JP6071849B2 - 保護回路を有するカスコード増幅器 - Google Patents
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Description
以下に本願発明の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[C1]
オン状態で入力信号を増幅し、増幅信号を供給し、オフ状態で前記入力信号を増幅しないよう動作する利得トランジスタと、
前記利得トランジスタに結合し、前記オン状態で前記増幅信号をバッファし、且つ出力信号を供給するよう動作するカスコードトランジスタと
を具備し、前記オン及びオフ状態で利得トランジスタ及びカスコードトランジスタの各々が前記電圧振幅の一部を観測しつつ、前記出力信号の電圧振幅は、前記オン状態及びオフ状態において前記利得トランジスタと前記カスコードトランジスタとの間で分離(split:分圧)される装置。
[C2]
前記オフ状態において、前記カスコードトランジスタのゲート及びソースを短絡させるよう動作する第1スイッチを更に具備するC1の装置。
[C3]
前記利得トランジスタのソースと回路接地との間で結合される第2スイッチを更に具備し、前記第2スイッチは、前記オン状態で閉じて、前記オフ状態で開放状態とされるC2の装置。
[C4]
前記利得トランジスタのゲートと回路接地との間で結合される第2スイッチであって、前記オン状態で開放され、前記オフ状態で閉じる前記第2スイッチと、
前記利得トランジスタのゲートと前記入力信号との間で結合される第3スイッチであって、前記オン状態で閉じて、前記オフ状態で開放される前記第3スイッチと
を更に具備するC2の装置。
[C5]
前記利得トランジスタと前記カスコードトランジスタとの間で結合され、前記オン状態で、前記増幅信号をバッファするよう動作する第2カスコードトランジスタを更に具備し、
前記出力信号の前記電圧振幅は、前記オン又はオフ状態で前記利得トランジスタ、前記カスコードトランジスタ、及び前記第2カスコードトランジスタ間で分離されるC1の装置。
[C6]
前記カスコードトランジスタのため、前記出力信号を受信し、バイアス電圧を供給するよう動作するバイアス回路を更に具備するC1の装置。
[C7]
前記バイアス電圧は、前記オン状態で前記カスコードトランジスタのゲートにのみ加えられ、前記オフ状態で前記カスコードトランジスタの前記ゲート及びソースの両者に加えられるC6の装置。
[C8]
前記バイアス回路は、
前記カスコードトランジスタのドレインとゲートとの間で結合されるレジスタと、
前記カスコードトランジスタの前記ゲートと回路接地との間で結合されるキャパシタと
を具備するC6の装置。
[C9]
前記カスコードトランジスタのドレインと電源電圧との間で結合されるインダクタを更に具備し、
前記出力信号は、前記電源電圧の上及び下の(below and above)電圧振幅を有する
C1の装置。
[C10]
並列に結合される複数のブランチを具備し、入力信号を増幅し、且つ出力信号を供給するよう動作する増幅器であって、前記複数のブランチは少なくとも1つの切替可能なブランチを具備し、各々の切替可能なブランチがオン状態又はオフ状態で動作可能とされる、前記増幅器と、
前記オン状態で、前記入力信号を増幅し且つ増幅信号を供給し、前記オフ状態で前記入力信号を増幅しないよう動作する利得トランジスタと、
前記利得トランジスタに結合され、前記オン状態で前記増幅信号をバッファし、且つ前記出力信号を供給するよう動作するカスコードトランジスタであって、前記出力信号の電圧振幅は、前記オン状態及び前記オフ状態において前記利得トランジスタと前記カスコードトランジスタとの間で分離される、前記カスコードトランジスタと
を具備する無線装置。
[C11]
少なくとも1つの切替可能なブランチの各々は、前記オン状態で前記増幅器の全体利得を増加させるため動作され、前記オフ状態で前記全体利得を減少させるよう動作されるC10の無線装置。
[C12]
各々の切替可能なブランチにおいて、電源電圧と前記カスコードトランジスタのドレインとの間で結合されるインダクタを更に具備し、
前記出力信号は前記電源電圧の上及び下の電圧振幅を有するC10の無線装置。
[C13]
各々の切替可能なブランチにおける前記カスコードトランジスタのため、前記出力信号を受信し、バイアス電圧を供給するよう動作するバイアス回路を更に具備するC10の無線装置。
[C14]
前記増幅器は、駆動増幅器(DA)、電力増幅器(PA)、低雑音増幅器(LNA)、又は可変利得増幅器(VGA)であるC10の無線装置。
[C15]
オン状態で増幅(amplified)信号を得るため利得トランジスタで入力信号を増幅することと、
カスコードトランジスタを用いて前記増幅信号をバッファし、前記オン状態で出力信号を供給することと、
前記オン及びオフ状態において、前記電圧振幅の一部を前記利得トランジスタ及び前記カスコードトランジスタとの各々が観測(observe)しつつ、前記オン状態又はオフ状態で前記利得トランジスタと前記カスコードトランジスタとの間の前記出力信号の電圧振幅を分離することと
を具備する方法。
[C16]
前記オフ状態において、前記カスコードトランジスタのゲート及びソースを短絡することと
を更に具備するC15の方法。
[C17]
前記オン状態で前記利得トランジスタのソースを回路接地に結合させることと、
前記オフ状態において前記利得トランジスタの前記ソースを回路接地から非結合とさせることと
を更に具備するC15の方法。
[C18]
前記オン状態において、前記入力信号を前記利得トランジスタのゲートに結合させることと、
前記オフ状態において、前記入力信号を前記利得トランジスタの前記ゲートから非結合とさせ、前記ゲートを回路接地に短絡させることと
を更に具備するC15の方法。
[C19]
前記出力信号に基づいてバイアス電圧を生成することと、
前記バイアス電圧を前記カスコードトランジスタのゲートに印加することと
を更に具備するC15の方法。
[C20]
複数のブランチを具備する、少なくとも1つの増幅器のブランチをイネーブルにすることと
を更に具備し、
各々のイネーブルとされたブランチが、前記オン状態において動作する前記利得トランジスタ及び前記カスコードトランジスタを具備するC15の方法。
[C21]
オン状態において増幅(amplified)信号を得るため入力信号を増幅させる手段と、
前記オン状態において、前記増幅信号をバッファさせ、且つ出力信号を供給する手段と、
前記オン及びオフ状態で増幅する前記手段及びバッファする前記手段の各々は、前記電圧振幅の一部を観測しつつ、前記オン状態及びオフ状態において、増幅させる前記手段とバッファさせる前記手段との間で前記出力信号の電圧振幅を分離する手段と
を具備する装置。
[C22]
前記オン状態において増幅させる前記手段をイネーブルに、前記オフ状態において増幅させる手段をディセーブルにする手段を更に具備するC21の装置。
[C23]
前記オフ状態において少なくとも1つのバイアス電圧でバッファさせる前記手段をバイアスさせる手段を更に具備するC21の装置。
[C24]
複数のブランチを具備する少なくとも1つの増幅器のブランチをイネーブルさせる手段を更に具備し、
イネーブルとされたブランチの各々は、前記オン状態において、動作する増幅させる前記手段とバッファさせる前記手段とを具備する
C21の装置。
Claims (26)
- オン状態で入力信号を増幅し、増幅信号を供給し、オフ状態で前記入力信号を増幅しないよう動作する利得トランジスタと、
前記利得トランジスタに結合し、前記オン状態で前記増幅信号をバッファし、且つ出力信号を供給するよう動作するカスコードトランジスタであって、前記オン状態及び前記オフ状態で前記利得トランジスタ及び前記カスコードトランジスタが各々、電圧振幅の一部を観測しつつ、前記出力信号の前記電圧振幅は、前記オン状態及び前記オフ状態で前記利得トランジスタと前記カスコードトランジスタとの間で分けられる、前記カスコードトランジスタと、
前記オフ状態で前記カスコードトランジスタのゲート及びソースを短絡させるよう動作する第1スイッチと、
前記利得トランジスタのソースと回路接地との間で結合される第2スイッチであって、前記第2スイッチは、前記オン状態で閉じられ、前記オフ状態で開放される、前記第2スイッチと、
前記利得トランジスタと前記カスコードトランジスタとの間で結合され、前記オン状態で、前記増幅信号をバッファするよう動作する第2カスコードトランジスタと、
前記出力信号を受信し、前記カスコードトランジスタのための第1のバイアス電圧及び前記第2カスコードトランジスタのための第2のバイアス電圧を前記オン状態及び前記オフ状態で供給するよう動作するバイアス回路と、
ここで、前記カスコードトランジスタ及び前記第2カスコードトランジスタに前記オン状態及び前記オフ状態で前記バイアス回路から供給される前記第1及び第2のバイアス電圧は、前記出力信号の前記電圧振幅が、前記利得トランジスタ、前記カスコードトランジスタ、及び前記第2カスコードトランジスタ間で前記バイアス電圧によって前記オン状態及び前記オフ状態で分けられるように生成される、
を具備する、装置。 - 前記バイアス電圧は、前記オン状態で前記各カスコードトランジスタのゲートにのみ加えられ、前記オフ状態で前記各カスコードトランジスタの前記ゲート及びソースの両者に加えられる請求項1の装置。
- 前記バイアス回路は、
前記カスコードトランジスタのドレインとゲートとの間で結合されるレジスタと、
前記カスコードトランジスタの前記ゲートと回路接地との間で結合されるキャパシタと
を具備する請求項1の装置。 - 前記カスコードトランジスタのドレインと電源電圧との間で結合されるインダクタを更に具備し、
前記出力信号は、前記電源電圧の上及び下の電圧振幅を有する
請求項1の装置。 - オン状態で入力信号を増幅し、増幅信号を供給し、オフ状態で前記入力信号を増幅しないよう動作する利得トランジスタと、
前記利得トランジスタに結合し、前記オン状態で前記増幅信号をバッファし、且つ出力信号を供給するよう動作するカスコードトランジスタであって、前記オン状態及び前記オフ状態で前記利得トランジスタ及び前記カスコードトランジスタが各々、電圧振幅の一部を観測しつつ、前記出力信号の前記電圧振幅は、前記オン状態及び前記オフ状態で前記利得トランジスタと前記カスコードトランジスタとの間で分けられる、前記カスコードトランジスタと、
前記オフ状態で前記カスコードトランジスタのゲート及びソースを短絡させるよう動作する第1スイッチと、
前記利得トランジスタのゲートと回路接地との間で結合される第2スイッチであって、前記第2スイッチは、前記オン状態で開放され、前記オフ状態で閉じる、前記第2スイッチと、
前記利得トランジスタの前記ゲートと前記入力信号との間で結合される第3スイッチであって、前記第3スイッチは、前記オン状態で閉じられ、前記オフ状態で開放される、前記第3スイッチと、
前記利得トランジスタと前記カスコードトランジスタとの間で結合され、前記オン状態で、前記増幅信号をバッファするよう動作する第2カスコードトランジスタと、
前記出力信号を受信し、前記カスコードトランジスタのための第1のバイアス電圧及び前記第2カスコードトランジスタのための第2のバイアス電圧を前記オン状態及び前記オフ状態でを供給するよう動作するバイアス回路と、
ここで、前記カスコードトランジスタ及び前記第2カスコードトランジスタに前記オン状態及び前記オフ状態で前記バイアス回路から供給される前記第1及び第2のバイアス電圧は、前記出力信号の前記電圧振幅が、前記利得トランジスタ、前記カスコードトランジスタ、及び前記第2カスコードトランジスタ間で前記バイアス電圧によって前記オン状態及び前記オフ状態で分けられるように生成される、
を具備する、装置。 - 前記バイアス電圧は、前記オン状態で前記各カスコードトランジスタのゲートにのみ加えられ、前記オフ状態で前記各カスコードトランジスタの前記ゲート及びソースの両者に加えられる請求項5の装置。
- 前記バイアス回路は、
前記カスコードトランジスタのドレインとゲートとの間で結合されるレジスタと、
前記カスコードトランジスタの前記ゲートと回路接地との間で結合されるキャパシタと
を具備する請求項5の装置。 - 前記カスコードトランジスタのドレインと電源電圧との間で結合されるインダクタを更に具備し、
前記出力信号は、前記電源電圧の上及び下の電圧振幅を有する
請求項5の装置。 - 並列に結合される複数のブランチを具備し、入力信号を増幅し、且つ出力信号を供給するよう動作する増幅器であって、前記複数のブランチは少なくとも1つの切替可能なブランチを具備し、各々の切替可能なブランチがオン状態又はオフ状態で動作可能とされ、且つ各々の切替可能なブランチが
前記オン状態で、前記入力信号を増幅し、増幅信号を供給し、前記オフ状態で前記入力信号を増幅しないよう動作する利得トランジスタと、
前記利得トランジスタに結合し、前記オン状態で前記増幅信号をバッファし、且つ前記出力信号を供給するよう動作するカスコードトランジスタであって、前記出力信号の電圧振幅は、前記オン状態及び前記オフ状態で前記利得トランジスタと前記カスコードトランジスタとの間で分けられる、前記カスコードトランジスタと、
前記オフ状態で前記カスコードトランジスタのゲート及びソースを短絡させるよう動作する第1スイッチと、
前記利得トランジスタのソースと回路接地との間で結合される第2スイッチであって、前記第2スイッチは、前記オン状態で閉じられ、前記オフ状態で開かれる、前記第2スイッチと
を具備する、前記増幅器
を具備し、
各々の切替可能なブランチが、
前記利得トランジスタと前記カスコードトランジスタとの間で結合され、前記オン状態で、前記増幅信号をバッファするよう動作する第2カスコードトランジスタと、
前記出力信号を受信し、各々の切替可能なブランチにおける前記カスコードトランジスタのための第1のバイアス電圧及び前記第2カスコードトランジスタのための第2のバイアス電圧を前記オン状態及び前記オフ状態で供給するよう動作するバイアス回路とを更に具備し、
ここで、前記カスコードトランジスタ及び前記第2カスコードトランジスタに供給される前記第1及び第2のバイアス電圧は、前記出力信号の前記電圧振幅が、前記利得トランジスタ、前記カスコードトランジスタ、及び前記第2カスコードトランジスタ間で前記バイアス電圧によって前記オン状態及び前記オフ状態で分けられるように生成される、
無線装置。 - 前記少なくとも1つの切替可能なブランチの各々は、前記オン状態で前記増幅器の全体利得を増加させるように動作され、前記オフ状態で前記全体利得を減少させるように動作される請求項9の無線装置。
- 各々の切替可能なブランチにおいて、電源電圧と前記カスコードトランジスタのドレインとの間で結合されるインダクタを更に具備し、
前記出力信号は前記電源電圧の上及び下の電圧振幅を有する請求項9の無線装置。 - 前記増幅器は、駆動増幅器(DA)、電力増幅器(PA)、低雑音増幅器(LNA)、又は可変利得増幅器(VGA)である請求項9の無線装置。
- オン状態で増幅信号を得るため、利得トランジスタで入力信号を増幅することと、
前記オン状態で、カスコードトランジスタで前記増幅信号をバッファし、且つ出力信号を供給することと、
前記オン状態及びオフ状態で、前記利得トランジスタ及び前記カスコードトランジスタが各々、電圧振幅の一部を観測しつつ、前記オン状態及び前記オフ状態で前記利得トランジスタと前記カスコードトランジスタとの間の前記出力信号の前記電圧振幅を分けることと、
前記オフ状態で前記カスコードトランジスタのゲート及びソースを短絡させることと、
前記オン状態で前記利得トランジスタのソースを回路接地に結合させることと、
前記オフ状態で前記利得トランジスタの前記ソースを前記回路接地と非結合とさせることと
前記利得トランジスタと前記カスコードトランジスタとの間で結合された第2カスコードトランジスタで、前記オン状態で、前記増幅信号をバッファすることと、
前記出力信号に基づいて前記カスコードトランジスタのための第1のバイアス電圧及び前記第2カスコードトランジスタのための第2のバイアス電圧を前記オン状態及び前記オフ状態で生成することと、ここで、前記カスコードトランジスタ及び前記第2カスコードトランジスタのために前記オン状態及び前記オフ状態で生成される前記第1及び第2のバイアス電圧は、前記出力信号の前記電圧振幅が、前記利得トランジスタ、前記カスコードトランジスタ、及び前記第2カスコードトランジスタ間で前記第1及び第2のバイアス電圧によって前記オン状態及び前記オフ状態で分けられるように生成される、
前記第1及び第2のバイアス電圧を前記カスコードトランジスタのゲートおよび第2カスコードトランジスタのゲートに前記オン状態及び前記オフ状態で印加することと
を具備する方法。 - 複数のブランチを具備する、少なくとも1つの増幅器のブランチをイネーブルにすることを更に具備し、
各々のイネーブルとされたブランチが、前記オン状態で動作する前記利得トランジスタ及び前記カスコードトランジスタを具備する請求項13の方法。 - オン状態で増幅信号を得るため、利得トランジスタで入力信号を増幅することと、
前記オン状態で、カスコードトランジスタで前記増幅信号をバッファし、且つ出力信号を供給することと、
前記オン状態及びオフ状態で、前記利得トランジスタ及び前記カスコードトランジスタが各々、電圧振幅の一部を観測しつつ、前記オン状態及び前記オフ状態で前記利得トランジスタと前記カスコードトランジスタとの間の前記出力信号の前記電圧振幅を分けることと、
前記オフ状態で前記カスコードトランジスタのゲート及びソースを短絡させることと、
前記オン状態で、前記入力信号を前記利得トランジスタのゲートに結合させることと、
前記オフ状態で、前記入力信号を前記利得トランジスタの前記ゲートから非結合とさせ、前記ゲートを回路接地に短絡させることと、
前記利得トランジスタと前記カスコードトランジスタとの間で結合された第2カスコードトランジスタで、前記オン状態で、前記増幅信号をバッファすることと、
前記出力信号に基づいて前記カスコードトランジスタのための第1のバイアス電圧及び前記第2カスコードトランジスタのための第2のバイアス電圧を前記オン状態及び前記オフ状態で生成することと、ここで、前記カスコードトランジスタ及び前記第2カスコードトランジスタのために前記オン状態及び前記オフ状態で生成される前記第1及び第2のバイアス電圧は、前記出力信号の前記電圧振幅が、前記利得トランジスタ、前記カスコードトランジスタ、及び前記第2カスコードトランジスタ間で前記第1及び第2のバイアス電圧によって前記オン状態及び前記オフ状態で分けられるように生成される、
前記第1及び第2のバイアス電圧を前記カスコードトランジスタのゲートおよび前記第2カスコードトランジスタのゲートに前記オン状態及び前記オフ状態で印加することと
を具備する方法。 - 複数のブランチを具備する、少なくとも1つの増幅器のブランチをイネーブルにすることを更に具備し、
各々のイネーブルとされたブランチが、前記オン状態で動作する前記利得トランジスタ及び前記カスコードトランジスタ、及び前記第2カスコードトランジスタを具備する請求項15の方法。 - オン状態で増幅信号を得るため、入力信号を増幅する手段と、
前記オン状態で、前記増幅信号をバッファし、且つ出力信号を供給する手段と、
前記オン状態及びオフ状態で増幅する前記手段及びバッファする前記手段の各々は、電圧振幅の一部を観測しつつ、前記オン状態及び前記オフ状態で、増幅する前記手段とバッファする前記手段との間で前記出力信号の前記電圧振幅を分ける手段と、
前記オフ状態でバッファする前記手段のゲート及びソースを短絡させる手段と、
前記オン状態で前記増幅する前記手段のソースを回路接地に結合させる手段と、
前記オフ状態で前記増幅する前記手段の前記ソースを回路接地から非結合とさせる手段と、
前記入力信号を増幅する手段と前記バッファする手段との間で結合され、前記オン状態で、前記増幅信号をバッファするよう動作する第2のバッファする手段と、
前記出力信号を受信し、前記バッファする前記手段のための第1のバイアス電圧及び前記第2のバッファする手段のための第2のバイアス電圧を前記オン状態及び前記オフ状態で供給するよう動作するバイアスする手段と、
ここで、前記バッファする前記手段に供給される前記第1のバイアス電圧及び前記第2のバッファする手段に供給される前記第2のバイアス電圧は、前記出力信号の前記電圧振幅が、前記増幅するための手段、前記バッファするための手段、及び前記第2のバッファするための手段間で前記第1及び第2のバイアス電圧によって前記オン状態及び前記オフ状態で分けられるように生成される、
を具備する装置。 - 前記オン状態で増幅する前記手段をイネーブルに、前記オフ状態で増幅する前記手段をディセーブルにする手段を更に具備する請求項17の装置。
- 複数のブランチを具備する少なくとも1つの増幅器のブランチをイネーブルにする手段を更に具備し、
各々のイネーブルとされたブランチは、前記オン状態で動作する増幅する前記手段及びバッファする前記手段を具備する
請求項17の装置。 - 並列に結合される複数のブランチを具備し、入力信号を増幅し、且つ出力信号を供給するよう動作する増幅器であって、前記複数のブランチは少なくとも1つの切替可能なブランチを具備し、各々の切替可能なブランチがオン状態又はオフ状態で動作可能とされ、且つ各々の切替可能なブランチが
前記オン状態で、前記入力信号を増幅し、増幅信号を供給し、前記オフ状態で前記入力信号を増幅しないよう動作する利得トランジスタと、
前記利得トランジスタに結合し、前記オン状態で前記増幅信号をバッファし、且つ前記出力信号を供給するよう動作するカスコードトランジスタであって、前記出力信号の電圧振幅は、前記オン状態及び前記オフ状態で前記利得トランジスタと前記カスコードトランジスタとの間で分けられる、前記カスコードトランジスタと、
前記オフ状態で前記カスコードトランジスタのゲート及びソースを短絡させるよう動作する第1スイッチと、
前記利得トランジスタのゲートと回路接地との間で結合される第2スイッチであって、前記第2スイッチは、前記オン状態で開放され、前記オフ状態で閉じられる、前記第2スイッチと、
前記利得トランジスタの前記ゲートと前記入力信号との間で結合される第3スイッチであって、前記第3スイッチは、前記オン状態で閉じられ、前記オフ状態で開放される、前記第3スイッチと、
前記利得トランジスタと前記カスコードトランジスタとの間で結合され、前記オン状態で、前記増幅信号をバッファするよう動作する第2カスコードトランジスタと、
前記出力信号を受信し、各々の切替可能なブランチにおける前記カスコードトランジスタのための第1のバイアス電圧及び前記第2カスコードトランジスタのための第2のバイアス電圧を前記オン状態及び前記オフ状態で供給するよう動作するバイアス回路と、
ここで、前記カスコードトランジスタ及び前記第2カスコードトランジスタに前記オン状態及び前記オフ状態で前記バイアス回路から供給される前記第1及び第2のバイアス電圧は、前記出力信号の前記電圧振幅が、前記利得トランジスタ、前記カスコードトランジスタ、及び前記第2カスコードトランジスタ間で前記バイアス電圧によって前記オン状態及び前記オフ状態で分けられるように生成される、
を具備する、前記増幅器を具備する無線装置。 - 前記少なくとも1つの切替可能なブランチの各々は、前記オン状態で前記増幅器の全体利得を増加させるように動作され、前記オフ状態で前記全体利得を減少させるように動作される請求項20の無線装置。
- 各々の切替可能なブランチにおいて、電源電圧と前記カスコードトランジスタのドレインとの間で結合されるインダクタを更に具備し、
前記出力信号は前記電源電圧の上及び下の電圧振幅を有する請求項20の無線装置。 - 前記増幅器は、駆動増幅器(DA)、電力増幅器(PA)、低雑音増幅器(LNA)、又は可変利得増幅器(VGA)である請求項20の無線装置。
- オン状態で増幅信号を得るため、利得トランジスタで入力信号を増幅する手段と、
前記オン状態で、カスコードトランジスタで前記増幅信号をバッファし、且つ出力信号を供給する手段と、
前記オン状態及びオフ状態で、前記利得トランジスタ及び前記カスコードトランジスタが各々、電圧振幅の一部を観測しつつ、前記オン状態及び前記オフ状態で前記利得トランジスタと前記カスコードトランジスタとの間で前記出力信号の前記電圧振幅を分ける手段と、
前記オフ状態で前記カスコードトランジスタのゲート及びソースを短絡させる手段と、
前記オン状態で前記入力信号を前記利得トランジスタのゲートに結合させる手段と、
前記オフ状態で前記入力信号を前記利得トランジスタの前記ゲートと非結合とさせ、前記ゲートを回路接地に短絡させる手段と、
前記利得トランジスタと前記カスコードトランジスタとの間で結合された第2カスコードトランジスタを用いて、前記オン状態で、前記増幅信号をバッファする手段と、
前記出力信号に基づいて前記カスコードトランジスタのための第1のバイアス電圧及び前記第2カスコードトランジスタのための第2のバイアス電圧を前記オン状態及び前記オフ状態で生成し、前記カスコードトランジスタと前記第2カスコードトランジスタを前記オン状態及び前記オフ状態でバイアスさせるための手段と、
ここで、前記カスコードトランジスタのための第1のバイアス電圧及び前記第2カスコードトランジスタのための第2のバイアス電圧は、前記出力信号の前記電圧振幅が、前記利得トランジスタ、前記カスコードトランジスタ、及び前記第2カスコードトランジスタ間で前記第1及び第2のバイアス電圧によって前記オン状態及び前記オフ状態で分けられるように生成され、
前記第1及び第2のバイアス電圧は前記カスコードトランジスタのゲートおよび第2カスコードトランジスタのゲートに前記オン状態及び前記オフ状態で印加される、
を具備する装置。 - 前記オン状態で増幅する前記手段をイネーブルに、前記オフ状態で増幅する前記手段をディセーブルにする手段を更に具備する請求項24の装置。
- 複数のブランチを具備する少なくとも1つの増幅器のブランチをイネーブルにする手段を更に具備し、
各々のイネーブルとされたブランチは、前記オン状態で、動作する増幅する前記手段とバッファする前記手段とを具備する
請求項24の装置。
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US8750813B2 (en) * | 2009-05-21 | 2014-06-10 | Broadcom Corporation | Method and system for a dynamic transmission gain control using a dedicated power amplifier driver in a radio frequency transmitter |
JP5359614B2 (ja) * | 2009-07-01 | 2013-12-04 | セイコーエプソン株式会社 | 入出力インターフェース回路、集積回路装置および電子機器 |
US8942760B2 (en) * | 2010-08-05 | 2015-01-27 | St-Ericsson Sa | Integrated bluetooth and wireless LAN transceivers having merged low noise and power amplifier |
JP5596589B2 (ja) * | 2011-02-15 | 2014-09-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US9178669B2 (en) | 2011-05-17 | 2015-11-03 | Qualcomm Incorporated | Non-adjacent carrier aggregation architecture |
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US9154179B2 (en) | 2011-06-29 | 2015-10-06 | Qualcomm Incorporated | Receiver with bypass mode for improved sensitivity |
US8482348B2 (en) * | 2011-08-30 | 2013-07-09 | Intel Mobile Communications GmbH | Class of power amplifiers for improved back off operation |
US8742853B2 (en) | 2011-10-25 | 2014-06-03 | Marvell World Trade Ltd. | Low-stress cascode structure |
US8774334B2 (en) | 2011-11-09 | 2014-07-08 | Qualcomm Incorporated | Dynamic receiver switching |
KR101862708B1 (ko) * | 2011-12-28 | 2018-05-31 | 삼성전자주식회사 | 무선송신기에서 구동증폭기 이득을 지수적으로 제어하기 위한 장치 및 방법 |
US9172402B2 (en) | 2012-03-02 | 2015-10-27 | Qualcomm Incorporated | Multiple-input and multiple-output carrier aggregation receiver reuse architecture |
US9362958B2 (en) | 2012-03-02 | 2016-06-07 | Qualcomm Incorporated | Single chip signal splitting carrier aggregation receiver architecture |
US9118439B2 (en) | 2012-04-06 | 2015-08-25 | Qualcomm Incorporated | Receiver for imbalanced carriers |
US9088248B2 (en) * | 2012-05-16 | 2015-07-21 | Intel Mobile Communications GmbH | Amplifier and mobile communication device |
US9154356B2 (en) | 2012-05-25 | 2015-10-06 | Qualcomm Incorporated | Low noise amplifiers for carrier aggregation |
US9867194B2 (en) | 2012-06-12 | 2018-01-09 | Qualcomm Incorporated | Dynamic UE scheduling with shared antenna and carrier aggregation |
WO2014008292A2 (en) * | 2012-07-02 | 2014-01-09 | Skyworks Solutions, Inc. | Systems and methods for providing high and low enable modes for controlling radio-frequency amplifiers |
US9300420B2 (en) | 2012-09-11 | 2016-03-29 | Qualcomm Incorporated | Carrier aggregation receiver architecture |
US9543903B2 (en) * | 2012-10-22 | 2017-01-10 | Qualcomm Incorporated | Amplifiers with noise splitting |
US8913976B2 (en) * | 2012-10-23 | 2014-12-16 | Qualcomm Incorporated | Amplifiers with shunt switches |
US9603187B2 (en) * | 2012-11-14 | 2017-03-21 | Qualcomm Incorporated | Omni-band amplifiers |
US8928415B2 (en) * | 2012-11-16 | 2015-01-06 | Qualcomm Incorporated | Adjustable gain for multi-stacked amplifiers |
US8975968B2 (en) * | 2013-01-25 | 2015-03-10 | Qualcomm Incorporated | Amplifiers with improved isolation |
US8903343B2 (en) | 2013-01-25 | 2014-12-02 | Qualcomm Incorporated | Single-input multiple-output amplifiers with independent gain control per output |
US9059665B2 (en) | 2013-02-22 | 2015-06-16 | Qualcomm Incorporated | Amplifiers with multiple outputs and configurable degeneration inductor |
US8928407B2 (en) * | 2013-03-11 | 2015-01-06 | Futurewei Technologies, Inc. | Current conveyor circuit and method |
JP6131643B2 (ja) * | 2013-03-11 | 2017-05-24 | 株式会社リコー | 増幅装置 |
US9294056B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-03-22 | Peregrine Semiconductor Corporation | Scalable periphery tunable matching power amplifier |
US20150236798A1 (en) * | 2013-03-14 | 2015-08-20 | Peregrine Semiconductor Corporation | Methods for Increasing RF Throughput Via Usage of Tunable Filters |
US8995591B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-03-31 | Qualcomm, Incorporated | Reusing a single-chip carrier aggregation receiver to support non-cellular diversity |
US9438185B2 (en) * | 2013-11-15 | 2016-09-06 | Peregrine Semiconductor Corporation | Devices and methods for increasing reliability of scalable periphery amplifiers |
EP2882100B1 (en) * | 2013-12-03 | 2019-10-23 | NXP USA, Inc. | Multiple-state, switch-mode power amplifier systems and methods of their operation |
JP6272102B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2018-01-31 | 三菱電機株式会社 | カスコード増幅器 |
US10193508B2 (en) | 2014-04-17 | 2019-01-29 | Texas Instruments Incorporated | Multi-branch outphasing system and method |
US9385658B2 (en) * | 2014-08-22 | 2016-07-05 | Intersil Americas LLC | Fast recovery scheme of transconductance gain for folded cascode amplifier |
JP6494955B2 (ja) * | 2014-08-28 | 2019-04-03 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 高周波増幅回路 |
US9473081B2 (en) * | 2014-10-20 | 2016-10-18 | Qualcomm Incorporated | Circuits and methods for reducing supply sensitivity in a power amplifier |
US9641139B2 (en) | 2014-11-17 | 2017-05-02 | Mediatek Inc. | Amplifier and related method |
CA2972373A1 (en) * | 2014-12-29 | 2016-07-07 | Limited Liability Company "Siemens" | Arrangement for rf high power generation |
WO2016131029A1 (en) * | 2015-02-15 | 2016-08-18 | Skyworks Solutions, Inc. | Power amplifier having staggered cascode layout for enhanced thermal ruggedness |
US9712125B2 (en) | 2015-02-15 | 2017-07-18 | Skyworks Solutions, Inc. | Power amplification system with shared common base biasing |
US9548739B2 (en) * | 2015-03-27 | 2017-01-17 | Qualcomm Incorporated | Drive for cascode stack of power FETs |
US9698729B2 (en) * | 2015-11-04 | 2017-07-04 | Infineon Technologies Ag | Optimum current control CMOS cascode amplifier |
US10177722B2 (en) | 2016-01-12 | 2019-01-08 | Qualcomm Incorporated | Carrier aggregation low-noise amplifier with tunable integrated power splitter |
US9887673B2 (en) | 2016-03-11 | 2018-02-06 | Intel Corporation | Ultra compact multi-band transmitter with robust AM-PM distortion self-suppression techniques |
US10230417B2 (en) | 2016-08-31 | 2019-03-12 | Skyworks Solutions, Inc. | Multi-input amplifier with degeneration switching block and low loss bypass function |
US10284160B2 (en) * | 2016-08-31 | 2019-05-07 | Skyworks Solutions, Inc. | Amplifier with improved return loss and mismatch over gain modes |
US10476454B2 (en) | 2016-09-21 | 2019-11-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power amplifier module |
US9929701B1 (en) | 2016-09-21 | 2018-03-27 | Psemi Corporation | LNA with programmable linearity |
JP2018050200A (ja) | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅モジュール |
CN107257232B (zh) * | 2017-07-25 | 2023-05-26 | 杭州洪芯微电子科技有限公司 | 跨阻放大器 |
US10910714B2 (en) | 2017-09-11 | 2021-02-02 | Qualcomm Incorporated | Configurable power combiner and splitter |
US10418949B2 (en) * | 2017-10-20 | 2019-09-17 | Maxscend Microelectronics Company Limited | Low noise amplifier and radio frequency amplification method using the same |
US10454426B2 (en) * | 2017-11-30 | 2019-10-22 | Texas Instruments Incorporated | Methods and apparatus providing high efficiency power amplifiers for both high and low output power levels |
US10447208B2 (en) * | 2017-12-15 | 2019-10-15 | Raytheon Company | Amplifier having a switchable current bias circuit |
EP3826177A4 (en) | 2018-08-10 | 2021-08-04 | Mitsubishi Electric Corporation | VARIABLE POWER AMPLIFIER |
JP2020107967A (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-09 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅回路及び電力増幅モジュール |
CN110365299B (zh) * | 2019-08-22 | 2024-06-21 | 杭州洪芯微电子科技有限公司 | 一种cmos跨阻放大器 |
US10938348B1 (en) * | 2019-10-30 | 2021-03-02 | Psemi Corporation | Complete turn off and protection of branched cascode amplifier |
WO2021117375A1 (ja) * | 2019-12-10 | 2021-06-17 | 株式会社村田製作所 | 増幅回路 |
US11606067B2 (en) * | 2021-03-01 | 2023-03-14 | Psemi Corporation | Dual voltage switched branch LNA architecture |
US20220321062A1 (en) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | High voltage stacked transistor amplifier |
US20230163726A1 (en) * | 2021-11-22 | 2023-05-25 | Qorvo Us, Inc. | Power amplifier having improved gate oxide integrity |
CN115483895A (zh) * | 2022-09-15 | 2022-12-16 | 上海米硅科技有限公司 | 一种低噪声放大器 |
US20240128941A1 (en) * | 2022-10-12 | 2024-04-18 | Qualcomm Incorporated | Hybrid low power rail to rail amplifier with leakage control |
CN116015235B (zh) * | 2023-03-24 | 2023-06-13 | 尊湃通讯科技(南京)有限公司 | 功率放大器增益切换电路 |
CN116032269B (zh) * | 2023-03-28 | 2023-07-25 | 中国电子科技集团公司第十研究所 | 一种电流量化矢量插值阵列和有源矢量调制架构 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09106503A (ja) * | 1995-10-06 | 1997-04-22 | Sony Corp | 信号増幅回路 |
JP2002135066A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ソースフォロア回路 |
US6515547B2 (en) * | 2001-06-26 | 2003-02-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Self-biased cascode RF power amplifier in sub-micron technical field |
JP4239546B2 (ja) * | 2002-10-08 | 2009-03-18 | 日本電気株式会社 | 電子回路 |
US6888411B2 (en) * | 2003-06-06 | 2005-05-03 | Broadcom Corporation | Radio frequency variable gain amplifier with linearity insensitive to gain |
JP4319932B2 (ja) * | 2004-03-22 | 2009-08-26 | 新日本無線株式会社 | デュアルバンド増幅器 |
DE102004056435A1 (de) * | 2004-11-23 | 2006-06-01 | Universität Stuttgart | Leistungsverstärker zum Verstärken von Hochfrequenz(HF)-Signalen |
US7276976B2 (en) * | 2004-12-02 | 2007-10-02 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Triple cascode power amplifier of inner parallel configuration with dynamic gate bias technique |
JP2007074121A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Fujitsu Ltd | 増幅器及び相互コンダクタンス制御方法 |
JP2007259409A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | 可変利得増幅器 |
JP4696188B2 (ja) * | 2006-08-07 | 2011-06-08 | Smc株式会社 | 閉鎖力増強機構付きダイヤフラム型電磁弁 |
JP2008147735A (ja) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Sony Corp | 増幅回路、並びに半導体装置および制御方法 |
JP4708384B2 (ja) * | 2007-04-20 | 2011-06-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 利得切替付低雑音増幅回路 |
JP5070918B2 (ja) * | 2007-05-01 | 2012-11-14 | 富士通セミコンダクター株式会社 | アナログ信号選択回路 |
US7486135B2 (en) * | 2007-05-29 | 2009-02-03 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Configurable, variable gain LNA for multi-band RF receiver |
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