JP6071293B2 - 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 - Google Patents
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Description
次に、図8に示すように、上記除去の残部となる第1の非晶質膜6の裏面上および溝9の底面9a上に、i型のアモルファスシリコンからなる第2のノンドープ膜10およびn型のアモルファスシリコンからなる第2の非晶質膜11を、この順序で、たとえばプラズマCVD法により積層する。
マスク材12を除去する方法は、特に限定されないが、たとえばマスク材12がホットメルト接着剤からなる場合には、マスク材12を温水に浸漬して剥離する方法などが挙げられる。
Claims (12)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の一方の表面上に設けられた第2導電型の第1の非晶質膜と、を備え、
前記半導体基板の前記表面には溝が設けられており、
前記溝の底面には第1導電型の第2の非晶質膜が設けられており、前記溝の側壁には前記第2の非晶質膜が設けられていない箇所が存在する、光電変換素子。 - 前記半導体基板の前記表面と前記第1の非晶質膜との間および前記溝の底面と前記第2の非晶質膜との間のすべての領域にi型のノンドープ膜が設けられている、請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記溝の側壁の前記第2の非晶質膜が設けられていない箇所に電極層が設けられている、請求項1または請求項2に記載の光電変換素子。
- 前記第1の非晶質膜および前記第2の非晶質膜のすべてが電極層によって覆われている、請求項1または請求項2に記載の光電変換素子。
- 前記溝の側壁の前記第2の非晶質膜が設けられていない箇所に前記電極層が設けられている、請求項4に記載の光電変換素子。
- 前記半導体基板の前記表面の結晶面が{110}面である、請求項1から5のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 第1導電型の半導体基板の一方の表面上に第2導電型の第1の非晶質膜を形成する工程と、
前記第1の非晶質膜の一部および前記半導体基板の一部を除去することによって前記半導体基板の前記表面に底面と側壁とを有する溝を形成する工程と、
前記第1の非晶質膜の残部上および前記溝の底面上に第1導電型の第2の非晶質膜を形成する工程と、
前記第2の非晶質膜が形成された後の前記溝の少なくとも一部にマスク材を埋め込む工程と、
前記マスク材によって被覆されていない前記第2の非晶質膜を除去する工程と、
前記第2の非晶質膜を除去した後に前記マスク材を除去する工程と、
前記マスク材を除去した後の前記半導体基板の前記表面側の全面に電極層を形成する工程と、
前記溝の側壁上の前記電極層の少なくとも一部を除去する工程と、を含む、光電変換素子の製造方法。 - 前記溝を形成する工程は、前記第1の非晶質膜の前記一部をドライエッチングにより除去する工程と、前記第1の非晶質膜の前記一部の除去によって露出した前記半導体基板の部分をアルカリ溶液を用いたウエットエッチングにより除去する工程と、を含む、請求項7に記載の光電変換素子の製造方法。
- 前記第2の非晶質膜を除去する工程は、前記第1の非晶質膜をエッチングストップ層として、アルカリ溶液を用いたウエットエッチングによって行なわれる、請求項7または8に記載の光電変換素子の製造方法。
- 前記半導体基板の前記表面の全面にi型の第1のノンドープ膜を形成する工程と、前記溝の底面の全面にi型の第2のノンドープ膜を形成する工程と、をさらに含み、
前記第1のノンドープ膜を形成する工程は、前記第1の非晶質膜を形成する工程よりも前に行なわれ、
前記第2のノンドープ膜を形成する工程は、前記第2の非晶質膜を形成する工程よりも前に行なわれる、請求項7から9のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。 - 前記電極層を形成する工程は、前記半導体基板の前記表面側の全面にアルミニウム膜を形成する工程を含み、
前記電極層を除去する工程は、塩酸を用いたウエットエッチングによって行なわれる、請求項7から10のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。 - 前記マスク材がホットメルトである、請求項7から11のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。
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