JP2014078618A - 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1導電型の半導体基板1と、半導体基板1の一方の表面上に設けられた第2導電型の第1の非晶質膜6と、を備え、該一方の表面の結晶面は(110)面であり、該一方の表面上には、該表面上に伸長した溝9が設けられており、溝9の底面には第1導電型の第2の非晶質膜11が設けられており、溝9の伸長する方向に対する垂直断面において、溝9の底面と9溝の側壁とのなす角θが89.5度以上90度以下である。
【選択図】図1
Description
また、上記垂直断面において、上記溝の深さは1μm以上5μm以下であることが好ましく、また、該溝の幅は100μm以上2000μm以下であることが好ましい。
≪全体構成≫
図1(a)に、本発明の光電変換素子の一例である実施の形態の光電変換素子の模式的な断面図を示す。実施の形態の光電変換素子は、n型単結晶シリコンからなる半導体基板1を有しており、半導体基板1の一方の表面である裏面の一部には、底面9aとその両側の側壁9bとを備えた溝9が設けられている。ここで、溝9は、図1の紙面の法線方向に伸長している。すなわち、図1(a)の断面は、溝9の伸長する方向に対する垂直断面である。そして、該半導体基板の裏面の結晶面は、(110)面であり、溝9の底面9aと側壁9bとが垂直な関係にあることを特徴としている。
≪半導体基板≫
実施の形態の光電変換素子において、半導体基板1の裏面の結晶面は(110)面であることを要する。裏面の結晶面が(110)面であることにより、後述するエッチング条件を採用することによって、溝9の底面9aと側壁9bとを垂直な関係とすることができる。
図1(b)に、図1(a)に示された領域I(b)の拡大図を示す。溝9の伸長する方向に対する垂直断面において、溝9の底面9aと側壁9bとは実質的に垂直な関係をなしている。ここで、実質的に垂直な関係とは、溝9の底面9aと側壁9bとのなす角θが、89.5度以上90度以下であることを示す。なす角θが89.5度未満となると、溝9の断面形状が、開口部から深さ方向に向かって溝の幅が段階的に大きくなる逆テーパー形状となり、p型電極とn型電極とが近接することによって、両電極の分離が不十分となる不都合がある。また、なす角θが90度を超過すると、溝9の断面形状が順テーパー形状となり、後述する溝9に第2の非晶質膜を形成する工程において、側壁9b上にも非晶質膜が成長し、該膜がp型電極とn型電極とを繋ぐリーク源となるため、p型電極とn型電極の分離が不十分となる傾向がある。実施の形態の光電変換素子では、なす角θが89.5度以上90度以下であるため、p型電極とn型電極とが確実に分離され、信頼性の高い光電変換素子を実現できる。また、なす角θが上記の関係を満たすことにより、p型電極とn型電極を確実に分離しつつ、両電極間の水平方向の隙間を実質的に無くすことができ、裏面へ透過してきた光を効率的に反射し、光電変換効率を高めることができる。
ここで、溝9の深さDは、1μm以上5μm以下であることが好ましい。深さDが1μm未満であると、p層とn層との分離が不十分となる傾向があり、5μmを超過すると生産性の観点から好ましくない。
第1のノンドープ膜5としてはi型のアモルファスシリコンからなる膜に限定されず、たとえば従来から公知のi型のアモルファス半導体膜などを用いてもよい。第1のノンドープ膜5の厚さは、特に限定されないが、たとえば5nm以上10nm以下とすることができる。
第1の非晶質膜6としてはp型のアモルファスシリコンからなる膜に限定されず、たとえば従来から公知のp型のアモルファス半導体膜などを用いてもよい。第1の非晶質膜6の厚さは、特に限定されないが、たとえば5nm以上50nm以下とすることができる。また、第1の非晶質膜6に含まれるp型不純物としては、たとえばボロンを用いることができ、第1の非晶質膜6のp型不純物濃度は、たとえば5×1019個/cm3程度とすることができる。
第2のノンドープ膜10としてはi型のアモルファスシリコンからなる膜に限定されず、たとえば従来から公知のi型のアモルファス半導体膜などを用いてもよい。第2のノンドープ膜10の厚さは、特に限定されないが、たとえば5nm以上10nm以下とすることができる。
第2の非晶質膜11としてはn型のアモルファスシリコンからなる膜に限定されず、たとえば従来から公知のn型のアモルファス半導体膜などを用いてもよい。第2の非晶質膜11の厚さは、特に限定されないが、たとえば5nm以上20nm以下とすることができる。また、第2の非晶質膜11に含まれるn型不純物としては、たとえばリンを用いることができ、第2の非晶質膜11のn型不純物濃度は、たとえば5×1019個/cm3程度とすることができる。
第3のノンドープ膜2としてはi型のアモルファスシリコンからなる膜に限定されず、たとえば従来から公知のi型のアモルファス半導体膜などを用いてもよい。第3のノンドープ膜2の厚さは、特に限定されないが、たとえば5nm以上10nm以下とすることができる。
第3の非晶質膜3としてはn型のアモルファスシリコンからなる膜に限定されず、たとえば従来から公知のn型のアモルファス半導体膜などを用いてもよい。第3の非晶質膜3の厚さは、特に限定されないが、たとえば5nm以上20nm以下とすることができる。また、第3の非晶質膜3に含まれるn型不純物としては、たとえばリンを用いることができ、第3の非晶質膜3のn型不純物濃度は、たとえば5×1019個/cm3程度とすることができる。
反射防止膜4としては、従来公知の材料を用いることができ、たとえば窒化シリコン膜、酸化シリコン膜などを用いることができる。反射防止膜4の厚さは、たとえば100nm程度とすることができる。
第1の電極層13としては、導電性を有する材料を用いることができ、たとえばITO(Indium Tin Oxide)などを用いることができる。また、第1の電極層13の厚さは、たとえば80nm以下とすることができる。
第2の電極層14としては、導電性を有する材料を用いることができ、たとえばアルミニウムなどを用いることができる。また、たとえば、チタン、パラジウム、銀およびこれらの積層膜などを用いることもできる。ここで、第2の電極層14の厚さは、たとえば0.5μm以下とすることができる。
以下、図2〜図13の模式的断面図を参照して、実施の形態の光電変換素子の製造方法の一例について説明する。
次に、図8に示すように、上記除去の残部となる第1の非晶質膜6の裏面上および溝9の底面9a上に、i型のアモルファスシリコンからなる第2のノンドープ膜10およびn型のアモルファスシリコンからなる第2の非晶質膜11を、この順序で、たとえばプラズマCVD法により積層する。
Claims (5)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の一方の表面上に設けられた第2導電型の第1の非晶質膜と、を備え、
前記一方の表面の結晶面は(110)面であり、
前記一方の表面上には、該表面上に伸長した溝が設けられており、
前記溝の底面には第1導電型の第2の非晶質膜が設けられており、
前記溝の伸長する方向に対する垂直断面において、該溝の底面と該溝の側壁とのなす角が89.5度以上90度以下である、光電変換素子。 - 前記垂直断面の面方位は{111}面である、請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記垂直断面において、前記溝の深さは1μm以上5μm以下である、請求項1または2に記載の光電変換素子。
- 前記垂直断面において、前記溝の幅は100μm以上2000μm以下である、請求項1〜3のいずれかに記載の光電変換素子。
- 前記第1の非晶質膜および前記第2の非晶質膜の表面が電極層によって覆われている、請求項1〜4のいずれかに記載の光電変換素子。
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WO2020077922A1 (zh) * | 2018-10-15 | 2020-04-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制造方法 |
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