JP6272102B2 - カスコード増幅器 - Google Patents
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000545744 Hirudinea Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
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Description
一方で、高周波動作が可能な微細プロセスでは、トランジスタの耐圧が低くなるという問題がある。
従来の高周波増幅器では、上記の問題を解決するため、バックゲート端子とソース端子が接続され、トリプルウェル構造で形成されているゲート接地トランジスタをソース接地トランジスタと縦続に接続しているカスコード増幅器を用いるようにしている。
また、ゲート接地トランジスタのドレイン端子と、ソース接地トランジスタのゲート端子との間に、抵抗と容量から構成されるフィードバック回路を設ける方法が以下の非特許文献1に開示されている。
また、高周波増幅回路で用いられる180nm 程度のCMOSテクノロジでは、一般的にMOM容量の密度が低いため、カスコード増幅器の安定化を図るには、チップサイズが大きなMOM容量を実装する必要があり、カスコード増幅器の大型化を招いてしまう課題があった。
図1はこの発明の実施の形態1によるカスコード増幅器を示す等価回路図である。
図1において、入力端子1は増幅対象の高周波信号が入力される端子であり、出力端子2はNMOSトランジスタ5,7により増幅された高周波信号を出力する端子である。
直流電圧印加端子3は直流電圧が印加される端子である。
抵抗4は一端が入力端子1と接続され、他端がNMOSトランジスタ5のゲート端子と接続されている。
NMOSトランジスタ7はトリプルウェル構造で形成されているゲート接地トランジスタである。
また、NMOSトランジスタ7はソース端子がNMOSトランジスタ5のドレイン端子と接続され、ゲート端子が直流電圧印加端子3と接続され、ドレイン端子が出力端子2と接続されている。
抵抗10はカスコード増幅器の安定化を図るために、NMOSトランジスタ7のバックゲート端子とソース端子間に接続されている。
入力端子1から増幅対象の高周波信号が入力されると、その高周波信号がNMOSトランジスタ5のゲート端子に入力される。
図1のカスコード増幅器は、NMOSトランジスタ5のドレイン端子とNMOSトランジスタ7のソース端子とが接続されているカスコードトランジスタであるため、NMOSトランジスタ5のゲート端子に入力された高周波信号がNMOSトランジスタ5,7によって増幅され、増幅後の高周波信号が出力端子2に出力される。
NMOSトランジスタ7のバックゲート端子とソース端子間に抵抗10を接続することで、カスコード増幅器の安定化が図られることをシミュレーションによって確認している。
図2はNMOSトランジスタ7のバックゲート端子とソース端子間に抵抗10が接続されている場合のシミュレーション結果と、抵抗10が接続されていない場合(NMOSトランジスタ7のバックゲート端子とソース端子間を短絡している場合)のシミュレーション結果を示している。
また、NMOSトランジスタ7のゲート端子に接続している容量8を30pFに設定し、NMOSトランジスタ5のゲート端子に接続している抵抗4を50Ωに設定している。
また、NMOSトランジスタ7のドレイン端子には3.4V、ゲート端子には2.2V、NMOSトランジスタ5のゲート端子には0.5Vをそれぞれ印加している。
さらに、NMOSトランジスタ7のバックゲート端子とソース端子間には、2kΩの抵抗10を接続している。
図2より、NMOSトランジスタ7のバックゲート端子とソース端子間に抵抗10を接続することで、小信号の安定係数が改善していることが分かる。
図3はこの発明の実施の形態2によるカスコード増幅器を示す等価回路図であり、図において、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
NMOSトランジスタ11はトリプルウェル構造で形成されているゲート接地トランジスタである。
NMOSトランジスタ11はソース端子がNMOSトランジスタ7のドレイン端子と接続され、ゲート端子が直流電圧印加端子3と接続され、ドレイン端子が出力端子2と接続されている。
この実施の形態2では、NMOSトランジスタ7が第1ゲート接地トランジスタを構成し、NMOSトランジスタ11が第2のゲート接地トランジスタを構成しており、第2のゲート接地トランジスタであるNMOSトランジスタ11は、N個(Nは1以上の自然数)縦続に接続されている。
図3の例では、NMOSトランジスタ7,11のバックゲート端子とソース端子間に抵抗10をそれぞれ接続しているが、NMOSトランジスタ7及びN個のNMOSトランジスタ11のうち、少なくも1個のNMOSトランジスタのバックゲート端子とソース端子間に抵抗10が接続されていれば、全く抵抗10が接続されていない場合よりも、カスコード増幅器の安定度が高くなる。
図4はこの発明の実施の形態3によるカスコード増幅器を示す等価回路図であり、図において、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
上記実施の形態1では、縦続に接続されているNMOSトランジスタ5,7の組が一組である例を示したが、縦続に接続されているNMOSトランジスタ5,7の組が、複数並列に接続されているものであってもよい。
図5において、50はソース接地トランジスタであるNMOSトランジスタ5のソース電極、51はNMOSトランジスタ5のドレイン電極、52はゲート接地トランジスタであるNMOSトランジスタ7のソース電極、53はNMOSトランジスタ7のドレイン電極、54はNMOSトランジスタ7のバックゲート電極である。
ゲート接地トランジスタであるNMOSトランジスタ7のソース電極とバックゲート電極の間には抵抗10が接続されている。
各々のNMOSトランジスタ7に対して、ソース電極とバックゲート電極間に抵抗10を接続することで、各々のNMOSトランジスタ7の位置によらず、バックゲート端子に接続される抵抗10までの距離のばらつきを抑えることができる。このため、ゲート接地トランジスタであるNMOSトランジスタ7のアンバランス動作を抑えることができる効果を奏する。
図6はこの発明の実施の形態4によるカスコード増幅器を示す等価回路図であり、図において、図3及び図4と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
この実施の形態4では、第1のゲート接地トランジスタであるNMOSトランジスタ7に対して、N個(Nは1以上の自然数)のNMOSトランジスタ11(第2のゲート接地トランジスタ)が縦続に接続されている。
また、この実施の形態4では、縦続に接続されているNMOSトランジスタ5,7,11の組が、複数並列に接続されており、各々のNMOSトランジスタ7,11のソース電極とバックゲート電極の間には抵抗10が接続されている。
また、上記実施の形態3と同様に、ゲート接地トランジスタであるNMOSトランジスタ7,11のアンバランス動作を抑えることができる効果を奏する。
上記実施の形態1〜4では、単相の高周波信号を増幅するカスコード増幅器について示したが、この実施の形態5では、差動の高周波信号を増幅するカスコード増幅器について説明する。
図7はこの発明の実施の形態5によるカスコード増幅器を示す等価回路図であり、図において、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
入力端子1Aは増幅対象の高周波信号が入力される端子であり、出力端子2AはNMOSトランジスタ5A,7Aにより増幅された高周波信号を出力する端子である。
入力端子1Bは入力端子1Aから入力される高周波信号と等振幅逆位相の信号が入力される端子であり、出力端子2BはNMOSトランジスタ5B,7Bにより増幅された高周波信号を出力する端子である。
抵抗4Aは一端が入力端子1Aと接続され、他端がNMOSトランジスタ5Aのゲート端子と接続されている。
抵抗4Bは一端が入力端子1Bと接続され、他端がNMOSトランジスタ5Bのゲート端子と接続されている。
NMOSトランジスタ5Bはゲート端子が抵抗4Bを介して入力端子1Bと接続され、ソース端子及びバックゲート端子がグラウンド6と接続されている第2のソース接地トランジスタである。
また、NMOSトランジスタ7Aはソース端子がNMOSトランジスタ5Aのドレイン端子と接続され、ゲート端子が直流電圧印加端子3と接続され、ドレイン端子が出力端子2Aと接続されている。
NMOSトランジスタ7Bはトリプルウェル構造で形成されている第2のゲート接地トランジスタである。
また、NMOSトランジスタ7Bはソース端子がNMOSトランジスタ5Bのドレイン端子と接続され、ゲート端子が直流電圧印加端子3と接続され、ドレイン端子が出力端子2Bと接続されている。
第2の抵抗である抵抗10Bはカスコード増幅器の安定化を図るために、NMOSトランジスタ7Bのバックゲート端子とソース端子間に接続されている。
入力端子1Aから増幅対象の高周波信号が入力されると、その高周波信号がNMOSトランジスタ5Aのゲート端子に入力される。
また、入力端子1Bから上記高周波信号と等振幅逆位相の高周波信号が入力されると、その高周波信号がNMOSトランジスタ5Bのゲート端子に入力される。
図7のカスコード増幅器は、カスコードトランジスタを構成しているNMOSトランジスタ5A,7Aと、カスコードトランジスタを構成しているNMOSトランジスタ5B,7Bとが差動回路として動作し、入力端子1Aから入力された高周波信号がNMOSトランジスタ5A,7Aによって増幅されて、増幅後の高周波信号が出力端子2Aから出力される。
また、入力端子1Bから入力された高周波信号がNMOSトランジスタ5B,7Bによって増幅されて、増幅後の高周波信号が出力端子2Bから出力される。
また、この実施の形態5では、差動回路として動作するため、ゲート接地トランジスタであるNMOSトランジスタ7A,7Bのゲート端子には、図1の容量8を接続する必要がない。このため、さらにカスコード増幅器の小型化を期待することができる。
Claims (7)
- ゲート端子から増幅対象の信号が入力され、ソース端子及びバックゲート端子が接地されているソース接地トランジスタと、
ソース端子が前記ソース接地トランジスタのドレイン端子と接続され、直流電圧がゲート端子に印加されて、ドレイン端子から増幅後の信号を出力するゲート接地トランジスタと、
前記ゲート接地トランジスタのバックゲート端子とソース端子間に接続されている抵抗と
を備えたカスコード増幅器。 - 縦続に接続されている前記ソース接地トランジスタと前記ゲート接地トランジスタの組が、複数並列に接続されていることを特徴とする請求項1記載のカスコード増幅器。
- ゲート端子から増幅対象の信号が入力され、ソース端子及びバックゲート端子が接地されているソース接地トランジスタと、
ソース端子が前記ソース接地トランジスタのドレイン端子と接続され、直流電圧がゲート端子に印加されて、ドレイン端子から増幅後の信号を出力する第1のゲート接地トランジスタと、
ソース端子が前記第1のゲート接地トランジスタのドレイン端子と接続され、直流電圧がゲート端子に印加されて、ドレイン端子から増幅後の信号を出力する第2のゲート接地トランジスタと、
前記第1及び第2のゲート接地トランジスタのうち、少なくとも1個のゲート接地トランジスタのバックゲート端子とソース端子間に接続されている抵抗と
を備えたカスコード増幅器。 - 前記第2のゲート接地トランジスタが複数縦続に接続されていることを特徴とする請求項3記載のカスコード増幅器。
- 縦続に接続されている前記ソース接地トランジスタと前記第1及び第2のゲート接地トランジスタの組が、複数並列に接続されていることを特徴とする請求項3または請求項4記載のカスコード増幅器。
- 前記第1及び第2のゲート接地トランジスタがトリプルウェル構造で形成されていることを特徴とする請求項3から請求項5のうちのいずれか1項記載のカスコード増幅器。
- ゲート端子から増幅対象の信号が入力され、ソース端子及びバックゲート端子が接地されている第1のソース接地トランジスタと、
ゲート端子から前記信号と等振幅逆位相の信号が入力され、ソース端子及びバックゲート端子が接地されている第2のソース接地トランジスタと、
ソース端子が前記第1のソース接地トランジスタのドレイン端子と接続され、直流電圧がゲート端子に印加されて、ドレイン端子から増幅後の信号を出力する第1のゲート接地トランジスタと、
ソース端子が前記第2のソース接地トランジスタのドレイン端子と接続され、ゲート端子が前記第1のゲート接地トランジスタのゲート端子と接続されて、ドレイン端子から増幅後の信号を出力する第2のゲート接地トランジスタと、
前記第1のゲート接地トランジスタのバックゲート端子とソース端子間に接続されている第1の抵抗と、
前記第2のゲート接地トランジスタのバックゲート端子とソース端子間に接続されている第2の抵抗と
を備えたカスコード増幅器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014066406A JP6272102B2 (ja) | 2014-03-27 | 2014-03-27 | カスコード増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014066406A JP6272102B2 (ja) | 2014-03-27 | 2014-03-27 | カスコード増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015192205A JP2015192205A (ja) | 2015-11-02 |
JP6272102B2 true JP6272102B2 (ja) | 2018-01-31 |
Family
ID=54426421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014066406A Active JP6272102B2 (ja) | 2014-03-27 | 2014-03-27 | カスコード増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6272102B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11558019B2 (en) * | 2018-11-15 | 2023-01-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and circuit to isolate body capacitance in semiconductor devices |
CN111193478A (zh) | 2018-11-15 | 2020-05-22 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 放大电路 |
WO2021199431A1 (ja) * | 2020-04-03 | 2021-10-07 | 三菱電機株式会社 | 高周波増幅器、無線通信装置及びレーダ装置 |
CN116032269B (zh) * | 2023-03-28 | 2023-07-25 | 中国电子科技集团公司第十研究所 | 一种电流量化矢量插值阵列和有源矢量调制架构 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6504433B1 (en) * | 2000-09-15 | 2003-01-07 | Atheros Communications, Inc. | CMOS transceiver having an integrated power amplifier |
TWI310262B (en) * | 2005-11-18 | 2009-05-21 | Ind Tech Res Inst | Resonant amplifier |
JP5056427B2 (ja) * | 2008-01-15 | 2012-10-24 | 富士通セミコンダクター株式会社 | チャージポンプ回路 |
US8022772B2 (en) * | 2009-03-19 | 2011-09-20 | Qualcomm Incorporated | Cascode amplifier with protection circuitry |
JP5714470B2 (ja) * | 2011-11-21 | 2015-05-07 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | Cmos集積回路及び増幅回路 |
-
2014
- 2014-03-27 JP JP2014066406A patent/JP6272102B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015192205A (ja) | 2015-11-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161117 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171122 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
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|
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