JP6068511B2 - 薄膜の成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
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Description
図1は、参考例に係る薄膜の成膜装置1の全体構成を示す模式図である。図2は、成膜装置1を上から見た図である。図1に示すように、成膜装置1は、第1の真空予備チャンバ2と、第1のロードロックチャンバ4と、成膜チャンバ6と、第2のロードロックチャンバ8と、第2の真空予備チャンバ10とを備えている。これらの第1の真空予備チャンバ2、第1のロードロックチャンバ4、成膜チャンバ6、第2のロードロックチャンバ8、および第2の真空予備チャンバ10はこの順に直列に接続されている。第1の真空予備チャンバ2および第1のロードロックチャンバ4は、成膜チャンバ6に連通し、内部が真空引きされるゲートチャンバを構成している。第2の真空予備チャンバ10および第2のロードロックチャンバ8も同様に、成膜チャンバ6に連通し、内部が真空引きされるゲートチャンバを構成している。
(1)発熱体を常に真空状態で保持することができるため、発熱体の劣化を防止することができ、成膜機能が低下することがない。
(2)第1の真空予備チャンバおよび第1のロードロックチャンバを段階的に減圧することにより、より短い時間間隔で容器を成膜チャンバに搬送することができる。したがって、成膜のサイクルタイムを短くしてスループットを向上させることができる。
(3)プラテン容器を用いることにより、複数の容器を1つのユニットとして搬送し、成膜することができる。したがって、単位時間あたりの処理本数を増やすことができる。
図10に示す状態では、ボトル待機用チャンバ112の下面は開放されているが、ボトル待機用チャンバ112の下方に昇降機113によって昇降可能に構成されているプレート114が設置されている。昇降機113によってプレート114を上昇させてボトル待機用チャンバ112の下端開口を閉じることによりボトル待機用チャンバ112内を密閉することができるようになっており、プレート114はチャンバ下面となる。なお、プレート114の上面にはOリング等のシール部材(図示せず)が設けられており、ボトル待機用チャンバ112内の下端開口をプレート114が閉じる際にボトル待機用チャンバ112が気密に保持される。
図11Aに示すように、成膜チャンバ6内は常に真空状態とし、成膜チャンバ6内にある発熱体61が常に真空状態で保持されるようになっている。このとき、成膜チャンバ6とボトル待機用チャンバ112との間の真空隔離手段としてのゲートバルブ123は閉止状態とし、成膜チャンバ6とボトル待機用チャンバ112との連通を遮断している。多数のペットボトル50を収容したプラテン容器56は、中間ユニット132から成膜ユニット110Bの昇降台115上に供給される。このとき、ボトル待機用チャンバ112の下面は開放されている。
図13は、薄膜の成膜装置101における処理対象のペットボトル50の流れを示す模式的平面図である。左右の搬出入ユニット130,130は同一の動作を行うため、以下においては右側の搬出入ユニット130の動作を主として説明する。図13に示すように、処理対象のペットボトル50は、ボトル投入用コンベア103により矢印A方向に列状に搬送される。このとき、供給ユニット131には3個の空のプラテン容器56が載せられている。ボトル投入用コンベア103上のペットボトル50は、矢印1で示すように、投入手段(図示せず)により供給ユニット131上のプラテン容器56に順次装填される。
また、真空チャンバにおいては、多数のペットボトル50を収容したプラテン容器56を載せたプレート114が上昇することにより、真空チャンバを密閉状態にできる。すなわち、プレート自体が開閉ゲートの役割を果たすことから、無駄な装置を抑制することができ、成膜装置の小型化が可能になるとともに装置コストの低減が可能になる。
(1)発熱体を常に真空状態で保持することができるため、発熱体の劣化を防止することができ、成膜機能が低下することがない。
(2)ボトル待機用チャンバのみを真空と大気開放を繰り返すようにし、成膜チャンバは常に真空状態にしているため、成膜時にはボトル待機用チャンバのみを真空引きすればよい。したがって、成膜時における真空チャンバ全体の真空引き時間を短縮することができ、サイクルタイムを短くすることができる。
(3)ボトルをプラテン容器に複数本整列させ、整列した複数本のボトルを収容したプラテン容器を1ユニットとして真空チャンバへの搬出入及び真空チャンバにおける成膜処理を行うことができる。このようにプラテン容器を用いて複数のボトルをユニット管理することで、複数のボトルの位置出しを正確かつ容易に行うことができる。また、多数のペットボトルに同時に成膜処理を施すことができ、高スループットを実現できる。真空チャンバに収納できる限り、プラテン容器の本数に上限はないが、典型的な500mlペットボトルの場合には、150本以下が現実的である。
(4)真空チャンバの両側に搬出入ユニットを配置することにより、2つの搬出入ユニットから複数のボトルを収容したプラテン容器を交互に真空チャンバに搬入・搬出することができる。これにより、真空チャンバは待ち時間がほとんど無く、真空チャンバをほぼ連続的に稼働させることができる。
(5)プラテン容器へのボトルの装填・払い出し及びボトルを収容したプラテン容器の移送は、真空チャンバにおけるボトルの成膜工程中に行うことができるため、真空チャンバは待ち時間がほとんど無く、真空チャンバをほぼ連続的に稼働させることができる。
(6)真空チャンバへのボトルを収容したプラテン容器の搬出入は、外部設置の昇降機により昇降させることで可能となる。このように昇降機が真空チャンバの外部にあることで、真空チャンバを最小化させることができ、真空引き時間の短縮が可能となる。
(7)ボトルを収容したプラテン容器を載せたプレートを昇降させることにより、真空チャンバを密閉状態又は開放状態にできる。すなわち、プレート自体が開閉ゲートの役割を果たすことから、無駄な装置を抑制することができ、成膜装置の小型化が可能になるとともに装置コストの低減が可能になる。
2 第1の真空予備チャンバ
4 第1のロードロックチャンバ
6 成膜チャンバ
8 第2のロードロックチャンバ
10 第2の真空予備チャンバ
20 第1のゲートバルブ
22 第2のゲートバルブ
24 第3のゲートバルブ
26 第4のゲートバルブ
28 第5のゲートバルブ
30 第6のゲートバルブ
32,33,35,36 真空ライン
40,41,42,43,44,45 搬送機構
50 ペットボトル
55 搬入コンベア
56 プラテン容器
61 発熱体
62 ガス供給管
65 発熱体ユニット
67 支持台
69 昇降機構
70 支持軸
71 昇降用モータ
73,92 大気開放弁
75 搬出コンベア
80 リフトコンベア
82 搬送レール
85 フック
87 ローラ
89 ストッパー
90 下降コンベア
103 ボトル投入用コンベア
104 ボトル排出用コンベア
110,110A,110B,110C 成膜ユニット
6a,112a 連結部
112 ボトル待機用チャンバ
113 昇降機
114 プレート
115 昇降台
121 第1昇降軸
122 第2昇降軸
123 ゲートバルブ
130 搬出入ユニット
131 供給ユニット
132 中間ユニット
133 排出ユニット
VP1,VP2,VP3,VP4,VP5,VP6 真空ポンプ
Claims (6)
- 複数の容器のそれぞれの表面に薄膜を形成する成膜装置であって、
内部に配置された発熱体を真空状態で保持する第1チャンバ、及び前記第1チャンバに連通し、前記複数の容器を出し入れするための開口が前記第1チャンバと反対側に形成され、内部が真空引きされる第2チャンバを有する真空チャンバと、
前記第1チャンバと前記第2チャンバとの間に配置されたゲートバルブと、
前記第2チャンバの前記開口を密閉可能であり、かつ前記複数の容器と一体的に移動可能なプレートと、
前記ゲートバルブが閉じた状態において、前記プレートにより前記第2チャンバの前記開口が密閉されかつ前記複数の容器が前記第2チャンバに配置されるように前記プレートを移動させる第1の移動手段と、
前記プレートにより前記第2チャンバの前記開口が密閉された状態において前記ゲートバルブが開いた後に、各容器の内側及び外側の少なくとも一方に前記発熱体が配置されるように、前記複数の容器又は前記発熱体のいずれか一方を他方に対して移動させる第2の移動手段と、
を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 前記プレートとは独立して移動可能な状態で前記プレートに設置され、かつ前記複数の容器を載せることが可能な台をさらに備え、
前記第1の移動手段は、前記ゲートバルブが閉じた状態において、前記プレートにより前記第2チャンバの前記開口を密閉するように、前記複数の容器が載せられた前記台と前記プレートとを移動させ、
前記第2の移動手段は、前記プレートにより前記第2チャンバの前記開口が密閉された状態において前記ゲートバルブが開いた後に、各容器の内側及び外側の少なくとも一方に前記発熱体を配置するように、前記複数の容器が載せられた前記台を前記プレートとは独立して移動させることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 - 前記第2の移動手段は、前記プレートにより前記第2チャンバの前記開口が密閉された状態において前記ゲートバルブが開いた後に、前記第2チャンバに収容された前記複数の容器に対して前記発熱体を移動させることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 内部に配置された発熱体を真空状態で保持する第1チャンバ、及び前記第1チャンバに連通し、前記複数の容器を出し入れするための開口が前記第1チャンバと反対側に形成され、内部が真空引きされる第2チャンバを有する真空チャンバと、前記第1チャンバと前記第2チャンバとの間に配置されたゲートバルブと、前記第2チャンバの前記開口を密閉可能であり、かつ前記複数の容器と一体的に移動可能なプレートとを備える成膜装置を用いて、前記複数の容器のそれぞれの表面に薄膜を形成する成膜方法であって、
前記プレートにより前記第2チャンバの前記開口が密閉されかつ前記複数の容器が前記第2チャンバに収容されるように前記プレートを移動させる第1の移動工程と、
前記プレートにより前記第2チャンバの前記開口が密閉された状態において前記ゲートバルブが開いた後に、各容器の内側及び外側の少なくとも一方に前記発熱体が配置されるように、前記複数の容器又は前記発熱体のいずれか一方を他方に対して移動させる第2の移動工程と、
を含むことを特徴とする成膜方法。 - 前記成膜装置は、前記プレートとは独立して移動可能な状態で前記プレートに設置され、かつ前記複数の容器を載せることが可能な台をさらに備え、
前記第1の移動工程では、前記ゲートバルブが閉じた状態において、前記プレートにより前記第2チャンバの前記開口を密閉するように、前記複数の容器が載せられた前記台と前記プレートとを移動させ、
前記第2の移動手段は、前記プレートにより前記第2チャンバの前記開口が密閉された状態において前記ゲートバルブが開いた後に、各容器の内側及び外側の少なくとも一方に前記発熱体を配置するように、前記複数の容器が載せられた前記台を前記プレートとは独立して移動させることを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。 - 前記第2の移動工程では、前記プレートにより前記第2チャンバの前記開口が密閉された状態において前記ゲートバルブが開いた後に、前記第2チャンバに収容された前記複数の容器に対して前記発熱体を移動させることを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。
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JP2000323554A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
DE10010642B4 (de) * | 2000-03-03 | 2007-07-26 | Tetra Laval Holdings & Finance S.A. | Maschine zum Beschichten von Hohlkörpern |
JP4804654B2 (ja) * | 2001-06-27 | 2011-11-02 | 株式会社ユーテック | 容器内面成膜用cvd装置及び容器内面成膜方法 |
JP4149748B2 (ja) * | 2002-06-24 | 2008-09-17 | 三菱商事プラスチック株式会社 | ロータリー型量産用cvd成膜装置及びプラスチック容器内表面へのcvd膜成膜方法 |
JP2004107781A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 炭素膜コーティング方法および装置 |
JP2005105306A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Toppan Printing Co Ltd | 真空成膜装置およびその容器搬送方法 |
JP4295650B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2009-07-15 | 三菱重工業株式会社 | プラスチック容器内面へのバリヤ膜形成装置および内面バリヤ膜被覆プラスチック容器の製造方法 |
US8186301B2 (en) * | 2005-05-27 | 2012-05-29 | Kirin Beer Kabushiki Kaisha | Apparatus for manufacturing gas barrier plastic container, method for manufacturing the container, and the container |
JP5063089B2 (ja) * | 2006-11-20 | 2012-10-31 | 麒麟麦酒株式会社 | 酸化物薄膜を被膜したプラスチック容器の製造方法 |
JP4954679B2 (ja) * | 2006-11-20 | 2012-06-20 | 麒麟麦酒株式会社 | バリア膜被覆プラスチック容器の製造方法及びその製造装置 |
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