JP6065359B2 - 貫通電極付き配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
図1(a)に、本発明に係る配線基板であって放熱基板がない場合を、同図(b)に放熱基板がある断面構造を示し、図2と図3にそれぞれの貫通電極付き配線基板の製造工程図を示した。
せ引き上げることにより、全面に前駆体溶液を供給する。その後、乾燥させることで溶媒等の不要成分を除去し、基板上に絶縁層5を形成する。このとき、金属凸部7間の隙間が絶縁層5で完全に被覆できない場合は、基板の浸漬と乾燥を繰り返して必要な厚さとなるまで絶縁層5を形成させる(図2(c))。
また、絶縁層の形成方法としてスパッタ法やCVD法などドライプロセスを用いた場合、金属の凸部と凹部への絶縁層形成速度が異なるため、凹部側面などに均一に絶縁層を形成させることが難しい。しかしながら、ゾルゲル法は溶液を用いるためドライプロセスでは形成が困難な部分においても容易に原料物質を供給することができ、均一な絶縁層の形成が可能である。
ターン6(接続用端子となる)を形成することで、インターポーザとしての表裏を最短距離でつなぐ貫通電極3を形成することが可能となる。その結果、配線長が短くなり高速な信号伝送特性を有する配線基板を形成させることができる。
これで構成としては一番単純な、図1(a)もしくは図2(f)に示す貫通電極付き配線基板が完成する。図1(a)では放熱基板2と支持基板1のパターン形成は省略してある。
すなわち、パターン形成された第一の導体層をSiO2を主成分とする絶縁層12で被覆する(図3(g))。ここの被覆という表現は、実質的にパターン間の隙間を絶縁層12で埋設して面一にできれば好ましいが、実際にはゾルを塗布するのであり反応乾燥後には隙間の埋設だけでなく導体上まで覆われてしまうことがある。この場合には研磨する。
100umの銅板を支持基板1としこの上にスピンコート法により厚さ50umのレジストを形成し、所定のパターンが描かれたフォトマスクを用いて露光・現像を行った。そして、レジストが形成されていない開口部分を無電解銅めっきにより50um厚付けし金属の凸部7を形成した。その後、不要なレジストは剥離液を用いて除去した。このとき形成した凸部7は、直径30um、高さ50umの円柱状の構造をしており、隣り合う凸部の距離が150umのパターンを有した(図2(b))。
を核として無電解銅めっきにより厚さ50umの第一の導体層4を形成した(図2(e))。
本発明の比較例を以下に示す。
非特許文献2記載の貫通電極付きガラスウエハの仕様との比較を表1に示す。
2…放熱基板
3…貫通電極
4…導体層(第一の導体層)
5…絶縁層
6…回路パターン
7…金属の凸部
8…絶縁層
10…貫通電極
12…絶縁層
13…導体層(第二の導体層)
14…金属の凸部
15…絶縁層
Claims (6)
- 少なくとも、金属製の支持基板上に金属凸部を形成する工程と、金属製の支持基板及び金属凸部をSiO2を主成分とする絶縁層で被覆する工程と、金属凸部を被覆する絶縁層を除去し金属凸部表面を露出させる工程と、絶縁層と露出した金属凸部の上に第一の導体層を設ける工程と、第一の導体層に金属凸部を含むパターン形成を行う工程と、をこの順に有し、前記パターン形成工程は、回路パターンと放熱基板が導通しないよう孤立パターンを形成することを特徴とする貫通電極付き配線基板の製造方法。
- 請求項1に記載のパターン形成を行う工程に引き続き、パターン形成された第一の導体層をSiO2を主成分とする絶縁層で被覆する工程と、絶縁層を除去し第一の導体層表面を露出させる工程と、第二の導体層を設ける工程と、第二の導体層の金属凸部上にパターン形成を行う工程と、第二の導体層をSiO2を主成分とする絶縁層で被覆する工程と、絶縁層を除去しパターン形成された第二の導体層表面を露出させる工程と、第三の導体層を設ける工程と、第三の導体層にパターン形成を行う工程と、をこの順に有することを特徴とする貫通電極付き配線基板の製造方法。
- 前記絶縁層は、湿式法であるゾルゲル法を用いて形成されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の貫通電極付き配線基板の製造方法。
- 前記金属凸部と第一、第二、第三の導体層は、めっき法を用いて形成することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の貫通電極付き配線基板の製造方法。
- 前記金属製の支持基板に、金属凸部を含む配線パターン形成を行う工程を有することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の貫通電極付き配線基板の製造方法。
- 請求項2から請求項5のいずれか1項に記載の貫通電極付き配線基板の製造方法を繰り返すことを特徴とする貫通電極付き配線基板の製造方法。
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