JP2018164182A - 差動増幅回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】入力レールtoレール動作をするため、第1差動入力対と、閾値が異なる第2差動入力対を有し、両方の差動入力対が同時に動作することによる増幅率の増加が起こらない差動増幅回路を提供すること。【解決手段】第1差動入力対と電流源の間にトランジスタを接続し、第1差動入力対と第2差動入力が同時に動作することがない構成とした。【選択図】図1
Description
本発明は差動増幅回路に関し、より詳しくは入力レールtoレール動作の回路に関する。
差動増幅回路は、多様な用途で電子機器に使用されている。用途によって、入力される信号電圧はGND電圧付近であったり、電源電圧付近であったりと様々である。そのため差動増幅回路において、入力レールtoレール動作は重要となる。
図5に、特許文献1に開示されている従来の差動増幅回路の回路図を示す。従来の差動増幅回路は、反転入力端子511と、非反転入力端子512と、出力端子513と、電源電圧509と、GND電圧510と、NMOSデプレッショントランジスタ501、502と、NMOSエンハンスメントトランジスタ503、504、507,508と、PMOSエンハンスメントトランジスタ505、506とを備えている。
NMOSデプレッショントランジスタ501、502は第1差動入力対521を構成する。NMOSトランジスタ503、504は第2差動入力対522を構成する。NMOSトランジスタ507は第1差動入力対521に流す電流を供給する電流源となる。NMOSトランジスタ508は第2差動入力対522に流す電流を供給する電流源となる。PMOSトランジスタ505、506は、前述の第1差動入力対521、及び第2差動入力対522の負荷を構成する。
図6に、従来の差動増幅回路における動作を示す。通常、差動増幅回路は負帰還で使用されるため、非反転入力端子512と反転入力端子511はバーチャルショートとなり、ほぼ同じ電圧になる。この電圧を同相入力電圧VCOMと定義する。ここで図6のグラフの縦軸は同相入力電圧VCOMを示し、横軸は第1差動入力対521と第2差動入力対522を示す。
第2差動入力対522は、NMOSエンハンスメントトランジスタ503、504で構成されているため、同相入力電圧VCOMがGND電位近くになった際、第2差動入力対522の電流源となるNMOSトランジスタ508が非飽和状態となり電流を流せなくなるため、入力信号を増幅することができない。
入力レールtoレールを実現させるため、NMOSエンハンスメントトランジスタで構成される第2差動入力対522の他に、NMOSデプレッショントランジスタで構成される第1差動入力対521が、並列接続されている。第1差動入力対521は、NMOSデプレッショントランジスタ501、502で構成されているため、同相入力電圧VCOMがGND電圧近くになった際でも、第1差動入力対521の電流源となるNMOSトランジスタ507が非飽和状態にならず、電流を流せるようになっている。入力レールtoレールを実現している。
しかしながら、特許文献1の回路において、同相入力電圧VCOMの値によっては、NMOSデプレッショントランジスタで構成される第1差動入力対521と、NMOSエンハンスメントトランジスタで構成される第2差動入力対522の両方に電流源からの電流が供給され、両方の差動入力対が同時に動作してしまい、増幅率がより大きく変化してしまうことがある。増幅率がより大きく変化してしまうと発振安定性が悪化する可能性が高まってしまう問題点を有していた。差動増幅回路にとって安定性の確保は必須であり、発振安定性が悪化する事態は避けねばならない。本発明は、上記問題を解決した入力レールtoレール差動増幅回路を提供するものである。
従来の課題を解決するために、本発明の差動増幅回路は以下のような構成とした。
反転入力端子と、非反転入力端子と、出力端子を備えた差動増幅回路であって、
前記反転入力端子と前記非反転入力端子を入力とする第1差動入力対と、
第1差動入力対とトランジスタの閾値が異なる前記反転入力端子と前記非反転入力端子を入力とする第2差動入力対と、
差動入力対に流れる電流を供給する電流源と、
前記第1差動入力対と前記電流源との間に前記反転入力端子と前記非反転入力端子の電圧によりオンオフするスイッチを備えたことを特徴とする差動増幅回路。
反転入力端子と、非反転入力端子と、出力端子を備えた差動増幅回路であって、
前記反転入力端子と前記非反転入力端子を入力とする第1差動入力対と、
第1差動入力対とトランジスタの閾値が異なる前記反転入力端子と前記非反転入力端子を入力とする第2差動入力対と、
差動入力対に流れる電流を供給する電流源と、
前記第1差動入力対と前記電流源との間に前記反転入力端子と前記非反転入力端子の電圧によりオンオフするスイッチを備えたことを特徴とする差動増幅回路。
本発明の差動増幅回路においては、同相入力電圧VCOMの値によらず、NMOSデプレッショントランジスタで構成される第1差動入力対と、NMOSエンハンスメントトランジスタで構成される第2差動入力対の、どちらかだけから電流源に電流が供給される。両方の差動入力対が同時に動作することがなく、増幅率の安定が図られる。このため、増幅率がより大きく変化してしまい、発振安定性が悪化する可能性が高まってしまうといった問題が解決でき、発振安定性の優れた入力レールtoレール差動増幅回路を提供することが出来るという効果がある。
以下、本実施形態について、図面を参照して説明する。
[第一の実施形態]
図1は、第一の実施形態の差動増幅回路の回路図である。
第一の実施形態の差動増幅回路は、反転入力端子111と、非反転入力端子112と、出力端子113と、電源電圧109と、GND電圧110と、NMOSデプレッショントランジスタ101、102と、NMOSエンハンスメントトランジスタ103、104、107、108と、PMOSエンハンスメントトランジスタ105、106とを備えている。
[第一の実施形態]
図1は、第一の実施形態の差動増幅回路の回路図である。
第一の実施形態の差動増幅回路は、反転入力端子111と、非反転入力端子112と、出力端子113と、電源電圧109と、GND電圧110と、NMOSデプレッショントランジスタ101、102と、NMOSエンハンスメントトランジスタ103、104、107、108と、PMOSエンハンスメントトランジスタ105、106とを備えている。
NMOSデプレッショントランジスタ101のゲートは非反転入力端子112と接続される。NMOSデプレッショントランジスタ102のゲートは反転入力端子111と接続される。NMOSデプレッショントランジスタ101と102のソースは一緒に接続される。NMOSデプレッショントランジスタ101と102で第1差動入力対121を構成する。NMOSトランジスタ103のゲートは非反転入力端子112と接続される。NMOSトランジスタ104のゲートは反転入力端子111と接続される。NMOSトランジスタ103と104のソースは一緒に接続される。NMOSトランジスタ103と104で第2差動入力対122を構成する。
NMOSトランジスタ107のドレインはNMOSデプレッショントランジスタ101と102のソースに接続される。NMOSトランジスタ107のゲートは切替電圧入力114に接続される。NMOSトランジスタ107のソースはNMOSトランジスタ108のドレインに接続される。NMOSトランジスタ107は、第1差動入力対121と第2差動入力対122を切り替える際のスイッチとなる。NMOSトランジスタ108のドレインはNMOSトランジスタ103と104のソースに接続される。NMOSトランジスタ108のゲートはバイアス電圧入力115に接続される。NMOSトランジスタ108のソースはGND電圧110に接続される。NMOSトランジスタ108は、第1差動入力対121、及び第2差動入力対122に流す電流を供給する電流源となる。
PMOSトランジスタ105、106は、前述の第1差動入力対121、及び第2差動入力対122の負荷を構成する。PMOSトランジスタ105、106のゲートは一緒に接続される。PMOSトランジスタ105、106のソースは電源電圧109に接続される。PMOSトランジスタ105、106のゲートは一緒に接続され、PMOSトランジスタ105のドレインと、PMOSトランジスタ105のゲートと、NMOSデプレッショントランジスタ101のドレインと、NMOSトランジスタ103のドレインとに接続される。PMOSトランジスタ106のドレインは、NMOSデプレッショントランジスタ102のドレインと、NMOSトランジスタ104のドレインとに接続される。PMOSトランジスタ106のドレインは出力端子113となる。
図2に、第一の実施形態の差動増幅回路における動作を示す。通常、差動増幅回路は負帰還で使用されるため、非反転入力端子112と反転入力端子111はバーチャルショートとなり、ほぼ同じ電圧になる。この電圧を同相入力電圧VCOMと定義する。図2に示すグラフでは、縦軸は同相入力電圧VCOMを示し、横軸は第1差動入力対121と第2差動入力対122を示す。
NMOSトランジスタ108の電流は、切替スイッチであるNMOSトランジスタ107がオンしている場合は、第1差動入力対121に供給する電流源となり、NMOSトランジスタ107がオフしている場合は、第2差動入力対122に供給する電流源となる。
第1差動入力対121と第2差動入力対122の動作を切り替える電圧を切替電圧V114とする。切替電圧V114は、第1差動入力対121と第2差動入力対122の両方が動作してしまう同相入力電圧VCOM範囲で設定される。切替電圧V114は、切替電圧入力114からNMOSトランジスタ107のゲート端子に印加される。NMOSトランジスタ107がオンするための同相入力電圧VCOMは、以下の式となる。
VCOM <
V114−VTNE(107)−Vov(107)+VTNE(103)+Vov(103)
ここで、VTNEは、NMOSエンハンスメントトランジスタの閾値電圧である。後で出てくるVTNDは、NMOSデプレッショントランジスタの閾値電圧である。Vovは電流を流すために必要となるオーバードライブ電圧である。第2差動入力対122のトランジスタ103と切替スイッチのトランジスタ107に同じ種別の素子を使用した場合、特性が等しくなる。VTNE(107)=VTNE(103)、Vov(107)=Vov(103)であるとすると、前述の式は以下の式となる。
VCOM < V114
VCOM <
V114−VTNE(107)−Vov(107)+VTNE(103)+Vov(103)
ここで、VTNEは、NMOSエンハンスメントトランジスタの閾値電圧である。後で出てくるVTNDは、NMOSデプレッショントランジスタの閾値電圧である。Vovは電流を流すために必要となるオーバードライブ電圧である。第2差動入力対122のトランジスタ103と切替スイッチのトランジスタ107に同じ種別の素子を使用した場合、特性が等しくなる。VTNE(107)=VTNE(103)、Vov(107)=Vov(103)であるとすると、前述の式は以下の式となる。
VCOM < V114
上記のように、同相入力電圧VCOMが切替電圧V114未満となると、切替スイッチであるNMOSトランジスタ107がオンとなる。その際、第1差動入力対121のNMOSデプレッショントランジスタ101と第2差動対122のNMOSエンハンスメントトランジスタ103には、同じゲート-ソース間電圧が印加される。同様に、第1差動入力対121のNMOSデプレッショントランジスタ102と第2差動対122のNMOSエンハンスメントトランジスタ104には、同じゲート-ソース間電圧が印加される。しかし、NMOSエンハンスメントトランジスタの閾値電圧VTNEと比べNMOSデプレッショントランジスタの閾値電圧VTNDの方が小さい電圧のため、NMOSデプレッショントランジスタで構成される第1差動入力対121の方がより大きいオーバードライブ電圧が印加されることとなり、電流源となるNMOSトランジスタ108のドレイン電流は、第1差動入力対121に供給されることとなる。
同相入力電圧VCOMが切替電圧V114を超えると、切替スイッチであるNMOSトランジスタ107がオフとなる。電流源となるNMOSトランジスタ108のドレイン電流は、第2差動入力対122に供給されることとなる。
以上説明したように、本発明の第一の実施形態の差動増幅回路においては、非反転入力端子112と反転入力端子111の電圧で決まるVCOMの値によって、切替スイッチであるNMOSトランジスタ107がオンオフする。切替スイッチによって、NMOSデプレッショントランジスタで構成される第1差動入力対121と、NMOSエンハンスメントトランジスタで構成される第2差動入力対122の、どちらかだけから電流源への電流が供給される。第1と第2の両方の差動入力対が同時に動作することなく、増幅率の安定が図られ、発振安定性が悪化する可能性が抑えられる。従って、増幅率がより大きく変化してしまい、発振安定性が悪化する可能性が高まってしまうといった問題を解消でき、発振安定性の優れた入力レールtoレール差動増幅回路の提供が可能となる。
[第二の実施形態]
図3は、第二の実施形態の差動増幅回路の回路図である。
第二の実施形態の差動増幅回路は、反転入力端子311と、非反転入力端子312と、出力端子313と、電源電圧309と、GND電圧310と、PMOSデプレッショントランジスタ301、302と、PMOSエンハンスメントトランジスタ303、304、307、308と、NMOSエンハンスメントトランジスタ305、306とを備えている。PMOSデプレッショントランジスタ301、302で第1差動入力対321を構成する。PMOSトランジスタ303、304で第2差動入力対322を構成する。
図3は、第二の実施形態の差動増幅回路の回路図である。
第二の実施形態の差動増幅回路は、反転入力端子311と、非反転入力端子312と、出力端子313と、電源電圧309と、GND電圧310と、PMOSデプレッショントランジスタ301、302と、PMOSエンハンスメントトランジスタ303、304、307、308と、NMOSエンハンスメントトランジスタ305、306とを備えている。PMOSデプレッショントランジスタ301、302で第1差動入力対321を構成する。PMOSトランジスタ303、304で第2差動入力対322を構成する。
第二の実施形態の差動増幅回路は、第一の実施形態の差動増幅回路から、第1差動入力対をNMOSデプレッショントランジスタ101,102からPMOSデプレッショントランジスタ301,302へ、第2差動入力対をNMOSエンハンスメントトランジスタ103,104からPMOSエンハンスメントトランジスタ303,304へ、差動入力対の負荷を構成するPMOSエンハンスメントトランジスタ105,106をNMOSエンハンスメントトランジスタ305,306へ、切替スイッチのNMOSエンハンスメントトランジスタ107をPMOSエンハンスメントトランジスタ307へ、電流源のNMOSエンハンスメントトランジスタ108をPMOSエンハンスメントトランジスタ308へ変更したものである。差動増幅回路を構成するNMOSトランジスタとPMOSトランジスタを置換したものであり、各要素素子間の接続は第一の実施形態と極性が逆であるが同等なので説明を省略する。
図4に、第二の実施形態の差動増幅回路における動作を示す。ここで縦軸は同相入力電圧VCOMを示し、横軸は第1差動入力対321と第2差動入力対322を示す。
電流源であるPMOSトランジスタ308の電流は、切替スイッチであるPMOSトランジスタ307がオンしている場合は、第1差動入力対321の電流源となり、PMOSトランジスタ307がオフしている場合は、第2差動入力対322の電流源となる。
電流源であるPMOSトランジスタ308の電流は、切替スイッチであるPMOSトランジスタ307がオンしている場合は、第1差動入力対321の電流源となり、PMOSトランジスタ307がオフしている場合は、第2差動入力対322の電流源となる。
第1差動入力対321と第2差動入力対322の動作を切り替える電圧を切替電圧V314とする。切替電圧V314は、切替電圧入力314からPMOSトランジスタ307のゲート端子に印加される。PMOSトランジスタ307がオンするための同相入力電圧VCOMは、以下の式となる。
VCOM >
V314−|VTPE(307)|−|Vov(307)|
+|VTPE(303)|+|Vov(303)|
ここで、VTPEは、PMOSエンハンスメントトランジスタの閾値電圧である。後で出てくるVTPDは、PMOSデプレッショントランジスタの閾値電圧である。第2差動入力対322のトランジスタ303と切替スイッチのトランジスタ307に同じ種別の素子を使用した場合、特性が等しくなる。VTPE(307)=VTPE(303)、Vov(307)=Vov(303)であるとすると、前述の式は以下の式となる。
VCOM > V314
VCOM >
V314−|VTPE(307)|−|Vov(307)|
+|VTPE(303)|+|Vov(303)|
ここで、VTPEは、PMOSエンハンスメントトランジスタの閾値電圧である。後で出てくるVTPDは、PMOSデプレッショントランジスタの閾値電圧である。第2差動入力対322のトランジスタ303と切替スイッチのトランジスタ307に同じ種別の素子を使用した場合、特性が等しくなる。VTPE(307)=VTPE(303)、Vov(307)=Vov(303)であるとすると、前述の式は以下の式となる。
VCOM > V314
上記のように、同相入力電圧VCOMが切替電圧V314を超えると、PMOSトランジスタ307がオンとなる。その際、第1差動入力対321のPMOSデプレッショントランジスタ301と第2差動対322のPMOSエンハンスメントトランジスタ303には、同じゲート-ソース間電圧が印加される。同様に、第1差動入力対321のPMOSデプレッショントランジスタ302と第2差動対322のPMOSエンハンスメントトランジスタ304には、同じゲート-ソース間電圧が印加される。しかし、PMOSエンハンスメントトランジスタの閾値電圧VTPEと比べPMOSデプレッショントランジスタの閾値電圧VTPDの方が小さい電圧のため、PMOSデプレッショントランジスタで構成される第1差動入力対321の方がより大きいオーバードライブ電圧が印加されることとなり、電流源となるPMOSトランジスタ308のドレイン電流は、第1差動入力対321に供給されることとなる。
同相入力電圧VCOMが切替電圧V314未満となると、切替スイッチであるPMOSトランジスタ307がオフとなる。電流源となるPMOSトランジスタ308のドレイン電流は、第2差動入力対322に供給されることとなる。
以上説明したように、本発明の第二の実施形態の差動増幅回路においては、非反転入力端子312と反転入力端子311の電圧で決まるVCOMの値によって、切替スイッチであるPMOSトランジスタ307がオンオフする。切替スイッチによって、PMOSデプレッショントランジスタで構成される第1差動入力対321と、PMOSエンハンスメントトランジスタで構成される第2差動入力対322の、どちらかだけに電流源からの電流が供給される。第1と第2の両方の差動入力対が同時に動作することなく、増幅率の安定が図られ、発振安定性が悪化する可能性が抑えられる。従って、増幅率がより大きく変化してしまい、発振安定性が悪化する可能性が高まってしまうといった問題を解消でき、発振安定性の優れた入力レールtoレール差動増幅回路の提供が可能となる。
101、102、501,502 NMOSデプレッショントランジスタ
103、104、503,504 NMOSエンハンスメントトランジスタ
301、302 PMOSデプレッショントランジスタ
303、304 PMOSエンハンスメントトランジスタ
114、314 切替電圧入力
121、321、521 第一差動入力対
122、322、522 第二差動入力対
103、104、503,504 NMOSエンハンスメントトランジスタ
301、302 PMOSデプレッショントランジスタ
303、304 PMOSエンハンスメントトランジスタ
114、314 切替電圧入力
121、321、521 第一差動入力対
122、322、522 第二差動入力対
Claims (3)
- 反転入力端子と、非反転入力端子と、出力端子を備えた差動増幅回路であって、
前記反転入力端子と前記非反転入力端子を入力とする第1差動入力対と、
前記第1差動入力対とトランジスタの閾値が異なる前記反転入力端子と前記非反転入力端子を入力とする第2差動入力対と、
前記第2差動入力対に電流を供給する電流源と、
前記第1差動入力対と前記電流源との間に前記反転入力端子と前記非反転入力端子の電圧によりオンオフするスイッチ、を備えたことを特徴とする差動増幅回路。 - 前記第1差動入力対はNMOSデプレッショントランジスタ、前記第2差動入力対はNMOSエンハンスメントトランジスタ、前記スイッチはNMOSエンハンスメントトランジスタで構成され、前記反転入力端子と前記非反転入力端子の電圧により、前記スイッチがオンオフし、前記第1差動入力対または前記第2差動入力対のどちらか一方に電流を供給することを特徴とする請求項1に記載の差動増幅回路。
- 前記第1差動入力対はPMOSデプレッショントランジスタ、前記第2差動入力対はPMOSエンハンスメントトランジスタ、前記スイッチはPMOSエンハンスメントトランジスタで構成され、前記反転入力端子と前記非反転入力端子の電圧により、前記スイッチがオンオフし、前記第1差動入力対または前記第2差動入力対のどちらか一方に電流を供給することを特徴とする請求項1に記載の差動増幅回路。
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