JP2008219527A - アナログスイッチ - Google Patents
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Abstract
【課題】アナログスイッチのオフ時のリーク電流を減らすことである。
【解決手段】アナログスイッチ31の第1の入力端子T1と第1の出力端子T2との間にnチャネルMOSトランジスタTR31が接続され、第1の入力端子T1と第2の出力端子T4との間にnチャネルMOSトランジスタTR32が接続されている。また、第2の入力端子T3と第2の出力端子との間にnチャネルMOSトランジスタTR33が接続され、第2の入力端子T3と第1の出力端子T2とのnチャネルMOSトランジスタTR34が接続されている。MOSトランジスタTR32とTR34のゲートは接地されている。
【選択図】図1
【解決手段】アナログスイッチ31の第1の入力端子T1と第1の出力端子T2との間にnチャネルMOSトランジスタTR31が接続され、第1の入力端子T1と第2の出力端子T4との間にnチャネルMOSトランジスタTR32が接続されている。また、第2の入力端子T3と第2の出力端子との間にnチャネルMOSトランジスタTR33が接続され、第2の入力端子T3と第1の出力端子T2とのnチャネルMOSトランジスタTR34が接続されている。MOSトランジスタTR32とTR34のゲートは接地されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体集積回路上に形成されるアナログスイッチに関する。
半導体集積回路上の信号線を伝送されるアナログ信号を通過または阻止するためにアナログスイッチが用いられる。半導体集積回路の微細化と共にMOSトランジスタのオフ時のリーク電流が増加し、大きなオフ抵抗を実現することが難しくなってきている。アナログスイッチのオフ時のリーク電流が増加すると、後段の増幅器で信号の歪みが増加してしまう。
図8は、アナログスイッチで抵抗値を切り換えることで増幅度を制御する差動増幅回路11を示している。
差動増幅器12の反転入力端子には、抵抗R1〜Rnとアナログスイッチとして機能するnチャネルMOSトランジスタTR1〜TRnが直列に接続され、反転入力端子と出力端子との間には帰還抵抗R0が接続されている。非反転入力端子には基準電圧が印加されている。nチャネルMOSトランジスタTR1〜TRnのゲートには制御信号S1〜Snが印加され、それらの制御信号S1〜Snによりアナログスイッチのオン、オフが制御される。
差動増幅器12の反転入力端子には、抵抗R1〜Rnとアナログスイッチとして機能するnチャネルMOSトランジスタTR1〜TRnが直列に接続され、反転入力端子と出力端子との間には帰還抵抗R0が接続されている。非反転入力端子には基準電圧が印加されている。nチャネルMOSトランジスタTR1〜TRnのゲートには制御信号S1〜Snが印加され、それらの制御信号S1〜Snによりアナログスイッチのオン、オフが制御される。
上記の差動増幅回路11は、アナログスイッチのオフ時のリーク電流が大きく、アナログスイッチのオフ抵抗が小さいと、オフ時に入力信号がアナログスイッチを通って反転入力端子に入力して増幅され、信号の歪みが大きくなるという問題点があった。
アナログスイッチのオフ時のリーク電流を低減するために、図9に示すようなT-Switchが提案されている。
このアナログスイッチ(T−Switch)21は、信号経路に直列に接続された2個のnチャネルMOSトランジスタTR11、TR12と、ソースが電圧VDD/2に接続され、ドレインがMOSトランジスタTR11とTR12の接続点に接続されたpチャネルMOSトランジスタTR13とからなる。それぞれのMOSトランジスタTR11、TR12、TR13のゲートには共通の制御信号が与えられている。
このアナログスイッチ(T−Switch)21は、信号経路に直列に接続された2個のnチャネルMOSトランジスタTR11、TR12と、ソースが電圧VDD/2に接続され、ドレインがMOSトランジスタTR11とTR12の接続点に接続されたpチャネルMOSトランジスタTR13とからなる。それぞれのMOSトランジスタTR11、TR12、TR13のゲートには共通の制御信号が与えられている。
このアナログスイッチ21は、オフ時のリーク電流は、図9に矢印で示す方向に流れるので出力端子から出力されるリーク電流を減らすことができる。
しかしながら、上記のアナログスイッチ21は信号経路にMOSトランジスタが2個直列に接続された構造となるので、アナログスイッチ21がオンしたときのオン抵抗が2倍になってしまう。オン抵抗を減らすためには、MOSトランジスタを並列に接続する必要があり、信号経路に4個のMOSトランジスタが必要となるのでデバイス面積が増大するという問題点があった。
しかしながら、上記のアナログスイッチ21は信号経路にMOSトランジスタが2個直列に接続された構造となるので、アナログスイッチ21がオンしたときのオン抵抗が2倍になってしまう。オン抵抗を減らすためには、MOSトランジスタを並列に接続する必要があり、信号経路に4個のMOSトランジスタが必要となるのでデバイス面積が増大するという問題点があった。
特許文献1には、アナログスイッチのオン時とオフ時の出力のDCレベルを等しくすることで出力信号から制御信号成分を除去することが記載されている。
特開昭62−281613号公報
本発明の課題は、アナログスイッチのオフ時のリーク電流を減らすことである。
本発明は、差動信号の第1の信号と前記第1の信号の反転信号である第2の信号を通過または阻止するアナログスイッチであって、前記第1の信号が入力する第1の入力端子と前記第1の信号が出力される第1の出力端子との間にドレインとソースが接続され、ゲートに与えられる制御信号によりオン、オフする第1のトランジスタと、前記第1の入力端子と前記第2の信号が出力される第2の出力端子との間にドレインとソースが接続され、ゲートが接地または電源電圧に接続された第2のトランジスタと、前記第2の信号が入力する第2の入力端子と前記第2の出力端子との間にドレインとソースが接続され、ゲートに与えられる制御信号によりオン、オフする第3のトランジスタと、前記第2の入力端子と前記第1の出力端子との間にドレインとソースが接続され、ゲートが接地または電源電圧に接続された第4のトランジスタからなる。
この発明によれば、アナログスイッチの第1及び第2の出力端子には同相のリーク電流のみ存在し、差動のリーク電流は存在しない。これにより、差動増幅器で第1と第2の出力端子間の差動電圧のみ増幅することで、同相のリーク電流を減衰させることが出来るため、差動信号の歪みは少なくなる。
上記の発明のアナログスイッチにおいて、前記第1、第2、第3及び第4のトランジスタはnチャネルMOSトランジスタであり、前記第2のトランジスタのゲートが接地され、前記第4のトランジスタのゲートが接地されている。
このように構成することでnチャネルMOSトランジスタを用いてオフ時のリーク電流を減らすことができる。
上記の発明のアナログスイッチにおいて、前記第1、第2、第3及び第4のトランジスタはpチャネルMOSトランジスタであり、前記第2のトランジスタのゲートは電源電圧に接続され、前記第4のトランジスタのゲートは電源電圧に接続されている。
上記の発明のアナログスイッチにおいて、前記第1、第2、第3及び第4のトランジスタはpチャネルMOSトランジスタであり、前記第2のトランジスタのゲートは電源電圧に接続され、前記第4のトランジスタのゲートは電源電圧に接続されている。
このように構成することでpチャネルMOSトランジスタを用いてオフ時のリーク電流を減らすことができる。
上記の発明のアナログスイッチにおいて、前記第1、第2、第3及び第4のトランジスタは、nチャネルMOSトランジスタであり、前記第1のトランジスタのドレインは前記第1の入力端子に接続され、ソースは前記第1の出力端子に接続され、前記第2のトランジスタのドレインは前記第1の入力端子に接続され、ソースは前記第2の出力端子に接続され、ゲートが接地され、前記第3のトランジスタのドレインは前記第2の入力端子に接続され、ソースは前記第2の出力端子に接続され、前記第4のトランジスタのドレインは前記第2の入力端子に接続され、ソースは前記第1の出力端子に接続され、ゲートが接地されている。
上記の発明のアナログスイッチにおいて、前記第1、第2、第3及び第4のトランジスタは、nチャネルMOSトランジスタであり、前記第1のトランジスタのドレインは前記第1の入力端子に接続され、ソースは前記第1の出力端子に接続され、前記第2のトランジスタのドレインは前記第1の入力端子に接続され、ソースは前記第2の出力端子に接続され、ゲートが接地され、前記第3のトランジスタのドレインは前記第2の入力端子に接続され、ソースは前記第2の出力端子に接続され、前記第4のトランジスタのドレインは前記第2の入力端子に接続され、ソースは前記第1の出力端子に接続され、ゲートが接地されている。
このように構成することでnチャネルMOSトランジスタを用いてリーク電流の少ないアナログスイッチを実現できる。
本発明によれば、アナログスイッチのオフ時のリーク電流を減らすことができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は、第1の実施の形態のアナログスイッチ31の回路図である。このアナログスイッチ31はMOS集積回路等に形成される。
アナログスイッチ31は、4個のnチャネルMOSトランジスタTR31〜TR34か
らなり、制御信号S1によりMOSトランジスタTR31とTR34がオン、オフ制御されて入力信号が通過または阻止される。
らなり、制御信号S1によりMOSトランジスタTR31とTR34がオン、オフ制御されて入力信号が通過または阻止される。
アナログスイッチ31の第1の入力端子T1は、差動信号の一方の入力信号INPが入力する信号線に接続され、第2の入力端子T3は、入力信号INPを反転した反転信号INMが入力する信号線に接続される。アナログスイッチ31がオンのとき、第1の入力信号INPが第1の出力端子T2から出力信号OUTPとして出力され、第2の入力信号INMが第2の出力端子T4から出力信号OUTMとして出力される。
第1の入力端子T1、第1の出力端子T2、第2の入力端子T3、第2の出力端子T4は、アナログスイッチ31に差動信号が入力する点、または差動信号が出力される点を仮想的に定めたものであり、半導体集積回路上に端子が存在する分けではない。
図1において、nチャネルMOSトランジスタ31(第1のトランジスタに対応する)は、ドレインが入力信号INPが入力する第1の入力端子T1に接続され、ソースが出力端子T2に接続され、ゲートに制御信号S1が与えられる。
nチャネルMOSトランジスタTR32(第2のトランジスタに対応する)のドレインは、MOSトランジスタTR31のドレイン(第1の入力端子に接続されている)に接続され、ソースはnチャネルMOSトランジスタTR33のソース(第2の出力端子に接続されている)に接続され、ゲートが接地されている。
nチャネルMOSトランジスタTR33(第3のトランジスタに対応する)のドレインは、反転信号INMが入力する第2の入力端子T3に接続され、ソースが第2の出力端子T4に接続され、ゲートに制御信号S1が与えられる。
nチャネルMOSトランジスタTR34(第4のトランジスタに対応する)のドレインはMOSトランジスタTR33のドレイン(第2の出力端子に接続されている)に接続され、ソースはMOSトランジスタTR31のソース(第1の出力端子に接続されている)に接続され、ゲートが接地されている。
次に、アナログスイッチ31の動作を、図2(A)、(B)を参照して説明する。図2(A)は、アナログスイッチ31がオン状態のときの動作説明図、図2(B)は、アナログスイッチ31がオフ状態のときの動作説明図である。
制御信号S1がnチャネルMOSトランジスタのゲートの閾値電圧以上のとき、MOSトランジスタTR31とTR33がオン状態となる。MOSトランジスタTR32とTR34のゲートは接地されているので、MOSトランジスタTR32とTR34は、常にオフ状態になっている。このとき、MOSトランジスタTR31には、図2(A)に示すように入力信号INPに応じて電流Ia1が流れ、MOSトランジスタTR33には、反転信号INMに応じて電流Ia2が流れる。
制御信号S1が閾値電圧未満になると、MOSトランジスタTR31、TR33がオフ状態となる。
差動信号の入力信号INPに関するリーク電流について考えてみると、オフ時には、MOSトランジスタTR31には、図2(B)に示すように、入力信号INPによるリーク電流Ib1が流れる。同時に、MOSトランジスタTR32には、入力信号INPによるリーク電流Ib2が流れる。リーク電流Ib1は第1の出力端子T2に流れ込み、リーク電流Ib2は第2の出力端子T4に流れ込む。MOSトランジスタTR31とTR32を同じデバイスサイズで、同じ特性が得られるように設計することで、両者のオフ時のリー
ク電流はほぼ同じ大きさになる。
差動信号の入力信号INPに関するリーク電流について考えてみると、オフ時には、MOSトランジスタTR31には、図2(B)に示すように、入力信号INPによるリーク電流Ib1が流れる。同時に、MOSトランジスタTR32には、入力信号INPによるリーク電流Ib2が流れる。リーク電流Ib1は第1の出力端子T2に流れ込み、リーク電流Ib2は第2の出力端子T4に流れ込む。MOSトランジスタTR31とTR32を同じデバイスサイズで、同じ特性が得られるように設計することで、両者のオフ時のリー
ク電流はほぼ同じ大きさになる。
従って、出力端子T2と出力端子T4には、入力信号INPと同相で、同じ大きさのリーク電流が流れることになるので、出力端子T2の出力電圧と出力端子T4の出力電圧を差動増幅器で増幅して両者の差電圧を得ることで、リーク電流の同相成分を除去することができる。
反転信号INMのリーク電流も同様であり、MOSトランジスタTR33から、図2(B)に示すように、反転信号INMによるリーク電流Ic1が第2の出力端子T4に向かって流れる。同時に、MOSトランジスタTR34から、反転信号INMによるリーク電流Ic2が第1の出力端子T2に向かって流れる。MOSトランジスタTR33とTR34は同じデバイスサイズで、同じ特性が得られるように設計することで、両者のオフ時のリーク電流はほぼ同じ大きさになる。
従って、出力端子T2と出力端子T4には、反転信号INMと同相で、同じ大きさのリーク電流が流れることになるので、出力端子T2の出力電圧と出力端子T4の出力電圧を差動増幅器で増幅し、両者の差電圧を得ることでリーク電流の同相成分を除去することができる。
次に、図3は、第1の実施の形態のアナログスイッチ31を用いた差増増幅回路35の一例を示す図である。
この差動増幅回路35は、差動増幅器37と、n個のアナログスイッチ36a〜36nと、2×n個の抵抗R1〜Rnと、2個の帰還抵抗R0とからなる。
この差動増幅回路35は、差動増幅器37と、n個のアナログスイッチ36a〜36nと、2×n個の抵抗R1〜Rnと、2個の帰還抵抗R0とからなる。
アナログスイッチ36a〜36nは、図1のアナログスイッチ31と同じ回路構成を有し、入力側には抵抗R1〜Rnが接続され、出力側は差動増幅器37の反転入力端子と非反転入力端子に接続されている。帰還抵抗R0は、差動増幅器37の差動出力端子と、反転入力端子及び非反転入力端子との間に接続されている。
アナログスイッチ36aのnチャネルMOSトランジスタTR31aのドレインには、差動入力電圧VIPが抵抗R1を介して入力し、ゲートにはアナログスイッチ36aをオン、オフさせる制御信号S1が与えられ、ソースは反転入力端子に接続されている。アナログスイッチ36aがオンのとき、入力電圧VIPが差動増幅器37の反転入力端子に出力される。
MOSトランジスタTR32aのドレインはMOSトランジスタTR31aのドレインに接続され、ソースはMOSトランジスタTR33のソース(非反転端子に接続される)に接続されている。MOSトランジスタTR32aのゲートは接地されており、MOSトランジスタTR32aは常時オフ状態になっている。
MOSトランジスタTR33aのドレインには、差動入力電圧VIPの反転電圧VINが抵抗R1を介して与えられ、その入力電圧VIPがソースから非反転入力端子に出力される。MOSトランジスタTR33aのゲートには制御信号S1が与えられている。
MOSトランジスタTR34aのドレインは、MOSトランジスタTR33aのドレインに接続され、ソースはMOSトランジスタTR31aのソース(反転入力端子に接続されている)に接続されている。MOSトランジスタTR34aのゲートは接地されており、MOSトランジスタTR34aは常時オフ状態になっている。
n個目のアナログスイッチ36nも4個のnチャネルMOSトランジスタTR31n、
TR32n、TR33n、TR34nが、アナログスイッチ36aと同様に接続されている。
TR32n、TR33n、TR34nが、アナログスイッチ36aと同様に接続されている。
上記の差動増幅回路35は、制御信号S1〜Snを変化させて増幅度を変化させるときに、入力信号の差動成分のみ増幅され、同相信号は減衰する。先に述べたように、実施の形態のアナログスイッチのオフリーク電流は全て同相成分となるため、アナログスイッチ31で発生する同相リーク電流は減衰され、差動信号のひずみを減らすことができる。
上述した第1の実施の形態によれば、第1の入力端子T1と第2の出力端子T4間並びに第2の入力端子T3と第1の出力端子T2間に、ゲートを接地したnチャネルMOSトランジスタTR32とTR34を交差するように接続することで、第1及び第2の出力端子T2及びT4に流れるMOSトランジスタのリーク電流は、同相で同じ大きさのリーク電流となる。
従って、2個の出力端子T2及びT4の出力電圧を差動増幅器で差動増幅して両者の差動電圧をえることで差動成分のみ増幅されるため、同相のリーク電流は減衰する。アナログスイッチ31で発生するリーク電流は同相成分となるため減衰され、差動信号のひずみを減らすことができる。
また、第1の実施の形態のアナログスイッチ31は、通常のオン抵抗を有するMOSトランジスタを1本の信号線について2個(2本の信号線で4個)使用するだけでよいので、従来のT−Switchに比べてデバイス面積を小さくできる。また、信号線に接続するトランジスタサイズを小さくできるので高速動作が要求される回路に用いることができる。
半導体集積回路の微細化が進むにつれてMOSトランジスタのオフ時のリーク電流は増加する傾向にあるが、上述した第1の実施の形態のアナログスイッチ31を用いることで、デバイス面積をそれほど増加せずに、アナログスイッチのオン抵抗を小さく保ち、かつオフ時のリーク電流を抑えることができる。
次に、図4は、第2の実施の形態のアナログスイッチ41の回路図である。第2の実施の形態は、アナログスイッチ41をpチャネルMOSトランジスタで構成した場合の例である。
アナログスイッチ41は、4個のpチャネルMOSトランジスタTR41〜TR44を有し、制御信号S1バー(制御信号S1の反転信号)によりMOSトランジスタTR41とTR44のオン、オフが制御され、入力信号が通過または阻止される。
アナログスイッチ41の第1の入力端子T1には、差動信号の一方の入力信号INPが入力し、アナログスイッチ41がオンのとき、第1の入力信号が第1の出力端子T2から出力信号OUTPとして出力される。アナログスイッチ41の第2の入力端子T3には、入力信号INPの反転信号INMが入力し、その反転信号INMが第2の出力端子T4から出力信号OUTMとして出力される。
図4において、pチャネルMOSトランジスタTR41は、ドレインが入力信号INPが入力する第1の入力端子T1に接続され、ソースが第1の出力端子T2に接続され、ゲートに制御信号S1バーが与えられている。
pチャネルMOSトランジスタTR42のドレインは、MOSトランジスタTR41のドレインに接続され、ソースはpチャネルMOSトランジスタTR33のソースに接続され、ゲートは電源電圧Vddに接続されている。
pチャネルMOSトランジスタTR43のドレインは、反転信号INMが入力する第2の入力端子T3に接続され、ソースは第2の出力端子T4に接続され、ゲートに制御信号S1バーが与えられている。
pチャネルMOSトランジスタTR44のドレインはMOSトランジスタTR43のドレインに接続され、ソースはMOSトランジスタTR41のソースに接続され、ゲートは電源電圧Vddに接続されている。
次に、図4のアナログスイッチ41の動作を説明する。制御信号S1バーがゲートの閾値電圧以上のとき、pチャネルMOSトランジスタTR41とTR43がオン状態となる。MOSトランジスタTR41とTR43がオン状態となると、入力信号INPとその反転信号INMが第1の出力端子T2と第2の出力端子T4からそれぞれ出力される。
他方、制御信号S1バーがゲートの閾値電圧未満となると、pチャネルMOSトランジスタTR41とTR43がオフ状態となる。このとき、pチャネルMOSトランジスタTR42とTR44のゲートは電源電圧Vddに接続されているので、pチャネルMOSトランジスタR42とTR44はオフ状態になっている。
MOSトランジスタTR41がオフのとき、MOSトランジスタTR41のドレイン・ソース間にはオフ時のリーク電流が流れるが、同時にMOSトランジスタTR42にも同じ大きさのリーク電流が流れる。すなわち、MOSトランジスタTR41から第1の出力端子T2に向かってリーク電流が流れるのと同時に、MOSトランジスタTR42から第2の出力端子T4に向かって同相で同じ大きさのリーク電流が流れる。
従って、出力端子T2と出力端子T4には、それぞれ入力信号INPと同相で、同じ大きさのリーク電流が流れ込むことになるので、出力端子T2の出力電圧と出力端子T4の出力電圧を差動増幅器で増幅して両者の差の電圧を得ることで、入力信号INPによるリーク電流の同相成分を除去することができる。
反転信号INMのリーク電流についても同様である。MOSトランジスタTR43がオフ状態のとき、第1の出力端子T4に接続されているMOSトランジスタTR44もオフ状態になっている。MOSトランジスタTR43のオフ時のリーク電流は第2の出力端子T4に流れ込み、MOSトランジスタTR44のリーク電流は第1の出力端子T2に流れ込む。
従って、出力端子T2と出力端子T4には、反転信号INMと同相で、同じ大きさのリーク電流が流れることになるので、出力端子T2の出力電圧と出力端子T4の出力電圧を差動増幅器で増幅して差電圧を得ることでリーク電流の同相成分を除去することができる。
上述した第2の実施の形態によれば、第1の入力端子T1と第2の出力端子T4間並びに第2の入力端子T3と第1の出力端子T2間に、ゲートを電源電圧Vddに接続したpチャネルMOSトランジスタTR42とTR44を交差するように接続することで、第1及び第2の出力端子T2及びT4に同相で、同じ大きさのリーク電流となる。
従って、2個の出力端子T2及びT4の出力電圧を差動増幅器で差動増幅して両者の差動電圧をえることで差動成分のみ増幅されるため、同相のリーク電流は減衰される。MOSトランジスタのリーク電流は全て同相成分となるため、アナログスイッチ31で発生する同相リーク電流は減衰され、差動信号のひずみを減らすことができる。
次に、図5は、第3の実施の形態のアナログスイッチ51の回路図である。この第3の実施の形態は、pチャネルとnチャネルのMOSトランジスタを並列に接続してアナログスイッチを構成した場合の例である。
図5において、nチャネルMOSトランジスタTR31、TR32、TR333及びTR34は、図1のアナログスイッチ31と同じように接続され、ゲートにも同じ電圧が印加されている。pチャネルMOSトランジスタTR41、TR42、TR43及びTR44も図4のアナログスイッチ41と同じように接続され、ゲートにも同じ電圧が印加されている。
ここで、上記のアナログスイッチ51のオフ時の動作を説明する。
最初に入力信号INPのリーク電流について説明する。制御信号S1及び制御信号S1バーがゲートの閾値電圧未満になると、nチャネルMOSトランジスタTR31とpチャネルMOSトランジスタTR41がオフ状態になる(アナログスイッチ51がオフの状態)。このとき、第1の入力端子T1と第2の出力端子T4との間に接続されているnチャネルMOSトランジスタTR32と、pチャネルMOSトランジスタTR42はオフ状態になっている。
最初に入力信号INPのリーク電流について説明する。制御信号S1及び制御信号S1バーがゲートの閾値電圧未満になると、nチャネルMOSトランジスタTR31とpチャネルMOSトランジスタTR41がオフ状態になる(アナログスイッチ51がオフの状態)。このとき、第1の入力端子T1と第2の出力端子T4との間に接続されているnチャネルMOSトランジスタTR32と、pチャネルMOSトランジスタTR42はオフ状態になっている。
オフ時に、MOSトランジスタTR31とTR41のドレイン・ソース間には一定のリーク電流が流れるが、第1の入力端子T1と第2の出力端子T4との間にクロス接続されているMOSトランジスタTR32とTR42のドレイン・ソース間には、上記のリーク電流と同相で、同じ大きさのリーク電流が流れる。
従って、第1の出力端子T2と第2の出力端子T4には、入力信号INPと同相で、同じ大きさのリーク電流が流れ込むことになる。よって、第1の出力端子T2の出力電圧と第2の出力端子T4の出力電圧を差動増幅器で差動増幅して両者の差電圧を得ることで、入力信号INPによるリーク電流の同相成分を除去することができる。
反転信号INMのリーク電流についても同様である。nチャネルMOSトランジスタTR33とpチャネルMOSトランジスタTR43がオフ状態となったとき、第2の入力端子T3と第1の出力端子T4の間をクロスするように接続されているnチャネルMOSトランジスタTR34とpチャネルMOSトランジスタTR44もオフ状態となっている。
オフ時に、nチャネルMOSトランジスタTR33とpチャネルMOSトランジスタTR43のドレイン・ソース間には一定のリーク電流が流れるが、第2の入力端子T3と第1の出力端子T2との間にクロス接続されているnチャネルMOSトランジスタTR34とpチャネルMOSトランジスタTR44のドレイン・ソース間には、上記のリーク電流と同相で、同じ大きさのリーク電流が流れる。
従って、第1の出力端子T2と第2の出力端子T4には、反転信号INMと同相で、同じ大きさのリーク電流が流れ込むことになる。よって、第1の出力端子T2の出力電圧と第2の出力端子T4の出力電圧を差動増幅器で差動増幅して両者の差電圧を得ることで、反転信号INMによるリーク電流の同相成分を除去することができる。
最後に、実施の形態のアナログスイッチを使用した場合と、従来のアナログスイッチを使用した場合の差動増幅回路の入出力特性の比較結果について説明する。
図6は、従来のアナログスイッチと実施の形態のアナログスイッチ31を使用した場合の差動増幅回路の入出力特性のシミュレーション結果を示す図である。図6の横軸は入力レベルのdBV値(1Vを基準にしたdB値)、縦軸は出力レベルのdBV値を示してい
る。シミュレーションは、図7に示す差動増幅回路61を用いて行った。
図6は、従来のアナログスイッチと実施の形態のアナログスイッチ31を使用した場合の差動増幅回路の入出力特性のシミュレーション結果を示す図である。図6の横軸は入力レベルのdBV値(1Vを基準にしたdB値)、縦軸は出力レベルのdBV値を示してい
る。シミュレーションは、図7に示す差動増幅回路61を用いて行った。
図7の差動増幅回路61は、理想的なオペアンプ62の反転入力端子と非反転入力端子にそれぞれ100個のアナログスイッチSW1〜SW100を接続し、それらのアナログスイッチSW1〜SW100を切り換えて増幅度を制御している。
図6に示すように、従来のアナログスイッチを使用した差動増幅回路の出力は、出力のdBV値が、入力のdBV値が−1dBV付近から急激に増加している。これに対して、実施の形態のアナログスイッチを使用した差動増幅回路61の出力のdBV値は、入力のdBVの値の変化に対して直線的に変化している。
従来のアナログスイッチを使用した差動増幅回路61の出力レベルが非直線性を示しているのは、従来のアナログスイッチのオフ時のリーク電流が入力レベルが大きくなったときに増加し、その結果信号の歪みが増大しているためである。図6のシミュレーション結果から、実施の形態のアナログスイッチ31等によりリーク電流の作動成分が抑えられ、その結果、差動増幅回路の出力信号の歪みが小さくなることが確認できた。
上述した実施の形態によれば、MOSトランジスタのリーク電流は、差動信号の出力端子に同相で同じ大きさのリーク電流となるので、リーク電流に差動成分は存在せず、2個の出力端子の電圧を差動増幅器で差動増幅して差電圧に変換しても差動信号は歪まない。アナログスイッチのオフ時の同相のリーク電流は差動増幅器では減衰する。
本発明は上述した実施の形態に限らず、例えば、以下のように構成しても良い。
(1)上述した実施の形態では、nチャネルMOSトランジスタTR32、TR34、あるいはpチャネルMOSトランジスタTR42、TR44のゲートに接地電位または電源電圧を印加しているが、MOSトランジスタをオフできるようなゲート電圧であれば、それより高いまたは低い電圧を印加しても良い。
(2)本発明のアナログスイッチは、実施の形態に示した差動増幅回路に限らず、公知の他の差動増幅回路にも適用できる。また、スイッチトキャパシタ回路のアナログスイッチとして使用しても良い。
(1)上述した実施の形態では、nチャネルMOSトランジスタTR32、TR34、あるいはpチャネルMOSトランジスタTR42、TR44のゲートに接地電位または電源電圧を印加しているが、MOSトランジスタをオフできるようなゲート電圧であれば、それより高いまたは低い電圧を印加しても良い。
(2)本発明のアナログスイッチは、実施の形態に示した差動増幅回路に限らず、公知の他の差動増幅回路にも適用できる。また、スイッチトキャパシタ回路のアナログスイッチとして使用しても良い。
31、41、51 アナログスイッチ
TR31〜TR34 nチャネルMOSトランジスタ
TR41〜TR44 pチャネルMOSトランジスタ
TR31〜TR34 nチャネルMOSトランジスタ
TR41〜TR44 pチャネルMOSトランジスタ
Claims (6)
- 差動信号の第1の信号と前記第1の信号の反転信号である第2の信号を通過または阻止するアナログスイッチであって、
前記第1の信号が入力する第1の入力端子と前記第1の信号が出力される第1の出力端子との間にドレインとソースが接続され、ゲートに与えられる制御信号によりオン、オフする第1のトランジスタと、
前記第1の入力端子と前記第2の信号が出力される第2の出力端子との間にドレインとソースが接続され、ゲートが接地または電源電圧に接続された第2のトランジスタと、
前記第2の信号が入力する第2の入力端子と前記第2の出力端子との間にドレインとソースが接続され、ゲートに与えられる制御信号によりオン、オフする第3のトランジスタと、
前記第2の入力端子と前記第1の出力端子との間にドレインとソースが接続され、ゲートが接地または電源電圧に接続された第4のトランジスタからなるアナログスイッチ。 - 前記第1、第2、第3及び第4のトランジスタはnチャネルMOSトランジスタであり、前記第2及び第4のトランジスタのゲートは接地されている請求項1記載のアナログスイッチ。
- 前記第1、第2、第3及び第4のトランジスタはpチャネルMOSトランジスタであり、前記第2及び第4のトランジスタのゲートは電源電圧に接続されている請求項1記載のアナログスイッチ。
- 前記第1、第2、第3及び第4のトランジスタは、nチャネルMOSトランジスタであり、前記第1のトランジスタのドレインは前記第1の入力端子に接続され、ソースは前記第1の出力端子に接続され、前記第2のトランジスタのドレインは前記第1の入力端子に接続され、ソースは前記第2の出力端子に接続され、ゲートが接地され、前記第3のトランジスタのドレインは前記第2の入力端子に接続され、ソースは前記第2の出力端子に接続され、前記第4のトランジスタのドレインは前記第2の入力端子に接続され、ソースは前記第1の出力端子に接続され、ゲートが接地されている請求項1記載のアナログスイッチ。
- 前記第1、第2、第3及び第4のトランジスタは、pチャネルMOSトランジスタであり、前記第1のトランジスタのドレインは前記第1の入力端子に接続され、ソースは前記第1の出力端子に接続され、前記第2のトランジスタのドレインは前記第1の入力端子に接続され、ソースは前記第2の出力端子に接続され、ゲートが電源電圧に接続され、前記第3のトランジスタのドレインは前記第2の入力端子に接続され、ソースは前記第2の出力端子に接続され、前記第4のトランジスタのドレインは前記第2の入力端子に接続され、ソースは前記第1の出力端子に接続され、ゲートが電源電圧に接続されている請求項1記載のアナログスイッチ。
- pチャネルとnチャネルのMOSトランジスタが並列に接続され、差動信号の第1の信号と前記第1の信号の反転信号である第2の信号を通過または阻止するアナログスイッチであって、
前記第1の信号が入力する第1の入力端子と前記第1の信号が出力される第1の出力端子との間にドレインとソースが接続され、ゲートに与えられる制御信号によりオン、オフする第1のnチャネルMOSトランジスタと、
前記第1の入力端子と前記第2の信号が出力される第2の出力端子との間にドレインとソースが接続され、ゲートが接地された第2のnチャネルMOSトランジスタと、
前記第2の信号が入力する第2の入力端子と前記第2の出力端子との間にドレインとソ
ースが接続され、ゲートに与えられる制御信号によりオン、オフする第3のnチャネルMOSトランジスタと、
前記第2の入力端子と前記第1の出力端子との間にドレインとソースが接続され、ゲートが接地された第4のnチャネルMOSトランジスタと、
前記第1の入力端子と前記第1の出力端子との間にドレインとソースが接続され、ゲートに与えられる反転制御信号によりオン、オフする第1のpチャネルMOSトランジスタと、
前記第1の入力端子と前記第2の出力端子との間にドレインとソースが接続され、ゲートが電源電圧に接続された第2のpチャネルMOSトランジスタと、
前記第2の入力端子と前記第2の出力端子との間にドレインとソースが接続され、ゲートに与えられる反転制御信号によりオン、オフする第3のpチャネルMOSトランジスタと、
前記第2の入力端子と前記第1の出力端子との間にドレインとソースが接続され、ゲートが電源電圧に接続された第4のpチャネルMOSトランジスタとからなるアナログスイッチ。
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