TWI556573B - 主動式電感器及其相關的放大器電路 - Google Patents

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Description

主動式電感器及其相關的放大器電路
本發明是有關於一種電感器(inductor)及其相關的放大器電路，且特別是有關於一種主動式電感器(active inductor)及其相關的放大器電路。
眾所周知，利用並聯峰化技術(shunt-peaking technique)可以有效地提升電路的頻寬(circuit bandwidth)。請參照第1A圖與第1B圖，其所繪示為習知放大器電路(amplifying circuit)及其頻率特性曲線示意圖。
如第1A圖所示，放大器電路100包括：電晶體T、電容器C、電阻R以及電感器(inductor)L。其中，串接的電阻R以及電感器L可視為電感性負載(inductive load)110。
電晶體T的閘極為放大器電路100的輸入端，用以接收輸入信號vi；汲極為放大器電路100的輸出端，用以產生輸出信號vo；源極連接至接地端。電感器L與電阻R串接於電壓源Vdd與放大器電路100的輸出端之間，電容器C連接於放大器電路100的輸出端與接地端之間。
如第1B圖所示，由放大器電路的頻率特性曲線可知，當放大器電路未連接電感器L(L=0)時，放大器電路的頻寬為x。而當放大器電路連接電感器L時，放大器電路的頻寬會隨著電感值(inductance value)的增加而逐漸增加。
當放大器電路100中的電感器L為最佳電感值Lopt 時，放大器電路100的頻寬為1.7x。換句話說，相較於未連接電感器L的放大器電路100，於放大器電路100中連接最佳電感值Lopt的電感器時，其頻寬增加約1.7倍。舉例來說，於最大平坦頻率響應(maximally flat frequency response)下，最佳電感值Lopt為0.4R2C。
另外，當電感器L大於最佳電感值Lopt時，在轉折頻率(corner frequency)處的增益(gain)會升高。換句話說，如果轉折處的增益尖峰(gain peaking)20%是被允許情況下，放大器電路100中的電感器L的確可增加放大器電路100的頻寬。
在IC電路設計的領域中，係在二維平面上設計電感器，所以在佈局尺寸(layout size)有限的IC中，若要在合理範圍內設計出效果較佳的電感器是相當困難的事。而為了要能夠提高放大電路的頻寬，IC電路設計者會在放大器電路中設計主動式電感器(active inductor)。由於主動式電感器具備傳統電感器的特性，因此可運用於放大器電路。
請參照第2A圖至第2C圖，其所繪示為習知主動式電感器、主動式電感器的小訊號模型(small signal model)及其阻抗-頻率關係示意圖。其中，主動式電感器210可連接於第1A圖中放大器電路100的輸出端，用以取代放大器電路100中的電感性負載110。
主動式電感器210包括：一電晶體M與一電阻R。電阻R連接於電晶體M的閘極與電壓源Vdd之間；且電晶體M的汲極連接至電壓源Vdd。
由第2B圖所示之主動式電感器210的小信號模型可知，電晶體M的閘極與源極之間連接一寄生電容Cgs；並且，根據閘極與源極之間的電壓信號vgs，汲極與源極之間可產生gm×vgs的小信號電流(small signal current)。其中，gm為電晶體M的互導值(transconductance value)。
由第2C圖所示之主動式電感器210的阻抗-頻率關 係示意圖可知，於頻率小於ω z時小信號阻抗大小(magnitude of small signal impedance，|z(jω)|)約為1/gm；於頻率介於ω z與ω p之間時，小信號阻抗大小(|z(jω)|)由1/gm逐漸上升，於頻率大於ω p時，小信號阻抗大小(|z(jω)|)約為R。假設R>1/gm，所以主動式電感器210於低頻時具有低阻抗值，於高頻時具有高阻抗值。因此，主動式電感器210可視為電感性負載。
請參照第3圖，其所繪示為習知另一主動式電感器示意圖。其中，主動式電感器310可連接於第1A圖中放大器電路100的輸出端，用以取代放大器電路100中的電感性負載110。
主動式電感器310包括：一電晶體M、電容器C與一電阻R。其中，電晶體M的汲極連接至第一電壓源Vdd；電阻R連接於電晶體M的閘極與第二電壓源Vbh之間；且第二電壓源Vbh與接地端之間連接電容器C。基本上，第3圖之主動式電感器310的阻抗相同於第2C圖，並且主動式電感器310可視為電感性負載。
本發明之主要目的在於提出一種全新結構的主動式電感器，作為電感性負載，並運用於放大器電路中以增加放大器電路的頻寬。
本發明係有關於一種主動式電感器，包括：一第一電晶體，該第一電晶體的源極為該主動式電感器的一第一端，並連接至一第一電壓源；一電容器，具有一第一端連接至該第一電晶體的源極，具有一第二端連接至該第一電晶體的閘極；一第二電晶體，該第二電晶體的汲極連接至該第一電晶體的源極，該第二電晶體的閘極連接至該第一電晶體的汲極；一第一電阻，具有一第一端連接至該第一電晶體的汲極，具有一第二端作為該主動式電感器的一第二端；一第二電阻，具有一第一端連接至該第二電晶體的源極，具有一第二端連接至該第一電晶體的閘極；以及 一偏壓電流源，具有一第一端連接至該第二電阻的該第二端，具有一第二端連接至一第二電壓源。
本發明更提出一種放大器電路，包括：一第一電晶體，該第一電晶體的閘極接收一第一輸入信號，該第一電晶體的汲極產生一第一輸出信號；一第一主動式電感器，連接於一第一電壓源與該第一電晶體的汲極之間；以及一第一偏壓電流源，連接於一第二電壓源與該第一電晶體的源極之間；其中，該第一主動式電感器包括：一第二電晶體，該第二電晶體的源極連接至該第一電壓源；一第一電容器，具有一第一端連接至該第二電晶體的源極，具有一第二端連接至該第二電晶體的閘極；一第三電晶體，該第三電晶體的汲極連接至該第二電晶體的源極，該第三電晶體的閘極連接至該第二電晶體的汲極；一第一電阻，具有一第一端連接至該第二電晶體的汲極，具有一第二端連接至該第一電晶體的汲極；一第二電阻，具有一第一端連接至該第三電晶體的源極，具有一第二端連接至該第二電晶體的閘極；以及一第二偏壓電流源，具有一第一端連接至該第二電阻的該第二端，具有一第二端連接至該第二電壓源。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
100、500‧‧‧放大器電路
110‧‧‧電感性負載
210、310、410、510‧‧‧主動式電感器
600‧‧‧差動放大器電路
610‧‧‧第一主動式電感器
620‧‧‧第二主動式電感器
630‧‧‧差動對電路
第1A圖與第1B圖所繪示為習知放大器電路及其頻率特性曲線示意圖。
第2A圖至第2C圖所繪示為習知主動式電感器、主動式電感器的小訊號模型及其阻抗-頻率關係示意圖。
第3圖所繪示為習知另一主動式電感器示意圖。
第4A圖與第4B圖所繪示為本發明主動式電感器及其阻抗-頻率關係示意圖。
第5圖所繪示為具備本發明主動式電感器的放大器電路。
第6A圖與第6B圖所繪示為具備本發明主動式電感器的差動放大器電路及其頻率特性曲線示意圖。
請參照第4A圖與第4B圖，其所繪示為本發明主動式電感器及其阻抗-頻率關係示意圖。主動式電感器410包括：電晶體M1、電晶體M2、電阻R1、電阻R2、電容器C1與偏壓電流源(bias current source)Ib。其中，主動式電感器410具有第一端a與一第二端b，且第一端a連接至電壓源Vdd；電晶體M1為P型電晶體；以及電晶體M2為N型電晶體。
電晶體M1的源極為主動式電感器410的第一端a。電容器C1的第一端連接至電晶體M1的源極，電容器C1的第二端連接至電晶體M1的閘極。電晶體M2的汲極連接至電晶體M1的源極，電晶體M2的閘極連接至電晶體M1的汲極。電阻R1的第一端連接至電晶體M1的汲極，電阻R1的第二端為主動式電感器410的第二端b。電阻R2的第一端連接至電晶體M2的源極。偏壓電流源Ib的第一端連接至電阻R2的第二端，偏壓電流源Ib的第二端連接至電壓源Vss。
當操作頻率(operational frequency)較低時，電晶體M1操作在三極體區(triode region)，電晶體M2操作在飽和區(saturation region)作為源極隨耦器(source follower)並偏壓電晶體M1的閘極。此時，由於操作頻率較低，電容器C1可視為開路(open circuit)，此時主動式電感器410的阻抗值約為(1/gds1)+R1。其中，gds1為第一電晶體M1在三極體區時的互導值(transconductance value)。
反之，當操作頻率較高時，電晶體M1與電晶體M2的寄生電容Cgs短路(short circuit)，且電容器C1也為短路，此時主動式電感器410的阻抗值約為R1+R2。
由第4B圖所示之主動式電感器410的阻抗-頻率關係示意圖可知，於頻率小於ω 1時阻抗大小(|z(jω)|)約為(1/gds1)+R1；於頻率大於ω 2時阻抗大小約為R1+R2。由於R2>1/gds1，所以本發明的主動式電感器410於低頻時具有低阻抗值，於高頻時具有高阻抗值。因此，主動式電感器410可視為電感性負載。
請參照第5圖，其所繪示為具備本發明主動式電感器的放大器電路。放大器電路500包括一電晶體T1、偏壓電流源Ib1與主動式電感器510。其中，電晶體T1的閘極為放大器電路500的信號輸入端並接收輸入信號vin；電晶體T1的汲極與電壓源Vdd之間連接主動式電感器510；且電晶體T1的源極與電壓源Vss之間連接偏壓電流源Ib1。再者，電晶體T1的汲極為放大器電路500的信號輸出端並產生輸出信號vout。
再者，主動式電感器510包括：電晶體M1、電晶體M2、電阻R1、電阻R2、電容器C1與偏壓電流源Ib2。其中，主動式電感器510具有第一端a連接至電壓源Vdd，具有第二端b連接至放大器電路500的信號輸出端。另外，主動式電感器510中各元件之間的連接關係與第4B圖相同，不再贅述。
再者，本發明的主動式電感器也可以運用在差動放大電路(differential amplifying circuit)。請參照第6A圖與第6B圖，其所繪示為具備本發明主動式電感器的差動放大器電路及其頻率特性曲線示意圖。差動放大器電路600包括一差動對電路(differential pair circuit)630、第一主動式電感器610與第二主動式電感器620。
差動對電路630包括電晶體T1、電晶體T2與偏壓電流源Ib1。其中，電晶體T1的閘極為差動放大器電路600的第一信號輸入端並接收正輸入信號vin+；電晶體T1的汲極與電壓源Vdd之間連接第一主動式電感器610；且電晶體T1的源極與電壓源Vss之間連接偏壓電流源Ib1。再者，電晶體T1的汲極為 差動放大器電路600的第一信號輸出端並產生負輸出信號vout-。
再者，電晶體T2的閘極為差動放大器電路600的第二信號輸入端並接收負輸入信號vin-；電晶體T2的汲極與電壓源Vdd之間連接第二主動式電感器620；且電晶體T2的源極連接至電晶體T1的源極。再者，電晶體T2的汲極為差動放大器電路600的第二信號輸出端並產生正輸出信號vout+。
第一主動式電感器610包括：電晶體M1、電晶體M2、電阻R1、電阻R2、電容器C1與偏壓電流源Ib2。其中，主動式電感器610具有第一端a1連接至電壓源Vdd，具有第二端b1連接至差動放大器電路600的第一信號輸出端。另外，第一主動式電感器610中各元件之間的連接關係與第4B圖相同，不再贅述。
同理，第二主動式電感器620包括：電晶體M3、電晶體M4、電阻R3、電阻R4、電容器C2與偏壓電流源Ib3。其中，主動式電感器620具有第一端a2連接至電壓源Vdd，具有第二端b2連接至差動放大器電路600的第二信號輸出端。另外，第二主動式電感器620中各元件之間的連接關係與第4B圖相同，不再贅述。
如第6B圖中差動放大器電路600的頻率特性曲線可知，在轉折頻率(corner frequency)處的增益(gain)會升高。因此，確定差動放大器電路600中具有一電感性負載，可用來增加差動放大器電路的頻寬。
因此，本發明之優點在於提出一種全新結構的主動式電感器作為電感性負載，並運用於放大器電路中以增加放大器電路的頻寬。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者 為準。
410‧‧‧主動式電感器

Claims (7)

  1. 一種主動式電感器，包括：一第一電晶體，該第一電晶體的源極為該主動式電感器的一第一端，並連接至一第一電壓源；一電容器，具有一第一端連接至該第一電晶體的源極，具有一第二端連接至該第一電晶體的閘極；一第二電晶體，該第二電晶體的汲極連接至該第一電晶體的源極，該第二電晶體的閘極連接至該第一電晶體的汲極；一第一電阻，具有一第一端連接至該第一電晶體的汲極，具有一第二端作為該主動式電感器的一第二端；一第二電阻，具有一第一端連接至該第二電晶體的源極，具有一第二端連接至該第一電晶體的閘極；以及一偏壓電流源，具有一第一端連接至該第二電阻的該第二端，具有一第二端連接至一第二電壓源。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之主動式電感器，其中該第一第一電晶體為一P型電晶體，且該第二電晶體為一N型電晶體。
  3. 一種放大器電路，包括：一第一電晶體，該第一電晶體的閘極接收一第一輸入信號，該第一電晶體的汲極產生一第一輸出信號；一第一主動式電感器，連接於一第一電壓源與該第一電晶體的汲極之間；以及一第一偏壓電流源，連接於一第二電壓源與該第一電晶體的源極之間；其中，該第一主動式電感器包括：一第二電晶體，該第二電晶體的源極連接至該第一電壓源；一第一電容器，具有一第一端連接至該第二電晶體的源極，具有一第二端連接至該第二電晶體的閘極；一第三電晶體，該第三電晶體的汲極連接至該第二電晶 體的源極，該第三電晶體的閘極連接至該第二電晶體的汲極；一第一電阻，具有一第一端連接至該第二電晶體的汲極，具有一第二端連接至該第一電晶體的汲極；一第二電阻，具有一第一端連接至該第三電晶體的源極，具有一第二端連接至該第二電晶體的閘極；以及一第二偏壓電流源，具有一第一端連接至該第二電阻的該第二端，具有一第二端連接至該第二電壓源。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之放大器電路，其中該第一第二電晶體為一P型電晶體，且該第三電晶體為一N型電晶體。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之放大器電路，更包括：一第四電晶體，該第四電晶體的閘極接收一第二輸入信號，該第四電晶體的汲極產生一第二輸出信號，該第四電晶體的源極極連接至該第一電晶體的源極；以及一第二主動式電感器，連接於該第一電壓源與該第四電晶體的汲極之間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之放大器電路，其中該第二主動式電感器包括：一第五電晶體，該第五電晶體的源極連接至該第一電壓源；一第二電容器，具有一第一端連接至該第五電晶體的源極，具有一第二端連接至該第五電晶體的閘極；一第六電晶體，該第六電晶體的汲極連接至該第五電晶體的源極，該第六電晶體的閘極連接至該第五電晶體的汲極；一第三電阻，具有一第一端連接至該第五電晶體的汲極，具有一第二端連接至該第四電晶體的汲極；一第四電阻，具有一第一端連接至該第六電晶體的源極，具有一第二端連接至該第五電晶體的閘極；以及一第三偏壓電流源，具有一第一端連接至該第四電阻的該第二端，具有一第二端連接至該第二電壓源。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之放大器電路，其中該第一第五電晶體為一P型電晶體，且該第六電晶體為一N型電晶體。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11568923B1 (en) * 2021-06-21 2023-01-31 Cadence Design Systems, Inc. CMOS active inductor circuit for amplifier

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6515560B1 (en) * 2000-02-21 2003-02-04 Sharp Kabushiki Kaisha Active inductor
US6825722B2 (en) * 2002-03-29 2004-11-30 Kawasaki Microelectronics, Inc. Mixer and differential amplifier having bandpass frequency selectivity
US7049888B2 (en) * 2003-05-15 2006-05-23 Nec Electronics Corporation Active inductance circuit and differential amplifier circuit
US7253707B2 (en) * 2005-02-02 2007-08-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Tunable active inductor
US20140028416A1 (en) * 2012-07-27 2014-01-30 Lsi Corporation Low-Voltage Active Inductor

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7199685B2 (en) * 2004-08-30 2007-04-03 Agere Systems Inc. Three-terminal, tunable active inductor
US8115575B2 (en) * 2008-08-14 2012-02-14 International Business Machines Corporation Active inductor for ASIC application

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6515560B1 (en) * 2000-02-21 2003-02-04 Sharp Kabushiki Kaisha Active inductor
US6825722B2 (en) * 2002-03-29 2004-11-30 Kawasaki Microelectronics, Inc. Mixer and differential amplifier having bandpass frequency selectivity
US7049888B2 (en) * 2003-05-15 2006-05-23 Nec Electronics Corporation Active inductance circuit and differential amplifier circuit
US7253707B2 (en) * 2005-02-02 2007-08-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Tunable active inductor
US20140028416A1 (en) * 2012-07-27 2014-01-30 Lsi Corporation Low-Voltage Active Inductor

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