (zh) * | 1985-08-15 | 1987-03-04 | Bicc有限公司 | 光导纤维的连接 |
| CN85106206A (zh) * | 1985-08-15 | 1987-03-04 | Bicc有限公司 | 光导纤维的连接 |
| US4824199A (en) * | 1987-02-13 | 1989-04-25 | Raychem Corp. | Optical fiber tap utilizing reflector |
| US4904036A (en) | 1988-03-03 | 1990-02-27 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Subassemblies for optoelectronic hybrid integrated circuits |
| GB8828505D0 (en) * | 1988-12-07 | 1989-01-11 | Bicc Plc | Optical fibre monitoring |
| FR2676126B1 (fr) * | 1991-04-30 | 1993-07-23 | France Telecom | Dispositif optoelectronique a guide optique et photodetecteur integres. |
| JP3828982B2 (ja) * | 1997-04-14 | 2006-10-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体受光素子 |
| US6353250B1 (en) * | 1997-11-07 | 2002-03-05 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Semiconductor photo-detector, semiconductor photo-detection device, and production methods thereof |
| JP3152907B2 (ja) * | 1998-12-10 | 2001-04-03 | 沖電気工業株式会社 | 半導体受光素子及びその製造方法 |
| JP2000269539A (ja) * | 1999-03-15 | 2000-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 受光素子およびその製造方法 |
| JP2001296456A (ja) * | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 光カプラ |
| US6525347B2 (en) * | 2001-03-12 | 2003-02-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photodetector and unit mounted with photodetector |
| DE60200132T2 (de) | 2001-03-29 | 2004-08-26 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Sich verjüngender Wellenleiter (Taper) mit lateralen strahlbegrenzenden Rippenwellenleitern |
| US20030026515A1 (en) | 2001-08-01 | 2003-02-06 | Motorola, Inc. | Monolithic tunable wavelength multiplexers and demultiplexers and methods for fabricating same |
| JP2003307603A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-10-31 | Omron Corp | 光学素子及び当該素子を用いた光学部品 |
| US20040022495A1 (en) | 2002-03-15 | 2004-02-05 | Shapiro Andrew P. | Directional integrated optical power monitor and optional hermetic feedthrough |
| JP3964768B2 (ja) * | 2002-10-01 | 2007-08-22 | 日本電信電話株式会社 | 光モジュール |
| US7120350B2 (en) * | 2003-03-14 | 2006-10-10 | Intel Corporation | Integrated waveguide photodetector |
| US6991892B2 (en) * | 2003-03-17 | 2006-01-31 | Intel Corporation | Methods of making an integrated waveguide photodetector |
| US7598527B2 (en) | 2004-01-20 | 2009-10-06 | Binoptics Corporation | Monitoring photodetector for integrated photonic devices |
| US7298949B2 (en) | 2004-02-12 | 2007-11-20 | Sioptical, Inc. | SOI-based photonic bandgap devices |
| WO2006066611A1 (en) * | 2004-12-24 | 2006-06-29 | Pirelli & C. S.P.A. | Photodetector in germanium on silicon |
| EP1853954A4 (en) * | 2005-03-01 | 2011-01-19 | Exfo Electro Optical Eng Inc | METHOD AND APPARATUS FOR EXTRACTING THE LIGHT OF AN OPTICAL WAVEGUIDE |
| US7343060B2 (en) * | 2005-03-04 | 2008-03-11 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Light transmission and reception module, sub-mount, and method of manufacturing the sub-mount |
| US7613369B2 (en) | 2006-04-13 | 2009-11-03 | Luxtera, Inc. | Design of CMOS integrated germanium photodiodes |
| US7529460B2 (en) * | 2007-03-13 | 2009-05-05 | Micron Technology, Inc. | Zinc oxide optical waveguides |
| US8269303B2 (en) | 2008-03-07 | 2012-09-18 | Nec Corporation | SiGe photodiode |
| KR101470997B1 (ko) * | 2008-05-13 | 2014-12-09 | 가부시키가이샤 플래너즈 랜드 | 반사 집광형 수광기와 공간광통신용 수광장치 |
| US7802927B2 (en) * | 2008-05-30 | 2010-09-28 | Corning Cable Systems Llc | Bent optical fiber couplers and opto-electrical assemblies formed therefrom |
| US8290325B2 (en) * | 2008-06-30 | 2012-10-16 | Intel Corporation | Waveguide photodetector device and manufacturing method thereof |
| JP2010186097A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光共振器、及びこれを用いた流体用光学センサ |
| JP2011053595A (ja) | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Kokuyo Co Ltd | レーザポインタ |
| JP5204059B2 (ja) * | 2009-09-04 | 2013-06-05 | 日本電信電話株式会社 | 光検出器の製造方法 |
| US8340479B2 (en) | 2010-01-14 | 2012-12-25 | Oracle America, Inc. | Electro-optic modulator with inverse tapered waveguides |
| US8909021B2 (en) | 2010-02-01 | 2014-12-09 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor optical device |
| JP5394966B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2014-01-22 | 日本オクラロ株式会社 | 半導体受光素子及びその製造方法 |
| US8633067B2 (en) * | 2010-11-22 | 2014-01-21 | International Business Machines Corporation | Fabricating photonics devices fully integrated into a CMOS manufacturing process |
| US8995805B2 (en) * | 2012-04-20 | 2015-03-31 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus providing a coupled photonic structure |
-
2012
- 2012-04-20 US US13/452,064 patent/US8995805B2/en active Active
-
2013
- 2013-04-09 JP JP2015507046A patent/JP6072226B2/ja active Active
- 2013-04-09 CN CN201910256060.2A patent/CN109991706B/zh active Active
- 2013-04-09 EP EP13717147.6A patent/EP2839327B1/en active Active
- 2013-04-09 KR KR1020147032372A patent/KR101928132B1/ko active IP Right Grant
- 2013-04-09 WO PCT/US2013/035789 patent/WO2013158414A1/en active Application Filing
- 2013-04-09 CN CN201380020795.6A patent/CN104380164A/zh active Pending
- 2013-04-19 TW TW102114061A patent/TWI475269B/zh active
-
2015
- 2015-02-26 US US14/632,434 patent/US9612413B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104380164A (zh) | 2015-02-25 |
| KR101928132B1 (ko) | 2018-12-11 |
| KR20140146661A (ko) | 2014-12-26 |
| JP2015517123A (ja) | 2015-06-18 |
| US20150177470A1 (en) | 2015-06-25 |
| TW201350948A (zh) | 2013-12-16 |
| CN109991706A (zh) | 2019-07-09 |
| US9612413B2 (en) | 2017-04-04 |
| TWI475269B (zh) | 2015-03-01 |
| US20130279848A1 (en) | 2013-10-24 |
| EP2839327B1 (en) | 2021-03-31 |
| WO2013158414A1 (en) | 2013-10-24 |
| EP2839327A1 (en) | 2015-02-25 |
| CN109991706B (zh) | 2022-11-25 |
| US8995805B2 (en) | 2015-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6072226B2 (ja) | 導波管およびエバネッセント場結合フォトニック検出器を提供する方法および装置 | |
| US10698164B2 (en) | Optical apparatus and methods of manufacture thereof | |
| KR101691854B1 (ko) | 평면 포토닉스 회로를 위한 수직형 광 커플러 | |
| US9028157B2 (en) | Efficient backside-emitting/collecting grating coupler | |
| US20150316723A1 (en) | Fiber Optic Coupler Array | |
| EP3296783A1 (en) | Integrated photonics waveguide grating coupler | |
| EP2887109A1 (en) | Integrated photonic waveguide grating coupler | |
| JP2018194843A (ja) | 折り曲げられた光路の反射構造を有する光チップ | |
| CN108369316B (zh) | 双面正交光栅光耦合器 | |
| JP6005713B2 (ja) | 光導波路素子、受光装置、光通信装置、光変調器、光共振器、及び光導波路素子の製造方法 | |
| KR102062858B1 (ko) | 능동형 광소자 | |
| Romero-García et al. | Misalignment tolerant couplers for hybrid integration of semiconductor lasers with silicon photonics parallel transmitters | |
| JP2001042145A (ja) | 光電気配線基板 | |
| JP6478907B2 (ja) | 端面光結合型シリコン光集積回路 | |
| JP2009058888A (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびに実装基板 | |
| Yu et al. | Laser hybrid integration on silicon photonic integrated circuits with reflected grating | |
| CN115524796A (zh) | 耦合系统及其使用方法 | |
| CN113933940A (zh) | 用于光的非互易耦合的光学组件及其组装工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151013 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151020 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160119 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160705 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161003 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20161011 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161220 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161227 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6072226 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |