JP2007074121A - 増幅器及び相互コンダクタンス制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 複数のトランジスタを含む所定の回路と、複数のトランジスタの相互コンダクタンスが一定となるように動作点を制御するバイアス電圧を所定の回路に出力するバイアス回路と、バイアス電圧に基づいて複数のトランジスタのうち使用するトランジスタ数を制御する信号を所定の回路に出力する選択回路とを備えるように構成する。
【選択図】 図3
Description
(付記1) ゲートが共通に接続された複数の第1のトランジスタを含む増幅回路と、
複数の第2のトランジスタが接続され、該複数の第1のトランジスタのゲートにバイアス電圧を出力するバイアス回路と、
該バイアス電圧に基づいて該増幅回路に接続する第1のトランジスタの数及び該バイアス回路に接続する第2のトランジスタの個数を同時に制御する選択回路とを備えたことを特徴とする増幅器。
(付記2) 該バイアス回路は、該増幅回路の第1のトランジスタと同じ数の第2のトランジスタを含むことを特徴とする付記1記載の増幅器。
(付記3) 該選択回路は、該第1のトランジスタの相互コンダクタンスが所定値より低く、且つ、該バイアス電圧が所定電圧より大きいと、接続する第1及び第2のトランジスタの数を増加させるように制御することを特徴とする付記1記載の増幅器。
(付記4) 該選択回路は、該第1のトランジスタの相互コンダクタンスが第1の値より高く、且つ、該バイアス電圧が第1の閾値電圧以下になると、該相互コンダクタンスを減少させるために該接続する第1及び第2のトランジスタの数を減少させるように制御すると共に、該相互コンダクタンスが所定値より低く、且つ、該バイアス電圧が第2の閾値電圧以上になると、該相互コンダクタンスを増加させるために該接続する第1及び第2のトランジスタの数を増加させるように制御することを特徴とする付記1記載の増幅器。
(付記5) 該選択回路は、該使用する第1のトランジスタの使用領域での相互コンダクタンスが所定値より高くなるように制御することを特徴とする付記1記載の増幅器。
(付記6) 該増幅回路及びバイアス回路は、該選択回路からの信号に基づいて該第1及び該第2のトランジスタの接続を複数のスイッチにより制御することを特徴とする付記1〜5のいずれか1項に記載の増幅器。
(付記7) ゲートが共通に接続された複数の第1のトランジスタを含む所定の回路と、
複数の第2のトランジスタが接続され、該複数の第1のトランジスタのゲートにバイアス電圧を出力するバイアス回路と、
該バイアス電圧に基づいて該所定の回路に接続する第1のトランジスタの数及び該バイアス回路に接続する第2のトランジスタの個数を同時に制御する選択回路とを備え、
該所定の回路は、増幅回路、リミッタ回路及びミキサ回路のうち少なくとも1つの回路を含むことを特徴とする装置。
(付記8) 複数のトランジスタを含む増幅回路にバイアス電圧を出力することで該複数のトランジスタの相互コンダクタンスが一定となるように動作点を制御する制御ステップと、
該バイアス電圧に基づいて該複数のトランジスタのうち使用するトランジスタ数を制御する信号を増幅回路に出力する選択ステップとを含むことを特徴とする相互コンダクタンス制御方法。
(付記9) 該選択ステップは、該相互コンダクタンスが第1の値より高く、且つ、該バイアス電圧が第1の閾値電圧以下になると、該相互コンダクタンスを減少させるために該使用するトランジスタの数を減少させるように該所定の回路を制御すると共に、該相互コンダクタンスが所定値より低く、且つ、該バイアス電圧が第2の閾値電圧以上になると、該相互コンダクタンスを増加させるために該使用するトランジスタの数を増加させるように該増幅回路を制御することを特徴とする付記8記載の相互コンダクタンス制御方法。
(付記10) 該選択ステップは、該使用するトランジスタの使用領域での相互コンダクタンスが所定値より高くなるように該増幅回路を制御することを特徴とする付記8記載の相互コンダクタンス制御方法。
(付記11) 複数のトランジスタを含む所定の回路にバイアス電圧を出力することで該複数のトランジスタの相互コンダクタンスが一定となるように動作点を制御する制御ステップと、
該バイアス電圧に基づいて該複数のトランジスタのうち使用するトランジスタ数を制御する信号を所定の回路に出力する選択ステップとを含み、
該所定の回路は、増幅回路、リミッタ回路及びミキサ回路のうち少なくとも1つの回路を含むことを特徴とする相互コンダクタンス制御方法。
12,22,32,42,52 Gm補償バイアス回路
13,23 増幅回路
14,24,34,44,54 選択回路
31 リミッタ
33 リミッタ回路
41 ミキサ
43 ミキサ回路
Claims (9)
- ゲートが共通に接続された複数の第1のトランジスタを含む増幅回路と、
複数の第2のトランジスタが接続され、該複数の第1のトランジスタのゲートにバイアス電圧を出力するバイアス回路と、
該バイアス電圧に基づいて該増幅回路に接続する第1のトランジスタの数及び該バイアス回路に接続する第2のトランジスタの個数を同時に制御する選択回路とを備えたことを特徴とする増幅器。 - 該バイアス回路は、該増幅回路の第1のトランジスタと同じ数の第2のトランジスタを含むことを特徴とする請求項1記載の増幅器。
- 該選択回路は、該第1のトランジスタの相互コンダクタンスが所定値より低く、且つ、該バイアス電圧が所定電圧より大きいと、接続する第1及び第2のトランジスタの数を増加させるように制御することを特徴とする請求項1記載の増幅器。
- 該選択回路は、該第1のトランジスタの相互コンダクタンスが第1の値より高く、且つ、該バイアス電圧が第1の閾値電圧以下になると、該相互コンダクタンスを減少させるために該接続する第1及び第2のトランジスタの数を減少させるように制御すると共に、該相互コンダクタンスが所定値より低く、且つ、該バイアス電圧が第2の閾値電圧以上になると、該相互コンダクタンスを増加させるために該接続する第1及び第2のトランジスタの数を増加させるように制御することを特徴とする請求項1記載の増幅器。
- 該選択回路は、該使用する第1のトランジスタの使用領域での相互コンダクタンスが所定値より高くなるように制御することを特徴とする請求項1記載の増幅器。
- 該増幅回路及びバイアス回路は、該選択回路からの信号に基づいて該第1及び該第2のトランジスタの接続を複数のスイッチにより制御することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の増幅器。
- 複数のトランジスタを含む増幅回路にバイアス電圧を出力することで該複数のトランジスタの相互コンダクタンスが一定となるように動作点を制御する制御ステップと、
該バイアス電圧に基づいて該複数のトランジスタのうち使用するトランジスタ数を制御する信号を該増幅回路に出力する選択ステップとを含むことを特徴とする相互コンダクタンス制御方法。 - 該選択ステップは、該相互コンダクタンスが第1の値より高く、且つ、該バイアス電圧が第1の閾値電圧以下になると、該相互コンダクタンスを減少させるために該使用するトランジスタの数を減少させるように該所定の回路を制御すると共に、該相互コンダクタンスが所定値より低く、且つ、該バイアス電圧が第2の閾値電圧以上になると、該相互コンダクタンスを増加させるために該使用するトランジスタの数を増加させるように該増幅回路を制御することを特徴とする請求項7記載の相互コンダクタンス制御方法。
- 該選択ステップは、該使用するトランジスタの使用領域での相互コンダクタンスが所定値より高くなるように該増幅回路を制御することを特徴とする請求項7記載の相互コンダクタンス制御方法。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009105840A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Fujitsu Ltd | 半導体回路装置 |
JP2009171251A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Sharp Corp | 可変利得増幅器 |
JP2011502429A (ja) * | 2007-10-30 | 2011-01-20 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 調整可能なサイズを有する局部発振器バッファ及びミキサ |
JP2012521670A (ja) * | 2009-03-19 | 2012-09-13 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 保護回路を有するカスコード増幅器 |
US8599938B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-12-03 | Qualcomm Incorporated | Linear and polar dual mode transmitter circuit |
US8639205B2 (en) | 2008-03-20 | 2014-01-28 | Qualcomm Incorporated | Reduced power-consumption receivers |
US8929840B2 (en) | 2007-09-14 | 2015-01-06 | Qualcomm Incorporated | Local oscillator buffer and mixer having adjustable size |
CN104716910A (zh) * | 2013-12-16 | 2015-06-17 | 三菱电机株式会社 | 共射共基放大器 |
JP2022520673A (ja) * | 2019-02-07 | 2022-03-31 | チュービス テクノロジー インコーポレイテッド | Rf増幅器の定利得および自己較正技法 |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7969244B2 (en) * | 2008-07-15 | 2011-06-28 | General Electric Company | System and method for reducing flicker noise from CMOS amplifiers |
US9397564B2 (en) * | 2012-09-27 | 2016-07-19 | Texas Instruments Incorporated | DC-DC switching regulator with transconductance boosting |
US10158330B1 (en) | 2017-07-17 | 2018-12-18 | Qorvo Us, Inc. | Multi-mode envelope tracking amplifier circuit |
US10680559B2 (en) | 2017-10-06 | 2020-06-09 | Qorvo Us, Inc. | Envelope tracking system for transmitting a wide modulation bandwidth signal(s) |
US10637408B2 (en) | 2018-01-18 | 2020-04-28 | Qorvo Us, Inc. | Envelope tracking voltage tracker circuit and related power management circuit |
US10742170B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-08-11 | Qorvo Us, Inc. | Envelope tracking circuit and related power amplifier system |
US10944365B2 (en) | 2018-06-28 | 2021-03-09 | Qorvo Us, Inc. | Envelope tracking amplifier circuit |
US11088618B2 (en) | 2018-09-05 | 2021-08-10 | Qorvo Us, Inc. | PWM DC-DC converter with linear voltage regulator for DC assist |
US10911001B2 (en) | 2018-10-02 | 2021-02-02 | Qorvo Us, Inc. | Envelope tracking amplifier circuit |
US10938351B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-03-02 | Qorvo Us, Inc. | Envelope tracking system |
US11018638B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-05-25 | Qorvo Us, Inc. | Multimode envelope tracking circuit and related apparatus |
US10985702B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-04-20 | Qorvo Us, Inc. | Envelope tracking system |
US10680556B2 (en) * | 2018-11-05 | 2020-06-09 | Qorvo Us, Inc. | Radio frequency front-end circuit |
US11031909B2 (en) | 2018-12-04 | 2021-06-08 | Qorvo Us, Inc. | Group delay optimization circuit and related apparatus |
US11082007B2 (en) | 2018-12-19 | 2021-08-03 | Qorvo Us, Inc. | Envelope tracking integrated circuit and related apparatus |
US11146213B2 (en) | 2019-01-15 | 2021-10-12 | Qorvo Us, Inc. | Multi-radio access technology envelope tracking amplifier apparatus |
US10998859B2 (en) | 2019-02-07 | 2021-05-04 | Qorvo Us, Inc. | Dual-input envelope tracking integrated circuit and related apparatus |
US11025458B2 (en) | 2019-02-07 | 2021-06-01 | Qorvo Us, Inc. | Adaptive frequency equalizer for wide modulation bandwidth envelope tracking |
US11233481B2 (en) | 2019-02-18 | 2022-01-25 | Qorvo Us, Inc. | Modulated power apparatus |
US11374482B2 (en) | 2019-04-02 | 2022-06-28 | Qorvo Us, Inc. | Dual-modulation power management circuit |
US11082009B2 (en) | 2019-04-12 | 2021-08-03 | Qorvo Us, Inc. | Envelope tracking power amplifier apparatus |
US11018627B2 (en) | 2019-04-17 | 2021-05-25 | Qorvo Us, Inc. | Multi-bandwidth envelope tracking integrated circuit and related apparatus |
US11424719B2 (en) | 2019-04-18 | 2022-08-23 | Qorvo Us, Inc. | Multi-bandwidth envelope tracking integrated circuit |
US11031911B2 (en) | 2019-05-02 | 2021-06-08 | Qorvo Us, Inc. | Envelope tracking integrated circuit and related apparatus |
US11349436B2 (en) | 2019-05-30 | 2022-05-31 | Qorvo Us, Inc. | Envelope tracking integrated circuit |
US11539289B2 (en) | 2019-08-02 | 2022-12-27 | Qorvo Us, Inc. | Multi-level charge pump circuit |
US11309922B2 (en) | 2019-12-13 | 2022-04-19 | Qorvo Us, Inc. | Multi-mode power management integrated circuit in a small formfactor wireless apparatus |
US11349513B2 (en) | 2019-12-20 | 2022-05-31 | Qorvo Us, Inc. | Envelope tracking system |
US11539330B2 (en) | 2020-01-17 | 2022-12-27 | Qorvo Us, Inc. | Envelope tracking integrated circuit supporting multiple types of power amplifiers |
US11716057B2 (en) | 2020-01-28 | 2023-08-01 | Qorvo Us, Inc. | Envelope tracking circuitry |
US11728774B2 (en) | 2020-02-26 | 2023-08-15 | Qorvo Us, Inc. | Average power tracking power management integrated circuit |
US11196392B2 (en) | 2020-03-30 | 2021-12-07 | Qorvo Us, Inc. | Device and device protection system |
US11588449B2 (en) | 2020-09-25 | 2023-02-21 | Qorvo Us, Inc. | Envelope tracking power amplifier apparatus |
US11728796B2 (en) | 2020-10-14 | 2023-08-15 | Qorvo Us, Inc. | Inverted group delay circuit |
US11909385B2 (en) | 2020-10-19 | 2024-02-20 | Qorvo Us, Inc. | Fast-switching power management circuit and related apparatus |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004266309A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 可変利得増幅回路及び無線通信装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3324522B2 (ja) | 1998-09-16 | 2002-09-17 | 日本電気株式会社 | 可変利得増幅回路及び利得制御方法 |
JP2003188653A (ja) | 2001-12-20 | 2003-07-04 | Hitachi Ltd | 無線通信用電子部品および通信用半導体集積回路 |
US6987422B2 (en) * | 2003-05-15 | 2006-01-17 | Agilent Technologies, Inc. | Equal phase multiple gain state amplifier |
-
2005
- 2005-09-05 JP JP2005256586A patent/JP2007074121A/ja active Pending
- 2005-11-23 US US11/285,111 patent/US7339435B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004266309A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 可変利得増幅回路及び無線通信装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8599938B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-12-03 | Qualcomm Incorporated | Linear and polar dual mode transmitter circuit |
US8929840B2 (en) | 2007-09-14 | 2015-01-06 | Qualcomm Incorporated | Local oscillator buffer and mixer having adjustable size |
JP2009105840A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Fujitsu Ltd | 半導体回路装置 |
JP2011502429A (ja) * | 2007-10-30 | 2011-01-20 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 調整可能なサイズを有する局部発振器バッファ及びミキサ |
JP2009171251A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Sharp Corp | 可変利得増幅器 |
US8639205B2 (en) | 2008-03-20 | 2014-01-28 | Qualcomm Incorporated | Reduced power-consumption receivers |
JP2012521670A (ja) * | 2009-03-19 | 2012-09-13 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 保護回路を有するカスコード増幅器 |
CN104716910A (zh) * | 2013-12-16 | 2015-06-17 | 三菱电机株式会社 | 共射共基放大器 |
JP2022520673A (ja) * | 2019-02-07 | 2022-03-31 | チュービス テクノロジー インコーポレイテッド | Rf増幅器の定利得および自己較正技法 |
JP7268204B2 (ja) | 2019-02-07 | 2023-05-02 | チュービス テクノロジー インコーポレイテッド | Rf増幅器の定利得および自己較正技法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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